JP3554219B2 - 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法に関し、より具体的には、半導体デバイスとしての電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイスなどの半導体デバイスを構成する場合に有用な結晶質、非単結晶質の機能性堆積膜を良好に形成出来る堆積膜形成装置、または、半導体デバイスや、光学素子としての絶縁膜、金属配線などを好適に形成し得るスパッタ装置、或いは半導体デバイスなどのエッチング装置など真空処理装置に好適に使用することができる排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ処理装置はそれぞれの用途に応じてさまざまに使用される。例えばプラズマCVD装置を用いてプラズマCVD法によって酸化膜や窒化膜を形成したり、アモルファスシリコン系に代表される半導体膜の成膜を行う。又スパッタリング装置を用いてスパッタリング法により金属配線膜などに用いられる金属膜を形成したり、またエッチング装置を用いて被処理体をエッチングして微細加工する等の技術の開発が進められている。特に高周波電力やマイクロ波電力を用いたプラズマプロセスは放電の安定性が高く、半導体膜のみならず酸化膜や窒化膜などの絶縁性の材料形成にも使用出来るなど、さまざまな利点により使用されている。
【0003】
ところで、真空処理においては近年形成される膜の膜質及び処理能力向上に対する要望も強くなっており、さまざまな工夫が検討されている。特に、膜質向上や膜質の均一化、膜厚コントロールの容易性などの観点から、放電空間の真空度を高真空にすることが注目されている。たとえば堆積膜形成装置は処理空間内を排気するための拡散ポンプと、拡散ポンプによる排気を補助するための補助ポンプであるロータリーポンプやメカニカルブースターポンプ等を拡散ポンプと組み合わせて用い高真空を得ることが知られている。ロータリーポンプとメカニカルブースターポンプは粗引き用に用いられるものである。この場合、放電空間内で達成される真空度は数100Paから20Pa程度とすることが可能である。また排気の形態をより最適化することで現在10mPa〜15Pa程度の高真空を達成することも可能である。堆積膜形成装置では、放電空間内の真空度をより高真空とすることでコンタミネーションの少ない、特性の向上した堆積膜を得ることができる。
【0004】
また、製造コストを低減させるためには、機能性膜の堆積速度(すなわち真空処理速度)を向上させることが重要である。堆積速度(真空処理速度)が上がれば堆積膜形成装置(真空処理装置)のスループットが上がる。その結果設備投資にかかる費用を減らし、製品1つ1つに対する処理コストを低減することができる。従って、膜質を向上させたり、膜質を均一化させたり、膜厚コントロールを容易に行うことを可能にしつつ、処理速度を高めるためには、大流量の原料ガスを真空処理装置へ供給しながらかつ、大排気量の真空ポンプで真空処理装置の処理室内を高速且つ高真空に排気する必要がある。
また、大流量の原料ガスを大排気量の真空ポンプで高速に排気する場合は、拡散ポンプを用いることが好ましい。拡散ポンプは大排気量が容易に得ることが出来、かつ、ポンプ自身も安価である。拡散ポンプにメカニカルブースターポンプやロータリーポンプを組み合わせて用いた場合、得られる真空度は上記したように10mPa〜15Paとすることができるので、前記の目標を十分に達成することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、大流量の原料ガスを拡散ポンプで排気する場合、排気される原料ガスとともに拡散ポンプからの気化した拡散ポンプオイルがメカニカルブースターポンプやロータリーポンプ等の補助ポンプ側に流される。このため拡散ポンプ内の拡散ポンプオイルの量が急激に減少してしまう。拡散ポンプオイルは高価であり、拡散ポンプオイルの消費量が増えると、製造コストの上昇を招いてしまう。
また、拡散ポンプオイルを補充するためには、拡散ポンプを冷却した後に、内部の真空状態を大気圧に戻し、その後に、拡散ポンプオイルを補充するという工程が必要である。そしてその工程が頻繁に行われると、装置の稼働率が低下する。また、拡散ポンプのメンテナンスのための人手の増加をする必要が生ずる。更に、拡散ポンプから補助ポンプ側に流れたオイルは補助ポンプであるロータリーポンプ内に貯まるが、このまま、長期間連続して使用するとロータリーポンプのオイル量が増加し、故障を招くことがある。
また、故障に至らないまでも排気速度が低下したり、異質のオイル同士の場合は、けんだくが顕著にあらわれるなどの悪影響があった。
さらには本来ロータリーポンプ用のオイルではない拡散ポンプオイルがロータリーポンプ内に加わることでロータリーポンプの慴動面などの摩耗、その他の問題を引き起こし、ロータリーポンプの寿命を縮めることがあった。もちろんこのような問題は堆積膜形成装置、スパッタ装置、エッチング装置等の真空処理装置に同様に言えることである。
【0006】
そこで、本発明は、上記課題を解決する大流量の原料ガスを排気しても、拡散ポンプオイルが補助ポンプ側に流れて急激に減少し、また、補助ポンプ内に拡散ポンプオイルが溜まるということがなく、くり返しの使用に耐え、長期間に渡って排気性能を維持し、維持コストの低減化を図ることができる排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法を提供することを目的としている。また、本発明は膜質の向上や均一化、膜厚コントロールに代表される真空処理の制御が容易で安価な排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法を提供することを目的としている。
また、本発明は、製造過程における処理体へのコンタミネーションの発生を最小限に抑えることが容易な排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法を提供することを目的としている。
また、本発明は、製造時間が短く処理を低コスト化することができ、真空処理の再現性を優れたものとすることができる排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するため、排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法を、つぎのように構成したことを特徴とするものである。
すなわち、本発明の排気装置は、第1の排気手段と、前記第1の排気手段の排気ガスを排気するための第2の排気手段と、前記第1の排気手段と前記第2の排気手段を接続する排気ラインと、前記排気ラインを流れる前記排気ガスを冷却するために前記排気ラインに沿って設けられた冷却手段を少なくとも有する排気装置であって、前記第1の排気手段は拡散ポンプであり、前記冷却手段は前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルを液化あるいは凝固させる手段であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記第1の排気手段は前記冷却手段とは別の冷却手段を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記第1の排気手段が容器内を排気するものであり、前記容器にガスを導入するためのガス導入手段を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記冷却手段が、前記排気ラインの内壁に設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記冷却手段が、前記排気ラインの内壁に露出して設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記冷却手段が、前記排気ラインの外周に設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記冷却手段が、前記排気ラインに螺旋状に設けられることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記冷却手段が、冷媒を流すための手段であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記排気ラインが、前記第2の排気手段との接続部近傍で立ち上がり部分を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記排気ラインが、前記第1の排気手段側で低く、前記第2の排気手段側で高くなるように配置されることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記排気ラインが、オイル溜めと接続可能であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル溜めが、前記排気ラインとの間に開閉弁とオイル排出弁とを有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル溜めが、リーク弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル溜めが、真空排気弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル溜めと前記排気ラインとの間に開閉弁を設けると共に、前記オイル溜めを前記排気ラインから取り出し自在に構成し、前記第1の排気手段と前記第2の排気手段とを真空に保持しながらオイルを排出可能としたことを特徴している。
また、本発明の排気装置は、前記排気ラインが、前記第1の排気手段にオイルを流しこむためのオイル受けを有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル受けと前記排気ラインとの間に開閉弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル受けが、真空気密可能であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記オイル受けが、真空排気弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記容器が、反応炉であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記容器が、内圧が10mPa以上15Pa以下の範囲で使用可能であることを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記容器が、容器内に収容される被処理基体に堆積膜を形成させるための堆積膜形成装置の少なくとも1部を構成することを特徴としている。
また、本発明の排気装置は、前記容器が、容器内に収容される被処理基体を真空処理するための真空処理装置の少なくとも1部を構成することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、第1の排気手段である拡散ポンプと排気ラインを介して接続する第2の排気手段が前記第1の排気手段の排気ガスを排気する工程と、前記排気ラインに設けられた冷却手段が前記第1の排気手段から前記排気ラインを流れる前記排気ガスを前記排気ラインにおいて液化する液化工程と、前記液化工程を終えた前記排気ガスを前記第2の排気手段が排気する工程を有する排気方法であって、前記液化工程は、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルの液化工程であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記第1の排気手段が、前記冷却手段とは別の冷却手段を有し、前記冷却手段が前記別の冷却手段を通り抜けた前記排気ガスを冷却することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記第2の排気手段が、前記第1の排気手段とつながる容器にガスを導入するためのガス導入手段から供給されるガスと共に前記排気ガスを排気することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記冷却手段が、前記排気ラインの内壁に設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記冷却手段が、前記排気ラインの内壁に露出して設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記冷却手段が、前記排気ラインの外周に設けられるパイプであることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記冷却手段が、前記排気ラインに螺旋状に設けられることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記冷却手段が、冷媒を流すための手段であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記排気ラインのうち前記第2の排気手段との接続部近傍に設けられた立ち上がり部分で前記排気ガスが前記第2の排気手段に進入することを防ぐ工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記第1の排気手段側で低く、前記第2の排気手段側で高くなるように配置された前記排気ラインを流れる前記排気ガスが前記第2の排気手段に進入することを防ぐ工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記排気ラインが、オイル溜めと接続可能であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル溜めが、前記排気ラインとの間に開閉弁とオイル排出弁とを有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル溜めが、リーク弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル溜めが、真空排気弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル溜めと前記排気ラインとの間に設けられた開閉弁を閉じて、前記オイル溜めを前記排気ラインから取り外す工程と、前記第1の排気手段と前記第2の排気手段とを真空に保持しながらオイルを排出する工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記排気ラインに設けられたオイル受けから前記第1の排気手段にオイルを流しこむ工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル受けが真空気密可能であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記オイル受けが、真空排気弁を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記容器が、反応炉であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記容器を内圧が10mPa以上15Pa以下の範囲で使用する工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記容器内に収容される被処理基体に堆積膜を形成させる工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記容器内に収容される被処理基体に真空処理する工程を有することを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記被処理基体が、電子写真感光体用の基体であることを特徴としている。
また、本発明の排気方法は、前記ガス導入手段から供給される前記ガスは反応性ガスであることを特徴としている。
【0008】
また、本発明の堆積膜形成装置は、反応炉と、該反応炉に接続し、該反応炉内のガスを吸引する真空ポンプとを有し、該真空ポンプが少なくとも拡散ポンプと該拡散ポンプの排気ガスを排気する補助ポンプから成る堆積膜形成装置において、
該拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって前記排気ガスを冷却し、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルからなる油煙を液化あるいは凝固させ、該排気ラインに付着させることを特徴としている。
また、本発明の堆積膜形成方法は、反応炉と、該反応炉に接続し、該反応炉内のガスを吸引する真空ポンプとを有し、該真空ポンプを少なくとも拡散ポンプと該拡散ポンプの排気ガスを排気する補助ポンプとで構成して堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって前記排気ガスを冷却し、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルからなる油煙を液化あるいは凝固させて該排気ラインに付着させ、堆積膜を形成することを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を堆積膜形成装置を例に挙げて説明するが、本発明の真空処理装置は、堆積膜形成装置以外にも、スパッタリング装置、あるいは、エッチング装置等の真空処理装置等に用いることができる。
すでに述べたように、膜質向上や均一化、膜厚コントロールの容易化、堆積速度の向上が要求されている堆積膜形成装置においては、より大流量の原料ガスを処理空間内に流すことと、放電空間を所望の高真空状態に保つことが必要である。このために大排気量の真空ポンプを用いて供給された原料ガスを高速に処理空間内から排気されるようにする。この場合、高速な排気ガスの流れが拡散ポンプオイルの蒸気をも排気してしまい、拡散ポンプのオイル量が短期間に減少してしまうという問題が生じる場合がある。拡散ポンプオイルは非常に高価であり、このように短時間に消費される場合、装置の維持コストが高くなるといった問題がある。また、拡散ポンプからの油煙や気化した拡散ポンプオイルは補助ポンプ(通常はロータリーポンプ)のポンプオイルの中にとけ込むために、ロータリーポンプオイルを変質させ、またオイル量を増加させるため、ロータリーポンプからオイルがあふれたり、あるいはモーターに力学的な負荷がかかる等の様々な弊害をもたらすことになる。本発明は、このような問題を解決するために、拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって排気ガス中に油煙や蒸気などの形で含まれる拡散ポンプオイルを該排気ラインで液化あるいは凝固させ、拡散ポンプオイルが補助ポンプ内に流れ込むことを防止し、あるいは極く少なくして拡散ポンプオイルの消費量を減らす又は実質的に生じないようにしたものである。
また、本発明によれば、冷却パイプによって液化された拡散ポンプオイルを真空ポンプの稼働率を落とすことなく回収、再利用することができ、したがって、単に拡散ポンプオイルの消耗を防ぐだけでなく、装置の稼働率を非常に高い状態に維持することができる。加えて、本発明は拡散ポンプの背圧を形成するロータリーポンプのような別のポンプ内への拡散ポンプオイルの侵入を防ぎ、あるいは極く少なくすることができ、装置全体としてのメンテナンス性能、稼働率、及び維持、駆動費用の減少をはかることができる。
【0010】
次に、図面に基づき、本発明の実施の形態について、詳しく説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る真空処理装置を示す模式的構成図である。ここで101は真空処理空間を含む被排気空間を有する成膜炉(容器)、102は第1の排気手段である拡散ポンプ、103は第2の排気手段である補助ポンプ(通常はロータリーポンプ或いはロータリーポンプとメカニカルブースターポンプを組み合わせたもの)、104は拡散ポンプ102と補助ポンプ103を接続する排気ライン(パイプ)、105は冷却パイプ(冷却手段)、106は冷却パイプに冷媒を流し込む冷媒入口、107は冷媒を排出する冷媒出口である。
【0011】
また拡散ポンプ102は、拡散ポンプオイル回収手段110を有している。
この拡散ポンプオイル回収手段110は排気ライン104にもうけられた冷却パイプ105とは別の手段であり、例えば拡散ポンプ102内に付属している手段である。拡散ポンプオイル回収手段110は、拡散ポンプ102が作動することで蒸発する拡散ポンプオイルの大部分を液化させて、回収し、再び拡散ポンプ102に戻すことが出来る。
そして排気ライン104は、拡散ポンプオイル回収手段110を介して成膜炉101中の気体を排気するように拡散ポンプ102と接続されている。
また冷媒入口106と冷媒出口107は、いずれが拡散ポンプ103に近い側に段けられていてもよいが、冷媒入口106の方が拡散ポンプ103に近い側に段けられる形態は、冷却効果がより高くなるので好ましい。
本発明の第1の実施の形態に係る真空処理装置は、排気ライン104が水平に設置され、その内部に冷却手段である冷却パイプ105が螺旋状に排気ライン104内に内蔵され冷却パイプ105内を冷媒が流れる。排気ガスは拡散ポンプオイル回収手段110によって回収しきれない気化している拡散ポンプオイルを含んでおり、拡散ポンプオイルは排気ライン104を通過する際に、急激に冷やされ、液化する。本発明のように、拡散ポンプ102から補助ポンプ103まで排気ライン104を設け、かつ冷却パイプ105を排気ライン104の内部に設けることによって拡散ポンプ102から発生した油煙が排気ライン104内で長い時間、まんべんなく冷却パイプ105の広い表面と接することができ、効果的に油煙を液化できる。このように本実施の形態では排気ライン104に冷却パイプ105を設けることによって補助ポンプ103に拡散ポンプオイルからの油煙が吸引されることを防止することができる。図2、図3は本実施の形態の排気ライン104を、排気ライン104の長手方向に沿って示した断面模式図である。冷却パイプ105は図2に示すように排気ラインの壁内に設けられていてもよい。又、図3に示すように冷却パイプ105の少なくとも一部が、排気ライン104の通気路に露出する形態でもよく、この場合通気路を流れる排気ガスが広い面積の冷却パイプ105を直接接触することができる。
【0012】
また本実施の形態では補助ポンプ103の入り口近傍で排気ライン104に立ち上がり部分109を設けている。冷却パイプ105によって液化された拡散ポンプオイルはこの立ち上がり部分109が障壁となって補助ポンプ103内に流れ込むことが妨げられる。冷却パイプ105は、排気ライン104のうち、成膜炉101に近い側から立ち上がり部分109にまで設けられていてもよく、あるいは立ち上がり部分109の手前まで設けられていてもよい。冷却パイプ105により拡散ポンプオイルが取り除かれた排気ガスは補助ポンプ103によって真空処理装置の系外へ排気されるが、その際、補助ポンプ内のオイルを汚染することはない。冷却パイプによって液化された拡散ポンプオイルは排気ライン104内に溜まるため、適宜排出することによって回収できる。本発明の方法で回収した拡散ポンプオイルは他のオイルと混合していないので品質的に劣化はないため、再度拡散ポンプに戻すことで再利用が可能である。
【0013】
(第2の実施の形態)
第2の実施の形態に係る真空処理装置は、図4に示すように、排気ライン104が拡散ポンプ側で低く、補助ポンプ103側で高く設置されている形態である。その他の点については第1の実施の形態と同じである。このような形状に排気ライン104を設置することによって冷却パイプ105で液化された拡散ポンプオイルは自重によって自然に拡散ポンプ102内に戻ることになる。このため、排気ライン104を取り外して内部に溜まった拡散ポンプオイルを取り出すといった手間を省いて拡散ポンプオイルの再利用が容易に可能となる。
【0014】
(第3の実施の形態)
第3の実施の形態に係る真空処理装置は、図5に示すように、水平に取り付けられた排気ライン104と、補助ポンプ103近傍にオイル溜め312を設けることを特徴とする。その他の点については第1の実施の形態と同じである。オイル溜め312を設けることで液化された拡散ポンプオイルを排出する際に排気ライン104を取り外す手間を省くことができる。オイル溜め312にはリーク弁308、真空排気弁309、オイル排出弁310、開閉弁311が設けられており、通常は開閉弁311を開、リーク弁308、真空排気弁309、オイル排出弁310は閉としておき、排気ライン104内の拡散ポンプオイルがオイル溜め312に溜まるようにしておく。オイル溜め312に溜まった拡散ポンプオイルを取り出す際には、開閉弁311を閉じ、リーク弁308でオイル溜め312内を大気圧に戻す。その後オイル排出弁310を開し、拡散ポンプオイルを取り出す。取り出した後はオイル排出弁310、リーク弁308を閉じ、真空排気弁309を開いてオイル溜め312内を真空排気し、排気した後に真空排気弁309を閉じ、開閉弁311を開いてオイルを受けられるようにする。このような操作を行うことによって、拡散ポンプ102および補助ポンプ103内を大気圧に戻すことなく拡散ポンプオイルを取り出すことができるので稼働率を低下させずにすむので好ましい形態である。
【0015】
(第4の実施の形態)
第4の実施の形態に係る真空処理装置は、図6に示すように、拡散ポンプ102側が高く、補助ポンプ103側が低くなるように排気ライン104が設置されており、更にオイル溜め312が補助ポンプ103側に取り付けられているものである。またオイル溜め312と、補助ポンプ103とをつなぐ排気ライン104の形態は、補助ポンプ103側が高く配置され前記立ち上がり部の形態とされている。その他の点については第3の実施の形態と同じである。つまりオイル溜め312にリーク弁308、真空排気弁309、オイル排出弁310、開閉弁311が設けられている点は第3の実施の形態と同様である。本形態によれば、液化した拡散ポンプオイルの自重を利用してより効率的に液化した拡散ポンプオイルをオイル溜め312に回収することができる。また、本実施の形態の排気ライン104は拡散ポンプ102側で低く、補助ポンプ側で高い形態でもよく、この場合液化した拡散ポンプオイルを自重により拡散ポンプ102へ容易に回収出来、オイル溜め312に拡散ポンプオイルが一杯になるまでの時間を極めて長くすることが出来る。
【0016】
(第5の実施の形態)
第5の実施の形態に係る真空処理装置は、図7に示すように、冷却パイプ105が拡散ポンプ102と補助ポンプ103との間を水平に連結するように配置されている。オイル溜め312は2つの開閉弁511で排気ライン104と接続されており、2つの開閉弁511の間で切り離し可能となっている。その他は第3の実施形態と同じである。通常拡散ポンプ102と補助ポンプ103とを作動させる場合は開閉弁511を開状態、リーク弁308、真空排気弁309を閉状態とし、オイル溜め312に拡散ポンプオイルを受ける。拡散ポンプオイルを取り出す際には、開閉弁511の上側の弁を閉じ、下側の弁は開いた状態でリーク弁308によりオイル溜め312内を大気圧に戻す。その後開閉弁511の間で取り外し、拡散ポンプオイルを取り出すことができる。取り付け時には開閉弁511部分を接続し、下側の弁は開いた状態で真空排気弁309を開いてオイル溜め312内を真空排気する。十分に脱気できた後に真空排気弁309を閉じ、開閉弁511を開いて拡散ポンプオイルを受けられるようにする。この形態を用いれば、拡散ポンプオイルを別の容器に移す必要がなくなり、直接拡散ポンプ102内に戻すことができて便利である。また本実施の形態において、図示されるように排気ライン104と、排気ラインに近い側の開閉弁511とをつなぐ分岐管を排気ライン104の下部に設けることで、排気ライン104で液化した拡散ポンプオイルを容易に回収できるし、あるいはオイル溜め312交換時に前記分岐管に拡散ポンプオイルを一時溜めることが出来る。
【0017】
(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態は、第1乃至第5の実施の形態で説明した真空処理装置の排気ライン104にオイル注入装置を設けた例を示す。図8は、本実施の形態の拡散ポンプ102と、排気ライン104に配置されたオイル注入装置600部分の一例をあらわした模式的構成図である。オイル注入装置600は、拡散ポンプ102に入れる拡散ポンプオイル615を入れておく注入用オイル受け613、オイルを注入するための注入用開閉弁614から構成されている。拡散ポンプオイル615を拡散ポンプ102に入れるためには、まず注入用オイル受け613に拡散ポンプオイル615を入れて、その後注入用開開弁614を開くことによって拡散ポンプオイル615を拡散ポンプ102内に注ぐ。本発明によって拡散ポンプオイルを拡散ポンプ102に入れる際に拡散ポンプを大気圧に戻す必要がないため非常に短時間で作業を行うことができる。この場合、注入用オイル受け613内の拡散ポンプオイル615がない状態で注入用開閉弁614を開くと、拡散ポンプ102内にエアーを引き込み、故障の原因となるため、作業を行う際には、必ず少し拡散ポンプオイル615を注入用オイル受け613内に残した状態にしておく必要がある。
なお、オイル注入装置から拡散ポンプ102に入れる拡散ポンプオイルは、未使用のものでも、あるいは、第3、第4、第5の実施の形態で説明したオイル溜めで回収した拡散ポンプオイルであっても、あるいは両者を混合させたものでもよく、適宜好ましく用いることができる。また、本実施形態においてオイル注入装置は、拡散ポンプ102に近い側に設けることが注入された拡散ポンプオイル615が容易に拡散ポンプ102へ収容されるので好ましい。
【0018】
(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態は、第1乃至第5の実施の形態で説明した真空処理装置に密封されたオイル注入装置を設けた例である。図9は、本実施の形態の真空処理装置の拡散ポンプと、排気ラインに配置された密封されたオイル注入装置700の一例をあらわす模式的構成図である。図9において、713は拡散ポンプに戻す拡散ポンプオイルを入れておく注入用オイル受け、714はオイルを注入するための注入用開閉弁、716は注入用オイル受け713に拡散ポンプオイルを入れるためのオイル注入弁、717は注入用オイル受け713を真空に排気するための真空排気弁である。拡散ポンプオイルを拡散ポンプ102に戻すためには、まず、注入用開閉弁714、真空排気弁717を閉じた状態で、オイル注入弁716を開いて注入用オイル受け713を大気圧に戻すと共に拡散ポンプオイルを注入用オイル受け713に満たす。その後、オイル注入弁716を閉じ、真空排気弁717を開いて注入用オイル受け713を真空脱気する。その後、必要に応じて注入用開閉弁714を開いて拡散ポンプオイルを排気ライン104から拡散ポンプ102に注入する。この装置の場合、注入用オイル受け713内に拡散ポンプオイルがない状態で注入用開閉弁714を開いても拡散ポンプ102内にエアーを引き込む危険性がないのでより安全に拡散ポンプオイルを戻すことができる。
また本実施の形態に係わる真空処理装置にオイルゲージを設けて、拡散ポンプ102内の拡散ポンプオイルの量を管理することも拡散ポンプオイルの補充を安全かつ容易にできるという点で好ましい。なお、注入用オイル受け613、713にあらかじめのぞき窓とオイル量を把握する目盛りを振っておけば、どれぐらいの拡散ポンプオイルを注入したかが把握できて便利である。
【0019】
本発明の排気装置において、冷却パイプ105の材質はパイプ内部に冷媒を通すことができ、熱伝導のよいものが好ましい。具体的には、銅、アルミニューム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、およびこれらの材料の中の2種以上の複合材料、更にはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、セラミックスなどの絶縁材料などが好適に用いられる。
【0020】
冷却パイプ105の形状は、表面積が多く、排気ガスとの接触面積の大きい形状が好ましく用いられる。具体的には排気ライン104の内面にコイル状、網状、或いは複数の直線状等の形状で設けることができる。また、排気ラインを同軸状の2重管としその外管と内管の間を冷却パイプとして用い、その間に冷媒を流す形態も、省スペース化、あるいはメンテナンスが容易であるという点から好ましい。
また、排気ラインの外側に取りはずし可能な冷却パイプ105をコイル状や網状に巻き付けたり、直線上のパイプを複数本並べてもよい。冷却パイプを排気ラインの外側に設けることでも排気ライン内の温度を制御することができる。さらには、不図示の冷却風供給手段を設けて排気ライン104の外側に冷却風を吹き付けることで冷却を行ってもよい。冷却パイプ105を排気ライン104内部に設置する場合には排気ガスとの接触面積を増やすために、冷却パイプ105にフィンを設けることで本発明の効果をより高めることができる。また、排気ライン104の外側に冷却パイプ105を設ける場合には、排気ライン104の内面を凹凸にしたり、フィンを設けるなどして表面積を増やすことで本発明の効果をより高めることができる。
【0021】
排気ライン104の長さは拡散ポンプが排気する成膜炉等の被排気空間の規模、例えば堆積膜形成装置の設置スペース、形状、内径によって任意に決めることができるが、本発明の効果を高めるためには配管距離をやや長めに取ることが望ましい。しかし、極端に配管長さを長くすると排気能力が低下するので、効果コスト、専有面積などとの兼ね合いで決定することが望ましい。
冷却パイプ105に流す冷媒としては、気体、液体のいずれも使用可能であるが冷却効果と温度制御性から液体が好ましく、中でも水が好ましく用いられる。水は通常の市水を用いてもよい。また冷媒として用いられる水は恒温水を用いてもよい。尚、液体としては水以外にもオイルや液体窒素なども好適に用いることができる。また本実施の形態に於て、拡散ポンプ102には、拡散ポンプオイル回収手段110が必ずしも設けてなくてもよい。
【0022】
以下に、図面に基いて本発明の排気装置を用いて作成される電子写真感光体と電子写真感光体を作成するのに用いられる真空処理装置である堆積膜形成装置の一例について具体的に説明する。
図10、図11は本発明の装置で作製することができる電子写真感光体の層構成の一例を説明する模式的断面図である。図10には光導電層を機能分離していない単層型と呼んでいる感光体で、基体1010の上に電荷注入阻止層1020、少なくとも水素を含むa−Siからなる光導電層1030、非単結晶炭素からなる表面層1040が積層された感光体である。1050は表面層の最表面に存在する、フッ素が拡散した領域を表している。
図11には光導電層を電荷発生層と電荷輪送層の2つに機能分離しているため、機能分離型と呼んでいる感光体を示している。基体1010の上に必要に応じて電荷注入阻止層1020を設け、その上に電荷輸送層1060、電荷発生層1070の機能分離された、少なくとも水素を含むaーSiからなる光導電層1030が堆積され、その上に非単結晶炭素からなる表面層1040が積層されている。ここで電荷輪送層1060と電荷発生層1070位置関係はいかなるものでも使用できる。また、機能分離を組成変化により行う場合には、その組成変化を連続的に行ってもよい。
【0023】
図10及び図11に挙げた感光体において、それぞれの層は連続的な組成変化を伴ってもよく、明確な界面を持たなくてもよい。また、電荷注入阻止層1020は必要に応じて省略してもよい。また、光導電層1030と非単結晶炭素からなる表面層1040との間には、密着性向上等の目的で必要に応じて中間層を設けてもよい。中間層の材料としては光導電層1030と表面層1040との中間の組成を持ったSiC層が挙げられるが、或いはSiO、SiNなどを用いてもよい。また中間層は組成を連続的に変化させてもよい。
ここで言う非単結晶炭素とは、黒鉛(グラファイト)とダイヤモンドとの中間的な性質を持つアモルファス状の炭素を主に表しているが、微結晶や多結晶を部分的に含んでいてもよい。これはプラズマCVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作成可能であるが、プラズマCVD法を用いて作成した膜は透明度、硬度共に高く、電子写真感光体の表面層として用いるには好ましい。
非単結晶炭素膜を作成する際のプラズマCVD法に用いる放電周波数としては如何なる周波数も用いることができる。工業的にはRF周波数帯と呼ばれる1〜450MHz、特に13.56MHzの高周波が好適に用いることができる。また、特に50〜450MHzのVHFと呼ばれる周波数帯の高周波を用いた場合には、透明度、硬度共に更に高くできるので、表面層としての使用に際してはより好ましい。
【0024】
図12は、本実施形態で説明する成膜炉101の1例である。ここでは高周波電源を用いたプラズマCVD法による感光体の堆積膜形成装置としての真空処理装置の成膜炉内1部分を含む処理部を模式的に示す図である。真空処理部は大別すると、堆積装置2100、原料ガスの供給装置2200を有し、堆積装置2100は本発明の排気装置(不図示)に接続されている。堆積装置2100中の反応容器(反応炉)2110内にはアースに接続された円筒状被成膜基体2112、円筒状被成膜基体の加熱用ヒーター2113、ガス導入管2114が設置され、更に高周波マッチングボックス2115を介して高周波電源2120が接続されている。
【0025】
原料ガス供給装置2200は、SiH4、H2、CH4、NO、B2H6、CF4等の原料ガスボンベ、及びエッチングガスボンベ2221〜2226と、バルブ2231〜2236,2241〜2246,2251〜2256、及びマスフローコントローラー2211〜2216から構成され、各構成ガスのボンベは、バルブ2260を介して反応容器2110内のガス導入管2114に接続されている。
プラズマ生成のために使用される高周波電源の出力はたとえば10〜5000Wの範囲で使用する装置に適した電力を発生することができれば、如何なる出力のものであっても使用できる。更に、高周波電源の出力変動率は、如何なる値であってもよい。
使用されるマッチングボックス2115は高周波電源2120と負荷の整合を取ることができるものであれば如何なる構成のものでも好適に使用できる。また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが好適であるが手動で調整されるものであっても本発明の効果には全く影響はない。
【0026】
高周波電力が印加されるカソード電極2111の材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス及び、これらの材料の2種類以上の複合材料等が使用できる。
また、形状は円筒形状が好ましいが必要に応じて楕円形状、多角形状を用いてもよい。
カソード電極2111は必要に応じて冷却手段を設けてもよい。具体的な冷却手段としては水、空気、液体窒素、ベルチェ素子等による冷却が必要に応じて用いられる。
また被処理基体である円筒状被成膜基体2112は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであればよい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平板状や、その他の形状であってもよい。また、材質においては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス及び、これらの材料の2種類以上の複合材料、更にはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、石英、セラミックス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被覆したものなどが使用できる。
【0027】
表面形状としては、バイト切削、ディンプル加工等の比較的大きい周期での凹凸に関しては、高温・高湿環境における画像ボケに対する耐久性を劣化させないため、干渉防止等の目的で併用することが可能である。本発明の効果は、電子写真感光体の最表面の粗さを基準長さ5μmとした場合に、Rzが1000オングストローム未満であれば得ることができる。感光体堆積後のフッ素プラズマによるエッチングによって、表面の粗れは平坦化することができるため、成膜前の基体表面の粗さに関してはそれほど敏感ではない。
【0028】
以下、図12の装置を用いた感光体の形成方法の手順の一例について説明する。反応容器2110内に円筒状被成膜基体2112を設置し、拡散ポンプにより反応容器2110内を排気する。続いて円筒状被成膜基体加熱用ヒーター2113により円筒状被成膜基体2112の温度を20〜500℃の所定の温度に制御する。
感光体形成用の原料ガスを反応容器2110内に流入させるにはガスボンベのバルブ2231〜2236、反応容器のリークバルブ2117が閉じられていることを確認しまた、流入バルブ2241〜2246、流出バルブ2251〜2256、補助バルブ2260が開かれていることを確認し、メインバルブ2118を開いて反応容器2110及びガス供給配管2116を本発明の排気装置により排気する。
次に真空計2119の読みが5×10−6Torrになった時点で補助バルブ2260、流出バルブ2251〜2256を閉じる。その後ガスボンベ2221〜2226より各ガスをバルブ2231〜2236を開いて導入し圧力調整器2261〜2266により各ガス圧を2kg/cm2に調整する。次に流入バルブ2241〜2246を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラー2211〜2216内に導入する。
【0029】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状被成膜基体2112上に光導電層の形成を行う。なお補助ポンプは、拡散ポンプと共に作動しており、排気ラインに設けられた冷却パイプは反応容器2110からガスを排気する拡散ポンプからの気化した拡散ポンプオイルを効果的に液化させるため補助ポンプに到達しない。
円筒状被成膜基体2112が所定の温度になったところで、各流出バルブ2251〜2256のうちの必要なものと補助バルブ2260とを徐々に開き、各ガスボンベ2221〜2226から所定の原料ガスをガス導入管2114を介して反応容器2110内に導入する。次に各マスフローコントローラー2211〜2216によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器2110内が1Torr以下の所定の圧力になるように、真空計2119を見ながらメインバルブ2118の開口を調整する。
内圧が安定したところで、高周波電源2120を所望の電力に設定して高周波マッチングボックス2115を通じてカソード電極2111に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器2110内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状被成膜基体2112上に所定のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ2251〜2256を閉じて反応容器2110への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【0030】
また、表面層を形成する場合も基本的には上記の操作を繰り返せばよく成膜ガス及びエッチングガスを供給すればよい。
具体的には各流出バルブ2251〜2256のうちの必要なものと補助バルブ2260とを徐々に開き、各ガスボンベ2221〜2226から表面層に必要な原料ガスをガス導入管2114を介して反応容器2110内に導入する。次に、各マスフローコントローラー2211〜2216によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器2110内が1Torr以下の所定の圧力になるように、真空計2119を見ながらメインバルブ2118の開口を調整する。
内圧が安定したところで、高周波電源2120を所望の電力に設定して高周波電力を高周波マッチングボックス2115を通じてカソード電極2111に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器2110内に導入させた各原料ガスが分解され、表面層が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ2251〜2256を閉じて反応容器2110への各原料ガスの流入を止め、表面層の形成を終える。
成膜に用いたガスを反応容器内から十分に排気したあと、各流出バルブ2251〜2256のうちの必要なものと補助バルブ2260とを徐々に開き、各ガスボンベ2221〜2226からエッチング処理に必要な、少なくともフッ素原子を含むガスをガス導入管2114を介して反応容器2110内に導入する。次に、各マスフローコントローラー2211〜2216によって、フッ素原子を合むガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器2110内が1Torr以下の所定の圧力になるように、真空計2119を見ながらメインバルブ2118の開口を調整する。
【0031】
内圧が安定したところで、高周波電源2120を所望の電力に設定して高周波電力を高周波マッチングボックス2115を通じてカソード電極2111に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器2110内に導入させたフッ素原子を含むガスが分解され、表面層と反応することにより表面層のエッチング処理が行われる。
表面形状の制御及びフッ素原子の含有深さは、内圧、高周波電力、基板温度等を変化させることにより任意に設定できるので、所望の条件とすることができる。所望の膜厚のエッチング処理が行われた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ2251〜2256を閉じて反応容器2110への各原料ガスの流入を止める。膜形成を行っている間は円筒状被成膜基体2112を駆動装置(不図示)によって所定の速度で回転させてもよい。
【0032】
図13は前記、図12とは別形態のプラズマCVD法による電子写真感光体の形成装置(量産型)の一例の模式図である。図13はその反応容器部の模式的断面図を示している。図13において3000は反応容器であり図1でいうところの成膜炉のことであり、真空気密化構造を成している。また、3020は一端が反応容器3010内に開口し、他端が排気装置(図示せず)に連通している排気管である。3030は円筒状被成膜基体3040よって囲まれた放電空間を示す。高周波電源3050は、高周波マッチングボックス3060を介して電極3070に電気的に接続されている。円筒状被成膜基体3040はホルダー3080(a)、(b)にセットした状態で回転軸3090に設置される。必要に応じてモーター3100で回転できるようになっている。
原料ガス供給装置(不図示)は、図12に示す2200と同様のものを用いればよい。各構成ガスは混合され、バルブ3120介して反応容器3010内のガス導入管3110に接続されている。
【0033】
本形成装置の高周波電源の出力はたとえば10〜5000W程度の範囲で使用する装置に適した電力を発生することができれば、如何なる出力のものであっても使用できる。更に、高周波電源の出力変動率は、如何なる値であっても本発明の効果を得ることができあ。
使用されるマッチングボックス3060は高周波電源3050と負荷の整合を取ることができるものであれば如何なる構成のものでも好適に使用できる。また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが好適であるが手動で調整されるものであっても本発明の効果には全く影響はない。
高周波電力が印加される電極3070の材質としては銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス及び、これらの材料の2種類以上の複合材料等が使用できる。また、形状は円筒形状が好ましいが必要に応じて楕円形状、多角形状を用いてもよい。
【0034】
電極3070は必要に応じて冷却手段を設けてもよい。具体的な冷却手段としては水、空気、液体窒素、ペルチェ素子等による冷却が必要に応じて用いられる。
本発明に用いる円筒状被成膜基体3040は、使用目的に応じた材質や形状を有するものであればよい。例えば、形状に関しては、電子写真用感光体を製造する場合には、円筒状が望ましいが、必要に応じて平板状や、その他の形状であってもよい。また、材質においては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス及び、これらの材料の2種類以上の複合材料、更にはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、石英、セラミックス、紙などの絶縁材料に導電性材料を被覆したものなどが使用できる。
【0035】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
[実施例1]
図1に示した真空処理装置を有する堆積膜形成装置を用いて連続成膜実験を行った。原料ガスとしてはシラン(SiH4)ガスを800sccmとし、拡散ポンプと補助ポンプで排気することにより、成膜炉内の圧力を2Paとした。この状態で不図示の高周波電源により高周波パワーを投入し、成膜を行った。成膜は複数回に渡って行い、合計の成膜時間は100時間になった。成膜終了後、拡散ポンプのオイルゲージを観察すると、オイルレベルが減少していることが確認された。更に排気ラインを外して内部を確認したところ、拡散ポンプオイルが溜まっていた。この拡散ポンプオイルを回収し、拡散ポンプに戻したところ、オイルレベルは元のレベルに戻った。
更に、補助ポンプとして使っているロータリーポンプのオイル量をチェックしたところ、オイルレベルに変化はなく、拡散ポンプオイルが流れ込んでいないことが確認された。
【0036】
(比較例1)
図14に示した比較例用の堆積膜形成装置を用いて実施例1と同様に連続成膜実験を行った。原料ガスとしてはシラン(SiH4)ガスを400sccm、ヘリウム(He)ガスを2500sccmとし、拡散ポンプと補助ポンプで排気することにより、成膜炉内の圧力を2Paとした。この状態で不図示の高周波電源により高周波パワーを投入し、成膜を行った。成膜は複数回に渡って行い、合計の成膜時間は100時間になった。成膜終了後、拡散ポンプのオイルゲージを観察すると、オイルレベルが減少していることが確認された。更に排気ラインを外して内部を確認したところ、排気ライン内には拡散ポンプオイルは溜まっていなかったため、拡散ポンプに戻すことはできなかった。
更に、補助ポンプとして使っているロータリーポンプのオイル量をチェックしたところ、オイルレベルが増加しており、ポンプの稼働音が変化していた。排気速度をチェックしたところ、低下していることが確認された。また、オイルの色を確認したところ、僅かに色が薄く変化しており、拡散ポンプオイルが流れ込んでいたことが確認された。従って、このままの装置構成で使用を続けていくと、ロータリーポンプの劣化が早まることは確実であった。
【0037】
[実施例2]
図4に示した真空処理装置を有する堆積膜形成装置において連続成膜実験を行った。原料ガスとしてはシラン(SiH4)ガスを500sccm、水素(H2)ガスを1500sccmとし、拡散ポンプと補助ポンプで排気することにより、成膜炉内の圧力を2Paとした。この状態で不図示の高周波電源により高周波パワーを投入し、成膜を行った。成膜は複数回に渡って行い、成膜時間の合計が100時間を越えるごとに拡散ポンプのオイルゲージを観察したが、オイルレベルは全く減少していなかった。更に、補助ポンプとして使っているロータリーポンプのオイル量をチェックしたところ、オイルレベルに変化はなく、拡散ポンプオイルが流れ込んでいないことが確認された。合計で1000時間、成膜を行ったが、拡散ポンプ、ロータリーポンプのオイルレベルには何ら変化は見られなかった。
【0038】
[実施例3]
図5に示した真空処理装置を有する堆積膜形成装置に図9の注入装置を取り付けて連続成膜実験を行った。原料ガスとしてはシラン(SiH4)ガスを250sccm、水素(H2)ガスを1500sccm、ヘリウム(He)ガスを2000sccmとし、拡散ポンプと補助ポンプで排気することにより、成膜炉内の圧力を2.5Paとした。この状態で不図示の高周波電源により高周波パワーを投入し、成膜を行った。成膜は複数回に渡って行い、成膜時間の合計が100時間を越えるごとに拡散ポンプのオイルゲージを観察したが、オイルレベルは減少しており、オイル溜めに回収されていることが確認された。回収された拡散ポンプオイルを図9の注入装置を使って拡散ポンプに戻すとオイルレベルは元に戻り、すベてのオイルが回収されていることが確認された。この際、拡散ポンプは稼働状態であり、真空状態に保たれていたが何らの問題も危険性もなく拡散ポンプオイルを戻すことができた。
更に、本実施例の堆積膜形成装置ではオイル溜めに回収された拡散ポンプオイルの状態を確認することができるため、オイル管理が容易であり、また、拡散ポンプオイルの補充や交換がし易いというメリットがあるため、装置の維持性、メンテナンス性が向上した。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、排気手段として拡散ポンプを有する排気装置において、拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイル(例えば)油煙(状のもの)を液化あるいは凝固させ該排気ラインに付着させることによって、拡散ポンプオイルが補助ポンプ内に流れ込むことを防止することができ、大流量の原料ガスを排気しても、拡散ポンプオイルが補助ポンプ側に流れて急激に減少したり、補助ポンプ内に拡散ポンプオイルが溜まるということがなく、長期間に渡って排気装置の性能を維持し、装置維持コストを低減させることができる。
また、本発明によれば、製造過程におけるコンタミネーションの発生を最小限に抑えることが容易となり、また、製造時間が短く低コストであり、再現性に優れた堆積膜の形成などの真空処理を行うことができる。
したがって、本発明によると、膜質の良好な、均一性に富んだ堆積膜又は処理膜が得られ、膜厚コントロールの容易で、製造コストの安い排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法と堆積膜形成方法を実現することができる。
また、本発明の真空処理装置によれば、第1の排気手段と第2の排気手段との間を排気ラインで接続し、該パイプに冷却手段を設けているので、該冷却手段によって排気ラインを冷却し排気ガスの中に含まれる第1の排気手段用の油煙を排気ラインにて液化あるいは凝固させ排気ラインに付着させることが出来る。その結果油煙が第2の排気手段内に流れ込むことを防止することができるので大流量の原料ガスを排気しても、第1の排気手段のオイルが第2の排気手段側に流れて急激に減少したり、あるいは第2の排気手段内に第1の排気手段のオイルが溜まるということがなく、長期間に渡って排気装置の性能を維持し、装置維持コストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【図2】本発明のパイプと冷却手段とを示す図である。
【図3】本発明のパイプと冷却手段とを示す図である。
【図4】本発明の堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【図5】本発明の堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【図6】本発明の堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【図7】本発明の堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【図8】本発明の堆積膜形成装置の拡散ポンプとオイル注入装置を表した模式図である。
【図9】本発明の堆積膜形成装置の拡散ポンプとオイル注入装置を表した模式図である。
【図10】本発明で得られる電子写真感光体の断面一部の模式図である。
【図11】本発明で得られる電子写真感光体の断面一部の模式図である。
【図12】本発明の容器の1例を示す模式図である。
【図13】本発明の容器の1例を示す模式図である。
【図14】比較例用に用いた堆積膜形成装置を側面から示す模式図である。
【符号の説明】
101:成膜炉
102:拡散ポンプ
103:補助ポンプ
104:排気ライン
105:冷却パイプ
106:冷媒入り口
107:冷媒出口
109:立ち上がり部分
110:拡散ポンプオイル回収手段
308:リーク弁
309:真空排気弁
310:オイル排出弁
311、511:開閉弁
312:オイル溜め
613、713:注入用オイル受け
600、700:オイル注入装置
614、714:注入用開閉弁
615:拡散ポンプオイル
716:オイル注入弁
717:真空排気弁
1010:基体
1020:電荷注入阻止層
1030:光導電層
1040:表面層
1050:フッソ拡散領域
1060:電荷輸送層
1070:電荷発生層
2100:堆積装置
2110:反応容器
2111:カソード電極
2112:円筒状被成膜基体
2113:加熱用ヒーター
2114:ガス導入管
2115:高周波マッチングボックス
2116:ガス供給配管
2117:リークバルブ
2118:メインバルブ
2119:真空計
2120:高周波電源
2200:原料ガス供給装置
2211〜2216:マスフローコントローラ
2221〜2226:エッチングガスボンベ
2231〜2236:バルブ
2241〜2246:バルブ
2251〜2256:バルブ
2260:補助バルブ
2261〜2266:圧力調整器
3000:成膜炉
3010:反応容器
3020:排気管
3030:放電空間
3040:円筒状被成膜基体
3050:高周波電源
3060:高周波電源
3070:電極
3080:ホルダー
3090:回転軸
3100:モーター
3110:ガス導入管
3120:バルブ
Claims (49)
- 第1の排気手段と、
前記第1の排気手段の排気ガスを排気するための第2の排気手段と、
前記第1の排気手段と前記第2の排気手段を接続する排気ラインと、
前記排気ラインを流れる前記排気ガスを冷却するために前記排気ラインに沿って設けられた冷却手段を少なくとも有する排気装置であって、
前記第1の排気手段は拡散ポンプであり、前記冷却手段は前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルを液化あるいは凝固させる手段であることを特徴とする排気装置。 - 前記第1の排気手段は、前記冷却手段とは別の冷却手段を有することを特徴とする請求項1に記載の排気装置。
- 前記第1の排気手段は、容器内を排気するものであり、前記容器にガスを導入するためのガス導入手段を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の排気装置。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの内壁に設けられるパイプであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの内壁に露出して設けられるパイプであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの外周に設けられるパイプであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインに螺旋状に設けられることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記冷却手段は、冷媒を流すための手段であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記排気ラインは、前記第2の排気手段との接続部近傍で立ち上がり部分を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記排気ラインは、前記第1の排気手段側で低く、前記第2の排気手段側で高くなるように配置されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記排気ラインは、オイル溜めと接続可能であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記オイル溜めは、前記排気ラインとの間に開閉弁とオイル排出弁とを有することを特徴とする請求項11に記載の排気装置。
- 前記オイル溜めは、リーク弁を有することを特徴とする請求項11に記載の排気装置。
- 前記オイル溜めは、真空排気弁を有することを特徴とする請求項11に記載の排気装置。
- 前記オイル溜めと前記排気ラインとの間に開閉弁を設けると共に、前記オイル溜めを前記排気ラインから取り出し自在に構成し、前記第1の排気手段と前記第2の排気手段とを真空に保持しながらオイルを排出可能としたことを特徴とする請求項11に記載の排気装置。
- 前記排気ラインは、前記第1の排気手段にオイルを流しこむためのオイル受けを有することを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記オイル受けと前記排気ラインとの間に開閉弁を有することを特徴とする請求項16に記載の排気装置。
- 前記オイル受けは、真空気密可能であることを特徴とする請求項16または請求項17に記載の排気装置。
- 前記オイル受けは、真空排気弁を有することを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記容器は、反応炉であることを特徴とする請求項2〜19のいずれか1項に記載の排気装置。
- 前記容器は、内圧が10mPa以上15Pa以下の範囲で使用可能であることを特徴とする請求項20に記載の排気装置。
- 前記容器は、容器内に収容される被処理基体に堆積膜を形成させるための堆積膜形成装置の少なくとも1部を構成することを特徴とする請求項21に記載の排気装置。
- 前記容器は、容器内に収容される被処理基体を真空処理するための真空処理装置の少なくとも1部を構成することを特徴とする請求項21に記載の排気装置。
- 第1の排気手段である拡散ポンプと排気ラインを介して接続する第2の排気手段が前記第1の排気手段の排気ガスを排気する工程と、
前記排気ラインに設けられた冷却手段が前記第1の排気手段から前記排気ラインを流れる前記排気ガスを前記排気ラインにおいて液化する液化工程と、
前記液化工程を終えた前記排気ガスを前記第2の排気手段が排気する工程を有する排気方法であって、
前記液化工程は、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルの液化工程であることを特徴とする排気方法。 - 前記第1の排気手段は前記冷却手段とは別の冷却手段を有し、前記冷却手段が前記別の冷却手段を通り抜けた前記排気ガスを冷却することを特徴とする請求項24に記載の排気方法。
- 前記第2の排気手段は、前記第1の排気手段とつながる容器にガスを導入するためのガス導入手段から供給されるガスと共に前記排気ガスを排気することを特徴とする請求項24または請求項25に記載の排気方法。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの内壁に設けられるパイプであることを特徴とする請求項24〜26のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの内壁に露出して設けられるパイプであることを特徴とする請求項24〜26のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインの外周に設けられるパイプであることを特徴とする請求項24〜26のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記冷却手段は、前記排気ラインに螺旋状に設けられることを特徴とする請求項24〜29のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記冷却手段は、冷媒を流すための手段であることを特徴とする請求項24〜30のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記排気ラインのうち前記第2の排気手段との接続部近傍に設けられた立ち上がり部分で前記排気ガスが前記第2の排気手段に進入することを防ぐ工程を有することを特徴とする請求項24〜31のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記第1の排気手段側で低く、前記第2の排気手段側で高くなるように配置された前記排気ラインを流れる前記排気ガスが前記第2の排気手段に進入することを防ぐ工程を有することを特徴とする請求項24〜31のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記排気ラインは、オイル溜めと接続可能であることを特徴とする請求項24〜33のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記オイル溜めは、前記排気ラインとの間に開閉弁とオイル排出弁とを有することを特徴とする請求項34に記載の排気方法。
- 前記オイル溜めは、リーク弁を有することを特徴とする請求項34に記載の排気方法。
- 前記オイル溜めは、真空排気弁を有することを特徴とする請求項34に記載の排気方法。
- 前記オイル溜めと前記排気ラインとの間に設けられた開閉弁を閉じて、前記オイル溜めを前記排気ラインから取り外す工程と、前記第1の排気手段と前記第2の排気手段とを真空に保持しながらオイルを排出する工程を有することを特徴とする請求項34に記載の排気方法。
- 前記排気ラインに設けられたオイル受けから前記第1の排気手段にオイルを流しこむ工程を有することを特徴とする請求項24〜38のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記オイル受けは、真空気密可能であることを特徴とする請求項39に記載の排気方法。
- 前記オイル受けは、真空排気弁を有することを特徴とする請求項39または請求項40に記載の排気方法。
- 前記容器は、反応炉であることを特徴とする請求項26〜40のいずれか1項に記載の排気方法。
- 前記容器を内圧が10mPa以上15Pa以下の範囲で使用する工程を有することを特徴とする請求項42に記載の排気方法。
- 前記容器内に収容される被処理基体に堆積膜を形成させる工程を有することを特徴とする請求項43に記載の排気方法。
- 前記容器内に収容される被処理基体に真空処理する工程を有することを特徴とする請求項43に記載の排気方法。
- 前記被処理基体は、電子写真感光体用の基体であることを特徴とする請求項44または請求項45に記載の排気方法。
- 前記ガス導入手段から供給される前記ガスは反応性ガスであることを特徴とする請求項25〜46のいずれか1項に記載の排気方法。
- 反応炉と、該反応炉に接続し、該反応炉内のガスを吸引する真空ポンプとを有し、
該真空ポンプが少なくとも拡散ポンプと該拡散ポンプの排気ガスを排気する補助ポンプから成る堆積膜形成装置において、
該拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、
該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって前記排気ガスを冷却し、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルからなる油煙を液化あるいは凝固させ、該排気ラインに付着させることを特徴とする堆積膜形成装置。 - 反応炉と、該反応炉に接続し、該反応炉内のガスを吸引する真空ポンプとを有し、
該真空ポンプを少なくとも拡散ポンプと該拡散ポンプの排気ガスを排気する補助ポンプとで構成して堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該拡散ポンプと該補助ポンプとの間を排気ラインで接続し、
該排気ラインに冷却部を設け、該冷却部によって前記排気ガスを冷却し、前記排気ガス中に含まれる拡散ポンプオイルからなる油煙を液化あるいは凝固させて該排気ラインに付着させ、堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020086978A (ko) * | 2001-05-12 | 2002-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 |
Families Citing this family (249)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7192888B1 (en) | 2000-08-21 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Low selectivity deposition methods |
US7368014B2 (en) * | 2001-08-09 | 2008-05-06 | Micron Technology, Inc. | Variable temperature deposition methods |
KR20030047005A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 개선된 배기구조를 갖는 반도체제조설비용 진공설비 |
US7140374B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-11-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for self-cleaning dry etch |
US7824706B2 (en) * | 2003-05-09 | 2010-11-02 | Freedom Health, Llc | Dietary supplement and method for the treatment of digestive tract ulcers in equines |
US20060153824A1 (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-13 | Everett Laboratories, Inc. | Methods and kits for co-administration of nutritional supplements |
US7877895B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
KR100725105B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 애플리케이터 |
JP2010034283A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
DE102010061144A1 (de) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Gsi Helmholtzzentrum Für Schwerionenforschung Gmbh | Kühlfalle |
US20140144381A1 (en) * | 2011-05-19 | 2014-05-29 | Furukawa Co., Ltd. | Method for washing semiconductor manufacturing apparatus component, apparatus for washing semiconductor manufacturing apparatus component, and vapor phase growth apparatus |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN104404625B (zh) * | 2014-11-18 | 2017-03-29 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于减压扩散系统的尾气处理装置 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
CN108050851B (zh) * | 2017-11-30 | 2019-07-26 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种减压扩散炉尾气冷却装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
CN108525481B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-09-22 | 重庆腾德机车部件有限公司 | 一种用于冷镦机的废气处理装置 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
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TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
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US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
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USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
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US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
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TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
CN111306889B (zh) * | 2020-04-07 | 2021-10-12 | 泉州台商投资区集瑞科技有限公司 | 一种冷凝抽油烟机 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
US20210404059A1 (en) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method of controlling conductance in a processing system |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN112726754A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-30 | 南京航空航天大学 | 基于真空回收技术的建筑物废气废水及生活垃圾回收系统 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4228004A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-14 | Thermco Products Corporation | Method and apparatus for removal of by-products of chemical vapor deposition from oil for vacuum pump |
US4361418A (en) * | 1980-05-06 | 1982-11-30 | Risdon Corporation | High vacuum processing system having improved recycle draw-down capability under high humidity ambient atmospheric conditions |
JPS5750165A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-24 | Nec Corp | Conference telephone system |
US4875810A (en) * | 1985-10-21 | 1989-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for controlling fine particle flow |
EP0230314B1 (en) * | 1986-01-21 | 1992-05-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image storage panel |
US4733174A (en) * | 1986-03-10 | 1988-03-22 | Textronix, Inc. | Circuit testing method and apparatus |
EP0382984A1 (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Thermal decomposition trap |
JP3156326B2 (ja) * | 1992-01-07 | 2001-04-16 | 富士通株式会社 | 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法 |
US5676205A (en) * | 1993-10-29 | 1997-10-14 | Applied Materials, Inc. | Quasi-infinite heat source/sink |
US5958510A (en) * | 1996-01-08 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure |
JPH09202973A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置の排気システム構造 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP08005499A patent/JP3554219B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-29 US US09/277,815 patent/US6203618B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-30 US US09/771,715 patent/US6528130B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020086978A (ko) * | 2001-05-12 | 2002-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000031074A (ja) | 2000-01-28 |
US20010007174A1 (en) | 2001-07-12 |
US6203618B1 (en) | 2001-03-20 |
US6528130B2 (en) | 2003-03-04 |
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