TWI552213B - 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置 - Google Patents

半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI552213B
TWI552213B TW104102429A TW104102429A TWI552213B TW I552213 B TWI552213 B TW I552213B TW 104102429 A TW104102429 A TW 104102429A TW 104102429 A TW104102429 A TW 104102429A TW I552213 B TWI552213 B TW I552213B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
cleaning
semiconductor manufacturing
reaction
reaction product
Prior art date
Application number
TW104102429A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201519294A (zh
Inventor
水田正志
矢口裕一
錦織豐
Original Assignee
古河機械金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 古河機械金屬股份有限公司 filed Critical 古河機械金屬股份有限公司
Publication of TW201519294A publication Critical patent/TW201519294A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI552213B publication Critical patent/TWI552213B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置
本發明係關於一種半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沈積裝置。
於氮化物半導體製造裝置(以下稱為「半導體製造裝置」)中,係使GaN(氮化鎵)或AlGaN(氮化鋁鎵)等氮化物沈積於矽晶圓上而製造半導體。於該過程中,應沈積於半導體製造裝置內之晶圓上之GaN等半導體薄膜附著於保持晶圓之晶圓托盤或氣體流路等晶圓以外之各種零件上。
附著於晶圓以外之零件上之GaN等成為不需要之污染物,且於製造氮化物半導體方面成為障礙,故而必須洗淨污染零件而去除上述氮化物。
一般而言,使GaN或AlGaN等氮化物與以氯系氣體為主成分之洗淨氣體進行反應而去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物。
於專利文獻1(日本專利特開2006-332201號公報)中,揭示有使氮 化物半導體製造裝置內之受污染之零件於500℃以上且1000℃以下之溫度下與以氯系氣體為主成分之洗淨氣體接觸之洗淨方法。於該文獻中,受污染之零件之氮化物與洗淨氣體中之氯系氣體進行反應。認為所生成之反應生成物可於500℃以上之溫度下氣化而去除。又,由於該方法無需設為1000℃以上之高溫,故而認為不會產生晶圓托盤之熱變形。
又,於專利文獻2(日本專利特開2010-245376號公報)中,揭示有於反應室內之下部配置有洗淨氣體導入管之洗淨裝置。由於在反應室內之下部配置有洗淨氣體導入管,故導入反應室內之洗淨氣體不會與遮熱構件碰撞而分流。因此,認為可將洗淨氣體有效用於污染零件之洗淨。
又,於專利文獻3(日本專利特開2010-212400號公報)中揭示有如下氮化物半導體裝置零件之洗淨裝置:其於堵塞具有洗淨氣體導入管及排出氣體排出管之反應管之兩端開口部的密封蓋之密封面側具備以與於密封面間具有空間之方式接近而設置之防著板。藉由防著板可抑制反應生成物對密封蓋之內壁之附著。因此,認為於洗淨後打開反應管取出洗淨之零件時,該反應生成物不會與空氣中之水分反應而產生有毒氣體,操作者可安全地進行洗淨操作。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2006-332201號公報
專利文獻2:日本專利特開2010-245376號公報
專利文獻3:日本專利特開2010-212400號公報
專利文獻4:日本專利特開2007-109928號公報
然而,於如專利文獻1~3之方法中有GaN或AlGaN等氮化物與氯系氣體之反應生成物附著於半導體製造裝置零件或洗淨裝置內之情況,必須於洗淨操作中連續地進行反應生成物之去除。此時,由於未使用之洗淨氣體之一部分亦與反應生成物一併被去除,故而必須將洗淨氣體連續地供給於裝置內。因此,去除污染物所需之洗淨氣體之使用量較多。
另一方面,於專利文獻4(日本專利特開2007-109928號公報)中,揭示有如下氮化物半導體製造裝置零件之洗淨方法,其特徵在於:使氮化物半導體製造裝置內之受污染之零件與以氯系氣體為主成分之第1洗淨氣體接觸而去除污染物質,並與第2洗淨氣體接觸而去除殘留於零件上之氯系物質。並且,於專利文獻4中揭示有藉由分批處理(密封)方式進行與第1洗淨氣體之接觸及與第2洗淨氣體之接觸。
於該文獻中顯示與透氣處理(氣流)方式相比,密封方式更可降低氯氣之使用量。
本發明者等人依照專利文獻4所揭示之方法,利用密封方式嘗試洗淨半導體製造裝置零件,結果與氣流方式相比確實更可使氯氣之使用量降低某種程度。然而,確認洗淨效率仍然較低,有進一步改善之餘地。
本發明係鑒於上述情況而成者,並且提供一種可降低洗淨氣體之使用量、且洗淨效率優異之半導體製造裝置零件之洗淨方法及半導體製造裝置零件之洗淨裝置。
又,本發明係鑒於上述情況而成者,且提供一種良率優異之氣相沈積裝置。
根據本發明,提供一種半導體製造裝置零件之洗淨方法,其係進行如下步驟者: 第一步驟,其將附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體之半導體製造裝置零件配置於具備氣體導入管及氣體排出管之裝置內;第二步驟,其將上述裝置內設為減壓狀態後,自上述氣體導入管導入含鹵素之氣體;其後進行第三步驟,其將上述含鹵素之氣體保持於上述裝置內,並去除附著於上述半導體製造裝置零件上之上述氮化物半導體;且上述第三步驟中之上述裝置內之壓力為10kPa以上且90kPa以下。
根據該發明,於去除氮化物半導體之第三步驟中,藉由將裝置內之壓力設為10kPa以上,從而使氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應速度變快,可高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物半導體。又,藉由將裝置內之壓力設為90kPa以下,可延長氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應生成物之平均自由行程,故而反應生成物之擴散效率增加,可提高氮化物與含鹵素之氣體之反應效率。因此,可降低去除附著之氮化物半導體所需之洗淨氣體之使用量。
又,根據本發明,提供一種半導體製造裝置零件之洗淨裝置,其係附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體之半導體製造裝置零件之洗淨裝置;且其具備:零件保持部,其保持上述半導體製造裝置零件;氣體導入管,其導入與上述氮化物半導體進行反應之含鹵素之氣體;捕捉機構,其捕捉上述氮化物半導體與上述含鹵素之氣體之反應生成物;及氣體排出管,其排出上述反應生成物。
根據該發明,藉由於洗淨裝置中設置捕捉反應生成物之捕捉機構而將反應生成物捕捉於捕捉機構中,故而可抑制反應生成物附著於半導體製造裝置零件或洗淨裝置內之不期望之部分。因此,無需連續地進行洗淨氣體之導入及反應生成物之去除,可降低去除附著之氮化物半導體所需之洗淨氣體之使用量。
進而,根據本發明,提供一種氣相沈積裝置,其係對反應槽內之基板供給含有鎵之第一原料氣體及含有氨之第二原料氣體,並使通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體沈積於上述基板上者;且其具備:基板保持部,其保持上述基板;氣體導入管,其導入含鹵素之氣體;捕捉機構,其捕捉上述氮化物半導體與上述含鹵素之氣體之反應生成物;氣體排出管,其排出上述反應生成物。
根據本發明,提供一種可降低洗淨氣體之使用量、且洗淨效率優異之半導體製造裝置零件之洗淨方法及半導體製造裝置零件之洗淨裝置。
進而根據本發明,提供一種良率優異之氣相沈積裝置。
100‧‧‧洗淨裝置
101‧‧‧半導體製造裝置零件
102‧‧‧零件保持部
103‧‧‧反應槽
104‧‧‧氣體導入管
105‧‧‧氣體排出管
106‧‧‧加熱裝置
108‧‧‧壓力計
109‧‧‧容器
110‧‧‧容器
111‧‧‧氣體導入閥
112‧‧‧氣體排出閥
113‧‧‧真空泵
114‧‧‧回收機構
115‧‧‧回收部
116‧‧‧容器
117‧‧‧捕捉機構
118‧‧‧洗淨處理部
119‧‧‧冷卻部
120‧‧‧溫度控制流體循環器
121‧‧‧捕集器
200‧‧‧氣相沈積裝置
201‧‧‧基板
202‧‧‧基板保持部
203‧‧‧反應槽
204‧‧‧氣體導入管
205‧‧‧氣體排出管
206‧‧‧加熱裝置
208‧‧‧壓力計
209‧‧‧容器
210‧‧‧容器
211‧‧‧氣體導入閥
212‧‧‧氣體排出閥
213‧‧‧真空泵
214‧‧‧回收機構
215‧‧‧回收部
216‧‧‧容器
217‧‧‧捕捉機構
218‧‧‧容器
219‧‧‧冷卻部
220‧‧‧溫度控制流體循環器
221‧‧‧捕集器
222‧‧‧容器
223‧‧‧第一原料氣體生成室
圖1係表示第一實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。
圖2係表示第一實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。
圖3係表示第二實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。
圖4係表示第二實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。
圖5係表示第二實施形態中之洗淨裝置之構成之一部分的剖面圖。
圖6係表示第二實施形態中之洗淨裝置之構成之一部分的剖面圖。
圖7係表示第三實施形態中之氣相沈積裝置之構成之剖面圖。
圖8係表示第三實施形態中之氣相沈積裝置之構成之剖面圖。
圖9係表示第三實施形態中之氣相沈積裝置之構成之一部分的剖面圖。
圖10係表示第三實施形態中之氣相沈積裝置之構成之一部分的剖面圖。
上述目的及其他目的、特徵及優點係藉由下文所述之較佳之實施形態及隨附於其之以下圖式而進一步明確。
以下,對本發明之實施形態使用圖式進行說明。再者,於所有圖式中,對相同之構成要素係附以相同之符號並適當省略說明。
(第一實施形態) <洗淨裝置>
以下,對第一實施形態中之半導體製造裝置零件之洗淨裝置100進行說明,但第一實施形態中之洗淨裝置100並不限定於該等。
圖1係表示第一實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。洗淨裝置100包含:零件保持部102,其保持附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體之半導體製造裝置零件101;反應槽103,其收納零件保持部102;氣體導入管104,其導入與氮化物半導體反應之含鹵素之氣體;及氣體排出管105,其將生成於反應槽103中之反應生成物排出。
又,亦可視需要於反應槽103之周圍分別設置將反應槽103內加熱之加熱裝置106、及監測反應槽103之內部之壓力之壓力計108。
反應槽103之材質並無特別限定,例如係由石英等耐熱性材料形 成。於反應槽103之內部設置有保持半導體製造裝置零件101之零件保持部102。
又,反應槽103之形狀或大小並無特別限定,可根據進行洗淨之半導體製造裝置零件101之大小或處理量而適當決定。
零件保持部102係用以保持半導體製造裝置零件101之構件,例如由碳或石英等耐熱性材料形成。該零件保持部102係以可支持半導體製造裝置零件101並且可保持其狀態之方式構成。此時,較佳為以半導體製造裝置零件101之表面整體受到處理之方式保持。
保持半導體製造裝置零件101之構成並無特別限定,例如可列舉於零件保持部102之表面設置有可使半導體製造裝置零件101之一部分插入之溝槽的構成。可藉由將半導體製造裝置零件101插入該溝槽而保持。
又,亦可為零件保持部102上形成有用以掛置並保持半導體製造裝置零件101之掛置部之構成。由於該掛置型之零件保持部102係將半導體製造裝置零件101掛置並保持,故而可使半導體製造裝置零件101與零件保持部102之接觸面積成為最小限,可使半導體製造裝置零件101之未洗淨部分為最小。
又,亦可於零件保持部102上形成複數之貫通孔。若形成複數之通孔,則自下方所供給之含鹵素之氣體變得易於向上方流動。藉此,含鹵素之氣體變得容易與保持於零件保持部102上之半導體製造裝置零件101接觸,可更進一步有效地進行零件保持部102之洗淨處理。再者,若零件保持部102為可維持能夠保持半導體製造裝置零件101之強度者,則貫通孔之形狀並無特別限定。例如,貫通孔之形狀亦可為四角形或圓形。又,除於零件保持部102上形成貫通孔以外,亦可將零件保持部102形成為格子狀。
含鹵素之氣體係自填充有含鹵素之氣體之容器109通過氣體導入 管104而導入反應槽103之內部。又,亦可視需要於導入含鹵素之氣體之同時,將惰性氣體自填充有惰性氣體之容器110導入反應槽103之內部而調節含鹵素之氣體之濃度。此時,含鹵素之氣體及惰性氣體之導入量可藉由氣體導入閥111而調節。
氣體排出管105係經由氣體排出閥112而連接於真空泵113,藉此可將反應槽103之內部設為減壓狀態。進而,氣體排出管105及真空泵113可視需要而連接於未圖示之排氣除害處理裝置,可使自反應槽103排出之反應生成物無害化而排出至大氣中。
又,於圖1中顯示氣體導入管104及氣體排出管105連接於反應槽103之下部之記載,但亦可為反應槽103之側部或上部,連接部位並無特別限定。
加熱裝置106並無特別限定,例如包含:可將反應槽103之內部加熱之加熱機構,及可調整該加熱機構之輸出而將反應槽103之內部保持於一定溫度之溫度調整器。加熱機構並無特別限定,可使用發熱線、燈加熱等公知之加熱機構,可為任一可加熱半導體製造裝置零件101者。
又,如圖2所示,洗淨裝置100亦可進而具備自所排出之反應生成物回收氮化物半導體之回收機構114。回收機構114例如包含連接於氣體排出管105之回收部115、及填充有NH3(氨)氣體之容器116,並將排出之反應生成物捕捉於回收部115之內部。進而,回收部115與容器116相連接,藉此可將NH3氣體導入回收部115之內部。
回收部115並無特別限定,例如由碳、石英、不鏽鋼、赫史特合金、氮化碳、氮化矽、氮化硼、氮化硼矽等具有耐熱性及對含鹵素之氣體之耐蝕性之材料形成。又,於回收部115上例如分別設置有可導入反應生成物之導入口、可導入NH3氣體之導入口、及可排出排氣之排出口。
半導體製造裝置零件101並無特別限定,可應用作為製造氮化物半導體之裝置的MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金屬有機氣相沈積)裝置等之由附著物而導致之污染較為嚴重之零件。尤其是對基座或晶圓托盤等反應爐周邊之零件較為有效。
<洗淨方法>
接著對使用洗淨裝置100洗淨附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件101之方法進行說明。第一實施形態中之半導體製造裝置零件101之洗淨方法具有如下步驟:進行第一步驟,將附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件101配置於反應槽103之內部;第二步驟,於將反應槽103之內部設為減壓狀態後,自氣體導入管104導入含鹵素之氣體;其後進行第三步驟,將含鹵素之氣體保持於反應槽103之內部並去除附著於半導體製造裝置零件101上之氮化物半導體。此處,第三步驟中之反應槽103之內部之壓力為10kPa以上且90kPa以下。
以下,對各步驟詳細地進行說明。
(第一步驟)
首先,取下半導體裝置內之附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件101並配置於反應槽103內之零件保持部102上。此時,配置之半導體製造裝置零件101之數量並無特別限定,可為一個零件亦可為一個零件以上。
接著,藉由加熱裝置106將反應槽103之內部加熱至下述之所期望之溫度為止,進而利用真空泵113設為減壓狀態。此處,反應槽103之內部之壓力較佳為1kPa以下,尤佳為0.1kPa以下。若設為上述上限值以下,則可增加導入之含鹵素之氣體之量,同時抑制由不期望之殘留氣體所導致之副反應,可更進一步高效地去除反應生成物。
此處,可於將反應槽103之內部設為減壓狀態後進行加熱,亦可同時進行加熱操作與減壓操作。只要最終成為上述溫度及壓力即可, 加熱操作與減壓操作之順序並無特別限定。
(第二步驟)
於反應槽103之內部成為所期望之壓力後,打開氣體導入閥111,將含鹵素之氣體導入反應槽103之內部。
含鹵素之氣體例如可使用Cl2、HCl、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、BCl3、CHCl3、CH2Cl2、CH3Cl等於分子內含有氯之化合物之一種或者兩種以上之混合物。於該等中,就價格、反應性等之平衡方面而言尤佳為Cl2
又,亦可視需要於導入含鹵素之氣體之同時,將惰性氣體自容器110導入反應槽103之內部。藉由惰性氣體之導入,可調節含鹵素之氣體之濃度。
作為惰性氣體,例如可使用氮氣、氦氣、氬氣等不與含鹵素之氣體反應之任意氣體之一種或者兩種以上之混合氣體。
再者,導入上述惰性氣體時之反應槽103內之含鹵素之氣體濃度並無特別限定,但若濃度過高,則有時半導體製造裝置零件本身被腐蝕,故而可根據零件之種類而適當設定。
導入惰性氣體時之反應槽103內之含鹵素之氣體濃度並無特別限定,較佳為5體積%以上,尤佳為10體積%以上。若設為上述下限值以上,則氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應速度變快,可更進一步高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物半導體。
含鹵素之氣體濃度並無特別限定,較佳為100體積%以下,尤佳為80體積%以下。若設為上述上限值以下,則含鹵素之氣體量較少即可,又,可抑制裝置構成零件之腐蝕。
(第三步驟)
於反應槽103之內部成為所期望之溫度、壓力後,將含鹵素之氣體於反應槽103之內部保持一定時間。此時,附著於半導體製造裝置 零件101上之氮化物半導體與含鹵素之氣體反應,生成鹵化鎵等反應生成物。該反應生成物立即蒸發而成為蒸氣,漂浮於反應槽103之內部。
於第三步驟中,反應槽103之內部壓力為10kPa以上,較佳為12kPa以上,進而較佳為15kPa以上。若將內部壓力設為上述下限值以上,則氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應速度變快,可高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物半導體。
又,內部壓力為90kPa以下,較佳為85kPa以下,進而較佳為80kPa以下。由於若將內部壓力設為上述上限值以下,則可延長反應生成物之平均自由行程,故而反應生成物之擴散效率增加,可提高氮化物與含鹵素之氣體之反應效率。
因此,無需連續地進行洗淨氣體之導入及反應生成物之去除,可降低去除附著之氮化物半導體所需之洗淨氣體之使用量。
第三步驟中之反應槽103之內部溫度並無特別限定,較佳為500℃以上,尤佳為750℃以上。若將內部溫度設為上述下限值以上,則反應生成物之揮發速度變快,可更進一步高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物半導體。
又,內部溫度並無特別限定,較佳為1000℃以下,尤佳為800℃以下。若將內部溫度設為上述上限值以下,則可更進一步防止半導體製造裝置零件101之熱變形。
第三步驟中之含鹵素之氣體之保持時間並無特別限定,可根據反應槽103之大小或半導體製造裝置零件101之處理量等而適當設定。
又,於第三步驟中,氣體導入閥111及氣體排出閥112為了保持密閉性,較佳為完全關閉,但亦可不關閉。例如,亦可以反應槽103之內部壓力滿足上述之壓力範圍之方式調節氣體導入閥111及氣體排出閥112。
(第四步驟)
又,第一實施形態中之半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為進而進行去除氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應生成物之第四步驟。具體而言,於將含鹵素之氣體於反應槽103之內部保持一定時間後,打開氣體排出閥112,自氣體排出管105去除反應生成物之蒸氣。
此時,進而較佳為打開氣體導入管104,將惰性氣體自容器110導入反應槽103中,並使反應槽103之內部恢復至大氣壓後,排出反應生成物之蒸氣。藉由導入惰性氣體,可利用惰性氣體擠出反應生成物之蒸氣而更進一步高效地排出蒸氣。此時所使用之惰性氣體並無特別限定,可使用上述惰性氣體,亦可使用其他氣體。
又,第一實施形態中之半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為將上述第二步驟至第四步驟進行兩次以上。若進行兩次以上,則半導體製造裝置零件101之表面進一步活化,可更進一步提高氮化物與含鹵素之氣體之反應效率。重複次數並無特別限定,可根據反應槽103之大小或半導體製造裝置零件101之處理量等而適當設定。
(第五步驟)
又,第一實施形態中之半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為進而進行自反應生成物回收鎵化合物之第五步驟。回收方法並無特別限定,例如如圖2所示,將自氣體排出管105所排出之反應生成物之蒸氣捕捉於回收部115中。其後,將NH3氣體自容器116導入於回收部115中,使反應生成物與NH3反應,生成鎵化合物等固體。藉由進行該第五步驟,可降低有害之排氣之量。
以上,參照圖式對本發明之第一實施形態進行了說明,但該等為本發明之例示,亦可採用除上述以外之各種構成。
於第一實施形態中顯示真空泵113連接於氣體排出管105之情形,但亦可採用將真空泵113連接於其他部位之構成。
又,於第一實施形態中顯示洗淨半導體製造裝置零件101之情形,但亦可將半導體製造裝置本體配置於反應槽103之內部而進行洗淨。其中,於該情形時,必須注意使半導體製造裝置本身不受損傷。
又,亦可採用如下構成:於第四步驟後,進而進行導入包含氫氣、甲烷、乙烷等於分子內含有氫之氫系氣體與稀釋其之氬氣、氦氣、氮氣等惰性氣體之混合氣體而去除附著於零件上而殘留之鹵化合物的步驟。
(第二實施形態)
接著,對第2實施形態之洗淨裝置100進行說明。第2實施形態具備捕捉氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應生成物之捕捉機構117,除此以外基本上與第1實施形態之洗淨裝置100相同。因此,於第2實施形態中,以與第1實施形態不同之部分為中心進行說明,對共同之構成省略說明。
<洗淨裝置>
圖3係表示第二實施形態中之洗淨裝置之構成之剖面圖。洗淨裝置100包含:零件保持部102,其保持附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體之半導體製造裝置零件101;反應槽103,其收納零件保持部102;氣體導入管104,其導入與氮化物半導體反應之含鹵素之氣體;捕捉機構117,其捕捉氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應生成物;及氣體排出管105,其排出反應生成物。
洗淨裝置100更佳為如圖4所示具有進而具備洗淨處理部118及用以冷卻捕捉機構117之冷卻部119,且於洗淨處理部118之內部配置有零件保持部102,於冷卻部119之內部配置有捕捉機構117的構成。
藉由具有如此之構成,可明確地分開半導體製造裝置零件之洗淨處理與反應生成物之捕捉。進而,藉由冷卻部119,可冷卻捕捉機 構117所捕捉之反應生成物之蒸氣而使反應生成物析出,故而可更進一步抑制反應生成物附著於半導體製造裝置零件或洗淨裝置內之不期望之部分上,可更進一步高效地捕捉反應生成物。
又,捕捉機構117並無特別限定,較佳為冷卻板。藉由使用冷卻板,可更進一步高效地冷卻反應生成物之蒸氣,故可更進一步高效地捕捉反應生成物。
又,捕捉機構117並無特別限定,例如較佳為由碳、石英、不鏽鋼、赫史特合金、碳化矽、氮化矽、氮化硼等不與反應生成物反應之材料形成。就耐熱性優異方面而言尤佳為石英。所謂此處之反應,係指腐蝕等不可逆之反應。不包括僅析出之情形或吸附之情形。
又,冷卻部119較佳為具備調節捕捉機構117內部之溫度之功能。於藉由設為低溫而捕捉反應生成物後切換至高溫,藉此可使所捕捉之反應生成物再次成為蒸氣。因此,可更進一步高效地將反應生成物自氣體排出管105排出。
調節上述捕捉機構117內部之溫度之功能例如可列舉溫度控制流體循環器120等。可藉由例如使水自溫度控制流體循環器120流入冷卻部119而將冷卻部119設為低溫。又,可藉由例如使油自溫度控制流體循環器120流入而將冷卻部119設為高溫。
將冷卻部119冷卻之水之溫度較佳為0℃以上且40℃以下。又,將冷卻部119加溫之油之溫度較佳為80℃以上且200℃以下。
氣體導入管104之連接部位於圖3中顯示連接於反應槽103之上部之記載,但亦可為反應槽103之側部或下部,連接部位並無特別限定。
又,氣體排出管105之連接部位並無特別限定,較佳為連接於捕捉機構117。藉由如此連接,可高效地排出捕捉機構117所捕捉之反應生成物。
又,如圖5中所示,洗淨裝置100亦可進而具備自所排出反應生成物回收氮化物半導體之回收機構114。回收機構114例如包含連接於氣體排出管105之回收部115及填充有NH3(氨)氣體之容器116,並將排出之反應生成物捕捉於回收部115之內部。進而,回收部115與容器116相連接,藉此可將氨氣導入回收部115之內部。
回收部115並無特別限定,例如由碳、石英、不鏽鋼、赫史特合金、氮化碳、氮化矽、氮化硼、氮化硼矽等具有耐熱性及對含鹵素之氣體之耐蝕性之材料形成。又,於回收部115上例如分別設置有可導入反應生成物之導入口、可導入氨氣之導入口、及可排出排氣之排出口。
又,如圖6所示,洗淨裝置100亦可於氣體排出管105與回收部115間設置複數之捕集器121。捕集器121可積存自氣體排出管105所排出之反應生成物。
又,於洗淨裝置100具備回收機構114之情形時,自氣體排出管105至捕集器121或回收部115之距離越短則越佳。藉由縮短距離,可縮短反應生成物之蒸氣擴散之距離,可更進一步防止於中途析出。
半導體製造裝置零件101並無特別限定,可使用作為製造氮化物半導體之裝置的MOCVD裝置等之由附著物而導致之污染較為嚴重之零件。尤其是對基座或晶圓托盤等反應爐周邊之零件較為有效。
<洗淨方法>
接著,對使用第二實施形態中之洗淨裝置100的附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件101之洗淨方法進行說明,但第二實施形態中之洗淨方法並不限定於該等。再者,此處亦以與第1實施形態不同之部分為中心進行說明,對共同之構成省略說明。
第二實施形態中之半導體製造裝置零件101之洗淨方法具備如下步驟:第一步驟,其將附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件 101配置於裝置內;第二步驟,其自氣體導入管104導入含鹵素之氣體,去除附著於半導體製造裝置零件101上之氮化物半導體;及第三步驟,其捕捉由含鹵素之氣體與氮化物半導體之反應所生成之反應生成物。
以下,對各步驟詳細地進行說明,但各步驟並不限定於該等。
(第一步驟)
首先,取下半導體裝置內之附著有氮化物半導體之半導體製造裝置零件101,並配置於反應槽103內之零件保持部102上。於洗淨裝置100進而具備洗淨處理部118及冷卻部119之情形時,於洗淨處理部118內配置零件保持部102。此時,所配置之半導體製造裝置零件101之數量並無特別限定,可為一個零件,亦可為兩個零件以上。
接著,視需要藉由加熱裝置106將反應槽103或洗淨處理部118之內部加熱至下述所期望之溫度。此處,亦可進而藉由真空泵113將反應槽103或洗淨處理部118之內部設為減壓狀態。
此時,反應槽103或洗淨處理部118之內部之壓力較佳為1kPa以下,尤佳為0.1kPa以下。若設為上述上限值以下,則可增加所導入之含鹵素之氣體之量,同時抑制由不期望之殘留氣體所導致之副反應而可更進一步高效地去除反應生成物。
此處,可於將反應槽103之內部設為減壓狀態後進行加熱,亦可同時進行加熱操作與減壓操作。只要最終成為上述溫度及壓力即可,加熱操作與減壓操作之順序並無特別限定。
(第二步驟)
於反應槽103之內部成為所期望之溫度、壓力後,打開氣體導入閥111,將含鹵素之氣體導入反應槽103之內部。含鹵素之氣體可使用與第一實施形態相同者。
於第二步驟中,附著於半導體製造裝置零件101之氮化物半導體 與含鹵素之氣體反應,生成鹵化鎵等反應生成物。該反應生成物立即蒸發而成為蒸氣,漂浮於反應槽103或洗淨處理部118及捕捉機構117之內部。
此時,較佳為關閉氣體導入閥111及氣體排出閥112,將含鹵素之氣體保持於裝置內,進行含鹵素之氣體與氮化物半導體之反應。藉由將含鹵素之氣體保持於裝置內,可提昇含鹵素之氣體與氮化物半導體之反應率,可更進一步降低含鹵素之氣體之使用量。其中,氣體導入閥111及氣體排出閥112亦可未完全關閉。
於將含鹵素之氣體保持於裝置內之情形時,於反應槽103或洗淨處理部118之內部成為所期望之壓力後,關閉氣體導入閥111,將含鹵素之氣體於反應槽103或洗淨處理部118及捕捉機構117之內部保持一定時間。
第二步驟中之反應槽103或洗淨處理部118之內部壓力較佳為10kPa以上,更佳為12kPa以上。若將內部壓力設為上述下限值以上,則氮化物半導體與含鹵素之氣體之反應速度變快,可更進一步高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物。
又,內部壓力較佳為90kPa以下,更佳為85kPa以下。若將內部壓力設為上述上限值以下,則可延長反應生成物之平均自由行程,故而反應生成物之擴散效率增加,可更進一步提高氮化物與含鹵素之氣體之反應效率。
第二步驟中之反應槽103或洗淨處理部118之內部溫度並無特別限定,較佳為500℃以上,尤佳為750℃以上。若將內部溫度設為上述下限值以上,則反應生成物之揮發速度變快,可更進一步高效地去除附著於半導體製造裝置零件上之氮化物半導體。
又,內部溫度並無特別限定,較佳為1000℃以下,尤佳為800℃以下。若將內部溫度設為上述上限值以下,則可更進一步防止半導體 製造裝置零件101之熱變形。
第二步驟中之含鹵素之氣體之保持時間並無特別限定,可根據反應槽103之大小或半導體製造裝置零件101之處理量等而適當設定。
(第三步驟)
繼而,藉由捕捉機構117捕捉由含鹵素之氣體與氮化物半導體之反應所生成之反應生成物。例如,使水自溫度控制流體循環器120流入冷卻部119而冷卻捕捉機構117。於是,反應生成物之蒸氣於捕捉機構117之內部冷卻,並析出於捕捉機構117之表面而被捕捉。
再者,第二步驟與第三步驟較佳為同時進行。
於將含鹵素之氣體於反應槽103或洗淨處理部118之內部保持一定時間後,打開氣體排出閥112,自氣體排出管105排出未反應之含鹵素之氣體或未被捕捉之氣體等排氣氣體。
此時,進而較佳為打開氣體導入管104,將惰性氣體自容器110導入反應槽103中,並使反應槽103之內部恢復至大氣壓後,將排氣氣體排出。藉由導入惰性氣體,可利用惰性氣體擠出排氣氣體而更進一步高效地將排氣氣體排出。此時所使用之惰性氣體並無特別限定,可使用上述惰性氣體,亦可使用其他氣體。
又,使用第二實施形態中之洗淨裝置100的半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為將自上述含鹵素之氣體之導入至排氣氣體之排出進行兩次以上。若進行兩次以上,則半導體製造裝置零件101之表面進一步活化,可更進一步提高氮化物與含鹵素之氣體之反應效率。重複次數並無特別限定,可根據反應槽103或洗淨處理部118之大小或者半導體製造裝置零件101之處理量等而適當設定。
(第四步驟)
又,使用第二實施形態中之洗淨裝置100的半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為進而進行排出所捕捉之反應生成物之第四步 驟。排出反應生成物之方法並無特別限定,例如使高溫之油自溫度控制流體循環器120流入冷卻部119而將捕捉機構117加溫。於是,析出於捕捉機構117之表面之反應生成物再次成為蒸氣,自氣體排出管105排出。
此時,進而較佳為打開氣體導入管104而將惰性氣體自容器110導入反應槽103中,並使反應槽103之內部恢復至大氣壓後,排出反應生成物之蒸氣。藉由導入惰性氣體,可利用惰性氣體擠出反應生成物之蒸氣而更進一步高效地排出蒸氣。此時所使用之惰性氣體並無特別限定,可使用上述惰性氣體,亦可使用其他氣體。
又,使用第二實施形態中之洗淨裝置100的半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為重複進行上述第一步驟至第三步驟,並以特定量積存捕捉機構117所捕捉之反應生成物後,進行第四步驟。重複次數並無特別限定,可根據反應生成物之捕捉量而適當設定。
(第五步驟)
又,使用第二實施形態中之洗淨裝置100的半導體製造裝置零件101之洗淨方法較佳為進而進行自反應生成物回收鎵化合物之第五步驟。回收方法並無特別限定,例如可使用如圖5所示之裝置進行。首先,將自氣體排出管105排出之反應生成物之蒸氣捕捉於回收部115中。其後,將氨氣自容器116導入回收部115中,使反應生成物所包含之鹵化鎵等與氨進行反應,生成鎵化合物等固體。藉由進行該第五步驟,可降低有害之排氣之量。
又,如圖6中所示,洗淨裝置100亦可將排出之反應生成物捕捉於氣體排出管105與回收部115間之複數之捕集器121中並積存特定量,其後將反應生成物送至回收部115。藉由具有該構成,可階段性地進行鎵化合物之回收步驟。
以上,參照圖式對本發明之實施形態進行說明,但該等為本發 明之例示,亦可採用除上述以外之各種構成。
於第二實施形態中,顯示真空泵113連接於氣體排出管105之情形,但亦可採用真空泵113連接於其他部位之構成。
又,於第二實施形態中,顯示洗淨半導體製造裝置之零件101之情形,但亦可將半導體製造裝置本體配置於反應槽103之內部而進行洗淨。其中,於該情形時,必須注意使半導體製造裝置本身不受損傷。
(第三實施形態) <氣相沈積裝置>
繼而,對第3實施形態之氣相沈積裝置200進行說明。
首先,對第三實施形態中之氣相沈積裝置200之構成進行說明。圖7係表示第三實施形態中之氣相沈積裝置200之構成之剖面圖。
氣相沈積裝置200係對反應槽203內之基板201供給含有鎵之第一原料氣體及含有氨之第二原料氣體,並使通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體沈積於基板201上的裝置。並且,氣相沈積裝置200具備反應槽203、基板保持部202、氣體導入管204、捕捉機構217、及氣體排出管205。
可自氣體導入管204對基板201供給含有鎵之第一原料氣體、或含有氨之第二原料氣體。進而,可將含鹵素之氣體自氣體導入管204導入反應槽203內,並可將所附著之污染物自氣相沈積裝置200內之各種零件上去除。所去除之污染物可自氣體排出管205排出。
又,氣相沈積裝置200可視需要於反應槽203之周圍分別設置將反應槽203內加熱之加熱裝置206、及監測反應槽203之內部之壓力之壓力計208。
反應槽203並無特別限定,例如由石英等耐熱性材料形成。於反應槽203之內部配置有基板保持部202,於基板保持部202上配置有使 氮化物半導體沈積之基板201。
又,反應槽203之形狀或大小並無特別限定,可根據基板201之大小或處理量而適當決定。
捕捉機構217擔負捕捉由GaN等污染物與含鹵素之氣體之反應所生成之反應生成物之作用。若使用先前之氣相沈積裝置製造氮化物半導體,則GaN等污染物亦附著於保持基板之托盤或氣體流路等基板以外之各種零件上。因此,於製造新半導體前,必需洗淨已污染之零件。
另一方面,於第三實施形態中之氣相沈積裝置200中,於製造氮化物半導體後,將含鹵素之氣體通過氣體導入管204導入反應槽203內,於氣相沈積裝置200內進行反應槽203內之各種零件之洗淨。
此時,捕捉機構217擔負捕捉含鹵素之氣體與污染物之反應生成物之作用。由於反應生成物被捕捉於捕捉機構217中,故而可抑制反應生成物附著於其他零件等上,並可高效地去除附著之污染物。因此,具備捕捉機構217之氣相沈積裝置200無需取下已污染之零件並洗淨,可高良率地製造氮化物半導體。
氣相沈積裝置200更佳為如圖8所示具有進而具備用以冷卻捕捉機構217之冷卻部219,於反應槽203之內部配置有基板保持部202,於冷卻部219之內部配置有捕捉機構217的構成。
藉由具有如此之構成,可明確地分開氣相沈積裝置200內之零件之洗淨處理與反應生成物之捕捉。進而,藉由冷卻部219冷卻捕捉機構217所捕捉之反應生成物之蒸氣,可使反應生成物析出,故而可更進一步抑制反應生成物附著於氣相沈積裝置200內之零件上,並可更進一步高效地捕捉反應生成物。
捕捉機構217只要為可捕捉反應生成物者則並無特別限定,較佳為冷卻板。藉由使用冷卻板,可高效地冷卻反應生成物之蒸氣,故而 可更進一步高效地捕捉反應生成物。
又,捕捉機構217並無特別限定,較佳為由例如碳、石英、不鏽鋼、赫史特合金、碳化矽、氮化矽、氮化硼等不與反應生成物反應之材料形成。就耐熱性優異方面而言尤佳為石英。所謂此處之反應,係指腐蝕等不可逆之反應。不包括僅析出之情形或吸附之情形。
又,冷卻部219較佳為具備調節捕捉機構217內部之溫度之功能。於藉由形成低溫而捕捉反應生成物後切換至高溫,藉此可使所捕捉之反應生成物再次為蒸氣。因此,可更進一步高效地將反應生成物自氣體排出管205排出。
上述調節捕捉機構217內部之溫度之功能例如可列舉溫度控制流體循環器220等。藉由使冷卻水自溫度控制流體循環器220流入冷卻部219,可將冷卻部219設為低溫。又,藉由使油自溫度控制流體循環器220流入,可將冷卻部設為高溫。
對冷卻部219進行冷卻之冷卻水之溫度較佳為0℃以上且40℃以下。又,對冷卻部219進行加溫之油之溫度較佳為80℃以上且200℃以下。
基板保持部202為用以保持基板201之構件,例如由碳或石英等耐熱性材料形成。該基板保持部202係以可支持基板201並可保持其狀態之方式而構成。
含有鎵之第一原料氣體或含有氨之第二原料氣體係自第一原料氣體生成室223或填充有第二原料氣體之容器218通過氣體導入管204而導入反應槽203之內部。此時,第一原料氣體及第二原料氣體之導入量可藉由氣體導入閥211而調節。
含鹵素之氣體係自填充有含鹵素之氣體之容器210通過氣體導入管204而導入反應槽203之內部。又,亦可視需要於導入含鹵素之氣體同時,自填充有惰性氣體之容器222導入惰性氣體而調節含鹵素之氣 體之濃度。此時,含鹵素之氣體及惰性氣體之導入量可藉由氣體導入閥211而調節。
氣體導入管204之一方之口連接於反應槽203內,另一方之口連接於填充有含鹵素之氣體之容器210或第一原料氣體生成室223、填充有第二原料氣體之容器218、填充有惰性氣體之容器222。
氣體排出管205係經由氣體排出閥212而連接於真空泵213,藉此可將反應槽203之內部設為減壓狀態。進而,氣體排出管205及真空泵213可視需要連接於未圖示之排氣除害處理裝置,可使自反應槽203排出之反應生成物無害化而排出至大氣中。
氣體導入管204之連接部位於圖7、8中顯示連接於反應槽203之上部之記載,但亦可為反應槽203之側部或下部,連接部位並無特別限定。又,顯示對各種氣體使用一個氣體導入管204之情形,但氣體導入管204無需為一個,亦可對各氣體設置專用之氣體導入管,或亦可如圖7及圖8所示為共用之氣體導入管。
氣體排出管205之連接部位並無特別限定,較佳為如圖7及圖8所示連接於捕捉機構217上。藉由如此之連接,可高效地排出捕捉機構217所捕捉之反應生成物。
加熱裝置206並無特別限定,例如包含可將反應槽203之內部加熱之加熱機構,及可調整該加熱機構之輸出而將反應槽203之內部保持於一定之溫度之溫度調整器。加熱機構並無特別限定,可使用發熱線、燈加熱等公知之加熱機構,可為任一可將氣相沈積裝置200內加熱者。
又,如圖9所示,第三實施形態中之氣相沈積裝置200亦可進而具備自所排出之反應生成物回收鎵化合物之回收機構214。回收機構214例如包含連接於氣體排出管205之回收部215及填充有氨之容器216,並將所排出之反應生成物捕捉於回收部215之內部。進而,回收 部215與容器216相連接,藉此可將氨導入於回收部215之內部。
回收部215並無特別限定,例如由碳、石英、不鏽鋼、赫史特合金、氮化碳、氮化矽、氮化硼、氮化硼矽等具有耐熱性及對含鹵素之氣體之耐蝕性之材料形成。又,於回收部215上例如分別設置有可導入反應生成物之導入口、可導入氨之導入口、及可排出排氣之排出口。
又,如圖10所示,氣相沈積裝置200亦可於氣體排出管205與回收部215間設置複數之捕集器221。捕集器221可積存自氣體排出管205排出之反應生成物。
又,於氣相沈積裝置200具備回收機構214之情形時,自氣體排出管205至捕集器221或者回收部215之距離越短則越佳。藉由縮短距離,可縮短反應生成物之蒸氣擴散之距離,可更進一步抑制於中途析出。
繼而,對氣相沈積裝置200之使用方法進行說明。主要包含氮化物半導體之製造、及去除附著於氣相沈積裝置200內之各種零件上之污染物之洗淨操作。
<氮化物半導體之製造>
首先,對使用第三實施形態中之氣相沈積裝置200的氮化物半導體之製造進行說明,但利用氣相沈積裝置200之氮化物半導體之製造方法並不限定於該等。
於製造氮化物半導體之情形時,通常使用氣相沈積法,尤其是MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition,有機金屬氣相沈積)法或者HVPE(Hydride Vapour Phase Epitaxy,氫化物氣相沈積)法。
於第三實施形態中之氣相沈積裝置200中並無特別限定,係使用通常之MOCVD法或HVPE法使氮化物半導體層沈積於基板201上。以 下,對利用HVPE法之氮化物半導體之製造進行說明。
首先,於反應槽203內載置基板201,並使反應槽203內升溫至一定之溫度。接著,將含有鎵之第一原料氣體自第一原料氣體生成室223通過氣體導入管204導入反應槽203內。此處,對第一原料氣體生成室223進行說明。該第一原料氣體生成室223連接於填充有含鹵素之氣體之容器209,並且於內部包含收容Ga之船形碟。若將含鹵素之氣體導入第一原料氣體生成室223中,則原料之Ga與含鹵素之氣體反應而生成GaCl等第一原料氣體。
再者,填充於容器210中之含鹵素之氣體例如可使用Cl2、HCl、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、BCl3、CHCl3、CH2Cl2、CH3Cl等於分子內含有氯之化合物之一種或者兩種以上之混合物。於該等中,就價格、反應性等之平衡方面而言尤佳為Cl2
接著,於導入含有鎵之第一原料氣體之同時,將填充於容器218中之含有氨之第二原料氣體導入反應槽203內。於是,作為第一原料氣體之GaCl與作為第二原料氣體之氨反應而生成GaN、氯化氫、及氫,GaN作為氮化物半導體層而沈積於基板201上。氯化氫及氫氣作為排氣氣體而排出,對人體有害之氯化氫係利用未圖示之除害裝置去除。
再者,於第三實施形態中,形成氮化物半導體層之方法並不限定於以上所說明之HVPE法,亦可使用其他方法。
(洗淨操作)
以下,對去除附著於氣相沈積裝置200內之各種零件之污染物之洗淨操作進行說明,但利用氣相沈積裝置200之去除污染物之洗淨操作並不限定於該等。
首先,將形成氮化物半導體層之基板201自反應槽203取出,並視需要藉由加熱裝置206將反應槽203之內部加熱至下述所期望之溫 度。此處,亦可進而藉由真空泵213將反應槽203之內部設為減壓狀態。
此時,反應槽203之內部之壓力較佳為1kPa以下,尤佳為0.1kPa以下。若設為上述上限值以下,則可增加所導入之含鹵素之氣體之量,同時抑制因不期望之殘留氣體所導致之副反應而可更進一步高效地去除反應生成物。
此處,可於將反應槽203之內部設為減壓狀態後進行加熱,亦可同時進行加熱操作與減壓操作。只要最終成為上述之溫度及壓力即可,加熱操作與減壓操作之順序並無特別限定。
於反應槽203之內部成為所期望之溫度、壓力後,打開氣體導入閥211,將含鹵素之氣體導入反應槽203之內部。
含鹵素之氣體例如可使用Cl2、HCl、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、BCl3、CHCl3、CH2Cl2、CH3Cl等於分子內含有氯之化合物之一種或者兩種以上之混合物。於該等中,就價格、反應性等之平衡方面而言,尤佳為Cl2
又,亦可視需要於導入含鹵素之氣體之同時,將惰性氣體自容器210導入反應槽203之內部。藉由惰性氣體之導入,可調節含鹵素之氣體之濃度。
作為惰性氣體,例如可使用氮氣、氦氣、氬氣等不與含鹵素之氣體反應之任意氣體之一種或者兩種以上之混合氣體。
再者,導入上述惰性氣體時之反應槽203內之含鹵素之氣體濃度並無特別限定,但若濃度過高,則有時氣相沈積裝置200內之各種零件本身被腐蝕,故而係根據污染之程度等而適當設定。
導入惰性氣體時之反應槽203內之含鹵素之氣體濃度並無特別限定,較佳為5體積%以上,尤佳為10體積%以上。若設為上述下限值以上,則污染物與含鹵素之氣體之反應速度變快,可更進一步高效地去 除附著於氣相沈積裝置200內之各種零件上之污染物。
含鹵素之氣體濃度並無特別限定,較佳為100體積%以下,尤佳為80體積%以下。若設為上述上限值以下,則含鹵素之氣體量較少即可,又,可抑制裝置構成零件之腐蝕。
附著於各種零件上之氮化鎵等污染物與含鹵素之氣體反應,生成鹵化鎵等反應生成物。該反應生成物立即蒸發而成為蒸氣,漂浮於反應槽203及捕捉機構217之內部。
此時,較佳為關閉氣體導入閥211及氣體排出閥212,將含鹵素之氣體保持於裝置內而進行含鹵素之氣體與污染物之反應。藉由將含鹵素之氣體保持於裝置內,可提昇含鹵素之氣體與污染物之反應率,可更進一步降低含鹵素之氣體之使用量。其中,氣體導入閥211及氣體排出閥212亦可未完全關閉。
於將含鹵素之氣體保持於裝置內之情形時,於反應槽203之內部成為所期望之壓力後,關閉氣體導入閥211而將含鹵素之氣體於反應槽203及捕捉機構217之內部保持一定時間。
此時,反應槽203之內部壓力較佳為10kPa以上,尤佳為12kPa以上。若將內部壓力設為上述下限值以上,則污染物與含鹵素之氣體之反應速度變快,可更進一步高效地去除附著於氣相沈積裝置200內之各種零件上之污染物。
又,內部壓力較佳為90kPa以下,尤佳為85kPa以下。若將內部壓力設為上述上限值以下,則可延長反應生成物之平均自由行程,故而反應生成物之擴散效率增加,可更進一步提高污染物與含鹵素之氣體之反應效率。
此時之反應槽203之內部溫度並無特別限定,較佳為500℃以上,尤佳為750℃以上。若將內部溫度設為上述下限值以上,則反應生成物之揮發速度變快,可更進一步高效地去除附著於氣相沈積裝置 200內之各種零件上之污染物。
又,內部溫度並無特別限定,較佳為1000℃以下,尤佳為800℃以下。若將內部溫度設為上述上限值以下,則可更進一步防止氣相沈積裝置200內之各種零件之熱變形。
含鹵素之氣體之保持時間並無特別限定,可根據反應槽203之大小或氣相沈積裝置200內之各種零件之處理量等而適當設定。
含鹵素之氣體與污染物之反應所生成之反應生成物係藉由捕捉機構217而捕捉。例如,使水自溫度控制流體循環器220流入冷卻部219並冷卻捕捉機構217。於是,反應生成物之蒸氣於捕捉機構217之內部冷卻,並析出於捕捉機構217之表面而被捕捉。
於將含鹵素之氣體於反應槽203之內部保持一定時間後,打開氣體排出閥212,將未反應之含鹵素之氣體或未被捕捉之氣體等排氣氣體自氣體排出管205排出。
此時,進而較佳為打開氣體導入管204,將惰性氣體自容器210導入反應槽203中,使反應槽203之內部恢復至大氣壓後,將排氣氣體排出。藉由導入惰性氣體,可利用惰性氣體擠出排氣氣體而更進一步高效地將排氣氣體排出。此時所使用之惰性氣體並無特別限定,可使用上述惰性氣體,亦可使用其他氣體。
又,使用第三實施形態中之氣相沈積裝置200的氣相沈積裝置200內之各種零件的洗淨操作較佳為將上述含鹵素之氣體之導入至排氣氣體之排出進行兩次以上。若進行兩次以上,則各種零件之表面進一步活化,可更進一步提高污染物與含鹵素之氣體之反應效率。重複次數並無特別限定,可根據反應槽203之大小或各種零件之處理量等而適當設定。
又,使用第三實施形態中之氣相沈積裝置200的氣相沈積裝置200內之各種零件之洗淨操作較佳為進而進行捕捉之反應生成物之排 出。排出反應生成物之方法並無特別限定,例如使高溫之油自溫度控制流體循環器220流入冷卻部219而加溫捕捉機構217。於是,析出於捕捉機構217之表面上之反應生成物再次成為蒸氣,自氣體排出管205排出。
此時,進而較佳為打開氣體導入管204,將惰性氣體自容器210導入反應槽203中,並使反應槽203之內部恢復至大氣壓後,排出反應生成物之蒸氣。藉由導入惰性氣體,可利用惰性氣體擠出反應生成物之蒸氣而更進一步高效地排出蒸氣。此時所使用之惰性氣體並無特別限定,可使用上述惰性氣體,亦可使用其他氣體。
又,使用第三實施形態中之氣相沈積裝置200的氣相沈積裝置200內之各種零件之洗淨操作較佳為將捕捉機構217所捕捉之反應生成物積存一定量後,排出所捕捉之反應生成物。重複次數並無特別限定,可根據反應生成物之捕捉量而適當設定。
又,使用第三實施形態中之氣相沈積裝置200的氣相沈積裝置200內之各種零件之洗淨操作較佳為進而進行自反應生成物回收鎵化合物。回收方法並無特別限定,例如可使用如圖9所示之裝置進行。首先,將自氣體排出管205所排出之反應生成物之蒸氣捕捉於回收部215。其後,將氨氣自容器216導入回收部215中,使反應生成物所包含之鹵化鎵等與氨反應,生成鎵化合物等固體。藉由自該反應生成物回收鎵化合物,可降低有害排氣之量。
又,如圖10中所示,氣相沈積裝置200亦可將排出之反應生成物捕捉於氣體排出管205與回收部215間之複數之捕集器221中並積存一定量後,將反應生成物送至回收部215。藉由具有上述構成,可階段性地進行鎵化合物之回收。
以上,參照圖式對本發明之第三實施形態進行說明,但該等為本發明之例示,亦可採用除上述以外之各種構成。
於第三實施形態中,列舉了利用HVPE法之沈積,但亦可將本發明應用於MOCVD法或原子層沈積法(ALD,Atomic Layer Deposition)等中。
實施例
以下,藉由實施例及比較例進一步說明本發明,但本發明並不限定於該等。
(實施例1)
以下,於實施例1~6及比較例1~4中,使用圖1所示之洗淨裝置。
將附著有GaN之半導體製造裝置零件配置於反應槽內之零件保持部,並將反應槽內之溫度設為750℃,將壓力設為0.1kPa以下。接著,將N2氣體導入反應槽內而將壓力設為20kPa,其後,將Cl2氣體導入反應槽內而將壓力設為40kPa(Cl2氣體壓力為20kPa)。於該狀態下保持10分鐘後,打開排氣閥排出反應生成物之蒸氣。
接著,於藉由N2氣體之導入而使反應槽內恢復至大氣壓後,測定附著有GaN之零件之重量。此處,根據使用之Cl2氣體量及去除之GaN量,並使用下述(1)式算出反應效率。
反應效率[%]=100×(去除之GaN之莫耳數×1.5)/(使用之Cl2之莫耳數) (1)
再者,去除1莫耳之GaN所需之Cl2氣體量理論而言為1.5莫耳。
所去除之GaN為3.5g(0.042莫耳),所使用之Cl2氣體量合計為3.2L(0.13莫耳)。因此,反應效率為48.2%。
(實施例2)
將上述N2氣體之導入、Cl2氣體之導入、保持10分鐘、反應生成物之排出一系列之操作進行4次,除此以外與實施例1進行相同之洗淨處理。將獲得之結果示於表1中。
(實施例3)
將附著有GaN之半導體製造裝置零件配置於反應槽內之零件保持部上,並將反應槽內之溫度設為730℃,將壓力設為0.1kPa以下。接著,將N2氣體導入反應槽內而將壓力設為10kPa,其後,將Cl2氣體導入反應槽內而將壓力設為30kPa。於該狀態下保持10分鐘後,打開排氣閥排出反應生成物之蒸氣。繼而,將上述之N2氣體之導入、Cl2氣體之導入、保持10分鐘、反應生成物之排出一系列之操作進行兩次。
繼而,於藉由N2氣體之導入而使反應槽內恢復至大氣壓後,測定附著有GaN之零件之重量。此處,根據使用之Cl2氣體量及去除之GaN量,並使用下述(1)式算出反應效率。將所獲得之結果示於表1中。
(實施例4~5、比較例1~3)
將反應槽內之壓力分別設定為表1所記載之值,除此以外與實施例3進行相同之洗淨處理。將所獲得之結果示於表1中。
(比較例4)
將附著有GaN之零件配置於反應槽內之零件保持部上,並將反應槽內之溫度設為800℃。接著,於打開排氣閥之狀態下,將Cl2氣體與N2氣體之混合氣體供給於反應槽內30分鐘。此處,將Cl2氣體之流量設為0.3L/min,將N2氣體之流量設為0.3L/min。
於對反應槽內進行N2置換之後,測定附著有GaN之零件之重量。去除之GaN為1.0g(0.011莫耳),使用之Cl2氣體量為合計9.0L(0.37莫耳)。因此,反應效率為5%。
(評價結果)
將以上之評價結果示於表1中。藉由將洗淨方式設為密封方式並將反應槽內之壓力設為90kPa以下,而與比較例3、4相比可提昇反應效率。
又,藉由增加洗淨次數,可進而提昇反應效率。
(實施例6)
以下,於實施例6中,使用圖4及圖5所示之洗淨裝置。
將附著有GaN之半導體製造裝置零件配置於洗淨處理部內之零件保持部上,並將洗淨處理部內之溫度設為750℃。又,藉由溫度控制流體循環器使水溫為25℃之水以2L/min於冷卻部循環。其後,使真空泵運作,將洗淨處理部內之壓力設為0.1kPa以下。
接著,將N2氣體導入洗淨處理部內而將壓力設為20kPa,其後,將Cl2氣體導入反應槽內而將壓力設為40kPa。於該狀態下保持10分鐘後,打開排氣閥將排氣氣體排出。上述之N2氣體之導入、Cl2氣體之導入、保持10分鐘、排氣氣體之排出一系列之操作係合計進行4次。
接著,藉由溫度控制流體循環器使100℃之油以3L/min於冷卻部循環而加溫冷卻部內之冷卻板。接著,於藉由N2氣體之導入而使裝置內恢復至大氣壓後,打開氣體排氣閥,將作為反應生成物之GaCl3之蒸氣導入回收部。與此同時,將NH3氣體導入回收部,使GaCl3與NH3進行反應。若附著於冷卻部內之冷卻板上之鎵氯化物消失,則關閉NH3氣體之導入閥。
進而,於以10分鐘將N2氣體導入裝置內後,取出附著有GaN之零件並測定重量。此處,根據使用之Cl2氣體量及去除之GaN量,並使用下述(1)式算出反應效率。
反應效率[%]=100×(去除之GaN之莫耳數×1.5)/(使用之Cl2之莫耳數) (1)
再者,去除1莫耳之GaN所需之Cl2氣體量理論而言為1.5莫耳。
去除之GaN為28.1g(0.336莫耳),使用之Cl2氣體量合計為12.8L(0.520莫耳)。因此,反應效率為96.9%。
又,自回收部捕捉包含NH4Cl、Ga之低聚物(NH2GaCl2)n及GaN等鎵化合物。
該申請案係主張基於2011年5月19日提出申請之日本專利申請特願2011-112426號及2011年7月25日提出申請之日本專利申請特願2011-162261號之優先權,並將其揭示全部併入於此。
100‧‧‧洗淨裝置
101‧‧‧半導體製造裝置零件
102‧‧‧零件保持部
103‧‧‧反應槽
104‧‧‧氣體導入管
105‧‧‧氣體排出管
106‧‧‧加熱裝置
108‧‧‧壓力計
109‧‧‧容器
110‧‧‧容器
111‧‧‧氣體導入閥
112‧‧‧氣體排出閥
113‧‧‧真空泵

Claims (8)

  1. 一種半導體製造裝置零件之洗淨方法,其係進行如下步驟:第一步驟,其將附著有通式AlxInyGa1-x-yN(其中,x、y為0≦x<1,0≦y<1,0≦x+y<1)所表示之氮化物半導體之半導體製造裝置零件配置於具備氣體導入管及氣體排出管之裝置內;第二步驟,其將上述裝置內設為減壓狀態後,自上述氣體導入管導入含氯之洗淨氣體;其後進行第三步驟,其將上述含氯之洗淨氣體保持於上述裝置內,並去除附著於上述半導體製造裝置零件上之上述氮化物半導體;並且上述第三步驟中之上述裝置內之壓力為30kPa以上且60kPa以下,上述第三步驟中之上述裝置內之溫度為500℃以上且1000℃以下。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其更包括去除生成於上述裝置內之反應生成物之第四步驟。
  3. 如請求項2之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其於上述第四步驟中將惰性氣體導入上述裝置內,並將上述反應生成物之蒸氣排出至上述裝置外。
  4. 如請求項2之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其更包括回收鎵化合物之第五步驟。
  5. 如請求項4之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其於上述第五步驟中藉由使NH3與上述反應生成物反應而回收上述鎵化合物。
  6. 如請求項2至5中任一項之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其將上述第二步驟至上述第四步驟進行兩次以上。
  7. 如請求項1之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其於上述第二步 驟中進而將惰性氣體導入上述裝置內。
  8. 如請求項1之半導體製造裝置零件之洗淨方法,其中上述第三步驟中,保持於上述裝置內,且與上述氮化物半導體反應之氣體係由上述含氯之洗淨氣體所組成。
TW104102429A 2011-05-19 2012-03-21 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置 TWI552213B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011112426 2011-05-19
JP2011162261 2011-07-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201519294A TW201519294A (zh) 2015-05-16
TWI552213B true TWI552213B (zh) 2016-10-01

Family

ID=47176517

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101109737A TWI482213B (zh) 2011-05-19 2012-03-21 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置
TW104102429A TWI552213B (zh) 2011-05-19 2012-03-21 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101109737A TWI482213B (zh) 2011-05-19 2012-03-21 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20140144381A1 (zh)
EP (1) EP2711974A4 (zh)
JP (2) JP5715245B2 (zh)
KR (2) KR101553458B1 (zh)
CN (1) CN103597583B (zh)
TW (2) TWI482213B (zh)
WO (1) WO2012157161A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6499493B2 (ja) * 2015-04-10 2019-04-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法
JP6679413B2 (ja) * 2016-05-23 2020-04-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置用部品の洗浄装置
JP6852040B2 (ja) 2018-11-16 2021-03-31 大陽日酸株式会社 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム
KR102209540B1 (ko) 2020-08-03 2021-01-29 씨에스이(주) 밸브 세정장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100273290A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Mocvd single chamber split process for led manufacturing

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4551197A (en) * 1984-07-26 1985-11-05 Guilmette Joseph G Method and apparatus for the recovery and recycling of condensable gas reactants
FR2614887B1 (fr) * 1987-05-06 1990-11-30 Rhone Poulenc Chimie Procede de recuperation de gallium par extraction liquide-liquide
JPH1180964A (ja) * 1997-07-07 1999-03-26 Canon Inc プラズマcvd法による堆積膜形成装置
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
US6238514B1 (en) * 1999-02-18 2001-05-29 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent
US6773687B1 (en) * 1999-11-24 2004-08-10 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas
US6770145B2 (en) * 2000-12-11 2004-08-03 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film
JP4679720B2 (ja) * 2000-12-22 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20030196680A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Dielectric Systems, Inc Process modules for transport polymerization of low epsilon thin films
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
US6847905B2 (en) * 2002-02-12 2005-01-25 Tektronix, Inc. Architecture providing increased information display for long acquisitions or constrained memory bandwidth
US20030216041A1 (en) 2002-05-08 2003-11-20 Herring Robert B. In-situ thermal chamber cleaning
US7074298B2 (en) * 2002-05-17 2006-07-11 Applied Materials High density plasma CVD chamber
KR100513276B1 (ko) * 2003-05-23 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 스핀 척
TWI250669B (en) 2003-11-26 2006-03-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
US7455720B2 (en) * 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
CN2808933Y (zh) * 2005-05-12 2006-08-23 应用材料公司 远程等离子反应器的并合器
JP5021907B2 (ja) 2005-05-24 2012-09-12 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
JP5498640B2 (ja) 2005-10-14 2014-05-21 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
US9580836B2 (en) 2006-11-22 2017-02-28 Soitec Equipment for high volume manufacture of group III-V semiconductor materials
US20090050057A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Apparatus for continuous coating
JP4994197B2 (ja) * 2007-11-16 2012-08-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5011148B2 (ja) * 2008-02-06 2012-08-29 大陽日酸株式会社 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
JP2010016200A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Zeta Photon Kk シャドーマスクのクリーニング方法、シャドーマスクのクリーニング装置、有機elディスプレイの製造方法および有機elディスプレイの製造装置
JP5260356B2 (ja) * 2009-03-05 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP5302719B2 (ja) 2009-03-10 2013-10-02 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法及び洗浄装置
JP5277054B2 (ja) 2009-04-08 2013-08-28 大陽日酸株式会社 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置
US20110079251A1 (en) * 2009-04-28 2011-04-07 Olga Kryliouk Method for in-situ cleaning of deposition systems
US20110117728A1 (en) * 2009-08-27 2011-05-19 Applied Materials, Inc. Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean
JP5454101B2 (ja) 2009-11-25 2014-03-26 横河電機株式会社 ペーパーレスレコーダ
JP2011162261A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Katsuyoshi Fukuyama 内圧排出構造の包装袋

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100273290A1 (en) * 2009-04-28 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Mocvd single chamber split process for led manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
US10741380B2 (en) 2020-08-11
EP2711974A4 (en) 2015-03-11
CN103597583A (zh) 2014-02-19
TW201519294A (zh) 2015-05-16
TW201248704A (en) 2012-12-01
US20190122880A1 (en) 2019-04-25
CN103597583B (zh) 2016-06-08
WO2012157161A1 (ja) 2012-11-22
JPWO2012157161A1 (ja) 2014-07-31
KR20150048914A (ko) 2015-05-07
JP5715245B2 (ja) 2015-05-07
KR20140010459A (ko) 2014-01-24
KR101553458B1 (ko) 2015-09-15
TWI482213B (zh) 2015-04-21
JP2015073132A (ja) 2015-04-16
US20140144381A1 (en) 2014-05-29
EP2711974A1 (en) 2014-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10741380B2 (en) Method for washing semiconductor manufacturing apparatus component, apparatus for washing semiconductor manufacturing apparatus component, and vapor phase growth apparatus
US10240230B2 (en) Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers
TWI496935B (zh) Mocvd腔室在原位清潔後利用nh3淨化之去汙染
JP6463339B2 (ja) 後続の多段洗浄ステップを伴うmocvd層成長方法
JP5877702B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
US20120304930A1 (en) Chamber exhaust in-situ cleaning for processing apparatuses
TWI582268B (zh) The cleaning method of the process chamber of the CVD reactor
US20190248657A1 (en) Polycrystalline silicon rod and method for producing same
JP2011233583A (ja) 気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US10379094B2 (en) Contamination control method of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial silicon wafer
JP6248359B2 (ja) 半導体層の表面処理方法
JP5302719B2 (ja) 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法及び洗浄装置
JP2020105604A (ja) 気相成長装置およびiii族窒化物単結晶の製造方法
TWI753402B (zh) SiC磊晶成長裝置
TW524713B (en) Method and device for treatment and recovery of CVD waste gas
JP6677958B2 (ja) 気相成長装置における汚染部品のドライ洗浄装置
KR101518215B1 (ko) 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템
JP2013203652A (ja) 窒化物単結晶の製造方法
JP6827369B2 (ja) 窒化物結晶基板の製造方法
KR101436590B1 (ko) 회수 TMIn 재이용방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees