JP2002060943A - 高純度シリコンの被覆方法及び装置 - Google Patents
高純度シリコンの被覆方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002060943A JP2002060943A JP2000250988A JP2000250988A JP2002060943A JP 2002060943 A JP2002060943 A JP 2002060943A JP 2000250988 A JP2000250988 A JP 2000250988A JP 2000250988 A JP2000250988 A JP 2000250988A JP 2002060943 A JP2002060943 A JP 2002060943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- plasma
- reaction chamber
- spherical
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽電池などに用いる高純度シリコン被覆球
を容易に、高い生産効率で製造する。 【解決手段】 反応チャンバー１２２内を減圧して四フ
ッ化珪素を含む水素雰囲気中でコイル１２１からの電力
投入によりプラズマ領域１２５を生成し、反応チャンバ
ー１２２の回転によってチャンバー１２２内に投入した
球状セラミック、球状金属等１２６を堰１２３により掬
い上げて該プラズマ領域１２５中を自由落下１２７させ
て、生成した高純度シリコンを該被覆対象物である球状
セラミック球状金属等１２６の表面に被覆・堆積させ
る。
を容易に、高い生産効率で製造する。 【解決手段】 反応チャンバー１２２内を減圧して四フ
ッ化珪素を含む水素雰囲気中でコイル１２１からの電力
投入によりプラズマ領域１２５を生成し、反応チャンバ
ー１２２の回転によってチャンバー１２２内に投入した
球状セラミック、球状金属等１２６を堰１２３により掬
い上げて該プラズマ領域１２５中を自由落下１２７させ
て、生成した高純度シリコンを該被覆対象物である球状
セラミック球状金属等１２６の表面に被覆・堆積させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被覆対象物に対し
て高純度シリコンを被覆する方法及び装置に関する。
て高純度シリコンを被覆する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】新たな太陽電池用シリコンとして、これ
までの板状とは異なる球状シリコンの利用が提案されて
いる。特願平１１−５１０７６６号（国際公開ＷＯ９９
／１０９３５号公報）においては、球状の芯材表面に半
導体薄膜層等を備えた小径の球状太陽電池セルＳＳ（球
状半導体デバイス）とその製造方法が開示されている。
また、同公報には、球状結晶製造装置等も開示されてい
る。
までの板状とは異なる球状シリコンの利用が提案されて
いる。特願平１１−５１０７６６号（国際公開ＷＯ９９
／１０９３５号公報）においては、球状の芯材表面に半
導体薄膜層等を備えた小径の球状太陽電池セルＳＳ（球
状半導体デバイス）とその製造方法が開示されている。
また、同公報には、球状結晶製造装置等も開示されてい
る。
【０００３】同法によれば、球状半導体デバイスは、半
導体材料、絶縁材料、金属材料のうちのいずれか１つの
材料からなる芯材素材を用いて球状の芯材を作る第１工
程と、前記芯材の表面上又はその外側近傍部にほぼ球面
状の半導体薄膜層を形成する第２工程と、前記半導体薄
膜層に少なくとも１つのｐｎ接合を形成する第３工程
と、前記ｐｎ接合の両極に接続された１対の電極を形成
する第４工程で作成できるとしている。
導体材料、絶縁材料、金属材料のうちのいずれか１つの
材料からなる芯材素材を用いて球状の芯材を作る第１工
程と、前記芯材の表面上又はその外側近傍部にほぼ球面
状の半導体薄膜層を形成する第２工程と、前記半導体薄
膜層に少なくとも１つのｐｎ接合を形成する第３工程
と、前記ｐｎ接合の両極に接続された１対の電極を形成
する第４工程で作成できるとしている。
【０００４】球状であるメリットとしては、従来の板状
とは異なり、いずれの方向からでも太陽光を受け取れる
ので、太陽光から電気への変換効率が従来の３倍に向上
し、また、原料シリコンから直接に球状シリコンが製造
できるため、そのまま太陽電池として使用できることか
ら、従来行程であるインゴット切断によるウエハ製造プ
ロセスが簡略できるなど、製造コストが低減できること
が考えられている。また、球体の芯材を安価な材料で置
き換えることができれば、高価な高純度半導体材料の削
減が可能となる。
とは異なり、いずれの方向からでも太陽光を受け取れる
ので、太陽光から電気への変換効率が従来の３倍に向上
し、また、原料シリコンから直接に球状シリコンが製造
できるため、そのまま太陽電池として使用できることか
ら、従来行程であるインゴット切断によるウエハ製造プ
ロセスが簡略できるなど、製造コストが低減できること
が考えられている。また、球体の芯材を安価な材料で置
き換えることができれば、高価な高純度半導体材料の削
減が可能となる。
【０００５】図３を用いて、上記ＷＯ９９／１０９３５
号公報に記載の球状結晶製造装置２００に金属級シリコ
ンの原料体２０１ａを供給して真球状の芯材２０１ｃを
製造する方法について説明する。最初の準備段階におい
て電磁開閉弁２０２〜２０５が開かれ、真空ポンプ２０
６が作動され、落下チューブ２０７内は所定の真空状態
にされる。受入器２０８には１個の原料体２０１ａが収
容されている。落下チューブ２０７上方の赤外線ヒータ
２０９には予め設定された電流が通電されている。次
に、電磁浮遊加熱装置２１０に通電され、受入器２０８
の電磁開閉シャッター２１１が開かれて原料体２０１ａ
が落下し、その原料体２０１ａは電磁浮遊加熱装置２１
０により所定の時間の間浮遊状態で加熱され、原料融液
２０１ｂになる。
号公報に記載の球状結晶製造装置２００に金属級シリコ
ンの原料体２０１ａを供給して真球状の芯材２０１ｃを
製造する方法について説明する。最初の準備段階におい
て電磁開閉弁２０２〜２０５が開かれ、真空ポンプ２０
６が作動され、落下チューブ２０７内は所定の真空状態
にされる。受入器２０８には１個の原料体２０１ａが収
容されている。落下チューブ２０７上方の赤外線ヒータ
２０９には予め設定された電流が通電されている。次
に、電磁浮遊加熱装置２１０に通電され、受入器２０８
の電磁開閉シャッター２１１が開かれて原料体２０１ａ
が落下し、その原料体２０１ａは電磁浮遊加熱装置２１
０により所定の時間の間浮遊状態で加熱され、原料融液
２０１ｂになる。
【０００６】次に、電磁浮遊加熱装置２１０への通電が
遮断されると、原料融液２０１ｂが落下チューブ２０７
の真空中を落下し始める。この落下開始後には、原料融
液２０１ｂは微少重力状態になるため、原料融液２０１
ｂの表面張力の作用で真球状になる。次に、赤外線ヒー
タ２０９の内部を落下中に原料融液２０１ｂの表面部の
みが加熱される。次に、赤外線ヒータ２０９の下方へ落
下しながら、原料融液２０１ｂは放射冷却により放熱
し、原料融液２０１ｂの表面張力の作用で真球状の芯材
２０１ｃに凝固する。その後、落下チューブ２０７内の
ほぼ中段部のレベルで凝固が完了した芯材２０１ｃは、
シリコンオイル槽２１２内のシリコンオイル内へ落下
し、そこに収容されて完全に冷却される。
遮断されると、原料融液２０１ｂが落下チューブ２０７
の真空中を落下し始める。この落下開始後には、原料融
液２０１ｂは微少重力状態になるため、原料融液２０１
ｂの表面張力の作用で真球状になる。次に、赤外線ヒー
タ２０９の内部を落下中に原料融液２０１ｂの表面部の
みが加熱される。次に、赤外線ヒータ２０９の下方へ落
下しながら、原料融液２０１ｂは放射冷却により放熱
し、原料融液２０１ｂの表面張力の作用で真球状の芯材
２０１ｃに凝固する。その後、落下チューブ２０７内の
ほぼ中段部のレベルで凝固が完了した芯材２０１ｃは、
シリコンオイル槽２１２内のシリコンオイル内へ落下
し、そこに収容されて完全に冷却される。
【０００７】同実施例では、金属級シリコンを原料体２
０１ａとして芯材２０１ｃを製造しているが、太陽電池
グレードまで純度を高めたシリコンを原料とすれば、太
陽電池用高純度球状シリコンが作成可能となることは明
らかである。
０１ａとして芯材２０１ｃを製造しているが、太陽電池
グレードまで純度を高めたシリコンを原料とすれば、太
陽電池用高純度球状シリコンが作成可能となることは明
らかである。
【０００８】また、上記公報では、金属性の芯材を備え
た球状太陽電池セルＳＳＡの製造方法と構造について説
明している。図４は、上記公報に記載の球状の金属製芯
材２の表面に薄膜のシリコン太陽電池セルを形成してな
る球状太陽電池セルＳＳＡの拡大断面を示すものであ
る。図４において、３００は球状太陽電池セルＳＳＡ、
３０１は芯材、３０２はアルミニウム皮膜、３０３はｐ
＋多結晶シリコン層、３０４は多結晶シリコン層、３０
５はｎ＋多結晶シリコン層、３０６はパッシベーション
膜、３０７は表面保護膜、３０８ａは正電極、３０８ｂ
は負電極、３０８ｃは接合保護膜である。上記公報で
は、この芯材３０１の表面上に１００ｎｍ程度の厚さの
アルミニウム被膜３０２を蒸着し、次に、このアルミニ
ウム被膜３０２の表面に、前駆膜として約２００ｎｍの
厚さのアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成さ
せる際には、プラズマＣＶＤ法によりシラン（Ｓｉ
Ｈ4）を分解しつつ堆積させ、ノンドープのアモルファ
スシリコン膜を形成することができるとしているが、そ
の具体的な方法については一切記載されていない。さら
には、従来のプラズマＣＶＤ法では、主として平面板へ
のコーティングは可能であるが、球状のような平面以外
の対象物に、且つ工業規模で連続に被覆対象物に高純度
シリコンを被覆することは不可能である。
た球状太陽電池セルＳＳＡの製造方法と構造について説
明している。図４は、上記公報に記載の球状の金属製芯
材２の表面に薄膜のシリコン太陽電池セルを形成してな
る球状太陽電池セルＳＳＡの拡大断面を示すものであ
る。図４において、３００は球状太陽電池セルＳＳＡ、
３０１は芯材、３０２はアルミニウム皮膜、３０３はｐ
＋多結晶シリコン層、３０４は多結晶シリコン層、３０
５はｎ＋多結晶シリコン層、３０６はパッシベーション
膜、３０７は表面保護膜、３０８ａは正電極、３０８ｂ
は負電極、３０８ｃは接合保護膜である。上記公報で
は、この芯材３０１の表面上に１００ｎｍ程度の厚さの
アルミニウム被膜３０２を蒸着し、次に、このアルミニ
ウム被膜３０２の表面に、前駆膜として約２００ｎｍの
厚さのアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成さ
せる際には、プラズマＣＶＤ法によりシラン（Ｓｉ
Ｈ4）を分解しつつ堆積させ、ノンドープのアモルファ
スシリコン膜を形成することができるとしているが、そ
の具体的な方法については一切記載されていない。さら
には、従来のプラズマＣＶＤ法では、主として平面板へ
のコーティングは可能であるが、球状のような平面以外
の対象物に、且つ工業規模で連続に被覆対象物に高純度
シリコンを被覆することは不可能である。
【０００９】微少重力下での球状シリコンの製造法にお
いても、微少重力環境を作り出し、且つ落下中に原料と
なるシリコンや金属の溶融ならびに冷却を行う必要があ
るために鉛直方向に長い直管を必要とすることから、大
量生産のためには設備規模が大きくなるなどの問題があ
る。
いても、微少重力環境を作り出し、且つ落下中に原料と
なるシリコンや金属の溶融ならびに冷却を行う必要があ
るために鉛直方向に長い直管を必要とすることから、大
量生産のためには設備規模が大きくなるなどの問題があ
る。
【００１０】また、一つの直管中で大量に芯材となる球
状シリコンや金属を生産するためには、大量の原料シリ
コン用金属を同一管内で又は、連続的に供給される溶融
原料シリコンや金属を瞬時に均一に溶融し、且つ、大量
の溶融シリコンや溶融金属同士の付着を抑制しながら冷
却を行う必要があることから、その制御が困難なものと
なる。
状シリコンや金属を生産するためには、大量の原料シリ
コン用金属を同一管内で又は、連続的に供給される溶融
原料シリコンや金属を瞬時に均一に溶融し、且つ、大量
の溶融シリコンや溶融金属同士の付着を抑制しながら冷
却を行う必要があることから、その制御が困難なものと
なる。
【００１１】さらに、上記公報において芯材表面への高
純度シリコンの蒸着は、プラズマＣＶＤ法によりシラン
（ＳｉＨ4）を分解しつつ堆積させることにより球表面
へ蒸着可能としているが、その具体的な方法は記載され
ておらず、また、既存のプラズマＣＶＤ技術ならびに装
置で実用化規模で大量の芯材表面にシラン（ＳｉＨ4）
の分解によりシリコンを堆積させ蒸着することは不可能
である。
純度シリコンの蒸着は、プラズマＣＶＤ法によりシラン
（ＳｉＨ4）を分解しつつ堆積させることにより球表面
へ蒸着可能としているが、その具体的な方法は記載され
ておらず、また、既存のプラズマＣＶＤ技術ならびに装
置で実用化規模で大量の芯材表面にシラン（ＳｉＨ4）
の分解によりシリコンを堆積させ蒸着することは不可能
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、高純度
球状シリコンの製造プロセスが大量生産を目的とした場
合には設備規模が大きくなり、かつ製造工程の制御が困
難になること、さらには実用化可能な芯材表面への高純
度シリコンの被覆方法が見あたらないことに鑑みて、こ
れらを解決する新たな製造方法及び製造装置を創出する
ことを目指すもので、微少重力を利用しない簡易な製造
プロセスとすることにより、太陽電池用高純度球状シリ
コン被覆等を容易に且つ低コストで製造する量産方法及
び装置を確立する。
球状シリコンの製造プロセスが大量生産を目的とした場
合には設備規模が大きくなり、かつ製造工程の制御が困
難になること、さらには実用化可能な芯材表面への高純
度シリコンの被覆方法が見あたらないことに鑑みて、こ
れらを解決する新たな製造方法及び製造装置を創出する
ことを目指すもので、微少重力を利用しない簡易な製造
プロセスとすることにより、太陽電池用高純度球状シリ
コン被覆等を容易に且つ低コストで製造する量産方法及
び装置を確立する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、四フ
ッ化珪素（ＳｉＦ4）および／又はシラン（ＳｉＨ4）を
含む水素（Ｈ2）雰囲気中でプラズマを発生させ、該プ
ラズマ中で四フッ化珪素および／又はシランを分解する
と共に、被覆対象物を該プラズマ中を繰返し経由させて
四フッ化珪素および／又はシランの分解によって生成し
たシリコンを前記被覆対象物の表面に堆積させることを
特徴としたものである。
ッ化珪素（ＳｉＦ4）および／又はシラン（ＳｉＨ4）を
含む水素（Ｈ2）雰囲気中でプラズマを発生させ、該プ
ラズマ中で四フッ化珪素および／又はシランを分解する
と共に、被覆対象物を該プラズマ中を繰返し経由させて
四フッ化珪素および／又はシランの分解によって生成し
たシリコンを前記被覆対象物の表面に堆積させることを
特徴としたものである。
【００１４】請求項２の発明は、略円筒形状の回転反応
チャンバーの器壁内面に回転軸方向に沿った堰を設け、
該回転反応チャンバー内を外気と遮断して反応雰囲気を
制御可能とすると共に四フッ化珪素および／又はシラン
と水素の供給装置及び反応生成ガス排出装置ならびに前
記回転反応チャンバー内のプラズマを発生する装置を設
け、該回転反応チャンバー内に被覆対象物を収納し、該
回転反応チャンバー内に形成されたプラズマ領域に、前
記回転反応チャンバーの回転に伴って前記堰により上方
に運ばれた前記被覆対象物を繰り返し自由落下せしめて
プラズマ中で分解されたシリコンを前記被覆対象物の表
面に堆積せしめるようにしてなることを特徴としたもの
である。
チャンバーの器壁内面に回転軸方向に沿った堰を設け、
該回転反応チャンバー内を外気と遮断して反応雰囲気を
制御可能とすると共に四フッ化珪素および／又はシラン
と水素の供給装置及び反応生成ガス排出装置ならびに前
記回転反応チャンバー内のプラズマを発生する装置を設
け、該回転反応チャンバー内に被覆対象物を収納し、該
回転反応チャンバー内に形成されたプラズマ領域に、前
記回転反応チャンバーの回転に伴って前記堰により上方
に運ばれた前記被覆対象物を繰り返し自由落下せしめて
プラズマ中で分解されたシリコンを前記被覆対象物の表
面に堆積せしめるようにしてなることを特徴としたもの
である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の高純度シリコンの被覆方
法は、四フッ化珪素および／又はシランを含む水素雰囲
気中でプラズマを発生させ、該プラズマ中で四フッ化珪
素および／又はシランを分解すると共に、芯材となる被
覆対象物を該プラズマ中を繰返し経由させて四フッ化珪
素および／又はシランの分解によって生成したシリコン
をその被覆対象物表面に堆積させて、被覆対象物表面へ
高純度シリコンを被覆することを特徴とする。例えば、
被覆対象物が球状セラミックであれば、球内部がセラミ
ック製の高純度球状シリコン被覆体が製造可能となる。
法は、四フッ化珪素および／又はシランを含む水素雰囲
気中でプラズマを発生させ、該プラズマ中で四フッ化珪
素および／又はシランを分解すると共に、芯材となる被
覆対象物を該プラズマ中を繰返し経由させて四フッ化珪
素および／又はシランの分解によって生成したシリコン
をその被覆対象物表面に堆積させて、被覆対象物表面へ
高純度シリコンを被覆することを特徴とする。例えば、
被覆対象物が球状セラミックであれば、球内部がセラミ
ック製の高純度球状シリコン被覆体が製造可能となる。
【００１６】本発明の高純度シリコンの被覆方法におい
ては、前記公報に示された高純度球状シリコンの製造の
ように微少重力環境を利用しないため、大規模な設備を
必要としない。また、例えば太陽電池に利用する場合、
球状シリコン被覆体の内部は、球状のセラミック・金属
・プラスチック等が使用可能なため、高価な高純度シリ
コンを無駄なく有効に利用できる利点がある。また、被
覆対象物を繰り返し該プラズマ中を経由させることによ
り、被覆対象物への膜厚を制御できるなどの利点も有す
る。
ては、前記公報に示された高純度球状シリコンの製造の
ように微少重力環境を利用しないため、大規模な設備を
必要としない。また、例えば太陽電池に利用する場合、
球状シリコン被覆体の内部は、球状のセラミック・金属
・プラスチック等が使用可能なため、高価な高純度シリ
コンを無駄なく有効に利用できる利点がある。また、被
覆対象物を繰り返し該プラズマ中を経由させることによ
り、被覆対象物への膜厚を制御できるなどの利点も有す
る。
【００１７】また、本発明の高純度シリコンの被覆方法
は、内面に回転軸方向に沿った堰を設け略円筒形状の回
転反応チャンバーを設置し、該チャンバーを外気と遮断
して反応雰囲気を制御可能とすると共に、四フッ化珪素
および／又はシランと水素の供給装置及び反応生成ガス
排出装置を設け、該チャンバー内の領域にプラズマを発
生する装置を設け、さらに該チャンバーにシリコン被覆
対象の芯材供給装置及びシリコン被覆体の排出装置を設
けて、プラズマ反応装置への電力供給により形成したチ
ャンバー内のプラズマ領域に、チャンバーの回転に伴っ
て堰により上方に運ばれた被覆対象を該プラズマ領域に
繰返し自由落下せしめてプラズマ中で分解されたシリコ
ンを該被覆対象表面に均一に堆積することにより可能で
ある。
は、内面に回転軸方向に沿った堰を設け略円筒形状の回
転反応チャンバーを設置し、該チャンバーを外気と遮断
して反応雰囲気を制御可能とすると共に、四フッ化珪素
および／又はシランと水素の供給装置及び反応生成ガス
排出装置を設け、該チャンバー内の領域にプラズマを発
生する装置を設け、さらに該チャンバーにシリコン被覆
対象の芯材供給装置及びシリコン被覆体の排出装置を設
けて、プラズマ反応装置への電力供給により形成したチ
ャンバー内のプラズマ領域に、チャンバーの回転に伴っ
て堰により上方に運ばれた被覆対象を該プラズマ領域に
繰返し自由落下せしめてプラズマ中で分解されたシリコ
ンを該被覆対象表面に均一に堆積することにより可能で
ある。
【００１８】上記装置においては、プラズマは減圧雰囲
気に保たれた反応チャンバーの中心部近傍で形成され、
被覆対象物はチャンバーの回転に伴って堰により器壁面
に沿って上方に移行され、チャンバー上方から自由落下
してチャンバー中心領域のプラズマ中を経由してチャン
バー底部に戻ることになる。したがって、被覆対象物表
面に堆積した高純度シリコンは、チャンバーが回転する
につれて繰返しプラズマ領域を経由して次第に厚く高純
度シリコン層を堆積し、所定の堆積量となった段階で、
適宜、反応チャンバーをティルトさせることにより反応
チャンバー他端から排出される。
気に保たれた反応チャンバーの中心部近傍で形成され、
被覆対象物はチャンバーの回転に伴って堰により器壁面
に沿って上方に移行され、チャンバー上方から自由落下
してチャンバー中心領域のプラズマ中を経由してチャン
バー底部に戻ることになる。したがって、被覆対象物表
面に堆積した高純度シリコンは、チャンバーが回転する
につれて繰返しプラズマ領域を経由して次第に厚く高純
度シリコン層を堆積し、所定の堆積量となった段階で、
適宜、反応チャンバーをティルトさせることにより反応
チャンバー他端から排出される。
【００１９】（実施例）図１は、本発明による高純度シ
リコンの被覆方法を説明するための図で、１００は高純
度シリコンの被覆装置である。原料珪砂１０１をホッパ
ー１０２から反応槽１０３に投入し、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）と反応させて四フッ化珪素（ＳｉＦ4ガス）とす
る。この際に真空ポンプ１０４により反応槽１０３を減
圧排気することによりガス化を促進する。ガスクーラー
１０５を用いて水分を除去し、回転圧縮機１０６でフッ
化水素を液化した後、四フッ化珪素は膨張タンク１０７
に送り込まれる。膨張タンク１０７で窒素ガス等の他の
不純物ガスを分離して、サージタンク１０８に貯蔵され
る。
リコンの被覆方法を説明するための図で、１００は高純
度シリコンの被覆装置である。原料珪砂１０１をホッパ
ー１０２から反応槽１０３に投入し、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）と反応させて四フッ化珪素（ＳｉＦ4ガス）とす
る。この際に真空ポンプ１０４により反応槽１０３を減
圧排気することによりガス化を促進する。ガスクーラー
１０５を用いて水分を除去し、回転圧縮機１０６でフッ
化水素を液化した後、四フッ化珪素は膨張タンク１０７
に送り込まれる。膨張タンク１０７で窒素ガス等の他の
不純物ガスを分離して、サージタンク１０８に貯蔵され
る。
【００２０】そしてエバポレーター１０９では温水など
で加熱して四フッ化珪素ガスにされ、圧力調製タンク１
１０に送られ、四フッ化珪素ガスボンベ１１１の四フッ
化珪素ガスと混合されて圧力を調整される。プラズマ反
応器１２０においては、四フッ化珪素ガスと水素ガスボ
ンベ１１２から供給される水素ガスに誘導過熱コイル１
２１により高周波電力を供給してプラズマを形成し、ホ
ッパー１１３から供給された球状セラミックがプラズマ
領域を経由することにより表面に高純度シリコンが被覆
される。生成された高純度シリコン被覆球はプラズマ反
応器１２０から容器１１４へ排出される。
で加熱して四フッ化珪素ガスにされ、圧力調製タンク１
１０に送られ、四フッ化珪素ガスボンベ１１１の四フッ
化珪素ガスと混合されて圧力を調整される。プラズマ反
応器１２０においては、四フッ化珪素ガスと水素ガスボ
ンベ１１２から供給される水素ガスに誘導過熱コイル１
２１により高周波電力を供給してプラズマを形成し、ホ
ッパー１１３から供給された球状セラミックがプラズマ
領域を経由することにより表面に高純度シリコンが被覆
される。生成された高純度シリコン被覆球はプラズマ反
応器１２０から容器１１４へ排出される。
【００２１】高純度シリコン被覆球のシリコンの被覆厚
が所望の厚さよりも薄い場合には、容器１１４からホッ
パー１１３を通じて再度、繰返しプラズマ反応器１２０
で被覆することで所望の厚さのシリコン被覆厚を有する
高純度シリコン被覆球を製造できる。反応後のガスは、
ターボ分子ポンプ１１５により排気されて、ルーツポン
プ１１６を通過してガスクーラー１１７によりフッ化水
素が液化回収され、次いで回転圧縮機１１８により圧縮
されて四フッ化珪素を液化し、次に膨張タンク１１９で
水素ガスを気化分離して、高純度な四フッ化珪素（液
体）を得る。膨張タンク１１９中に蓄えられた四フッ化
珪素は高圧ラインを経由してサージタンク１０８に送出
され、再利用される。
が所望の厚さよりも薄い場合には、容器１１４からホッ
パー１１３を通じて再度、繰返しプラズマ反応器１２０
で被覆することで所望の厚さのシリコン被覆厚を有する
高純度シリコン被覆球を製造できる。反応後のガスは、
ターボ分子ポンプ１１５により排気されて、ルーツポン
プ１１６を通過してガスクーラー１１７によりフッ化水
素が液化回収され、次いで回転圧縮機１１８により圧縮
されて四フッ化珪素を液化し、次に膨張タンク１１９で
水素ガスを気化分離して、高純度な四フッ化珪素（液
体）を得る。膨張タンク１１９中に蓄えられた四フッ化
珪素は高圧ラインを経由してサージタンク１０８に送出
され、再利用される。
【００２２】なお、本発明は球状の被覆にのみ適用され
るのではなく、棒状や板状にも適応可能であり、その用
途範囲は極めて高い。さらには、高純度球状シリコン
は、太陽電池のみの用いられるのではなく、触媒等にも
用いることが可能である。
るのではなく、棒状や板状にも適応可能であり、その用
途範囲は極めて高い。さらには、高純度球状シリコン
は、太陽電池のみの用いられるのではなく、触媒等にも
用いることが可能である。
【００２３】図２は、高純度シリコンの被覆装置の反応
チャンバーの断面構造を示した図で、１２０はプラズマ
反応器で、１２１はコイル、１２２は反応チャンバー、
１２３は堰、１２４は回転支持リングであり、支持ロー
ラにより反応チャンバー１２２が回転駆動される。反応
チャンバー１２２内には、コイル１２１からの高周波投
入により、減圧された四フッ化珪素と水素雰囲気の略中
央部がプラズマ化し、プラズマ領域１２５が生じる。プ
ラズマ領域１２５は、図のように反応器の壁面から離れ
て略中央部近傍に形成され、プラズマの発生する熱で２
００〜４００℃程度になる。このプラズマ領域１２５
で、四フッ化珪素は水素と反応して次の（１）式によっ
て、シリコンを解離する。 ＳｉＦ4＋２Ｈ2→Ｓｉ＋４ＨＦ （１）
チャンバーの断面構造を示した図で、１２０はプラズマ
反応器で、１２１はコイル、１２２は反応チャンバー、
１２３は堰、１２４は回転支持リングであり、支持ロー
ラにより反応チャンバー１２２が回転駆動される。反応
チャンバー１２２内には、コイル１２１からの高周波投
入により、減圧された四フッ化珪素と水素雰囲気の略中
央部がプラズマ化し、プラズマ領域１２５が生じる。プ
ラズマ領域１２５は、図のように反応器の壁面から離れ
て略中央部近傍に形成され、プラズマの発生する熱で２
００〜４００℃程度になる。このプラズマ領域１２５
で、四フッ化珪素は水素と反応して次の（１）式によっ
て、シリコンを解離する。 ＳｉＦ4＋２Ｈ2→Ｓｉ＋４ＨＦ （１）
【００２４】反応チャンバー１２２の一端から投入され
たセラミックボール１２６が、反応チャンバー１２２の
回転に伴って器壁内面に形成された堰１２３により掬い
上げられて反応チャンバー１２２上方に運ばれて、堰１
２３から零れ落ちてプラズマ領域１２５中を自由落下１
２７する間に生成した高純度シリコンが表面に堆積する
ものであり、セラミックボール１２６表面に高純度シリ
コンを所望の厚みに被覆することが可能である。
たセラミックボール１２６が、反応チャンバー１２２の
回転に伴って器壁内面に形成された堰１２３により掬い
上げられて反応チャンバー１２２上方に運ばれて、堰１
２３から零れ落ちてプラズマ領域１２５中を自由落下１
２７する間に生成した高純度シリコンが表面に堆積する
ものであり、セラミックボール１２６表面に高純度シリ
コンを所望の厚みに被覆することが可能である。
【００２５】今回新たに考案した反応プロセスは、高周
波電力の周波数：１３.５６ＭＨｚ、入力電力：４Ｋ
Ｗ、ガス圧力：０.１〜３０Ｔｏｒｒで、原料ガス流量
を、四フッ化珪素ガス：０.１〜１リットル／ｍｉｎ、
水素（Ｈ2）：０.１〜２リットル／ｍｉｎの条件で行う
ことができる。
波電力の周波数：１３.５６ＭＨｚ、入力電力：４Ｋ
Ｗ、ガス圧力：０.１〜３０Ｔｏｒｒで、原料ガス流量
を、四フッ化珪素ガス：０.１〜１リットル／ｍｉｎ、
水素（Ｈ2）：０.１〜２リットル／ｍｉｎの条件で行う
ことができる。
【００２６】シリコン被覆の基材となる物質は、球状セ
ラミックを用いた。なお、原料ガスとして、上記のほ
か、シランを添加してもよい。
ラミックを用いた。なお、原料ガスとして、上記のほ
か、シランを添加してもよい。
【００２７】また、以上の説明では、低温プラズマを用
いて四フッ化珪素を水素（Ｈ）ラジカルで分解して、高
純度シリコン被覆体を得ているが、太陽電池用シリコン
薄膜の堆積手法として、熱プラズマＣＶＤによりシラン
を分解して高速でシリコンの多結晶薄膜を得ることが知
られている。この熱プラズマを用いる薄膜形成におい
て、原料を四フッ化珪素におきかえることにより高速で
四フッ化珪素を分解して高速でシリコンの多結晶薄膜を
得ることもできる。
いて四フッ化珪素を水素（Ｈ）ラジカルで分解して、高
純度シリコン被覆体を得ているが、太陽電池用シリコン
薄膜の堆積手法として、熱プラズマＣＶＤによりシラン
を分解して高速でシリコンの多結晶薄膜を得ることが知
られている。この熱プラズマを用いる薄膜形成におい
て、原料を四フッ化珪素におきかえることにより高速で
四フッ化珪素を分解して高速でシリコンの多結晶薄膜を
得ることもできる。
【００２８】すなわち、前述の実施例では低温プラズマ
による高純度シリコン被覆球の製造について説明した
が、プラズマ源を熱プラズマに変えても同様にして高純
度球状シリコンを得ることができる。堆積条件は、均一
一様な多結晶薄膜を得るよりもはるかに容易であり、エ
ネルギーも少なくて済む。
による高純度シリコン被覆球の製造について説明した
が、プラズマ源を熱プラズマに変えても同様にして高純
度球状シリコンを得ることができる。堆積条件は、均一
一様な多結晶薄膜を得るよりもはるかに容易であり、エ
ネルギーも少なくて済む。
【００２９】その堆積条件は、多結晶膜を形成する場合
と基本的に変わらず、例えば次のような条件で実施する
ことができる。 ガス圧力：１００〜１０００Ｔｏｒｒ 電力：１０〜５０ＫＷ ガス組成及び流量：四フッ化珪素ガス ０.１〜１０リ
ットル／ｍｉｎ アルゴン（Ａｒ） ５０〜１００リットル／ｍｉｎ 水素（Ｈ2） ０.１〜１０リットル／ｍｉｎ
と基本的に変わらず、例えば次のような条件で実施する
ことができる。 ガス圧力：１００〜１０００Ｔｏｒｒ 電力：１０〜５０ＫＷ ガス組成及び流量：四フッ化珪素ガス ０.１〜１０リ
ットル／ｍｉｎ アルゴン（Ａｒ） ５０〜１００リットル／ｍｉｎ 水素（Ｈ2） ０.１〜１０リットル／ｍｉｎ
【００３０】また、以上の説明で明らかなように、これ
らの反応プロセスは原理的に四フッ化珪素とシランとで
共通に行うことができるものであるから、以上の実施例
で四フッ化珪素を出発原料として説明した高純度シリコ
ン被覆球の製造方法及び装置は、四フッ化珪素に替えて
シランを用いても同様に行うことが可能であって、以上
に説明した基本的な反応条件などは変わらない。なお、
被覆対象物はセラミック以外に、金属級シリコン，プラ
スチックなど広範囲にわたって高純度シリコンを被覆可
能であるが、耐久性等を考慮した場合、被覆対象物と被
覆材である高純度シリコンの熱膨張係数が近似している
ことが望ましいことはいうまでもない。
らの反応プロセスは原理的に四フッ化珪素とシランとで
共通に行うことができるものであるから、以上の実施例
で四フッ化珪素を出発原料として説明した高純度シリコ
ン被覆球の製造方法及び装置は、四フッ化珪素に替えて
シランを用いても同様に行うことが可能であって、以上
に説明した基本的な反応条件などは変わらない。なお、
被覆対象物はセラミック以外に、金属級シリコン，プラ
スチックなど広範囲にわたって高純度シリコンを被覆可
能であるが、耐久性等を考慮した場合、被覆対象物と被
覆材である高純度シリコンの熱膨張係数が近似している
ことが望ましいことはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、従来の高純度球状シリコンの
製造プロセスが大量生産を目的とした場合には設備規模
が大きくなり、かつ製造工程の制御が困難になること、
さらには実用化可能な芯材表面への高純度シリコンの被
覆方法が見あたらないという問題を解決する新たな製造
方法及び製造装置を提供するもので、微少重力を利用し
ない簡易な製造プロセスとすることにより、太陽電池用
高純度球状シリコン被覆等を容易に且つ低コストで製造
する量産方法及び装置を提供することができる。
製造プロセスが大量生産を目的とした場合には設備規模
が大きくなり、かつ製造工程の制御が困難になること、
さらには実用化可能な芯材表面への高純度シリコンの被
覆方法が見あたらないという問題を解決する新たな製造
方法及び製造装置を提供するもので、微少重力を利用し
ない簡易な製造プロセスとすることにより、太陽電池用
高純度球状シリコン被覆等を容易に且つ低コストで製造
する量産方法及び装置を提供することができる。
【図１】 本発明による高純度シリコン被覆方法の工程
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】 本発明による高純度シリコン被覆装置の反応
チャンバーの断面構造を説明するための図である。
チャンバーの断面構造を説明するための図である。
【図３】 従来の球状結晶製造装置の一例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図４】 従来の製造方法による球状太陽電池セルＳＳ
Ａの構造の一例を示す断面図である。
Ａの構造の一例を示す断面図である。
１００…高純度シリコンの被覆装置、１０１…原料珪
砂、１０２…ホッパー、１０３…反応槽、１０４…真空
ポンプ、１０５…ガスクーラー、１０６…回転圧縮機、
１０７…膨張タンク、１０８…サージタンク、１０９…
エバポレーター、１１０…圧力調整タンク、１１１…四
フッ化珪素ガスボンベ、１１２…水素ガスボンベ、１１
３…ホッパー、１１４…容器、１１５…ターボ分子ポン
プ、１１６…ルーツポンプ、１１７…ガスクーラー、１
１８…回転圧縮機、１１９…膨張タンク、１２０…プラ
ズマ反応器、１２１…コイル、１２２…反応チャンバ
ー、１２３…堰、１２４…回転支持リング、１２５…プ
ラズマ領域、１２６…セラミックボール、１２７…自由
落下、２００…球状結晶製造装置、２０１ａ…原料体、
２０１ｂ…原料融液、２０１ｃ…芯材、２０２〜２０５
…電磁開閉弁、２０６…真空ポンプ、２０７…落下チュ
ーブ、２０８…受入器、２０９…赤外線ヒータ、２１０
…電磁浮遊加熱装置、２１１…電磁開閉シャッター、２
１２…シリコンオイル槽、３００…球状太陽電池セルＳ
ＳＡ、３０１…芯材、３０２…アルミニウム皮膜、３０
３…ｐ＋多結晶シリコン層、３０４…多結晶シリコン
層、３０５…ｎ＋多結晶シリコン層、３０６…パッシベ
ーション膜、３０７…表面保護膜、３０８ａ…正電極、
３０８ｂ…負電極、３０８ｃ…接合保護膜。
砂、１０２…ホッパー、１０３…反応槽、１０４…真空
ポンプ、１０５…ガスクーラー、１０６…回転圧縮機、
１０７…膨張タンク、１０８…サージタンク、１０９…
エバポレーター、１１０…圧力調整タンク、１１１…四
フッ化珪素ガスボンベ、１１２…水素ガスボンベ、１１
３…ホッパー、１１４…容器、１１５…ターボ分子ポン
プ、１１６…ルーツポンプ、１１７…ガスクーラー、１
１８…回転圧縮機、１１９…膨張タンク、１２０…プラ
ズマ反応器、１２１…コイル、１２２…反応チャンバ
ー、１２３…堰、１２４…回転支持リング、１２５…プ
ラズマ領域、１２６…セラミックボール、１２７…自由
落下、２００…球状結晶製造装置、２０１ａ…原料体、
２０１ｂ…原料融液、２０１ｃ…芯材、２０２〜２０５
…電磁開閉弁、２０６…真空ポンプ、２０７…落下チュ
ーブ、２０８…受入器、２０９…赤外線ヒータ、２１０
…電磁浮遊加熱装置、２１１…電磁開閉シャッター、２
１２…シリコンオイル槽、３００…球状太陽電池セルＳ
ＳＡ、３０１…芯材、３０２…アルミニウム皮膜、３０
３…ｐ＋多結晶シリコン層、３０４…多結晶シリコン
層、３０５…ｎ＋多結晶シリコン層、３０６…パッシベ
ーション膜、３０７…表面保護膜、３０８ａ…正電極、
３０８ｂ…負電極、３０８ｃ…接合保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA04 AA06 AA17 BA29 CA05 CA18 FA01 GA08 KA02 KA05 5F045 AA08 AB02 AC01 AC02 DP25 DP27 EM10 5F051 AA03 BA14 CB12 CB29 DA01
Claims (2)
- 【請求項１】 四フッ化珪素（ＳｉＦ4）および／又は
シラン（ＳｉＨ4）を含む水素（Ｈ2）雰囲気中でプラズ
マを発生させ、該プラズマ中で四フッ化珪素および／又
はシランを分解すると共に、被覆対象物を該プラズマ中
を繰返し経由させて四フッ化珪素および／又はシランの
分解によって生成したシリコンを前記被覆対象物の表面
に堆積させることを特徴とする高純度シリコンの被覆方
法。 - 【請求項２】 略円筒形状の回転反応チャンバーの器壁
内面に回転軸方向に沿った堰を設け、該回転反応チャン
バー内を外気と遮断して反応雰囲気を制御可能とすると
共に四フッ化珪素および／又はシランと水素の供給装置
及び反応生成ガス排出装置ならびに前記回転反応チャン
バー内のプラズマを発生する装置を設け、該回転反応チ
ャンバー内に被覆対象物を収納し、該回転反応チャンバ
ー内に形成されたプラズマ領域に、前記回転反応チャン
バーの回転に伴って前記堰により上方に運ばれた前記被
覆対象物を繰り返し自由落下せしめてプラズマ中で分解
されたシリコンを前記被覆対象物の表面に堆積せしめる
ようにしてなることを特徴とする高純度シリコン被覆装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250988A JP2002060943A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250988A JP2002060943A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002060943A true JP2002060943A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18740471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000250988A Pending JP2002060943A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002060943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7682544B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-03-23 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Method of fabricating photovoltaic panel |
| DE112008001719T5 (de) | 2007-07-20 | 2010-06-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha, Toyota-shi | Pulverbehandlungsvorrichtung |
| CN105431926A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-03-23 | 应用材料公司 | 使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计 |
| EP3484810A4 (en) * | 2016-07-15 | 2020-03-25 | Oned Material LLC | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SILICON NANO WIRE ON CARBON-BASED POWDER FOR USE IN BATTERIES |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58136701A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 微粒子のコーティング方法 |
| JPS60116782A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Canon Inc | 堆積膜の製造装置 |
| JPS6487771A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Production of thin si3n4 film by cvd to raw material having large specific surface area |
| JPS6487774A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Cvd device for raw material having high specific surface area |
| JPH01252778A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体製造装置 |
| JPH0987857A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマｃｖｄによる炭化物コーティング方法 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000250988A patent/JP2002060943A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58136701A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 微粒子のコーティング方法 |
| JPS60116782A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Canon Inc | 堆積膜の製造装置 |
| JPS6487771A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Production of thin si3n4 film by cvd to raw material having large specific surface area |
| JPS6487774A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Cvd device for raw material having high specific surface area |
| JPH01252778A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-09 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体製造装置 |
| JPH0987857A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマｃｖｄによる炭化物コーティング方法 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7682544B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-03-23 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Method of fabricating photovoltaic panel |
| DE112008001719T5 (de) | 2007-07-20 | 2010-06-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha, Toyota-shi | Pulverbehandlungsvorrichtung |
| CN105431926A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-03-23 | 应用材料公司 | 使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计 |
| US11578398B2 (en) | 2014-05-16 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma spray coating design using phase and stress control |
| EP3484810A4 (en) * | 2016-07-15 | 2020-03-25 | Oned Material LLC | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SILICON NANO WIRE ON CARBON-BASED POWDER FOR USE IN BATTERIES |
| US10862114B2 (en) | 2016-07-15 | 2020-12-08 | Oned Material Llc | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
| EP3778471A1 (en) * | 2016-07-15 | 2021-02-17 | OneD Material, Inc. | Manufacturing method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
| US11728477B2 (en) | 2016-07-15 | 2023-08-15 | Oned Material, Inc. | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
| EP4273296A1 (en) * | 2016-07-15 | 2023-11-08 | OneD Material, Inc. | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
| EP4292702A3 (en) * | 2016-07-15 | 2024-04-17 | OneD Material, Inc. | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3554219B2 (ja) | 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法 | |
| CA1062130A (en) | Process for producing large-size self-supporting plates of silicon | |
| US6581415B2 (en) | Method of producing shaped bodies of semiconductor materials | |
| JP5058378B2 (ja) | 複合ルツボ | |
| CA2660082A1 (en) | Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells | |
| KR101988358B1 (ko) | 산화규소 석출체의 연속 제조 방법 및 연속 제조 장치 | |
| JPH11260721A (ja) | 多結晶薄膜シリコン層の形成方法および太陽光発電素子 | |
| JP5072936B2 (ja) | 複合ルツボ及びその製造方法 | |
| JP2004525841A (ja) | 高純度シリコンの製造方法及び装置 | |
| JP2002060943A (ja) | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 | |
| JP5128570B2 (ja) | 複合ルツボ及びその製造方法 | |
| JPH0690013A (ja) | 薄膜太陽電池及び太陽電池の製造方法並びに半導体インゴットの製造方法及び半導体基板の製造方法 | |
| US20040038409A1 (en) | Breath-alcohol measuring instrument | |
| JPH06268242A (ja) | シリコン基板の製造方法および結晶質シリコン太陽電池 | |
| CN110512194A (zh) | 星型微波等离子体化学气相沉积装置及制备大面积二维材料的方法 | |
| RU2521142C2 (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| CN105543795A (zh) | 一种多晶碳化硅薄膜的生长方法 | |
| TWI658002B (zh) | 製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備 | |
| JP3490297B2 (ja) | 多結晶半導体素子及びその製造方法 | |
| WO2009049477A1 (fr) | Procédé et appareil permettant la production de feuilles de silicium polycristallin | |
| Komori et al. | Control of Si-H bonds in μc-Si: H prepared by hydrogen plasma sputtering | |
| JPH08283946A (ja) | 堆積膜製造装置及び製造方法 | |
| JPH11261089A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2002185025A (ja) | 光起電力素子用基板およびその製造方法 | |
| JP2000279841A (ja) | シリコン粉末の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100817 |