KR101553458B1 - 반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치 - Google Patents

반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치 Download PDF

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후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤
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Abstract

일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 가스도입관(104)과 가스배출관(105)을 구비한 세정장치(100) 내에 배치한다. 장치 내를 감압 상태로 한 후, 가스도입관(104)으로부터 할로겐 함유 가스를 도입하고, 장치 내의 압력을 10kPa이상 90kPa이하로 한다. 그 후, 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하고, 반도체 제조장치부품(101)에 부착한 질화물 반도체를 제거한다.

Description

반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치{METHOD FOR WASHING SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS COMPONENT, APPARATUS FOR WASHING SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS COMPONENT, AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS}
본 발명은, 반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치에 관한 것이다.
질화물반도체 제조장치(이하, “반도체 제조장치”라고 한다.)에서는, 실리콘웨이퍼 상에 GaN(질화갈륨)과 AlGaN(알루미늄질화갈륨) 등의 질화물을 퇴적시켜서 반도체를 제조한다. 이 과정에서, 반도체 제조장치 내의 웨이퍼 상에 퇴적해야 할 GaN 등의 반도체 박막이, 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼트레이와 가스유로 등, 웨이퍼 이외의 각종 부품에 부착해 버린다.
웨이퍼 이외의 부품에 부착한 GaN 등은, 불요한 오염물로 되어, 질화물 반도체를 제조할 때에 장애가 되므로, 오염부품을 세정하여 상기의 질화물을 제거할 필요가 있다.
일반적으로, GaN나 AlGaN 등의 질화물을, 염소계 가스를 주성분으로 하는 세정가스와 반응시켜서, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물을 제거하고 있다.
특허문헌 1(특개2006-332201호 공보)에서는, 질화물 반도체 제조장치 내의 오염된 부품을 500℃이상 1000℃이하의 온도에 있어서, 염소계 가스를 주성분으로 하는 세정가스와 접촉시키는 세정방법이 기재되어 있다. 상기 문헌에서는, 오염된 부품의 질화물은 세정가스 중의 염소계 가스와 반응한다. 생성하는 반응생성물은 500℃이상의 온도에서 기화하여 제거된다고 되어 있다. 또한, 이 방법은 1000℃이상의 고온으로 할 필요가 없기 때문에, 웨이퍼트레이의 열변형이 발생하지 않는다고 되어 있다.
또한, 특허문헌 2(특개2010-245376호 공보)에서는, 세정가스 도입관이 반응실 내의 하부에 배치되어 있는 세정장치가 기재되어 있다. 세정가스 도입관이 반응실 내의 하부에 배치되어 있으므로, 반응실 내에 도입된 세정가스는, 차열부재에 충돌하여 분류(分流)하는 것이 없다. 그 때문에, 세정가스를 오염부품의 세정에 효율 좋게 이용하는 것이 가능하다고 되어 있다.
또한, 특허문헌 3(특개2010-212400호 공보)에서는, 세정가스 도입관과 배출가스 배출관을 가지는 반응관의 양단 개구부를 폐색하여 밀봉캡의 밀봉면 측에, 밀봉면과의 사이에 공간을 가지도록 근접하여 구비된 방착판(防着板)을 구비한, 질화물 반도체장치부품의 세정장치가 기재되어 있다. 방착판에 의해, 밀봉캡의 내벽에 반응생성물의 부착을 억제하는 것이 가능하다. 그 때문에, 세정 후에 반응관을 개방하여 세정한 부품을 꺼낼 때에, 이 반응생성물과 공기 중의 수분이 반응하여 유독한 가스가 발생하는 것이 없어, 작업자는 안전하게 세정작업을 할 수 있다고 되어 있다.
특허문헌1 : 특개2006-332201호 공보 특허문헌2 : 특개2010-245376호 공보 특허문헌3 : 특개2010-212400호 공보 특허문헌4 : 특개2007-109928호 공보
그러나, 특허문헌 1~3과 같은 방법에서는, GaN과 AlGaN 등의 질화물과 염소계 가스와의 반응생성물이, 반도체 제조장치부품과 세정장치 내에 부착되는 경우가 있어, 세정 조작 중에 반응생성물의 제거를 연속적으로 행할 필요가 있었다. 이때, 미사용 세정가스의 일부도 반응생성물과 함께 제거되는 것으로 되기 때문에, 세정가스를 연속적으로 장치 내에 공급할 필요가 있었다. 그래서, 오염물을 제거하는데 필요한 세정가스의 사용량이 많았다.
한편, 특허문헌 4(특개2007-109928호 공보)에는, 질화물 반도체 제조장치 내의 오염된 부품을, 염소계 가스를 주성분으로 하는 제1의 세정가스와 접촉시켜 오염물질을 제거하고, 제2의 세정가스와 접촉시켜서 부품에 잔류하고 있는 염소계 물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조장치부품의 세정방법이 기재되어 있다. 그리고, 특허문헌 4에는, 제1의 세정가스와의 접촉과 제2의 세정가스와의 접촉이 일괄처리 방식으로 행해지는 것이 기재되어 있다.
이 문헌에서는, 일괄처리 방식이 통기처리(기류) 방식보다도 염소가스의 사용량을 저감할 수 있는 것이 나타나 있다.
본 발명자들은, 특허문헌 4의 기재 방법에 따라서, 일괄처리 방식으로 반도체 제조장치부품의 세정을 시험해 본바, 확실히 기류방식보다 염소가스의 사용량을 어느 정도 저감하는 것이 가능했다. 그러나, 세정효율은 여전히 낮고, 더욱더 개선의 여지가 있는 것을 확인했다.
본 발명은 상기 사정에 비춰보아 이루어진 것이고, 세정가스의 사용량을 저감할 수 있고, 세정효율이 우수한 반도체 제조장치부품의 세정방법 및 반도체 제조장치부품의 세정장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 사정에 비춰보아 이루어진 것이고, 원료에 대한 제품 비율이 우수한 기상성장장치(氣相成長裝置)를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면,
일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품을, 가스도입관과 가스배출관을 구비한 장치 내에 배치하는 제1공정과,
상기 장치 내를 감압 상태로 한 후, 상기 가스도입관으로부터 할로겐 함유 가스를 도입하는 제2공정을 행하고,
상기 할로겐 함유 가스를 상기 장치 내에 유지하고, 상기 반도체 제조장치부품에 부착된 상기 질화물 반도체를 제거하는 제3공정을 행하는 반도체 제조장치부품의 세정방법에 있어서,
상기 제3공정에서의 상기 장치 내의 압력이, 10kPa이상 90kPa이하인, 반도체 제조장치부품의 세정방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 제거하는 제3공정에 있어서, 장치 내의 압력을 10kPa이상으로 하는 것에 의해, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응속도가 빨라지고, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물 반도체를 효율 좋게 제거할 수 있다. 또한, 장치 내의 압력을 90kPa이하로 하는 것에 의해, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응생성물의 평균 자유공정을 길게 할 수 있기 때문에, 반응생성물의 확산 효율이 증가하고, 질화물과 할로겐 함유 가스와의 반응효율을 올리는 것이 가능하다. 따라서, 부착된 질화물 반도체를 제거하기 위해 필요한 세정가스의 사용량을 저감할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품의 세정장치에 있어서,
상기 반도체 제조장치부품을 유지하는 부품유지부와,
상기 질화물 반도체와 반응하는 할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관과,
상기 질화물 반도체와 상기 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 포착하는 포착수단과,
상기 반응생성물을 배출하는 가스배출관을 구비한 반도체 제조장치부품의 세정장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 세정장치에 반응생성물을 포착하는 포착수단을 구비하는 것에 의해, 반응생성물이 포착수단에 포착되기 위해, 반응생성물이 반도체 제조장치부품과 세정장치 내의 바람직하지 않은 부분에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 세정가스의 도입과 반응생성물의 제거를 연속적으로 행할 필요가 없고, 부착된 질화물 반도체를 제거하기 위해 필요한 세정가스의 사용량을 저감할 수 있다.
더욱이, 본 발명에 의하면,
갈륨을 함유하는 제1원료가스와, 암모니아를 함유하는 제2원료가스를, 반응조 내의 기판에 대해서 공급하고, 상기 기판 상에 일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체를 성장시키는 기상성장장치에 있어서,
상기 기판을 유지하는 기판유지부와,
할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관과,
상기 질화물 반도체와 상기 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 포착하는 포착수단과,
상기 반응생성물을 배출하는 가스배출관을 구비한, 기상성장장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 세정가스의 사용량을 저감할 수 있고, 세정효율이 우수한, 반도체 제조장치부품의 세정방법 및 반도체 제조장치부품의 세정장치가 제공된다.
더욱이 본 발명에 의하면, 원료에 대한 제품 비율이 우수한 기상성장장치가 제공된다.
상술한 목적, 및 기타의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 알맞은 실시의 형태, 및 그것에 부수하는 이하의 도면에 의해 더욱 명확하게 된다.
[도1] 제1의 실시형태에 있어서 세정장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도2] 제1의 실시형태에 있어서, 세정장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도3] 제2의 실시형태에 있어서, 세정장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도4] 제2의 실시형태에 있어서, 세정장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도5] 제2의 실시형태에 있어서, 세정장치의 구성의 일부를 나타낸 단면도이다.
[도6] 제2의 실시형태에 있어서, 세정장치의 구성의 일부를 나타낸 단면도이다.
[도7] 제3의 실시형태에 있어서, 기상성장장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도8] 제3의 실시형태에 있어서, 기상성장장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
[도9] 제3의 실시형태에 있어서, 기상성장장치의 구성의 일부를 나타낸 단면도이다.
[도10] 제3의 실시형태에 있어서, 기상성장장치의 구성의 일부를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 부여하고, 적절한 설명을 생략한다.
(제1의 실시형태)
<세정장치>
이하, 제1의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품의 세정장치(100)에 대해서 설명하지만, 제1의 실시형태에 있어서 세정장치(100)는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
도 1은, 제1의 실시형태에 있어서 세정장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 세정장치(100)는, 일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)으로 표기되는 질화물반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 유지하는 부품유지부(102)와, 부품유지부(102)를 수납하는 반응조(103)와, 질화물반도체와 반응하는 할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관(104)과, 반응조(103)에서 발생한 반응생성물을 배출하는 가스배출관(105)으로 구성되어 있다.
또한, 필요에 따라서, 반응조(103)의 주위에는, 반응조(103) 내를 가열하는 가열장치(106)와, 반응조(103)의 내부 압력을 모니터하는 압력계(108)를 각각 구비하는 것이 가능하다.
반응조(103)의 재질은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 석영 등의 내열성 재료에 의해 형성되어 있다. 반응조(103)의 내부에는, 반도체 제조장치부품(101)을 유지하는 부품유지부(102)가 구비되어 있다.
또한, 반응조(103)의 형상과 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 세정을 행하는 반도체 제조장치부품(101)의 크기와 처리량에 따라 적절히 정해질 수 있다.
부품유지부(102)는, 반도체 제조장치부품(101)을 유지하기 위한 부재이고, 예를 들면 카본이나 석영 등의 내열성 재료에 의해 형성되어 있다. 이러한 부품유지부(102)는 반도체 제조장치부품(101)을 지지하는 것이 가능하고, 또한 그 상태를 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 이때, 반도체 제조장치부품(101)의 표면 전체가 처리되도록 유지되는 것이 바람직하다.
반도체 제조장치부품(101)을 유지하는 구성은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 부품유지부(102)의 표면에 반도체 제조장치부품(101)의 일부분을 삽입할 수 있는 홈을 구비해 두는 구성을 들 수 있다. 반도체 제조장치부품(101)을 그 홈에 꽂는 것에 의해 유지할 수 있다.
또한, 부품유지부(102)에는, 반도체 제조장치부품(101)을 걸어서 유지하기 위한 걸림부가 형성되어 있는 구성이어도 좋다. 상기 걸림형의 부품유지부(102)는, 반도체 제조장치부품(101)을 걸어서 유지하기 위해, 반도체 제조장치부품(101)과 부품유지부(102)의 접촉면적을 최소한으로 하는 것이 가능하여, 반도체 제조장치부품(101)의 미세정 부분을 최소로 하는 것이 가능하다.
또한, 부품유지부(102)에는, 복수의 관통공이 형성되어 있어도 좋다. 복수의 관통공이 형성되어 있으면, 하방으로부터 공급되는 할로겐 함유 가스가 상방향으로 흐르기 쉽게 된다. 이것에 의해, 부품유지부(102)에 유지된 반도체 제조장치부품(101)에 할로겐 함유 가스가 접촉되기 쉽게 되어, 부품유지부(102)의 세정처리가 한층 더 효율적으로 행해질 수 있다. 또한, 부품유지부(102)가 반도체 제조장치부품(101)을 유지할 수 있는 강도를 유지할 수 있는 것이라면, 관통공의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 관통공의 형상은 사각형이나 원형이어도 좋다. 또한, 부품유지부(102)에 관통공을 형성하는 이외에, 부품유지부(102)를 격자형상으로 형성하여도 좋다.
할로겐 함유 가스는, 할로겐 함유 가스가 충진된 용기(109)로부터, 가스도입관(104)를 통해 반응조(103)의 내부에 도입된다. 또한, 필요에 따라서, 할로겐 함유 가스의 도입과 동시에, 불활성 가스가 충진된 용기(110)으로부터 반응조(103)의 내부에 불활성가스를 도입하여, 할로겐 함유 가스의 농도를 조절하는 것도 가능하다. 이때, 할로겐 함유 가스 및 불활성 가스의 도입량은, 가스도입밸브(111)에 의해 조절될 수 있다.
가스배출관(105)은 가스배출밸브(112)를 통해 진공펌프(113)에 접속되어 있고, 이것에 의해 반응조(103)의 내부를 감압상태로 하는 것이 가능하다. 더욱이, 가스배출관(105) 및 진공펌프(113)는, 필요에 따라서, 도시되지 않은 배기가스제해처리장치에 접속할 수 있어, 반응조(103)로부터 배출된 반응생성물을 무해화시켜서, 대기 중에 배출하는 것이 가능하다.
또한, 도 1에서는 가스도입관(104) 및 가스배출관(105)은 반응조(103)의 하부에 접속하고 있는 기재를 나타내었지만, 반응조(103)의 측부나 상부여도 좋고, 접속부위는 특별히 한정되지 않는다.
가열장치(106)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 반응조(103)의 내부를 가열할 수 있는 가열수단과, 이 가열수단의 출력을 조정하고, 반응조(103)의 내부를 일정 온도로 유지할 수 있는 온도조정기로 구성된다. 가열수단은, 특별히 한정되지 않지만, 발열선, 램프가열 등 공지의 가열수단을 사용할 수 있고, 반도체 제조장치부품(101)을 가열할 수 있는 것이라면 무엇이라도 좋다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 세정장치(100)는 배출된 반응생성물로부터 질화물 반도체를 회수하는 회수수단(114)을 추가로 구비하고 있어도 좋다. 회수수단(114)은, 예를 들면 가스배출관(105)에 접속되는 회수부(114)와, NH3(암모니아) 가스가 충진된 용기(116)로부터 구성되어 있고, 배출된 반응생성물이 회수부(115)의 내부에 포착되도록 되어 있다. 더욱이, 회수부(115)는 용기(116)와 접속되어 있고, 이것에 의해 회수부(115)의 내부에 NH3가스를 도입하는 것이 가능하다.
회수부(115)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 카본, 석영, 스텐레스강, 하스텔로이, 질화탄소, 질화규소, 질화붕소, 질화붕소규소 등, 내열성 및 할로겐 함유 가스에의 내식성을 가지는 재료로부터 형성되어 있다. 또한, 회수부(115)에는, 예를 들면, 반응생성물을 도입할 수 있는 도입구와, NH3가스를 도입할 수 있는 도입구와, 배기가스를 배출할 수 있는 배출구가 각각 구비되어 있다.
반도체 제조장치부품(101)은, 특별히 한정되지 않지만, 질화물 반도체를 제조하는 장치인 MOCVD 장치 등의, 부착물에 의한 오염이 심한 부품을 적용하는 것이 가능하다. 특히, 발열체나 웨이퍼트레이 등의 반응로 주변의 부품에 대해 효과적이다.
<세정방법>
다음으로, 세정장치(100)를 이용하여, 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 세정하는 방법에 대해서 설명한다. 제1의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을, 반응조(103)의 내부에 배치하는 제1공정과, 반응조(103)의 내부를 감압상태로 한 후, 가스도입관(104)으로부터 할로겐 함유 가스를 도입하는 제2공정을 행하고, 그 후, 할로겐 함유 가스를 반응조(103)의 내부에 유지하여, 반도체 제조장치부품(101)에 부착된 질화물 반도체를 제거하는 제3공정을 가진다. 여기서, 제3공정에서의 반응조(103)의 내부 압력은, 10kPa이상 90kPa이하이다.
이하, 각 공정에 대해서 상세히 설명한다.
(제1공정)
처음으로, 반도체 장치 내의 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 분해하여, 반응조(103) 내의 부품유지부(102)에 배치한다. 이때, 배치되는 반도체 제조장치부품(101)의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1개의 부품이어도 좋고, 1개 부품 이상이어도 좋다.
다음으로, 반응조(103)의 내부를, 가열장치(106)에 의해 후술하는 소정의 온도까지 가열하고, 더욱이 진공펌프(113)에 의해 감압상태로 한다. 여기에서, 반응조(103)의 내부 압력은 1kPa이하가 바람직하고, 특히 0.1kPa이하가 바람직하다. 상기 상한치 이하로 하면, 도입되는 할로겐 함유 가스의 양을 증가시키는 것이 가능하고, 동시에 바람직하지 않은 잔류가스에 의한 부반응을 억제하여, 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
여기에서, 반응조(103)의 내부를 감압상태로 한 다음 가열하여도 좋고, 가열조작과 감압조작을 동시에 행하여도 좋다. 최종적으로 상기의 온도 및 압력으로 되면 좋고, 가열조작과 감압조작의 순서는 특별히 한정되지 않는다.
(제2공정)
반응조(103)의 내부가 소정의 압력으로 된 후, 가스도입밸브(111)를 개방하여, 할로겐 함유 가스를 반응조(103) 내부로 도입한다.
할로겐 함유 가스는, 예를 들면, Cl2, HCl, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, BCl3, CHCl3, CH2Cl2, CH3Cl 등의 분자 내에 염소를 포함하는 화합물의 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 이용될 수 있다. 이것들 중에서는, 가격, 반응성 등의 밸런스로부터 Cl2가 특히 바람직하다.
또한, 필요에 따라서 할로겐 함유 가스의 도입과 동시에, 용기(110)로부터 불활성가스를 반응조(103)의 내부에 도입하여도 좋다. 불활성가스의 도입에 의해, 할로겐 함유 가스의 농도를 조절하는 것이 가능하다.
불활성가스로서는, 예를 들면, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 할로겐 함유 가스와 반응하지 않는 임의의 가스의 1종 또는 2종 이상의 혼합가스를 이용하는 것이 가능하다.
또한, 상기의 불활성가스를 도입한 때의 반응조(103) 내의 할로겐 함유 가스 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 농도가 너무 높으면 반도체 제조장치부품 자체가 부식할 경우가 있기 때문에, 부품의 종류에 따라서 적절히 설정된다.
불활성가스를 도입한 때의 반응조(103) 내 할로겐 함유 가스 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 5체적% 이상이 바람직하고, 특히 10체적% 이상이 바람직하다. 상기 하한치 이상으로 하면, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응속도가 빨라져, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물 반도체를 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
할로겐 함유 가스 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 100체적% 이하가 바람직하고, 특히 80체적% 이하가 바람직하다. 상기 상한치 이하로 하면, 할로겐 함유 가스 양이 적어도 되고, 또한 장치구성부품의 부식을 억제하는 것이 가능하다.
(제3공정)
반응조(103)의 내부가 소정의 농도, 압력으로 된 후, 할로겐 함유 가스를 반응조(103)의 내부에 일정 시간 유지한다. 이때, 반도체 제조장치부품(101)에 부착된 질화물 반도체는 할로겐 함유 가스와 반응하여, 할로겐화 갈륨 등의 반응생성물이 생성된다. 이 반응생성물은 즉시 증발하여 증기로 되어, 반응조(103)의 내부를 떠돈다.
제3공정에 있어서 반응조(103)의 내부압력은, 10kPa이상이고, 바람직하게는 12kPa이상이고, 더욱 바람직하게는 15kPa이상이다.
내부압력을 상기 하한치 이상으로 하면, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응속도가 빨라져, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물 반도체를 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부압력은, 90kPa이하이고, 바람직하게는 85kPa이하이며, 더욱 바람직하게는 80kPa이하이다. 내부압력을 상기 상한치 이하로 하면, 반응생성물의 평균자유공정을 길게 할 수 있기 때문에, 반응생성물의 확산효율이 증가하고, 질화물과 할로겐 함유 가스와의 반응효율을 높이는 것이 가능하다.
따라서, 세정가스의 도입과 반응생성물의 제거를 연속적으로 행할 필요가 없고, 부착된 질화물 반도체를 제거함에 필요한 세정가스의 사용량을 저감할 수 있다.
제3공정에 있어서 반응조(103)의 내부온도는, 특별히 한정되지 않지만, 500℃이상이 바람직하고, 특히 750℃이상이 바람직하다. 내부온도를 상기 하한치 이상으로 하면, 반응생성물의 휘발속도가 빨라져, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물 반도체를 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부온도는, 특별히 한정되지 않지만, 1000℃이하가 바람직하고, 특히 800℃이하가 바람직하다. 내부온도를 상기 상한치 이하로 하면, 반도체 제조장치부품(101)의 열변형을 한층 더 방지하는 것이 가능하다.
제3공정에 있어서 할로겐 함유 가스의 유지시간은, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(103)의 크기나 반도체 제조장치부품(101)의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
또한, 제3공정에서는, 가스도입밸브(111) 및 가스배출밸브(112)는 밀폐성을 보존하기 위해, 완전히 닫혀있는 것이 바람직하지만, 닫혀 있지 않아도 좋다. 예를 들면, 반응조(103)의 내부압력이 상기의 압력범위를 만족하도록, 가스도입밸브(111) 및 가스배출밸브(112)를 조절하여도 좋다.
(제4공정)
또한, 제1의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 제거하는 제4공정을 더 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 할로겐 함유 가스를 반응조(103)의 내부에 일정시간 유지 후, 가스배출밸브(112)를 개방하여 가스배출관(105)으로부터 반응생성물의 증기를 제거한다.
이때, 가스도입관(104)을 열어서, 용기(110)로부터 반응조(103)에 불활성가스를 도입하고, 반응조(103)의 내부를 대기압으로 돌린 후, 반응생성물의 증기를 배출하는 것이 더욱 바람직하다. 불활성가스를 도입하는 것에 의해, 반응생성물의 증기가 불활성가스에 의해 밀려 나와, 증기를 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다. 이때 사용하는 불활성가스는, 특히 한정되지 않지만, 상술한 불활성가스를 사용하여도 좋고, 기타의 가스를 사용하여도 좋다.
또한, 제1의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 상기의 제2공정으로부터 제4공정까지를 2회 이상 행하는 것이 바람직하다. 2회 이상 행하면, 반도체 제조장치부품(101)의 표면이 더욱 활성화되어, 질화물과 할로겐 함유 가스의 반응효율을 더욱 올리는 것이 가능하다. 반복하는 횟수는, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(103)의 크기나 반도체 제조장치부품(101)의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
(제5공정)
또한, 제1의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 제5공정을 더 행하는 것이 바람직하다. 회수방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 2에 나타낸 바와 같이, 가스배출관(105)으로부터 배출된 반응생성물의 증기를 회수부(115)에 포착한다. 그 후, 용기(116)로부터 회수부(115)에 NH3가스를 도입하여, 반응생성물과 NH3를 반응시켜, 갈륨 화합물 등의 고체를 생성시킨다. 본 제5공정을 행하는 것에 의해, 유해한 배기가스의 양을 저감하는 것이 가능하다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 제1의 실시형태에 대해서 서술했지만, 이것들은 본 발명의 예시이고, 상기 이외의 다양한 구성을 채용하는 것도 가능하다.
제1의 실시형태에서는, 진공펌프(113)가 가스배출관(105)에 접속되어 있는 경우를 나타냈지만, 기타 부위에 진공펌프(113)를 접속하는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
또한, 제1의 실시형태에서는, 반도체 제조장치부품(101)을 세정하는 경우를 나타냈지만, 반도체 제조장치본체를 반응조(103)의 내부에 배치하여 세정하여도 좋다. 다만, 이 경우는, 반도체 제조장치 자체가 손상되지 않도록 주의할 필요가 있다.
또한, 제4공정의 후에, 수소, 메탄, 에탄 등의 분자 내에 수소를 포함하는 수소계 가스와, 이것을 희석하는 아르곤, 헬륨, 질소 등의 불활성가스로부터 되는 혼합가스를 도입하여, 부품에 부착되어 잔류하고 있는 할로겐 화합물을 제거하는 공정을 더 행하는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
(제2의 실시형태)
다음으로, 제2의 실시형태에 관한 세정장치(100)에 대해서 설명한다. 제2의 실시형태는, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 포착하는 포착수단(117)을 구비하고 있는 이외는, 기본적으로는 제1의 실시형태에 관한 세정장치(100)와 동일하다. 그 때문에, 제2의 실시형태에서는, 제1의 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명하고, 공통되는 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
<세정장치>
도 3은, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 세정장치(100)는 일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)으로 표기되는 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 유지하는 부품유지부(102)와, 부품유지부(102)를 수납하는 반응조(103)과, 질화물 반도체와 반응하는 할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관(104)과, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스의 반응생성물을 포착하는 포착수단(117)과, 반응생성물을 배출하는 가스배출관(105)으로 구성되어 있다.
세정장치(100)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 세정처리부(118)와, 포착수단(117)을 냉각하기 위한 냉각부(119)를 더 구비하고, 세정처리부(118)의 내부에 부품유지부(102)가 배치되고, 냉각부(119)의 내부에 포착수단(117)이 배치되어 있는 구성을 취하는 것이 보다 바람직하다.
이러한 구성을 취하는 것에 의해, 반도체 제조장치부품의 세정처리와 반응생성물의 포착을 명확하게 나누는 것이 가능하다. 더욱이, 냉각부(119)에 의해, 포착수단(117)에 포착된 반응생성물의 증기를 냉각하여, 반응생성물을 석출(析出)시키는 것이 가능하므로, 반응생성물이 반도체 제조장치부품이나 세정장치 내의 바람직하지 않은 부분에 부착되는 것을 한층 더 억제할 수 있고, 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 포착하는 것이 가능하다.
또한, 포착수단(117)은, 특별히 한정되지 않지만, 냉각패널이 바람직하다. 냉각패널을 이용하는 것에 의해, 반응생성물의 증기를 한층 더 효율 좋게 냉각할 수 있으므로, 반응생성물을 더욱 효율 좋게 포착하는 것이 가능하다.
또한, 포착수단(117)은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 카본, 석영, 스텐레스강, 하스텔로이, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소 등, 반응생성물과 반응하지 않는 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 특별히 석영이 내열성에 우수한 점에서 바람직하다. 여기에서의 반응이라 함은, 부식 등의 불가역적인 반응을 말한다. 다만 단순히 석출하고 있는 경우나 흡착하고 있는 경우는 포함하지 않는다.
또한, 냉각부(119)는, 포착수단(117) 내부의 온도를 조절하는 기능을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 저온으로 하는 것에 의해 반응생성물을 포착한 후, 고온으로 전환하는 것에 의해, 포착한 반응생성물을 다시 증기로 하는 것이 가능하다. 이 때문에, 가스배출관(105)으로부터 반응생성물을 더욱 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다.
상술한 포착수단(117) 내부의 온도를 조절하는 기능은, 예를 들면, 온도제어유체순환기(120) 등을 들 수 있다. 온도제어유체순환기(120)로부터 예를 들면 물을 냉각부(119)에 흐르게 하는 것에 의해, 냉각부(119)를 저온으로 하는 것이 가능하다. 또한, 온도제어유체순환기(120)로부터 예를 들면 기름을 흐르게 하는 것에 의해, 냉각부(119)를 고온으로 하는 것이 가능하다.
냉각부(119)를 냉각하는 물의 온도는 0℃이상 40℃이하가 바람직하다. 또한, 냉각부(119)를 따뜻하게 하는 기름의 온도는 80℃이상 200℃이하가 바람직하다.
가스도입관(104)의 접촉부위는, 도 3에서는 반응조(103)의 상부에 접속해 있는 기재를 나타냈지만, 반응조(103)의 측부나 하부여도 좋고, 접속부위는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 가스배출관(105)의 접속부위는, 특별히 한정되지 않지만, 포착수단(117)에 접속되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 접속에 의해, 포착수단(117)에 포착된 반응생성물을 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다.
또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 세정장치(100)는, 배출된 반응생성물로부터 질화물 반도체를 회수하는 회수수단(114)을 더 구비하고 있어도 좋다. 회수수단(114)은, 예를 들면 가스배출관(105)에 접속된 회수부(115)와, NH3(암모니아)가스가 충진된 용기(116)로부터 구성되어 있고, 배출된 반응생성물이 회수부(115)의 내부에 포착되도록 되어 있다. 더욱이, 회수부(115)는 용기(116)와 접속되어 있고, 이것에 의해 회수부(115)의 내부에 암모니아 가스를 도입하는 것이 가능하다.
회수부(115)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 카본, 석영, 스텐레스강, 하스텔로이, 질화탄소, 질화규소, 질화붕소, 질화붕소규소 등 내열성 및 할로겐 함유 가스에의 내식성을 가지는 재료로 형성되어 있다. 또한, 회수부(115)에는, 예를 들면, 반응생성물을 도입할 수 있는 도입구와, 암모니아가스를 도입할 수 있는 도입구와, 배기가스를 배출할 수 있는 배출구가 각각 구비되어 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 세정장치(100)는 가스배출관(105)과 회수부(115)와의 사이에, 복수의 트랩(121)을 구비하여도 좋다. 트랩(121)은 가스배출관(105)으로부터 배출된 반응생성물을 모으는 것이 가능하다.
또한, 세정장치(100)가 회수수단(114)을 구비하는 경우, 가스배출관(105)으로부터 트랩(121) 또는 회수부(115)까지의 거리는 짧은 편이 바람직하다. 거리를 짧게 하는 것으로, 반응생성물의 증기가 확산되는 거리를 짧게 할 수 있어, 도중에 석출하는 것을 한층 더 막는 것이 가능하다.
반도체 제조장치부품(101)은, 특별히 한정되지 않지만, 질화물 반도체를 제조하는 장치인 MOCVD 장치 등의, 부착물에 의한 오염이 심한 부품을 적용하는 것이 가능하다. 특히, 발열체나 웨이퍼트레이 등의 반응로 주변의 부품에 대해 효과적이다.
<세정방법>
다음으로, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치(100)를 이용한, 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법에 대해서 설명하지만, 제2의 실시형태에 있어서 세정방법은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 여기에서도, 제1의 실시형태와 다른 부분을 중심으로 설명하고 공통되는 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
제2의 실시형태에 있어서 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 장치 내에 배치하는 제1공정과, 가스도입관(104)으로부터 할로겐 함유 가스를 도입하고, 반도체 제조장치부품(101)에 부착된 질화물 반도체를 제거하는 제2공정과, 할로겐 함유 가스와 질화물 반도체와의 반응으로 발생한 반응생성물을 포착하는 제3공정을 가지고 있다.
이하, 각 공정에 대해서 상세히 설명하지만, 각 공정은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
(제1공정)
처음으로, 반도체 장치 내의 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품(101)을 분해하여, 반응조(103) 내의 부품유지부(102)에 배치한다. 세정장치(100)가 세정처리부(118)와 냉각부(119)를 더 구비하고 있는 경우는, 세정처리부(118) 내에 부품유지부(102)를 배치한다. 이때, 배치되는 반도체 제조장치부품(101)의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1개 부품이어도 좋고, 2개 부품 이상이어도 좋다.
다음으로, 필요에 따라서, 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부를 가열장치(106)에 의해 후술하는 소정의 온도까지 가열한다. 여기에서, 더욱이 진공펌프(113)에 의해 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부를 감압상태로 해도 좋다.
이때, 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부 압력은 1kPa이하가 바람직하고, 특히 0.1kPa 이하가 바람직하다. 상기 상한치 이하로 하면, 도입되는 할로겐 함유 가스의 양을 증가시키는 것이 가능하고, 동시에 바람직하지 않은 잔류가스에 의한 부반응을 억제하여, 반응생성물을 더욱 효율 좋게 제거할 수 있다.
여기에서 반응조(103)의 내부를 감압상태로 한 후 가열하여도 좋고, 가열조작과 감압조작을 동시에 행하여도 좋다. 최종적으로 상기의 온도 및 압력으로 되면 좋고, 가열조작과 감압조작의 순서는 특별히 한정되지 않는다.
(제2공정)
반응조(103)의 내부가 소정의 온도, 압력으로 된 후, 가스도입밸브(111)를 개방하고, 할로겐 함유 가스를 반응조(103) 내부로 도입한다. 할로겐 함유 가스는, 제1의 실시형태와 같은 것을 이용하는 것이 가능하다.
제2공정에서는, 반도체 제조장치부품(101)에 부착된 질화물 반도체는 할로겐 함유 가스와 반응하여, 할로겐화 갈륨 등의 반응생성물이 생성된다. 상기 반응생성물은 즉시 증발하여 증기로 되고, 반응조(103) 또는 세정처리부(118) 및 포착수단(117)의 내부를 떠돈다.
이때, 가스도입밸브(111) 및 가스배출밸브(112)를 닫고, 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하여, 할로겐 함유 가스와 질화물 반도체와의 반응을 행하는 것이 바람직하다. 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하는 것에 의해, 할로겐 함유 가스와 질화물 반도체와의 반응율을 향상시키는 것이 가능하여, 할로겐 함유 가스의 사용량을 한층 더 저감하는 것이 가능하다. 다만, 가스도입밸브(111) 및 가스배출밸브(112)는 완전히 닫지 않아도 좋다.
할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하는 경우는, 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부가 소정의 압력으로 된 후, 가스도입밸브(111)를 닫고, 할로겐 함유 가스를 반응조(103) 또는 세정처리부(118) 및 포착수단(117)의 내부에 일정 시간 유지한다.
제2공정에 있어서 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부압력은, 바람직하게는 10kPa이상이고, 보다 바람직하게는 12kPa이상이다. 내부압력을 상기 하한치 이상으로 하면, 질화물 반도체와 할로겐 함유 가스의 반응속도가 빨라져, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부압력은, 바람직하게는 90kPa이하이고, 보다 바람직하게는 85kPa이하이다. 내부압력을 상기 상한치 이하로 하면, 반응생성물의 평균자유공정을 길게 할 수 있으므로, 반응생성물의 확산 효율이 증가하고, 질화물과 할로겐 함유 가스와의 반응효율을 한층 더 높이는 것이 가능하다.
제2공정에 있어서 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부온도는, 특별히 한정되지 않지만, 500℃이상이 바람직하고, 특히 750℃이상이 바람직하다. 내부온도를 상기 하한치 이상으로 하면, 반응생성물의 휘발속도가 빨라져, 반도체 제조장치부품에 부착된 질화물 반도체를 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부온도는, 특별히 한정되지 않지만, 1000℃이하가 바람직하고, 특히 800℃이하가 바람직하다. 내부온도를 상기 상한치 이하로 하면, 반도체 제조장치부품(101)의 열변형을 한층 더 방지하는 것이 가능하다.
제2공정에 있어서 할로겐 함유 가스의 유지시간은, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(103)의 크기와 반도체 제조장치부품(101)의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
(제3공정)
계속해서, 할로겐 함유 가스와 질화물 반도체와의 반응에서 생긴 반응생성물을 포착수단(117)에 의해 포착한다. 예를 들면, 온도제어유체순환기(120)로부터 물을 냉각부(119)에 흐르게 하여 포착수단(117)을 냉각한다. 그러면, 반응생성물의 증기는, 포착수단(117)의 내부에서 냉각되어, 포착수단(117)의 표면에 석출되어 포착된다.
또한, 제2공정과 제3공정은 동시에 행하는 것이 바람직하다.
반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 내부에, 할로겐 함유 가스를 일정시간 유지 후, 가스배출밸브(112)를 열고, 가스배출관(105)으로부터, 미반응의 할로겐 함유 가스와 포착되지 않은 가스 등의 배기가스를 배출한다.
이때, 가스도입관(104)을 열고, 용기(110)로부터 반응조(103)에 불활성가스를 도입하고, 반응조(103)의 내부를 대기압으로 돌린 후, 배기가스를 배출하는 것이 더욱 바람직하다. 불활성가스를 도입하는 것에 의해, 배기가스가 불활성가스에 의해 밀려나서, 배기가스를 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다. 이때 사용되는 불활성가스는, 특히 한정되지 않지만, 상술한 불활성가스를 사용하여도 좋고, 다른 가스를 사용하여도 좋다.
또한, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치(100)를 이용한, 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 상기 할로겐 함유 가스의 도입부터 배기가스의 배출까지를 2회 이상 행하는 것이 바람직하다. 2회 이상 행하면, 반도체 제조장치부품(101)의 표면이 더욱 활성화되어, 질화물과 할로겐 함유 가스와의 반응효율을 한층 더 올리는 것이 가능하다. 반복하는 횟수는, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(103) 또는 세정처리부(118)의 크기와 반도체 제조장치부품(101)의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
(제4공정)
또한, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치(100)를 이용한, 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은 포착된 반응생성물을 배출하는 제4공정을 더욱 행하는 것이 바람직하다. 반응생성물을 배출하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 온도제어유체순환기(120)로부터 고온의 기름을 냉각부(119)에 흐르게 하여, 포착수단(117)을 따뜻하게 한다. 그러면, 포착수단(117)의 표면에 석출된 반응생성물은, 다시, 증기로 되어, 가스배출관(105)으로부터 배출된다.
이때, 가스도입관(104)을 열어, 용기(110)로부터 반응조(103)에 불활성가스를 도입하고, 반응조(103)의 내부를 대기압으로 돌린 후, 반응생성물의 증기를 배출하는 것이 더욱 바람직하다. 불활성가스를 도입하는 것에 의해, 반응생성물의 증기가 불활성가스에 의해 밀려나서, 증기를 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다. 이때 사용되는 불활성가스는, 특별히 한정되지 않지만, 상술한 불활성가스를 사용하여도 좋고, 다른 가스를 사용하여도 좋다.
또한, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치(100)를 이용한, 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 상기의 제1공정부터 제3공정까지를 반복하여 행하고, 포착수단(117)에 포착된 반응생성물을 일정량 모은 후, 제4공정을 행하는 것이 바람직하다. 반복하는 횟수는, 특별히 한정되지 않지만, 반응생성물의 포착량에 의해 적절히 설정된다.
(제5공정)
또한, 제2의 실시형태에 있어서 세정장치(100)를 이용한, 반도체 제조장치부품(101)의 세정방법은, 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 제5공정을 더욱 행하는 것이 바람직하다. 회수방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이 장치를 이용하여 행하는 것이 가능하다. 처음에, 가스배출관(105)으로부터 배출된 반응생성물의 증기를 회수부(115)에 포착한다. 그 후, 용기(116)로부터 회수부(115)에 암모니아가스를 도입하여, 반응생성물에 포함된 할로겐화 갈륨 등과 암모니아를 반응시켜, 갈륨화합물 등의 고체를 생성시킨다. 이 제5공정을 행하는 것에 의해, 유해한 배기가스의 양을 저감하는 것이 가능하다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 세정장치(100)는, 가스배출관(105)과 회수부(115)와의 사이의, 복수의 트랩(121)에 배출된 반응생성물을 포착하여 일정량 모은 후, 회수부(115)에 반응생성물을 보내도 좋다. 이러한 구성을 취하는 것에 의해, 갈륨화합물의 회수공정을 단계적으로 행하는 것이 가능하다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 서술했지만, 이것들은 본 발명의 예시이고, 상기 이외의 다양한 구성을 채용하는 것도 가능하다.
제2의 실시형태에서는, 진공펌프(113)가 가스배출관(105)에 접속되어 있는 경우를 나타냈지만, 다른 부위에 진공펌프(113)를 접속하는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
또한, 제2의 실시형태에서는, 반도체 제조장치의 부품(101)을 세정하는 경우를 나타냈지만, 반도체 제조장치본체를 반응조(103)의 내부에 배치하여 세정하여도 좋다. 다만, 이 경우는, 반도체 제조장치 자체가 손상되지 않도록 주의할 필요가 있다.
(제3의 실시형태)
<기상성장장치(氣相成長裝置)>
계속해서, 제3의 실시형태에 관한 기상성장장치(200)에 대해 설명한다.
처음으로, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)의 구성에 대해서 설명한다. 도 7은, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)의 구성을 나타내는 단면도이다.
기상성장장치(200)는, 갈륨을 함유하는 제1원료가스와, 암모니아를 함유하는 제2원료가스를 반응조(203) 내의 기판(201)에 대해 공급하여, 기판(201) 위에 일반식 AlxInyGa1 -x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)으로 표기되는 질화물 반도체를 성장시키는 장치이다. 그리고, 기상성장장치(200)는, 반응조(203)와, 기판유지부(202)와, 가스도입관(204)과, 포착수단(217)과, 가스배출관(205)을 구비하고 있다.
가스도입관(204)으로부터는, 갈륨을 함유하는 제1원료가스와, 암모니아를 함유하는 제2원료가스를, 기판(201)을 향해 공급할 수 있다. 더욱이, 가스도입관(204)으로부터는, 할로겐 함유 가스를 반응조(203) 내로 도입할 수 있고, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품으로부터 부착된 오염물을 제거할 수 있다. 제거된 오염물은 가스배출관(205)으로부터 배출할 수 있다.
또한, 필요에 따라서, 기상성장장치(200)는 반응조(203)의 주위에, 반응조(203) 내를 가열하는 가열장치(206)와, 반응조(203)의 내부 압력을 모니터하는 압력계(208)를 각각 구비하는 것이 가능하다.
반응조(203)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 석영 등의 내열성 재료에 의해 형성되어 있다. 반응조(203)의 내부에는, 기판유지부(202)가 배치되어, 기판유지부(202) 위에 질화물 반도체를 성장시키는 기판(201)이 배치된다.
또한, 반응조(203)의 형상과 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 기판(201)의 크기와 처리량에 의해 적절히 정해진다.
포착수단(217)은, GaN 등의 오염물과 할로겐 함유 가스와의 반응에 의해 발생되는 반응생성물을 포착하는 역할을 담당한다. 종래의 기상성장장치를 이용하여 질화물 반도체를 제조하면, GaN 등의 오염물이 기판을 유지하는 트레이와 가스유로 등, 기판 이외의 각종 부품에도 부착해 버린다. 그 때문에, 새로운 반도체를 제조하기 전에, 오염된 부품을 한번 세정할 필요가 있었다.
한편, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)에서는, 질화물 반도체를 제조 후, 가스도입관(204)을 통해서 반응조(203) 내에, 할로겐 함유 가스를 도입하고, 반응조(203) 내 각종 부품의 세정을 기상성장장치(200) 내에서 행한다.
이때, 포착수단(217)은, 할로겐 함유 가스와 오염물과의 반응생성물을 포착하는 역할을 담당한다. 반응생성물은 포착수단(217)에 포착되기 때문에, 반응생성물이 다른 부품 등에 부착되는 것을 억제할 수 있고, 부착된 오염물을 효율 좋게 제거할 수 있다. 따라서, 포착수단(217)을 구비한 기상성장장치(200)는, 한번 오염된 부품을 떼어내어 세정할 필요가 없어, 질화물 반도체를 원료에 대한 제품 비율이 좋게 제조할 수 있다.
기상성장장치(200)는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 포착수단(217)을 냉각하기 위해 냉각부(219)를 더 구비하고, 반응조(203)의 내부에 기판유지부(202)가 배치되고, 냉각부(219)의 내부에 포착수단(217)이 배치되어 있는 구성을 취하는 것이 보다 바람직하다.
이러한 구성을 취하는 것에 의해, 기상성장장치(200) 내 부품의 세정처리와, 반응생성물의 포착을 명확히 구분하는 것이 가능하다. 더욱이, 냉각부(219)에 의해, 포착수단(217)에 포착된 반응생성물의 증기를 냉각하고, 반응생성물을 석출시키는 것이 가능하므로, 반응생성물이 기상성장장치(200) 내의 부품에 부착되는 것을 한층 더 억제할 수 있어, 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 포착하는 것이 가능하다.
포착수단(217)은, 반응생성물을 포착할 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않지만, 냉각패널이 바람직하다. 냉각패널을 이용하는 것이 의해, 반응생성물의 증기를 효율 좋게 냉각할 수 있으므로, 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 포착하는 것이 가능하다.
또한, 포착수단(217)은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 카본, 석영, 스텐레스강, 하스텔로이, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소 등, 반응생성물과 반응하지 않는 재료로부터 형성되는 것이 바람직하다. 특별히 석영이 내열성에 우수한 것으로부터 바람직하다. 여기에서의 반응이라 함은, 부식 등의 불가역적인 반응을 말한다. 다만, 단순히 석출되고 있는 경우나 흡착되고 있는 경우는 포함하지 않는다.
또한, 냉각부(219)는, 포착수단(217) 내부의 온도를 조절하는 기능을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 저온으로 하는 것에 의해 반응생성물을 포착한 후, 고온으로 전환하는 것에 의해서, 포착한 반응생성물을 다시 증기로 하는 것이 가능하다. 그 때문에, 가스배출관(205)으로부터 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다.
상술한 포착수단(217) 내부의 온도를 조절하는 기능은, 예를 들면, 온도제어유체순환기(220) 등을 들 수 있다. 온도제어유체순환기(220)로부터 냉각수를 냉각부(219)에 흐르게 하는 것에 의해, 냉각부(219)를 저온으로 하는 것이 가능하다. 또한, 온도제어유체순환기(220)로부터 기름을 흐르게 하는 것에 의해, 냉각부를 고온으로 하는 것이 가능하다.
냉각부(219)를 냉각하는 냉각수의 온도는 0℃이상 40℃이하가 바람직하다. 또한, 냉각부(219)를 따뜻하게 하는 기름의 온도는 80℃ 이상 200℃이하가 바람직하다.
기판유지부(202)는, 기판(201)을 유지하기 위한 부재이고, 예를 들면, 카본이나 석영 등의 내열성 부재에 의해 형성되어 있다. 상기 기판유지부(202)는 기판(201)을 유지하는 것이 가능하고, 또한 그 상태를 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
갈륨을 함유하는 제1원료가스와, 암모니아를 함유하는 제2원료가스는, 제1원료가스 생성실(223)과 제2원료가스가 충진된 용기(218)로부터, 가스도입관(204)을 통해 반응조(203)의 내부로 도입된다. 이때, 제1원료가스 및 제2원료가스의 도입량은, 가스도입밸브(211)에 의해 조절할 수 있다.
할로겐 함유 가스는, 할로겐 함유 가스가 충진된 용기(210)로부터 가스도입관(204)을 통해 반응조(203)의 내부로 도입된다. 또한, 필요에 따라서, 할로겐 함유 가스의 도입과 동시에, 불활성가스가 충진된 용기(222)로부터 불활성가스를 도입하여, 할로겐 함유 가스의 농도를 조절하는 것이 가능하다. 이때, 할로겐 함유 가스 및 불활성가스의 도입량은, 가스도입벨브(211)에 의해 조절할 수 있다.
가스도입관(204)의 한쪽 입구는 반응조(203) 내에 접속되고, 다른 한쪽은 할로겐 함유 가스가 충진된 용기(210)와 제1원료가스생성실(223), 제2원료가스가 충진된 용기(218), 불활성가스가 충진된 용기(222)에 접속되어 있다.
가스배출관(205)은, 가스배출밸브(212)를 통해서 진공펌프(213)에 접속되어 있고, 이것에 의해 반응조(203)의 내부를 감압상태로 하는 것이 가능하다. 더욱이, 가스배출관(205) 및 진공펌프(213)는, 필요에 따라서, 도시하지 않은 배기가스제해처리장치에 접속할 수 있고, 반응조(203)로부터 배출된 반응생성물을 무해화시켜서, 대기 중에 배출하는 것이 가능하다.
가스도입관(204)의 접속부위는, 도 7, 8에서는 반응조(203)의 상부에 접속되어 있는 기재를 나타냈지만, 반응조(203)의 측부나 하부도 좋고, 접속부위는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 각각의 가스에 대해, 가스도입관(204)이 1개의 경우를 나타냈지만, 가스도입관(204)은, 1개일 필요는 없고, 각각의 가스에 대해서 전용의 가스도입관을 구비하여도 좋고, 도 7 및 도 8과 같이 공통의 가스도입관이어도 좋다.
가스배출관(205)의 접속개수는, 특별히 한정되지 않지만, 도 7 및 도 8과 같이 포착수단(217)에 접속되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 접속에 의해, 포착수단(217)에 포착된 반응생성물을 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다.
가열장치(206)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 반응조(203)의 내부를 가열할 수 있는 가열수단과, 이 가열수단의 출력을 조정하고, 반응조(203)의 내부를 일정 온도로 유지할 수 있는 온도조정기로부터 구성된다. 가열수단은, 특별히 한정되지 않지만, 발열선, 램프가열 등 공지의 가열수단을 사용할 수 있고, 기상성장장치(200) 내를 가열할 수 있는 것이라면 무엇이어도 좋다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)는, 배출된 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 회수수단(214)을, 더욱 구비하고 있어도 좋다. 회수수단(214)은, 예를 들면 가스배출관(205)에 접속된 회수부(215)와, 암모니아가 충진된 용기(216)로부터 구성되어 있고, 배출된 반응생성물이 회수부(215)의 내부에 포착되도록 되어 있다. 더욱이, 회수부(215)는 용기(216)와 접속되어 있고, 이것에 의해 회수부(215)의 내부에 암모니아를 도입하는 것이 가능하다.
회수부(215)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 카본, 석영, 스텐레스강, 하스텔로이, 질화탄소, 질화규소, 질화붕소, 질화붕소규소 등, 내열성 및 할로겐 함유 가스에의 내식성을 가지는 재료로부터 형성되어 있다. 또한, 회수부(215)에는, 예를 들면, 반응생성물을 도입할 수 있는 도입구와, 암모니아를 도입할 수 있는 도입구와, 배기가스를 배출할 수 있는 배출구가 각각 구비되어 있다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 기상성장장치(200)는, 가스배출관(205)과 회수부(215)와의 사이에, 복수의 트랩(221)을 구비하여도 좋다. 트랩(221)은 가스배출관(205)으로부터 배출된 반응생성물을 모으는 것이 가능하다.
또한, 기상성장장치(200)가 회수수단(214)을 구비하는 경우, 가스배출관(205)으로부터 트랩(221) 또는 회수부(215)까지의 거리는 짧은 편이 바람직하다. 거리를 짧게 하는 것으로, 반응생성물의 증기가 확산되는 거리를 짧게 할 수 있고, 도중에 석출하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
계속해서, 기상성장장치(200)의 사용방법에 대해서 설명한다. 주로, 질화물 반도체의 제조와, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품에 부착된 오염물을 제거하는 세정조작으로부터 된다.
<질화물 반도체의 제조>
처음으로, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)를 이용한, 질화물 반도체의 제조에 대해서 설명하지만, 기상성장장치(200)에 의한 질화물 반도체의 제조방법은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
질화물 반도체를 제조하는 경우는, 일반적으로 기상성장법, 특히 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition:유기금속기상성장)법 혹은 HVPE(Hydride Vapour Phase Epitaxy : 하이드라이드 기상성장)법이 이용되고 있다.
제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)에서는, 특별히 한정되지 않지만, 일반적인 MOCVD법이나 HVPE법을 사용하여 기판(201) 위에 질화물 반도체층을 성장시킨다. 이하, HVPE법에 의한 질화물 반도체의 제조에 대해서 설명한다.
우선, 반응조(203) 내에는, 기판(201)을 재치(載置)하고, 반응조(203) 내를 일정의 온도로 승온(昇溫)한다. 다음으로, 제1원료가스 생성실(223)로부터 갈륨을 함유하는 제1원료가스를 가스도입관(204)을 통해 반응조(203) 내에 도입한다. 이하, 제1원료가스 생성실(223)에 대해서 설명하면 다음과 같다. 이 제1원료가스생성실(223)은, 할로겐 함유 가스가 충진된 용기(209)에 접속되어 있음과 동시에, 내부에 Ga를 수용하는 소스보트를 포함하고 있다. 할로겐 함유 가스를 제1원료 가스생성실(223)에 도입하면, 원료의 Ga와 할로겐 함유 가스가 반응하여 GaCl 등의 제1원료가스가 생성한다.
또한, 용기(210)에 충진된 할로겐 함유 가스는, 예를 들면, Cl2, HCl, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, BCl3, CHCl3, CH2Cl2, CH3Cl 등의 분자 내에 염소를 포함하는 화합물의 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 이용할 수 있다. 이들 중에서는, 가격, 반응성 등의 밸런스로부터 Cl2가 특히 바람직하다.
다음으로, 갈륨을 함유하는 제1원료가스의 도입과 동시에, 용기(218)에 충진된 암모니아를 함유하는 제2원료가스를 반응조(203) 내에 도입한다. 그러면, 제1원료가스인 GaCl과 제2원료가스인 암모니아가 반응하여 GaN과 염화수소와 수소가 생성하여, GaN이 기판(201) 위에 질화물 반도체층으로서 성장한다. 염화수소와 수소는 배기가스로서 배출되고, 인체에 유해한 염화수소는, 도시하지 않은 제해장치로 제거된다.
또한, 제3의 실시형태에 있어서, 질화물 반도체층을 형성하는 방법은, 이상에서 설명한 HVPE법에 한정하지 않고, 다른 방법을 이용해도 좋다.
(세정조작)
이하, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품에 부착된 오염물을 제거하는 세정조작에 대해서 설명하지만, 기상성장장치(200)에 의한 오염물을 제거하는 세정조작은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
처음으로, 질화물 반도체층을 형성한 기판(201)을 반응조(203)로부터 꺼내어, 필요에 따라서, 반응조(203)의 내부를 가열장치(206)에 의해 후술하는 소정의 온도까지 가열한다. 여기에서, 더욱이 진공펌프(213)에 의해 반응조(203)의 내부를 감압상태로 하여도 좋다.
여기에서, 반응조(203)의 내부 압력은 1kPa이하가 바람직하고, 특히 0.1kPa이하가 바람직하다. 상기 상한치 이하로 하면, 도입되는 할로겐 함유 가스의 양을 증가하는 것이 가능하고, 동시에 바람직하지 않은 잔류가스에 의한 부반응을 억제하여, 반응생성물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
반응조(203)의 내부가 소정의 온도, 압력으로 된 후, 가스도입밸브(211)를 개방하여, 할로겐 함유 가스를 반응조(203) 내부로 도입한다.
할로겐 함유 가스는, 예를 들면, Cl2, HCl, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, BCl3, CHCl3, CH2Cl2, CH3Cl 등의 분자 내에 염소를 포함하는 화합물의 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 이용된다. 이들 중에서는, 가격, 반응성 등의 밸런스로부터 Cl2가 특히 바람직하다.
또한, 필요에 따라서 할로겐 함유 가스의 도입과 동시에, 용기(210)로부터 불활성가스를 반응조(203)의 내부에 도입하여도 좋다. 불활성가스의 도입에 의해, 할로겐 함유 가스의 농도를 조절하는 것이 가능하다.
불활성가스로서는, 예를 들면, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 할로겐 함유 가스와 반응하지 않는 임의의 가스의 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 이용할 수 있다.
또한, 상기의 불활성가스를 도입한 때의 반응조(203) 내의 할로겐 함유 가스농도는, 특히 한정되지 않지만, 농도가 너무 높으면 기상성장장치(200) 내의 각종 부품 자체가 부식될 경우가 있기 때문에, 오염의 정도 등에 의해 적절히 설정된다.
불활성가스를 도입한 때의 반응조(203) 내의 할로겐 함유가스 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 5체적%이상이 바람직하고, 특히 10체적%이상이 바람직하다. 상기 하한치 이상으로 하면, 오염물과 할로겐 함유 가스와의 반응속도가 빨라지고, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품에 부착된 오염물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
할로겐 함유 가스 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 100체적%이하가 바람직하고, 특별히 80체적%이하가 바람직하다. 상기 상한치 이하로 하면, 할로겐 함유 가스량이 적어도 되고, 또한 장치구성부품의 부식을 억제하는 것이 가능하다.
각종 부품에 부착된 질화갈륨 등의 오염물은 할로겐 함유 가스와 반응하여, 할로겐화 갈륨 등의 반응생성물이 생성된다. 이 반응생성물은 즉시 증발하여 증기로 되어, 반응조(203) 및 포착수단(217)의 내부를 떠돈다.
이때, 가스도입밸브(211) 및 가스배출밸브(212)를 닫고, 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하여, 할로겐 함유 가스와 오염물과의 반응을 행하는 것이 바람직하다. 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하는 것에 의해, 할로겐 함유 가스와 오염물과의 반응율을 향상시키는 것이 가능하여, 할로겐 함유 가스의 사용량을 한층 더 저감하는 것이 가능하다. 다만, 가스도입밸브(211) 및 가스배출밸브(212)는 완전히 닫지 않아도 좋다.
할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하는 경우는, 반응조(203)의 내부가 소정의 압력으로 된 후, 가스도입밸브(211)를 닫고, 할로겐 함유 가스를 반응조(203) 및 포착수단(217)의 내부에 일정 시간 유지한다.
이때, 반응조(203)의 내부 압력은, 10kPa이상이 바람직하고, 특히 12kPa이상이 바람직하다. 내부압력을 상기 하한치 이상으로 하면, 오염물과 할로겐 함유 가스와의 반응속도가 빨라지고, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품에 부착된 오염물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부압력은, 90kPa이하가 바람직하고, 특히 85kPa이하가 바람직하다. 내부압력을 상기 상한치 이하로 하면, 반응생성물의 평균자유공정을 길게 할 수 있기 때문에, 반응생성물의 확산효율을 증가하고, 오염물과 할로겐 함유 가스와의 반응효율을 한층 더 높이는 것이 가능하다.
이때 반응조(203)의 내부온도는, 특히 한정되지 않지만, 500℃이상이 바람직하고, 특히 750℃ 이상이 바람직하다. 내부온도를 상기 하한치 이상으로 하면, 반응생성물의 휘발속도가 빨라지고, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품에 부착된 오염물을 한층 더 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 내부온도는, 특히 한정되지 않지만, 1000℃이하가 바람직하고, 특히 800℃ 이하가 바람직하다. 내부온도를 상기 상한치 이하로 하면, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품의 열변형을 한층 더 방지하는 것이 가능하다.
할로겐 함유 가스의 유지시간은, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(203)의 크기와 기상성장장치(200) 내의 각종 부품의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
할로겐 함유 가스와 오염물과의 반응으로 발생한 반응생성물은, 포착수단(217)에 의해 포착된다. 예를 들면, 온도제어유체순환기(220)로부터 물을 냉각부(219)에 흐르게 하여, 포착수단(217)을 냉각한다. 그러면, 반응생성물의 증기는, 포착수단(217)의 내부에서 냉각되고, 포착수단(27)의 표면에 석출하여 포착된다.
반응조(203)의 내부에, 할로겐 함유 가스를 일정 시간 유지 후, 가스배출밸브(212)를 개방하고, 가스배출관(205)으로부터, 미반응의 할로겐 함유 가스와 포착되지 않은 가스 등의 배기가스를 배출한다.
이때, 가스도입관(204)을 열고, 용기(210)로부터 반응조(203)에 불활성가스를 도입하고, 반응조(203)의 내부를 대기압으로 돌린 후, 배기가스를 배출하는 것이 더욱 바람직하다. 불활성가스를 도입하는 것에 의해, 배기가스가 불활성가스에 의해 밀려나와, 배기가스를 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다. 이때 사용되는 불활성가스는, 특별히 한정되지 않지만, 상술한 불활성가스를 사용하여도 좋고, 다른 가스를 사용하여도 좋다.
또한, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)를 이용한, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품의 세정조작은, 상기의 할로겐 함유 가스의 도입으로부터 배기가스의 배출까지를 2회 이상 행하는 것이 바람직하다. 2회 이상 행하면, 각종 부품의 표면이 더욱 활성화되어, 오염물과 할로겐 함유 가스의 반응 효율을 한층 더 올리는 것이 가능하다. 반복하는 횟수는, 특별히 한정되지 않지만, 반응조(203)의 크기와 각종 부품의 처리량 등에 의해 적절히 설정된다.
또한, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)를 이용한, 기상성장장치(200) 내의 각종 부품의 세정조작은, 포착된 반응생성물의 배출을 더욱 행하는 것이 바람직하다. 반응생성물을 배출하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 온도제어유체순환기(220)로부터 고온의 기름을 냉각부(219)에 흐르게 하여, 포착수단(217)을 따뜻하게 한다. 그러면, 포착수단(217)의 표면에 석출된 반응생성물은, 다시 증기로 되어, 가스배출관(205)으로부터 배출된다.
이때, 가스도입관(204)을 열고, 용기(210)로부터 반응조(203)에 불활성가스를 도입하고, 반응조(203)의 내부를 대기압으로 돌린 후, 반응생성물의 증기를 배출하는 것이 더욱 바람직하다. 불활성가스를 도입하는 것에 의해, 반응생성물의 증기가 불활성가스에 의해 밀려 나와, 증기를 한층 더 효율 좋게 배출하는 것이 가능하다. 이때 사용하는 불활성가스는, 특별히 한정되지 않지만, 상술한 불활성가스를 사용하여도 좋고, 다른 가스를 사용하여도 좋다.
또한, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)를 이용한, 기상성장장치(200) 내 각종 부품의 세정조작은, 포착수단(217)에 포착된 반응생성물을 일정량 모은 후, 포착된 반응생성물을 배출하는 것이 바람직하다. 반복하는 횟수는, 특별히 한정되지 않지만, 반응생성물의 포착량에 의해 적절히 설정된다.
또한, 제3의 실시형태에 있어서 기상성장장치(200)를 이용한, 기상성장장치(200) 내 각종 부품의 세정조작은, 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 것을 더욱 행하는 것이 바람직하다. 회수방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 9에 도시된 바와 같은 장치를 이용하여 행하는 것이 가능하다. 처음으로, 가스배출관(205)으로부터 배출된 반응생성물의 증기를 회수부(215)에 포착한다. 그 후, 용기(216)로부터 회수부(215)에 암모니아가스를 도입하고, 반응생성물에 포함된 할로겐화 갈륨 등과 암모니아를 반응시켜, 갈륨화합물 등의 고체를 생성시킨다. 이 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 것에 의해, 유해한 배기가스의 양을 저감하는 것이 가능하다.
또한, 도 10에 나타낸 바와 같이, 기상성장장치(200)는, 가스배출관(205)과 회수부(215)와의 사이에, 복수의 트랩(221)에 배출된 반응생성물을 포착하여 일정량을 모은 후, 회수부(215)에 반응생성물을 보내도 좋다. 이러한 구성을 취하는 것에 의해, 갈륨화합물의 회수를 단계적으로 행하는 것이 가능하다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 제3의 실시형태에 대해서 서술했지만, 이것들은 본 발명의 예시이고, 상기 이외의 다양한 구성을 채용하는 것도 가능하다.
제3의 실시형태에서는, HVPE법에 의해 성장을 예로 들었지만, MOCVD법이나 원자층퇴적법(ALD) 등에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
이하, 실시예 1~7 및 비교예 1~2에서는, 도 1에 도시한 세정장치를 이용하였다.
GaN이 부착된 반도체 제조장치부품을 반응조 내의 부품유지부에 배치하고, 반응조 내의 온도를 750℃로 하고, 압력을 0.1kPa이하로 했다. 다음으로, N2가스를 반응조 내에 도입하고 압력을 20kPa로 한 후, Cl2가스를 반응조 내에 도입하고 압력을 40kPa로 했다(Cl2가스 압력은 20kPa). 이대로 10분간 유지한 후, 배기밸브를 개방하여 반응생성물의 증기를 배출하였다.
다음으로, N2가스의 도입에 의해, 반응조 내를 대기압으로 돌린 후, GaN가 부착된 부품의 무게를 측정했다. 여기에서, 사용한 Cl2가스량 및 제거된 GaN량으로부터, 하기 (1)식을 이용하여 반응효율을 산출했다.
반응효율[%] = 100 X (제거된 GaN의 몰 수 X 1.5) / (사용한 Cl2가스의 몰 수) (1)
또한, GaN을 1몰 제거하는데 필요한 Cl2가스량은 이론적으로는 1.5몰이다.
제거된 GaN은 3.5g(0.042몰), 사용한 Cl2가스량은 합계3.2L(0.13몰)이었다. 따라서, 반응효율은 48.2%이었다.
(실시예 2)
상기 N2가스의 도입, Cl2가스의 도입, 10분간 유지, 반응생성물의 배출, 의 일련의 조작을 4회 한 것 이외는 실시예 1과 같은 세정처리를 행하였다. 얻어진 결과는 표 1에 도시한 바와 같다.
(실시예 3)
GaN이 부착된 반도체 제조장치부품을 반응조 내의 부품유지부에 배치하고, 반응조 내의 온도를 730℃로 하고, 압력을 0.1kPa이하로 하였다. 다음으로, N2가스를 반응조 내에 도입하고 압력을 10kPa로 하고, 그 후, Cl2가스를 반응조 내에 도입하여 압력을 30kPa로 하였다. 그대로 10분간 유지한 후, 배기밸브를 개방하여 반응생성물의 증기를 배출하였다. 계속해서, 상기의 N2가스의 도입, Cl2가스의 도입, 10분간 유지, 반응생성물의 배출, 의 일련의 조작을 2회 행하였다.
계속해서, N2가스의 도입에 의해, 반응조 내를 대기압으로 돌린 후, GaN이 부착된 부품의 무게를 측정하였다. 여기에서, 사용한 Cl2가스량 및 제거된 GaN량으로부터, 상기 (1) 식을 이용하여 반응효율을 산출하였으며, 얻어진 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
(실시예 4~7, 비교예 1)
반응조 내의 압력을 표 1에 기재한 수치로 각각 설정한 이외는 실시예 3과 같은 세정처리를 행하였으며, 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
GaN이 부착된 부품을 반응조 내의 부품유지부에 배치하고, 반응조 내의 온도를 800℃로 하였다. 다음으로, 배기밸브를 개방한 상태에서, Cl2가스와 N2가스와의 혼합가스를 반응조 내에 30분간 공급하였다. 여기에서, Cl2가스의 유량은 0.3L/min으로 하고, N2가스의 유량은 0.3L/min으로 하였다.
반응조 내를 N2 치환한 후, GaN이 부착된 부품의 무게를 측정하였다. 제거된 GaN은 1.0g(0.011몰), 사용한 Cl2가스량은 합계 9.0L(0.37몰)이었다. 따라서, 반응효율은 5%였다.
(평가결과)
이상의 평가결과를 표 1에 나타낸다. 세정방식을 일괄처리 방식으로 하고, 반응조 내의 압력을 90kPa이하로 하는 것에 의해, 비교예 1, 2에 비교하여 반응효율을 향상시키는 것이 가능했다.
또한, 세정회수를 증가하는 것에 의해, 반응효율을 더욱 향상할 수 있었다.
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6 실시예7 비교예1 비교예2
세정방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 일괄처리방식 기류방식
반응조 내의 온도(℃) 750 750 730 730 730 730 730 730 800
반응조 내의 N2가스 압력(kPa) 20 20 10 20 40 60 70 80 -
반은조 내의 Cl2 가스 압력(kPa) 20 20 20 20 20 20 20 20 -
반응조 내의 압력(kPa) 40 40 30 40 60 80 90 100 -
세정회수(회) 1 4 2 2 2 2 2 2 1
1회의 처리 시간(분) 10 10 10 10 10 10 10 10 30
사용한 Cl2가스의 합계량(L) 3.2 12.8 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 9.0
제거된 GaN의 합계량(g) 3.5 28.1 11.9 11.4 10.5 9.5 8.4 4.2 1.0
반응효율(%) 48.2 96.9 82.0 78.6 72.4 65.5 57.9 28.9 5.0
(실시예 8)
이하, 실시예 8에서는, 도 4 및 도 5에 나타낸 세정장치를 이용했다.
GaN이 부착된 반도체 제조장치부품을 세정처리부 내의 부품유지부에 배치하고, 세정처리부 내의 온도를 750℃로 하였다. 또한, 온도제어유체순환기에 의해, 수온25℃의 물을 2L/min으로 냉각부에 순환시켰다. 그 후, 진공펌프를 작동시켜, 세정처리부 내의 압력을 0.1kPa이하로 했다.
다음으로, N2가스를 세정처리부 내에 도입하고 압력을 20kPa로 하고, 그 후, Cl2가스를 반응조 내에 도입하고 압력을 40kPa로 했다. 이대로 10분간 유지한 후, 배기밸브를 개방하고 배기가스를 배출하였다. 상기 N2가스의 도입, Cl2가스의 도입, 10분간 유지, 배기가스의 배출, 의 일련의 조작은 합계 4회 행하였다.
다음으로, 온도제어유체순환기에 의해, 100℃의 기름을 3L/min으로 냉각부에 순환시켜, 냉각부 내의 냉각 패널을 따뜻하게 했다. 계속해서, N2가스의 도입에 의해, 장치 내를 대기압으로 돌린 후, 가스배기밸브를 개방하여 반응생성물인 GaCl3의 증기를 회수부에 도입했다. 이와 동시에, 회수부에 NH3가스를 도입하고, GaCl3와 NH3를 반응시켰다. 냉각부 내의 냉각패널에 부착된 갈륨염화물이 없어지면, NH3가스의 도입밸브를 닫았다.
더욱이, 10분간 N2가스를 장치 내에 도입한 후, GaN이 부착된 부품을 꺼내고, 무게를 측정했다. 여기에서, 사용한 Cl2가스량 및 제거된 GaN량으로부터, 하기 (1) 식을 이용하여 반응효율을 산출했다.
반응효율 [%] = 100 X (제거된 GaN의 몰 수 X 1.5) / (사용한 Cl2가스의 몰 수) (1)
또한, GaN을 1몰 제거하는데 필요한 Cl2가스량은 이론적으로 1.5몰이다.
제거된 GaN은 28.1g(0.336몰), 사용한 Cl2가스량은 합계 12.8L(0.520몰)이었다. 따라서, 반응효율은 96.9%였다.
또한, 회수부로부터는 NH4Cl, Ga를 포함한 올리고마(NH2GaCl2)n,GaN등의 갈륨화합물이 포착된다.
이 출원은, 2011년 5월 19일에 출원된 일본출원특원2011-112426호 및 2011년 7월 25일에 출원된 일본출원특원2011-162261호를 기초로 한 우선권을 주장하고, 그 개시의 전부를 여기에 기술한다.

Claims (19)

  1. 일반식 AlxInyGa1-x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체가 부착된 반도체 제조장치부품의 세정장치에 있어서,
    상기 반도체 제조장치부품을 유지하는 부품유지부;
    상기 질화물 반도체와 반응하는 할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관;
    상기 질화물 반도체와 상기 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 포착하는 포착수단;
    상기 반응생성물을 배출하는 가스배출관;
    세정처리부; 및
    상기 포착수단을 냉각하기 위한 냉각부;
    를 구비하고,
    상기 세정처리부의 내부에 상기 부품유지부가 배치되고, 상기 냉각부의 내부에 상기 포착수단이 배치되어 있고,
    상기 냉각부가, 상기 포착수단 내부의 온도를 조절하는 기능을 구비하고,
    상기 포착수단 내부의 온도를 조절하는 기능이, 저온으로 하는 것에 의해 상기 반응생성물을 포착한 후, 고온으로 전환하는 것에 의해, 포착한 상기 반응생성물을 다시 증기로 하는 것이 가능한 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포착수단이 냉각패널인, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포착수단이 상기 반응생성물과 반응하지 않는 재료로 되는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 포착수단이 석영으로 되는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반응생성물로부터 갈륨화합물을 회수하는 회수수단을 더욱 구비하는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회수수단에서는 NH3와 상기 반응생성물을 반응시키는 것에 의해 상기 갈륨화합물을 회수하는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스도입관과 상기 가스배출관을 닫고, 상기 할로겐 함유 가스를 장치 내에 유지하여 사용하는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 부품유지부에, 상기 반도체 제조장치부품의 표면 전체가 처리되도록, 상기 반도체 제조장치부품을 걸어서 유지하기 위한 걸림부가 형성되어 있는, 반도체 제조장치부품의 세정장치.
  9. 갈륨을 함유하는 제1원료가스와, 암모니아를 함유하는 제2원료가스를, 반응조 내의 기판에 대해 공급하고, 상기 기판 상에 일반식 AlxInyGa1-x-yN(다만, x, y는 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)로 표기되는 질화물 반도체를 형성하는 기상성장장치에 있어서,
    상기 기판을 유지하는 기판유지부;
    할로겐 함유 가스를 도입하는 가스도입관;
    상기 질화물 반도체와 상기 할로겐 함유 가스와의 반응생성물을 포착하는 포착수단;
    상기 반응생성물을 배출하는 가스배출관;
    상기 반응조; 및
    상기 포착수단을 냉각하기 위한 냉각부;
    를 구비하고,
    상기 반응조의 내부에 상기 기판유지부가 배치되고, 상기 냉각부의 내부에 상기 포착수단이 배치되어 있고,
    상기 냉각부가 상기 포착수단 내부의 온도를 조절하는 기능을 구비하고,
    상기 포착수단 내부의 온도를 조절하는 기능이, 저온으로 하는 것에 의해 상기 반응생성물을 포착한 후, 고온으로 전환하는 것에 의해, 포착한 상기 반응생성물을 다시 증기로 하는 것이 가능한 기상성장장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6499493B2 (ja) * 2015-04-10 2019-04-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法
JP6679413B2 (ja) * 2016-05-23 2020-04-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置用部品の洗浄装置
JP6852040B2 (ja) 2018-11-16 2021-03-31 大陽日酸株式会社 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム
KR102209540B1 (ko) 2020-08-03 2021-01-29 씨에스이(주) 밸브 세정장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109928A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
JP2009124050A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2009188198A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Taiyo Nippon Sanso Corp 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4551197A (en) * 1984-07-26 1985-11-05 Guilmette Joseph G Method and apparatus for the recovery and recycling of condensable gas reactants
FR2614887B1 (fr) 1987-05-06 1990-11-30 Rhone Poulenc Chimie Procede de recuperation de gallium par extraction liquide-liquide
JPH1180964A (ja) * 1997-07-07 1999-03-26 Canon Inc プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
US6238514B1 (en) * 1999-02-18 2001-05-29 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent
US6773687B1 (en) * 1999-11-24 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas
US6770145B2 (en) * 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
JP4679720B2 (ja) * 2000-12-22 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20030196680A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Dielectric Systems, Inc Process modules for transport polymerization of low epsilon thin films
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
US6847905B2 (en) * 2002-02-12 2005-01-25 Tektronix, Inc. Architecture providing increased information display for long acquisitions or constrained memory bandwidth
US20030216041A1 (en) 2002-05-08 2003-11-20 Herring Robert B. In-situ thermal chamber cleaning
US7074298B2 (en) * 2002-05-17 2006-07-11 Applied Materials High density plasma CVD chamber
KR100513276B1 (ko) * 2003-05-23 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 스핀 척
TWI250669B (en) 2003-11-26 2006-03-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
US7455720B2 (en) * 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
CN2808933Y (zh) * 2005-05-12 2006-08-23 应用材料公司 远程等离子反应器的并合器
JP5021907B2 (ja) 2005-05-24 2012-09-12 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
KR101379410B1 (ko) 2006-11-22 2014-04-11 소이텍 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비
DE102008039430A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Durchlaufbeschichtungsanlage
JP2010016200A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Zeta Photon Kk シャドーマスクのクリーニング方法、シャドーマスクのクリーニング装置、有機ｅｌディスプレイの製造方法および有機ｅｌディスプレイの製造装置
JP5260356B2 (ja) * 2009-03-05 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP5302719B2 (ja) 2009-03-10 2013-10-02 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法及び洗浄装置
JP5277054B2 (ja) 2009-04-08 2013-08-28 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置
US20110079251A1 (en) * 2009-04-28 2011-04-07 Olga Kryliouk Method for in-situ cleaning of deposition systems
US20100273291A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning
KR20120090996A (ko) * 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
JP5454101B2 (ja) 2009-11-25 2014-03-26 横河電機株式会社 ペーパーレスレコーダ
JP2011162261A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Katsuyoshi Fukuyama 内圧排出構造の包装袋

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109928A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
JP2009124050A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2009188198A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Taiyo Nippon Sanso Corp 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

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