JPS60116782A - 堆積膜の製造装置 - Google Patents
堆積膜の製造装置Info
- Publication number
- JPS60116782A JPS60116782A JP58223135A JP22313583A JPS60116782A JP S60116782 A JPS60116782 A JP S60116782A JP 58223135 A JP58223135 A JP 58223135A JP 22313583 A JP22313583 A JP 22313583A JP S60116782 A JPS60116782 A JP S60116782A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- electrode
- deposition chamber
- temp
- film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
有機樹脂膜を熱エネルギー，放電エイ・ルギー，又は尤
エネルギーを用いて製造する際の製造装置に関するもの
である。
エネルギーを用いて製造する際の製造装置に関するもの
である。
熱エネルギー，放電エネルギー，光エネルギーを用いる
ことにより、堆積室内に導入された原料気体を、活性化
，分解または反応させて該気体または生成気体から、単
一元素または化合物の膜を基体」二に堆積させる方法に
ついてはすでに知られている。
ことにより、堆積室内に導入された原料気体を、活性化
，分解または反応させて該気体または生成気体から、単
一元素または化合物の膜を基体」二に堆積させる方法に
ついてはすでに知られている。
しかし、熱エネルギー，放電エイ・ルギー，光エネルギ
ーにより基板と対向する放電電極の温度が上昇し、例え
ばステンレス鋼の電極の場合は、Ｎ２０ 。
ーにより基板と対向する放電電極の温度が上昇し、例え
ばステンレス鋼の電極の場合は、Ｎ２０ 。
０２、ＣＯ□＋ Ｈ２ ｒ Ｃｏ−Ｎ２等の気体が放出
され、堆積膜の膜質の低下をひきおこす。そのために、
従来は高温で長時間にわたるベークアウトがなされてい
た。
され、堆積膜の膜質の低下をひきおこす。そのために、
従来は高温で長時間にわたるベークアウトがなされてい
た。
本発明の目的は、高温で長時間にわたるベークアウトな
しに又は簡略に行なうだけで、電極からの放出ガスによ
る膜質低下を防止し得る堆積膜の製造装置を提供するこ
とにある。
しに又は簡略に行なうだけで、電極からの放出ガスによ
る膜質低下を防止し得る堆積膜の製造装置を提供するこ
とにある。
この目的は次の堆積膜の製造装置により達成される。
熱エネルギー，放電エネルギー，又は光エイ・ルギーを
用いて堆積室内に設置されたｈ（体に元素または化合物
の堆積膜を製造する装置において、ノ１（体とその対向
する電極の間に冷却手段を設けたことを特徴とする堆積
膜の製造装置。
用いて堆積室内に設置されたｈ（体に元素または化合物
の堆積膜を製造する装置において、ノ１（体とその対向
する電極の間に冷却手段を設けたことを特徴とする堆積
膜の製造装置。
本発勿、の冷却の装置は、基体と対向する電極又は基体
と対向する電極と堆積室内壁の冷却効果が得られれば所
期の目的が達成されるので、基体と対向する電極の基体
側又は基体と対向する電極と堆積室内壁の基体側外周部
に接して冷却室を設けたり、コイルを外周部に接して装
着したり、１〜数本のパイプを設けたり、メツシュを用
いるなど種々の形状をとり得る。
と対向する電極と堆積室内壁の冷却効果が得られれば所
期の目的が達成されるので、基体と対向する電極の基体
側又は基体と対向する電極と堆積室内壁の基体側外周部
に接して冷却室を設けたり、コイルを外周部に接して装
着したり、１〜数本のパイプを設けたり、メツシュを用
いるなど種々の形状をとり得る。
パイプを設ける場合は、３〜８本設けるのが最も適切で
ある。メツシュを用いる場合は、５ｍ角以上で開口率６
０％以上のものが適しており、メツシュ線内を冷却用流
体を流すことのできるものが特に望ましい。
ある。メツシュを用いる場合は、５ｍ角以上で開口率６
０％以上のものが適しており、メツシュ線内を冷却用流
体を流すことのできるものが特に望ましい。
冷却は、水、空気、液体窒素、フレオンなどの流体を冷
却装置に流すことにより行なう。冷却により、該基体と
対向する電極又は基体と対向する電極と堆積室内壁の温
度は１５０℃以下に保持されることが特に望ましい。こ
れは、冷却による効果は１５０℃を越える温度では十分
発現されないためである。
却装置に流すことにより行なう。冷却により、該基体と
対向する電極又は基体と対向する電極と堆積室内壁の温
度は１５０℃以下に保持されることが特に望ましい。こ
れは、冷却による効果は１５０℃を越える温度では十分
発現されないためである。
本発明の装置の実施態様を図面を用いて説明する。第１
図は、水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉｎ ）膜
製造用プラズマＣＶＤ装置である。
図は、水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉｎ ）膜
製造用プラズマＣＶＤ装置である。
図中１０１は減圧にし得る堆積室である。堆積室１０ｊ
内には堆積膜を形成するための円筒状基体１０２と該基
体１０２を加熱するための基体加熱ヒータ１０３が設け
てあり、堆積室１０１の下方にはメインバルブ１０４の
開放によって堆積室１０１内を不図示の排気装置によっ
て排気して所定の真空度にするように排気口１０５が設
けである。基体１０２とグロー放電を引起こすための電
極１０６を堆積室１０１の内壁として設けている。
内には堆積膜を形成するための円筒状基体１０２と該基
体１０２を加熱するための基体加熱ヒータ１０３が設け
てあり、堆積室１０１の下方にはメインバルブ１０４の
開放によって堆積室１０１内を不図示の排気装置によっ
て排気して所定の真空度にするように排気口１０５が設
けである。基体１０２とグロー放電を引起こすための電
極１０６を堆積室１０１の内壁として設けている。
基体１０２はアースに接続され膜質を均一化するため回
転する。電極１０６は図示されていないマツチング回路
を経て高周波電源に接続されている。
転する。電極１０６は図示されていないマツチング回路
を経て高周波電源に接続されている。
堆積室１０１内に冷却部１０７があり、温度モニター用
熱伝対１０８がうめこまれてあり、冷却部１０７の温度
を温度コントローラー１１１によって冷却用流体の流量
でコントロールしている。堆積室１０１の上部位には原
料ガスを導入するガス導入管１０９が連結されており、
原料ガスが桿人されるようになっている。基体１０２は
基体加熱ヒータ１０６によって、予め所定の適正温度ま
て加熱しておく。また、堆積室１０１内の冷却部１０７
は昇温を防止するため一定温度以下になるように冷却を
行なう。
熱伝対１０８がうめこまれてあり、冷却部１０７の温度
を温度コントローラー１１１によって冷却用流体の流量
でコントロールしている。堆積室１０１の上部位には原
料ガスを導入するガス導入管１０９が連結されており、
原料ガスが桿人されるようになっている。基体１０２は
基体加熱ヒータ１０６によって、予め所定の適正温度ま
て加熱しておく。また、堆積室１０１内の冷却部１０７
は昇温を防止するため一定温度以下になるように冷却を
行なう。
ルファスシリコン膜の製造にも適用できる。
また、５ｔ３Ｎ４ ＊ Ｓ、ｊＣｒ ＳｉＯ□、 ｓ、
ｔｏ−Ｗ＝の絶縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の
良好な膜を得ることができる。
ｔｏ−Ｗ＝の絶縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の
良好な膜を得ることができる。
実施例
第１図に示した堆積膜製造装置を用いて５ｉＨ４５〜４
０体積％、Ｈ，９５〜６０体積％の混合ガスを原料ガス
として ａ−８ｉｎ膜を製造した。基体を予メ２００〜
４００°ニ加熱しておき、原料ガスをガス圧０、１〜２
ｔｏｒｒ 、ガス流ｌｉｔ Ｏ，、１〜２ Ａ’／
ｈｒでガス導入管１０９から導入した。電極温度を液体
窒素で０ 、５０ 、１００ 、１５０ 、２００ Ｃ
（ｍ冷却しつツ、グロー放電をおこし基体１０２にａ＝
ｓｉＨ膜を形成した。
０体積％、Ｈ，９５〜６０体積％の混合ガスを原料ガス
として ａ−８ｉｎ膜を製造した。基体を予メ２００〜
４００°ニ加熱しておき、原料ガスをガス圧０、１〜２
ｔｏｒｒ 、ガス流ｌｉｔ Ｏ，、１〜２ Ａ’／
ｈｒでガス導入管１０９から導入した。電極温度を液体
窒素で０ 、５０ 、１００ 、１５０ 、２００ Ｃ
（ｍ冷却しつツ、グロー放電をおこし基体１０２にａ＝
ｓｉＨ膜を形成した。
電極温度と残留電位を測定し、結果を第２図に示した。
比較のために電極を冷却をしないときの残留電位も測定
し、結果を同様に第２図に示した。
し、結果を同様に第２図に示した。
電極温度が１５０℃をこえると残留電位が急激に上昇し
、電極温度は１５０℃以下が適切である。１５０℃以下
に冷却して製造したａ−８ｉＨ膜は暗抵抗。
、電極温度は１５０℃以下が適切である。１５０℃以下
に冷却して製造したａ−８ｉＨ膜は暗抵抗。
光導電特性に優れ、・均一な膜質であった。
第１図は本発明の堆積膜製造装置の縦断面図であり、第
２図は電極温度と残留電位を示したグラフである。 １０１・・・・堆積室 １０２・・・・円筒状基体 １０６・・・・基体加熱ヒーター １０４・・・・ メインパルプ １０５・・・・排気口 １０６・・・・電極 １０７・−・・電極冷却部 １０８・・・・温度モニター用熱伝対 １０９・・・・ ガス導入管 １１０・・・・ 高周波導入部 １１１・・・・ 温度コントローラー 特許出願人 キャノン株式会社 第１図
２図は電極温度と残留電位を示したグラフである。 １０１・・・・堆積室 １０２・・・・円筒状基体 １０６・・・・基体加熱ヒーター １０４・・・・ メインパルプ １０５・・・・排気口 １０６・・・・電極 １０７・−・・電極冷却部 １０８・・・・温度モニター用熱伝対 １０９・・・・ ガス導入管 １１０・・・・ 高周波導入部 １１１・・・・ 温度コントローラー 特許出願人 キャノン株式会社 第１図
Claims (1)
- 熱エイ・ルギー、放電エネルギー、又は光エイ・ルギー
を用いて堆積室内に設置された基体に元素または化合物
の堆積膜を製造する装置において、基体とその対向する
電極の間に冷却手段を設けたことを特徴とする堆積膜の
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223135A JPS60116782A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 堆積膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223135A JPS60116782A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 堆積膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116782A true JPS60116782A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16793339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223135A Pending JPS60116782A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 堆積膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060943A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tohoku Electric Power Co Inc | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58223135A patent/JPS60116782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060943A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tohoku Electric Power Co Inc | 高純度シリコンの被覆方法及び装置 |
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