KR20020086978A - 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 - Google Patents

배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것이다.
본 발명의 배기가스 냉각용 쿨링트랩은, 배기가스 유통홀이 중앙에 형성되고, 냉각재 수용통이 내부에 형성된 몸체부, 상기 몸체부의 수용통 일측과 연결된 냉각재 투입구, 상기 몸체부의 수용통 다른 일측과 연결된 냉각재 방출구 및 상기 냉각재 수용통과 상기 배기가스 유통홀 벽면을 관통하는 냉각재 수용통 연결관에 의해서 연결되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 설치된 내부링을 구비하여 이루어지고, 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 공정챔버와 진공펌프를 연결하며, 배기가스의 흐름을 기준으로 제 1 단속밸브, 상기 쿨링트랩 및 제 2 단속밸브가 순차적으로 설치된 주배기라인과 상기 제 1 단속밸브 전단에서 분기되어 제 2 단속밸브 후단에서 합쳐지며, 제 1 단속밸브, 상기 쿨링트랩 및 제 2 단속밸브가 순차적으로 설치된 보조배기라인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 배기가스와 냉각재의 간접 접촉면적을 증대시켜 배기가스에 포함된 미반응가스을 용이하게 제거할 수 있으며, 쿨링트랩을 포함하는 배기라인 유지/보수 작업을 설비의 가동 중지 없이 수행함으로써 설비 가동율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자 제조설비의 배기장치{Cooling trap for cooling exhaust gas and Exhaust apparatus of facility for manufacturing semiconductor device having its}
본 발명은 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 반도체 제조과정에 발생된 배기가스를 냉각시켜 이에 포함된 미반응가스를 포집하는 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것이다.
통상, 반도체소자로 제작되는 웨이퍼 상에는 산화막, 금속막 및 질화막 등의 다양한 재질의 박막(薄膜)을 형성하는 성막(成膜)공정이 필수적으로 진행된다. 그리고, 상기 각 성막공정은 박막 또는 반응가스의 종류에 따라 열(熱), 플라즈마(Plasma) 등의 방법으로 다양한 종류의 반응가스를 공정챔버 내부에서 분해하여 분해된 이온입자를 웨이퍼 상에 증착하는 공정이다. 특히, 화학기상증착공정(Chemical Vapor Deposition)은 안정화된 반응가스를 200mTor 내지 700mTorr 정도의 진공상태에서 열분해하여 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 공정이다.
그리고, 상기 박막공정이 진행된 후 발생하는 배기가스에 포함된 미반응가스는 배기라인 상에 설치된 쿨링트랩(Cooling trap)을 통과하며 냉각되어 결정체로 포집되고, 미반응가스가 제거된 배기가스는 진공펌프의 펌핑에 의해서 외부로 강제 펌핑된다. 여기서, 쿨링트랩은 유체의 경로상에 저온의 고체면을 두고 고체면과 유체 사이의 증기압이나 용해도의 차이에 의해 특정 불순물을 포획/제거하는 장치이다.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치의 개략적인 구성도이다.
종래의 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치는, 도1에 도시된 바와 같이 소정의 내부공간이 형성된 원통형상의 내부튜브(14)와 내부튜브(14)를 완전 커버링(Covering)하는 돔형의 외부튜브(16)를 구비하고, 외부튜브(16) 외측에는 히터(Heater) 등의 가열수단을 구비한 가열부(18)가 구비되어 있다. 그리고, 상기 내부튜브(14) 내부에는 피스톤 등의 작용에 의해서 상하로 이동하며 증착공정이 진행될 복수의 웨이퍼(22)를 내부튜브(14) 내부 및 외부로 이동시키는 보트(Boat : 20)가 설치되어 있다.
또한, 상기 내부튜브(14) 하측에는 내부튜브(14), 외부튜브(16) 및 웨이퍼(22)를 적재한 보트(20)를 지지하는 캡베이스(Cap Base : 10)가 설치되어 있다.
그리고, 캡베이스(10) 하부 소정부에는 내부튜브(14) 내부로 반응가스를 공급하기 위한 반응가스 공급라인(12)이 설치되어 있고, 상기 내부튜브(14) 하측 다른 소정부에는 진공펌프(26)와 연결된 배기라인(24)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 배기라인(24) 상에는 내부튜브(14) 내부에서 공정과정에 발생된 배기가스의 온도를 강하시켜 이에 포함된 불순물을 포집하는 쿨링트랩(30)이 설치되어 있다. 여기서, 쿨링트랩(30)은 O-링 등의 기밀재가 구비된 한쌍의 클램프(Clamp: 28a, 28b)에 의해서 배기라인(24)에 연결되어 있다.
종래의 배기가스 냉각용 쿨링트랩(30)은, 도2, 도3a 및 도3b에 도시된 바와 같이 배기가스가 이동하는 배기가스 유통홀(36)이 중앙에 형성되고, 내부에는 일정 저온의 냉각수를 저장하여 배기가스 유통홀(36)을 통해서 이동하는 배기가스의 온도를 하강시키는 냉각재 수용통(38)이 형성된 몸체부(31)를 구비한다.
그리고, 상기 몸체부(31) 일측에는 냉각재 수용통(38) 내부로 냉각수를 투입하기 위한 냉각재 투입구(32)가 형성되어 있고, 상기 몸체부(31) 다른 일측에는 몸체부(31)의 배기가스 유통홀(36) 내벽을 사이에 두고 배기가스와 간접 접촉하여 온도가 상승한 냉각재 수용통(38) 내부의 냉각수를 방출하기 위한 냉각재 방출구(34)가 형성되어 있다.
따라서, 진공펌프(26)의 가동에 의해서 내부튜브(14)의 내부압력은 공정 진행을 위한 일정 압력으로 형성되고, 가열부(18)의 가열에 의해서 내부튜브(14) 및 외부튜브(16)의 내부온도는 공정 진행을 위한 특정 온도로 형성된다.
다음으로, 반응가스 공급라인(12)을 통해서 내부튜브(14) 내부로 일정량의 반응가스가 공급되면, 상기 반응가스는 내부튜브(14) 내부에서 열분해되어 웨이퍼(22) 상에 증착됨으로써 웨이퍼(22) 상에는 박막이 형성된다.
그리고, 박막 증착공정 과정의 진공펌프(26)는 연속적으로 펌핑동작을 수행함으로써 공정과정에 발생된 튜브(14, 16) 내의 배기가스는 배기라인(24)을 통해서 외부로 강제 펌핑된다. 이때, 미반응가스를 포함한 배기가스는 쿨링트랩(30)의 배기가스 유통홀(36)을 통과하며 쿨링트랩(30)의 배기가스 유통홀(36) 벽면과 접촉하게 됨으로써 배기가스의 온도는 몸체부(31)의 배기가스 유통홀(36) 벽면을 통해서 냉각재 수용통(38)의 냉각수에 전달되어 냉각되고, 배기가스에 포함된 미반응가스는 쿨링트랩(30)의 배기가스 유통홀(36) 내벽에 결정체로 축적 제거된다. 그리고, 배기가스가 쿨링트랩(30)의 배기가스 유통홀(36)을 통과하는 동안 소정 저온의 냉각수는 냉각재 투입구(32)를 통해서 냉각재 수용통(38)에 저장된 후 다시 냉각재 방출구(34)를 통해서 외부로 방출됨으로써 냉각수 수용통(38)에 저장된 냉각수의 온도는 소정 저온으로 유지된다.
그러나, 종래의 배기가스 냉각용 쿨링트랩은, 배기가스와 쿨링트랩의 배기가스 유통홀 벽면의 접촉면적이 작아 배기가스의 냉각효과가 떨어져 효과적으로 배기가스에 포함된 미반응가스를 결정체로 축적 제거할 수 없는 문제점이 있었다.
그리고, 종래의 저압화학기상증착설비는, 하나의 배기라인이 구비됨으로써 쿨링트랩 등의 배기라인의 유지보수 작업을 진행할 경우에 저압화학기상증착설비의 구동을 정지시켜야 하므로 설비 가동율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 쿨링트랩을 통과하는 배기가스와 냉각수 등의 냉각재와의 간접 접촉면적을 높여 배기가스에 포함된 미반응가스를 효과적으로 결정체로 축적 제거할 수 있는 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자 제조설비를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 쿨링트랩 등의 배기라인의 유지보수 작업시에도 반도체소자 제조설비를 가동시킬 수 있도록 함으로써 설비 가동율을 높여 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체소자 제조설비를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치의 개략적인 구성도이다.
도2는 종래의 배기가스 냉각용 쿨링트랩의 사시도이다.
도3a는 도2의 AA'선 단면도이고, 도3b는 도2의 BB'선 단면도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치의 구성도이다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기가스 냉각용 쿨링트랩의 사시도이다.
도6a는 도5의 CC'선 단면도이고, 도6b는 도5의 DD'선 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 캡베이스 12 : 반응가스 공급라인
14 : 내부튜브 16 : 외부튜브
18 : 가열부 20 : 보트
22 : 웨이퍼 24 : 배기라인
26 : 진공펌프 28a, 28b, 66a, 66b : 클램프
30, 60 : 쿨링트랩 31, 61 : 몸체부
32, 62 : 냉각재 투입구 34, 64 : 냉각재 방출구
36, 70 : 배기가스 유통홀 38, 68 : 냉각재 수용통
40 : 주배기라인 42, 44, 48, 50 : 단속밸브
46 : 보조배기라인 72 : 냉각재 수용통 연결관
74 : 제 1 내부링 76 : 제 2 내부링
78 : 제 3 내부링 80 : 내부링 연결관
82 : 내부판84 : 내부판 연결관
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기가스 냉각용 쿨링트랩은, 배기가스 유통홀이 중앙에 형성되고, 냉각재 수용통이 내부에 형성된 몸체부, 상기 몸체부의 수용통 일측과 연결된 냉각재 투입구, 상기 몸체부의 수용통 다른 일측과 연결된 냉각재 방출구 및 상기 냉각재 수용통과 상기 배기가스 유통홀 벽면을 관통하는 냉각재 수용통 연결관에 의해서 연결되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 설치된 내부링을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 배기가스 유통홀 내부에 직경이 상이한 복수의 상기 내부링이 내부링 연결관에 의해서 연결되어 동심원 형상을 이루는 내부판이 설치될 수 있고, 상기 내부판은 서로 소정간격 이격되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 복수개 설치될 수 있다.
또한, 상기 복수의 내부판은 내부판 연결관에 의해서 서로 연결될 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버와 진공펌프를 직접 연결하며, 2개의 단속밸브가 순차적으로 설치된 주배기라인, 상기 공정챔버와 상기 공정챔버측 단속밸브 사이의 상기 주배기라인에서 분기되어 상기 진공펌프와 상기 진공펌프측 단속밸브 사이의 상기 주배기라인에 합쳐지는 보조배기라인, 배기가스 유통홀이 중앙에 형성되고, 냉각재 수용통이 내부에 형성된 몸체부와 상기 몸체부의 냉각재 수용통 일측과 연결된 냉각재 투입구와 상기 몸체부의 냉각재 수용통 다른 일측과 연결된 냉각재 방출구 및 상기 냉각재 수용통과 상기 배기가스 유통홀 벽면을 관통하는 냉각재 수용통 연결관에 의해서 연결되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 설치된 내부링을 구비하여 이루어지고, 상기 2개의 단속밸브 사이의 상기 주배기라인 및 보조배기라인 상에 각각 설치된 쿨링트랩을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치의 구성도이며, 도1과 동일한 부품은 동일한 부호로 표시한다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 저압화학기상증착설비의 배기장치는, 도4에 도시된 바와 같이 가열부(18)에 의해서 내부온도가 조절되고, 반응가스 공급라인(12)을 통해서 반응가스가 공급되는 공정챔버로서의 원통형상의 내부튜브(14) 및 돔형의 외부튜브(16)를 구비한다.
여기서, 내부튜브(14) 내부에는 피스톤 등의 작용에 의해서 상하로 이동하며증착공정이 진행될 복수의 웨이퍼(22)가 적재된 보트(20)를 내부튜브(14) 내부 및 외부로 이동시키도록 되어 있고, 보트(20) 하부에는 캡베이스(10)가 설치되어 있다.
그리고, 내부튜브(14) 및 외부튜브(16) 내부와 연결된 캡베이스(10) 일측과 드라이펌프(Dry pump) 등의 진공펌프(26)가 주배기라인(40)에 의해서 연결되어 있다. 여기서, 상기 주배기라인(40)에는 본 발명에 따른 배기가스 냉각용 쿨링트랩(60)이 O-링 등의 기밀재가 구비된 클램프(66a, 66b)에 의해서 연결 설치되어 있다. 그리고, 상기 쿨링트랩(60)과 내부튜브(14) 및 외부튜브(16)으로 이루어지는 공정챔버 사이의 주배기라인(40) 상에는 개폐동작을 수행하는 단속밸브(42)가 설치되어 있고, 상기 쿨링트랩(60)과 진공펌프(26) 사이의 주배기라인(40) 상에는 개폐동작을 수행하는 다른 단속밸브(44)가 설치되어 있다.
또한, 내뷰트브(14) 및 외부튜브(16)로 이루어지는 공정챔버와 주배기라인(40) 상에 설치된 단속밸브(42) 사이에서 분기되어 주배기라인(40) 상에 설치된 다른 단속밸브(44)와 진공펌프(26) 사이의 주배기라인(40)에 합쳐지는 보조배기라인(46)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 보조배기라인(46) 상에는 본 발명에 따른 배기가스 냉각용 쿨링트랩(60)이 O-링 등의 기밀재가 구비된 클램프(66a, 66b)에 의해서 연결 설치되어 있고, 상기 쿨링트랩(60) 양측의 보조배기라인(46) 상에도 개폐동작을 수행하는 2개의 단속밸브(48,50)가 설치되어 있다.
여기서, 도5 및 도6a를 참조하여 주배기라인(40) 및 보조배기라인(46) 상에 설치된 본 발명에 따른 배기가스 냉각용 쿨링트랩(60)의 구성에 대해서 구체적으로살펴보면, 공정챔버로서의 내부튜브(14) 및 외부튜브(16)에서 발생된 배기가스가 이동하는 배기가스 유통홀(70)이 중앙에 형성되고, 일정 저온의 냉각수 또는 질소(N2)가스와 아르곤(Ar)가스 등의 냉각가스 등의 냉각재를 저장할 수 있는 냉각재 수용통(68)이 내부에 형성된 몸체부(61)를 구비한다.
그리고, 상기 몸체부(61) 일측에는 냉각재 수용통(68) 내부로 냉각재를 투입하기 위한 냉각재 투입구(62)가 형성되어 있고, 상기 몸체부(61) 다른 일측에는 냉각재 수용통(68) 내부의 냉각재를 방출하기 위한 냉각재 방출구(64)가 형성되어 있다.
또한, 몸체부(61)의 배기가스 유통홀(70) 내부에는 냉각재가 유통하는 홀(넘버링되지 않음)이 내부에 형성된 제 1 내부링(74)이 설치되고, 상기 냉각재 수용통(68)과 제 1 내부링(74)이 배기가스 유통홀(70) 벽면을 관통하는 복수의 냉각재 수용통 연결관(72)에 의해서 연결되어 있다. 그리고, 상기 제 1 내부링(74) 내부에 제 1 내부링(74)보다 직경이 작고, 내부에 냉각재가 유통하는 홀(넘버링되지 않음)이 형성된 제 2 내부링(76)이 설치되어 있고, 상기 제 2 내부링(76) 내부에 제 2 내부링(76)보다 직경이 작고, 내부에 냉각재가 유통하는 홀(넘버링되지 않음)이 형성된 제 3 내부링(78)이 설치되어 동심원 형상의 내부판(82)을 형성하고 있다. 여기서, 각 내부링(74, 76, 78)은 내부에 냉각재가 유통하는 홀(넘버링되지 않음)이 형성된 복수의 내부링 연결관(80)에 의해서 연결되어 있다.
그리고, 도6b에 도시된 바와 같이 몸체부(81)의 배기가스 유통홀(70) 내부에설치되는 받침판(82)은 서로 소정간격 이격되어 복수개 설치됨으로써 받침판(82)의 각 내부링(74, 76, 78) 사이를 통과하는 냉각재와 배기가스의 접촉면적을 극대화할 수 있도록 되어 있고, 상기 복수개의 받침판(82)은 내부에 냉각재가 유통할 수 있는 홀(넘버링되지 않음)이 형성된 내부판 연결관(84)에 의해서 연결되어 있다.
따라서, 진공펌프(26) 및 가열부(18)의 동작에 의해서 내부튜브(14) 및 외부튜브(16)의 내부압력 및 온도가 일정 공정압력 및 온도로 설정되면, 반응가스는 반응가스 공급라인(12)을 통해서 내부튜브(14) 내부로 공급된 후 열분해되어 보트(20)에 적재된 웨이퍼(22) 상에 증착됨으로써 웨이퍼(22) 상에는 박막이 형성된다.
그리고, 박막 증착공정 과정의 진공펌프(26)는 연속적으로 펌핑동작을 수행함으로써 공정과정에 발생된 배기가스는 주배기라인(40) 상에 설치된 단속밸브(42, 44) 및 쿨링트랩(60)을 통과하여 외부로 강제 배기된다.
또한, 공정과정에 주배기라인(40) 및 주배기라인(40) 상에 설치된 쿨링트랩(60) 등의 유지보수 작업을 수행할 시에는 주배기라인(40) 상에 설치된 단속밸브(42, 44)를 폐쇄시키고, 보조배기라인(46) 상에 설치된 단속밸브(48, 50)를 개방함으로써 공정과정에 발생된 배기가스가 보조배기라인(46) 상에 설치된 단속밸브(48, 50) 및 쿨링트랩(60)을 통해서 외부로 강제 배기된다.
따라서, 본 발명에 의한 반도체 제조설비의 배기장치는, 설비를 가동시키며 주배기라인(40) 및 주배기라인(40) 상에 설치된 쿨링트랩(60) 등에 대한 유지보수 작업을 수행할 수 있는 것이다.
그리고, 주배기라인(40) 및 보조배기라인(46) 상에 설치된 본 발명에 따른 쿨링트랩(60)의 동작을 구체적으로 살펴 보면, 냉각재 투입구(62)로 몸체부(61)의 냉각재 수용통(68)에 투입된 냉각재는 몸체부(61)의 냉각재 수용통(68)에 일차적으로 저장된다. 그리고, 냉각재 수용통 연결관(72)을 통해서 순차적으로 적층된 복수의 내부판(82)의 제 1 내부링(74)으로 공급되어 저장되고, 다시 내부링 연결관(80)을 통해서 제 2 내부링(76)으로 공급되어 저장되고, 또 다시 내부링 연결관(80)을 통해서 제 3 내부링(78)으로 공급되어 저장된다. 또한, 각 내부링(74, 76, 78)으로 공급된 냉각재는 그 하부의 다른 내부판(82)의 내부링(74, 76, 78)으로 내부판 연결관(84)을 통해서 이동하여 저장된다.
따라서, 몸체부(61)의 배기가스 유통홀(70)을 통과하는 배기가스는 복수의 내부판(82)의 내부링(74, 76, 78) 사이 사이의 공간으로 이동하며 각 내부링(74, 76, 78)의 외면과 간접 접촉하여 냉각됨으로써 배기가스에 포함된 미반응가스는 복수의 내부링(74, 76, 78) 외면 및 배기가스 유통홀(70) 내벽에 결정체로 적층 제거된다. 이때, 배기가스 유통홀(70) 내부에는 배기가스와 간접 접촉면적이 증가할 수 있도록 복수의 내부링(74, 76, 78)을 구비한 받침판(82)이 서로 소정간격 이격되어 복수개 설치되어 있음으로 인해서 배기가스의 온도는 보다 효과적으로 하강하게 된다.
그리고, 배기가스와의 간접 접촉에 의해서 그 온도가 상승한 각 내부링(74, 76, 78) 내부의 냉각재는, 내부링 연결관(80)을 통해서 인접하는 외측 내부링으로 이동하거나 냉각재 수용통 연결관(72)을 통해서 바로 냉각재 수용통(68)으로 이동함으로써 냉각재 수용통(68)에 저장된 후, 냉각재 방출구(64)를 통해서 외부로 방출된다.
본 발명에 의하면, 배기가스 유통홀 내부에 직경이 상이한 복수의 내부링이 동심원 형상으로 배치 설치된 내부판을 복수개 설치함으로써 배기가스와 냉각재의 간접 접촉면적을 증가시켜 배기가스에 포함된 미반응가스를 효과적으로 축적 제거할 수 있으며, 주배기라인에 보조배기라인을 설치함으로써 주배기라인과 주배기라인 상에 설치된 쿨링트랩 등의 유지 보수 작업시에도 보조배기라인으로 배기가스를 펌핑함으로써 반도체 제조설비의 가동율을 높여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (5)

  1. 배기가스 유통홀이 중앙에 형성되고, 냉각재 수용통이 내부에 형성된 몸체부;
    상기 몸체부의 냉각재 수용통 일측과 연결된 냉각재 투입구;
    상기 몸체부의 냉각재 수용통 다른 일측과 연결된 냉각재 방출구; 및
    상기 냉각재 수용통과 상기 배기가스 유통홀 벽면을 관통하는 냉각재 수용통 연결관에 의해서 연결되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 설치된 내부링;
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배기가스 냉각용 쿨링트랩.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기가스 유통홀 내부에 직경이 상이한 복수의 상기 내부링이 내부링 연결관에 의해서 연결되어 동심원 형상을 이루는 내부판이 설치된 것을 특징으로 하는 배기가스 냉각용 쿨링트랩.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부판은 서로 소정간격 이격되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 복수개 설치된 것을 특징으로 하는 배기가스 냉각용 쿨링트랩.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 내부판은 내부판 연결관에 의해서 서로 연결된 것을 특징으로 하는 배기가스 냉각용 쿨링트랩.
  5. 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버와 진공펌프를 직접 연결하며, 2개의 단속밸브가 순차적으로 설치된 주배기라인;
    상기 공정챔버와 상기 공정챔버측 단속밸브 사이의 상기 주배기라인에서 분기되어 상기 진공펌프와 상기 진공펌프측 단속밸브 사이의 상기 주배기라인에 합쳐지는 보조배기라인;
    배기가스 유통홀이 중앙에 형성되고, 냉각재 수용통이 내부에 형성된 몸체부와 상기 몸체부의 냉각재 수용통 일측과 연결된 냉각재 투입구와 상기 몸체부의 냉각재 수용통 다른 일측과 연결된 냉각재 방출구 및 상기 냉각재 수용통과 상기 배기가스 유통홀 벽면을 관통하는 냉각재 수용통 연결관에 의해서 연결되어 상기 배기가스 유통홀 내부에 설치된 내부링을 구비하여 이루어지고, 상기 2개의 단속밸브 사이의 상기 주배기라인 및 보조배기라인 상에 각각 설치된 쿨링트랩;
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012045B1 (ko) * 2007-07-23 2011-01-31 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체
CN108701583A (zh) * 2016-04-13 2018-10-23 应用材料公司 用于排气冷却的设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100211649B1 (ko) * 1996-02-29 1999-08-02 윤종용 반도체 lpcvd장비의 콜드트랩
KR20000056317A (ko) * 1999-02-19 2000-09-15 윤종용 동축으로 배열된 복수의 원판형 배플을 구비한 콜드 트랩
JP2000262841A (ja) * 1999-03-18 2000-09-26 Kokusai Electric Co Ltd トラップ装置及び半導体製造装置
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100211649B1 (ko) * 1996-02-29 1999-08-02 윤종용 반도체 lpcvd장비의 콜드트랩
JP3554219B2 (ja) * 1998-03-31 2004-08-18 キヤノン株式会社 排気装置と排気方法、および堆積膜形成装置と堆積膜形成方法
KR20000056317A (ko) * 1999-02-19 2000-09-15 윤종용 동축으로 배열된 복수의 원판형 배플을 구비한 콜드 트랩
JP2000262841A (ja) * 1999-03-18 2000-09-26 Kokusai Electric Co Ltd トラップ装置及び半導体製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012045B1 (ko) * 2007-07-23 2011-01-31 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체
CN108701583A (zh) * 2016-04-13 2018-10-23 应用材料公司 用于排气冷却的设备
CN108701583B (zh) * 2016-04-13 2023-12-01 应用材料公司 用于排气冷却的设备

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