KR101012045B1 - 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체 - Google Patents

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Abstract

본 감압 장치는 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치에 있어서, 배기 기구는 일단이 진공 챔버에 연통(連通)하고, 타단이 진공 펌프에 연통하는 주 배기로와, 이 주 배기로에 설치한 제 1의 개폐변과, 일단이 주 배기로를 통하여 혹은 직접 진공 챔버에 연통하고, 타단이 주 배기로를 통하여 혹은 직접 진공 펌프에 연통하는 슬로 배기로와, 이 슬로 배기로에 이 슬로 배기로 벽과 간격을 설치하여 배분되는, 원통 모양의 무기 재료질 다공체와, 슬로 배기로에 설치한 제 2의 개폐변을 갖춘다.
감압 장치, 무기 재료질 다공체, 개폐변, 배기로

Description

감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체 {Pressure-reducing apparatus and porous body of inorganic material used in this apparatus}
본 발명은 감압(減壓) 장치 및 이것에 이용하는 무기(無機) 재료질 다공체와 관련되어, 특히 원통 모양의 무기 재료질 다공체를 장착한 배기 기구를 갖춘 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 혹은 액정 재료의 제조 공정에 있어서는, 예를 들면 드라이 에칭 장치, 스팩터 장치, CVD 장치 혹은 열처리 화로로서 이용하는 진공 챔버에 있어서, 감압하(減壓下)나 대기와 다른 조성의 가스 분위기 등의 각종 조건하에서 배기시의 압력의 완충을 목적으로 하고, 주 배기로와 병렬로 슬로 배기로를 설치하고 있다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 종래의 감압 장치(31)에서는, 진공 챔버(32) 내를 감압하는 배기 기구(33)를 설치하고, 이 배기 기구(33)는 일단이 진공 챔버(32)에 설치되며, 판 모양 알루미나(alumina)제 필터(34)를 부착한 배기구(35)에 연통(連通)하고, 타단이 진공 펌프(36)에 연통하는 주 배기로(37)와, 이 주 배기로(37)에 설치한 제1의 개폐변(메인 밸브)(38)과, 일단이 주 배기로(37)를 통하여 혹은 직접 챔버에 연통하고, 타단이 주 배기로(37)를 통하여 진공 펌프(36)에 연통하는 슬로 배기로(39)와, 이 슬로 배기로(39)에 제1의 개폐변과 병렬로 제2의 개폐변(슬로 배기 밸브)(40)을 설치하고 있다.
이러한 종래의 감압 장치에서는, 배기 초기는 슬로 배기로에서 완만하게 배기하고, 그 후, 주 배기로에서 단숨에 배기한다.
그러나, 판 모양의 알루미나제 필터를 통한 배기는, 다공체의 기공 지름이 작기 때문에 단순하게 판 모양의 알루미나제 필터를 배기구에 설치하면 배기 속도가 큰 폭으로 늦어진다.
또, 도 9에 나타내는 바와 같이, 다른 종래의 감압 장치(41)는, 배기 속도를 올리기 위해서, 배기구(35)와는 별개에 판 모양 알루미나제 필터(34)를 설치한 슬로 배기구(42)를 설치하고 있지만, 고액인 장치 개조비가 든다.
또한, 종래의 판 모양의 알루미나제 필터로 바꾸어 금속 메시(mesh) 필터를 이용하는 방법은, 메시 사이즈가 크기 때문에 배기 시간에의 영향이 적고, 장치 개조를 하지 않고 그대로 장치 내 배기구에의 설치가 가능하지만, 파티클(particle)의 날아오름을 억제하는 효과도 작다.
또한, 진공 챔버와 진공 펌프를 연통하는 주 배기로와, 이 주 배기로에 병렬로 슬로 배기로를 설치한 웨이퍼 취급 시스템(예를 들면, 특허 문헌 1 참조), 또한, 슬로 배기로에 가변 컨덕턴스(conductance) 밸브를 설치한 가로형 처리 화로가 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).
[특허 문헌 1] 특개 소 61―228648호 공보
[특허 문헌 2] 특개 평 7―235497호 공보
본 발명은 상술한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 염가로 배기 속도가 빠르게 파티클의 날아오름을 방지할 수 있는 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관계되는 감압 장치는, 진공 챔버와, 이 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치에 있어서, 상기 배기 기구는 일단이 상기 진공 챔버에 연통하고, 타단이 진공 펌프에 연통하는 주 배기로와, 이 주 배기로에 설치한 제1의 개폐변과, 일단이 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 챔버에 연통하고, 타단이 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 펌프에 연통하는 슬로 배기로와, 이 슬로 배기로에 이 슬로 배기로 벽과 간격을 설치하여 배분되는 원통 모양의 무기 재료질 다공체와, 상기 슬로 배기로에 설치한 제2의 개폐변을 갖추는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 관계되는 무기 재료질 다공체는 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치의 상기 배기 기구에 배치되며, 원통 모양의 무기 재료질 다공체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관계되는 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체에 의 하면, 염가로 배기 속도가 빠르게 파티클의 날아오름을 방지할 수 있는 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체를 제공할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치에 대하여 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1실시 형태에 관계되는 감압 장치의 개념도이며, 도 2는 그 무기 재료질 다공체 부착부의 확대도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 감압 장치(1)는, 진공에 감압되어 처리실로 이루어지는 진공 챔버(2)를 갖추고, 이 진공 챔버(2)는 이 진공 챔버(2)를 진공에 감압하는 배기 기구(3)를 갖춘다.
이 배기 기구(3)는 일단이 진공 챔버(2)의 저부에 설치한 배기구(2a)를 통하여 진공 챔버(2)에 연통하고, 타단이 진공 펌프(4)에 연통하는 주 배기로(5)와, 이 주 배기로(5)에 설치한 제 1의 밸브(메인 밸브)(6)와, 일단이 주 배기로(5)를 통하여 진공 챔버(2)에 연통하고, 타단이 주 배기로(5)를 통하여 진공 펌프(4)에 연통하는 슬로 배기로(7)와, 이 슬로 배기로(7) 내에 배분되는 무기 재료질 다공체(8)와, 이 무기 재료질 다공체(8)의 하류의 슬로 배기로(7)에 설치한 제 2의 밸브(슬로 배기 밸브)(9)를 갖춘다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 무기 재료질 다공체(8)는 축 방향 일단에 저부(8b), 축 방향 외단에 개구부를 가지는 유저 원통 모양의 실리카 다공체로 이루어지며, 개구부 측에는 무기 재료질 다공질 다공체와 동 재질의 가스 불투과성 링 모양의 플랜지(flange)부(8a)가 일체적으로 설치된다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 무기 재료질 다공체(8)는 거의 반구 모양의 저부(8b)가 상류측 즉 진공 챔버(2) 측에 위치하도록, 무기 재료질 다공체(8)와 슬로 배기로 벽(7a)과의 사이에 간격(g)을 설치하여 슬로 배기로(7) 내에 부착된다.
예를 들면, 슬로 배기로(7)의 직경은, 100mm이며, 무기 재료질 다공체(8)의 외경을 60∼80mm로 설정하면, 간격(g)은 10∼20mm가 된다. 또, 무기 재료질 다공체(8)의 평균 기공 지름(JIS R1643 1998에 의거함)은 10∼100㎛, 기공률은 20∼70%인 것이 바람직하다.
상기와 같이, 무기 재료질 다공체(8)는 유저 원통 모양을 이루므로, 가스 통과를 위한 표면적이 증가하고, 또한, 평균 기공 지름이 10∼100㎛, 기공률이 20∼70%인 무기 재료질 다공질 다공체로 이루어지며, 또한 슬로 배기로(7)와 무기 재료질 다공체(8)의 길이 방향 중심축을 맞춰서, 슬로 배기로(7)의 직경에 대해 무기 재료질 다공체(8)의 바깥지름 비를 60∼80%로 하는 것으로, 급격한 감압을 피할 수 있고, 또한 신속한 감압이 가능하게 된다.
개구부 측에는 무기 재료질 다공질 다공체와 동 재질의 가스 불투과성 링 모양의 플랜지부(8a)가 일체적으로 설치된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 이 무기 재료질 다공체(8)의 슬로 배기로(7)에의 기밀적 부착은, 플랜지부(8a)의 외측주(外側周)에 미리 O링(10)을 끼워넣고, 하부 슬로 배기로(7A)에 설치한 링 모양 계합 오목부(7A1)와 플랜지부(8a)에 설치한 하측 링 모양 계합 볼록부(8a1)를 계합시켜서, 무기 재료질 다공체(8)를 하부 슬로 배기로(7A)에 입설하고, 상부 슬로 배기로(7B)를 무기 재료질 다공체(8)에 위쪽으로부터 간격(g)을 설치하여 외감(外嵌)하고, 상부 슬로 배기로(7B)에 설치한 링 모양 계합 오목부(7Bl)와 플랜지부(8a)에 설치한 상측 링 모양 계합 볼록부(8a2)를 계합시켜서, 하부 슬로 배기로(7A)에 설치한 하(下) 플랜지(7A2)와 상부 슬로 배기로(7B)에 설치한 상(上) 플랜지(7B2)에서 플랜지부(8a)를 보관 유지함과 동시에, 0링(10)을 압압(押壓)하여 실시한다.
이와 같이, 무기 재료질 다공체(8)의 슬로 배기로(7)에의 부착은, 상기 무기 재료질 다공체와 동일 재질의 가스 불투과성 링 모양의 플랜지부(8a)를 통하여 실시하므로, 무기 재료질 다공체(8)를 파손하지 않고, 용이하면서 확실하게 실시할 수 있다. 또, 종래의 감압 장치의 구조를 큰 폭으로 변경하지 않고, 무기 재료질 다공체를 설치할 수 있으므로 염가의 감압 장치를 제공할 수 있다.
또한, 하부 슬로 배기로(7A)와 상부 슬로 배기로(7B)는 클램프(도시하지 않음)에 의해서 일체적으로 보관 유지되며, 또한, 무기 재료질 다공체(8)의 개구 단 측에는 링 모양 부착 부재(11a)에 장설되어 무기 재료질 다공체(8) 보다 기공 지름이 작고, 또한 통기성이 높은 철망(11)이 설치된다.
이것에 의해, 만약 무기 재료질 다공체(8)에 파손 등이 생겼을 경우에도, 파손물이 진공 펌프(4) 측에 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 무기 재료로서는, 실리카, SiC , 알루미나 어느 쪽이라도 좋지만, 내열성, 내식성 등의 관점에서 실리카가 보다 바람직하다.
또, 상기 다공체로서는, 통상의 대략 동등체적 공간이 연속적으로 연결된 다공체라도 좋고, 또, 구 모양의 다수의 기공의 인접하는 것끼리가 연통 구멍을 통하여 연통하는 3차원 그물코 모양의 골격 구조로 이루어지는 다공체라도 좋다.
또한, 전자의 다공체의 재질은, 실리카 글라스인 것이 바람직하고, 바람직한 평균 기공 지름은 10∼50㎛, 기공률은 20∼40%이다.
또, 후자의 다공체의 재질은, SiC인 것이 바람직하고, 바람직한 평균 기공 지름은, 30∼90㎛, 연통 구멍지름은 10∼20㎛, 기공률은 55∼65%이다.
다음으로 본 제 1 실시 형태의 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체의 작용에 대하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 처리실로 이루어지는 진공 챔버(2)를 감압하는 경우, 감압 개시 시는, 주 배기로(5)에 설치한 제 1의 밸브(6) 및 슬로 배기로(7)에 설치한 제 2의 밸브(9)를 폐지한 상태에서 진공 펌프(4)를 운전하고, 그러한 후, 제 2의 밸브(9)를 개방한다.
이 제 2의 밸브(9)를 개방하면, 진공펌프(2) 중의 가스는, 배기구(2a), 슬로 배기로(7), 간격(g), 무기 재료질 다공체(8) 및 제 2의 밸브(9)를 통하여 진공 펌프(4)에 흘러, 진공 챔버(2) 내는 감압된다.
이 감압 과정에 있어서, 슬로 배기로(7)의 외경은 100mm이며, 무기 재료질 다공체(8)의 외경은 60∼80mm, 평균 기공 지름 10∼10Opm, 기공률은 20∼40%로 적당한 가스 통기 저항으로 설정되어 있으므로, 진공 챔버(2) 내의 급격한 감압을 피할 수 있고, 파티클의 날아오름이 방지되며, 또한, 가스가 간격(g)을 통하여 표면 적이 넓은 유저 원통 모양의 무기 재료질 다공체(8)를 통과하므로, 신속하게 감압을 실시할 수 있다.
본 제 1 실시 형태의 감압 장치에 의하면, 염가로 배기 속도가 빠르게 파티클의 날아오름을 방지할 수 있는 감압 장치가 실현된다.
또, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관계되는 감압 장치 및 이것에 이용하는 무기 재료질 다공체에 대하여 설명한다.
본 제 2 실시 형태는, 제 1 실시 형태가 유저 원통 모양의 무기 재료질 다공체를 이용하는데 대하여, 무저(無底) 원통 모양의 무기 재료질 다공체를 이용한다.
예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 제 2 실시 형태에 관계되는 감압 장치는, 도 1에 나타낸 마찬가지의 진공 챔버와 배기 기구를 갖추고, 슬로 배기로(7)에 다공체 유닛(unit)(21)을 설치한다.
이 다공체 유닛(21)은, 무저 원통 모양의 무기 재료질 다공체(22)와, 이 무기 재료질 다공체(22)와 공극(c)을 형성하도록 외감하고, 주위에 통기구(23a)를 설치한 중공 모양의 금속 통기 파이프(23)와, 무기 재료질 다공체(22)의 일단 및 금속 통기 파이프(23)의 일단을 폐색하는 폐색 부재(24)와, 무기 재료질 다공체(22)의 양단을 압압하는 폴리 테트라 플루오르 에틸렌(PTFE) 제의 연질 개스킷(gasket)(25,25)과, 금속 통기 파이프(23)의 타단에 기밀적으로 관통하여 용착되는 금속제 부착 링(26)을 갖추고, 폐색 부재(24)의 원판상의 부착 돌부(24a)의 외주에 설치한 수 나사부(24b)와 금속 통기 파이프(23)의 일단의 내측에 형성되는 암 나사부(23b)를 나합(螺合)하는 것으로, 금속 통기 파이프(23)와 금속제 부착 링(26)으로 양(兩) 연질 개스킷(25,25)을 무기 재료질 다공체(22) 방향으로 압압하여 조립한다.
또, 다공체 유닛(21)의 슬로 배기로(7)에의 기밀적 부착은, 제 1 실시 형태와 마찬가지로 실시한다.
또한, 무기 재료질 다공체(22)의 개구단 측에는 링 모양 부착 부재(27a)에 장설(張設) 되며, 무기 재료질 다공체(8)보다도 기공 지름이 작고, 또한 통기성이 높은 철망(27)이 설치된다.
본 제 2 실시 형태의 감압 장치에 의하면, 염가로 배기 속도가 빠르게 파티클의 날아오름을 방지할 수 있는 감압 장치가 실현된다.
다른 구성은 그림 1에 나타내는 감압 장치와 다르지 않기 때문에, 설명은 생략한다.
[실시 예]
도 3에 나타낸 형상으로, 높이 80mm, 외경 30mm, 내경 24mm, 평균 기공 지름 16㎛, 기공률 30%의 통상의 대략 동등 체적 공간이 연속적으로 연결된 실리카제 다공체에 높이 15mm, 외경 50mm, 내경 24의 치밀질 실리카 글라스제 프랜지부를 계합시켜 이루는 다공체를 장착한 본 발명의 감압 장치(실시 예 1) 및 다공체를 이용하지 않은 감압 장치(비교 예 1)를 이용하여, 슬로 배기 시험을 실시하고, 감압 속도와 파티클의 발생 상태를 조사했다.
[시험 1]
챔버 용적 65L의 진공 챔버 내에 배기구로부터 40mm 이간하여 설치한 원판 모양 트레이 위에 0.0009g/개의 발포 스티롤(styrol)을 800개 두고, 최대 배기 능력 7000L/min의 진공 펌프로 진공을 끌어당겨, 진공 끌어당김을 개시부터, 슬로 배기하여, 진공 속도와 발포 스티롤 가루의 움직임을 조사했다.
결과 : 도 6에 나타낸다.
실시 예 1은 비교 예 1에 비해, 배기 시간이 큰 폭으로 증가하지만, 비교 예 1이 트레이로부터 진공 챔버 저부에 낙하한 발포 스티롤 알갱이 수가 600∼700개 였던것에 대하여, 실시 예 1은 낙하 개수가 O개였다.
[시험 2]
본 발명의 감압 장치의 배기 시간을 단축하는 목적으로, 주 배기로의 제 1의 밸브를 개방한 배기와 슬로 배기로의 제 2의 펄프(9) 만을 개방한 배기를 조합하여, 낙하하는 발포 스티롤 알갱이 수를 억제한 상태에서의 대기압으로부터 1kPa까지의 도달시간을 조사하고, 무기 재료질 다공체를 이용하지 않는 감압 장치와 비교했다.
결과 : 표 1 및 도 7에 나타낸다.
Figure 112008052359062-pat00001
표 1 및 도 7에서도 알 수 있는 바와 같이, 메인 밸브 개방시의 진공 챔버 압력이 40kPa인 실시 예 2는, 같은 압력으로 메인 밸브를 개방한 비교 예 2의 38s에 비해, 22s와 42%(16s) 단축할 수 있는 것을 알 수 있었다.
메인 펄프 개방시의 진공 챔버 압력이 13kPa인 실시 예 3은, 같은 압력으로 메인 밸브를 개방한 비교 예 3의 90s에 비해, 56s와 38%(34s) 단축할 수 있는 것을 알 수 있었다.
메인 밸브 개방시의 진공 챔버 압력이 7kPa인 실시 예 4는, 같은 압력으로 메인 밸브를 개방한 비교 예 4의 132s에 비해, 88s와 33%(44s) 단축할 수 있는 것을 알 수 있었다.
[실시 예 2]
3차원 그물코 모양의 골격 구조로 이루어지는 다공체를 감압 장치에 장착하고, 시험 1과 같은 방법으로 파티클의 날아오름 상태를 조사한다.
시험 물품의 다공체는 이하의 방법으로 제작한다.
평균 입경(粒徑) O.51㎛의 SiC 분말 100 중량부, 액체 매질로서 이온 교환수 45 중량부, 기포제로서 라우릴(lauryl) 황산 토리 에탄올 아민 1 중량부, 소결조제로서 카본 블랙 1 중량부 및 평균 입경 1.4㎛의 B4C 분말 O.2 중량부 및 겔화 주제로서 폴리 에틸렌 이민 5 중량부를 교반기로 혼합 교반하면서 공기를 도입하여 거품이 일게 하고, 거품 모양의 슬러리(slurry)를 조정한다.
그 후, 포장의 슬러리를 교반하면서, 이것에 겔화 부제(副劑)로서 에폭시 수지 1 중량부를 첨가하여, 거푸집에 붓고, 3시간이 경과하면, 겔화가 충분히 진행하여, 겔화하고, 이것을 틀에서 꺼내, 60°C의 온도에서 수 일간 건조하여 원통 모양의 성형체(건조체)를 얻는다.
이 성형체를 Ar가스 분위기 하 1780°C에서 1시간 가열(가소성)하고, 이것을 같은 분위기 하 2100°C에서 1시간 소성(燒成)하는 것으로, 구 모양의 다수의 기공의 인접하는 것끼리가 연통 구멍을 통하여 서로 연통하는 3차원 그물코 모양의 골격 구조를 가지는 원통형의 SiC 다공체를 얻는다.
이 SiC 다공체는 높이 80mm, 외경 30mm, 내경 24mm, 평균 기공 지름 80㎛, 연통 구멍지름 10∼2O㎛, 기공률 60%이며, 높이 15mm, 외경 50mm, 내경 24mm의 상기 SiC 다공체와 동일 재질로 이루어지는 가스 불투과성의 링 모양의 플랜지부가 일체적으로 설치된다.
결과 : 상기 SiC 다공체를 장착한 본 발명의 감압 장치를 이용하여 상기[시험 1]와 같은 조건으로 평가한 실시 예 5는, 무기 재료질 다공체를 이용하지 않는 감압 장치의 비교 예 5에 비해, 배기 시간은 동등하고, 또, 비교 예 5가 트레이로부터 진공 챔버 저부에 낙하한 발포 스티롤 알갱이 수가 660개인 것에 대하여, 실시 예 5는 낙하 개수가 O개였다.
이와 같이, 본 발명의 감압 장치(실시 예)는, 파티클이 날아오르기 쉬운 초기의 감압을 슬로 배기로 실시하고, 파티클의 날아오름이 억제되는 저압 하에서의 감압을, 주 배기로를 통하여 실시하는 것으로, 파티클의 날아오름이 없고, 신속한 진공 끌어당김을 실시할 수 있는 것을 알 수 있었다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치의 개념도이다.
도 2는, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치의 무기 재료질 다공체 부착부의 확대도이다.
도 3은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치에 이용하는 무기 재료질 다공체의 종단면도이다.
도 4는, 도 2의 A부의 확대도이다.
도 5는, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관계되는 감압 장치에 이용하는 무기 재료질 다공체 유닛(unit)의 종단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치를 이용한 슬로 배기 시험의 결과도이다.
도 7은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관계되는 감압 장치를 이용한 슬로 배기 시험의 결과도이다.
도 8은, 종래의 감압 장치의 개념도이다.
도 9는, 종래의 감압 장치의 개념도이다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 진공 챔버와, 이 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치에 있어서,
    상기 배기 기구는
    일단이 상기 진공 챔버에 연통(連通)하고, 타단이 진공 펌프에 연통하는 주 배기로와,
    상기 주 배기로에 설치한 제 1의 개폐변과,
    일단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 챔버에 연통하고, 타단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 펌프에 연통하는 슬로 배기로와,
    상기 슬로 배기로에, 상기 슬로 배기로의 내면과 간격을 설치하여 배치되는, 축 방향 일단에 저부(底部)를 가지고, 축 방향 타단에 개구부를 가지는 유저(有底) 원통 모양의 무기 재료질 다공체와,
    상기 슬로 배기로에 설치한 제 2의 개폐변을 가지며,
    상기 무기 재료질 다공체의 저부가 상기 배기 기구의 상류 측에 위치하도록 상기 슬로 배기로 내에 배치하고,
    상기 제 2의 개폐변을 상기 무기 재료질 다공체의 하류 측에 설치하며,
    상기 무기 재료질 다공체의 개구부에, 상기 무기 재료질 다공체와 동일 재질로 이루어지는 가스 불투과성의 링 모양의 플랜지(flange)부가 설치되는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  4. 진공 챔버와, 이 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치에 있어서,
    상기 배기 기구는
    일단이 상기 진공 챔버에 연통(連通)하고, 타단이 진공 펌프에 연통하는 주 배기로와,
    상기 주 배기로에 설치한 제 1의 개폐변과,
    일단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 챔버에 연통하고, 타단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 펌프에 연통하는 슬로 배기로와,
    상기 슬로 배기로에, 상기 슬로 배기로의 내면과 간격을 설치하여 배치되는, 양단이 개구하는 원통 모양의 무기 재료질 다공체와,
    상기 슬로 배기로에 설치한 제 2의 개폐변을 가지며,
    상기 무기 재료질 다공체의 원통 모양의 외주면에 통기구(通氣口)를 가지는 중공(中空)모양의 금속 통기 파이프가, 상기 무기 재료질 다공체의 내측에, 상기 무기 재료질 다공체의 내측과 상기 금속 통기 파이프의 외주면의 사이에 공극(空隙)이 형성되도록 설치되며,
    상기 금속 통기 파이프의 일단은 이 일단에 나착(螺着)되는 폐색 부재에 의해 폐색 되며,
    상기 무기 재료질 다공체의 일단은 상기 폐색 부재에 의해 폐색되는 한편 연질 개스킷(gasket)을 통하여 압압(押壓)되며,
    상기 금속 통기 파이프의 타단은 이 타단에 고착(固着)되는 금속제 부착 링을 기밀적으로 관통하고,
    상기 무기 재료질 다공체의 타단은 상기 금속제 부착 링에 압압(押壓)되는 연질 개스킷을 통하여 압압(押壓)되는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 무기 재료질 다공체는 이 무기 재료질 다공체의 일단에 설치되는 폐색 부재를 상류 측으로 향하여 설치하고, 제 2의 개폐변은 상기 무기 재료질 다공체의 하류 측으로 설치하는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 3항에 있어서,
    상기 링 모양의 플랜지부는, 실리카 글라스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  9. 제 3항에 있어서,
    상기 링 모양의 플랜지부는, SiC로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  10. 삭제
  11. 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치의 상기 배기 기구에 배치되며, 원통 모양의 무기 재료질 다공체로 이루어지며,
    상기 무기 재료질 다공체 및 이 개구부에 이것과 동일 재료로 이루어지는 가스 불투과성의 링 모양의 플랜지부가 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 재료질 다공체.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 진공 챔버와, 이 진공 챔버 내를 감압하는 배기 기구를 갖춘 감압 장치에 있어서,
    상기 배기 기구는
    일단이 상기 진공 챔버에 연통(連通)하고, 타단이 진공 펌프에 연통하는 주 배기로와,
    상기 주 배기로에 설치한 제 1의 개폐변과,
    일단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 챔버에 연통하고, 타단이 상기 주 배기로를 통하여 혹은 직접 상기 진공 펌프에 연통하는 슬로 배기로와,
    상기 슬로 배기로에 설치되는, 축 방향 양단에 개구부를 가지는 무저(無底) 원통 모양의 무기 재료질 다공체와,
    상기 무기 재료질 다공체와 공극을 형성하도록 외감하는 다공체 유닛(unit)과,
    상기 슬로 배기로에 설치한 제 2의 개폐변을 가지며,
    상기 제 2의 개폐변을 상기 무기 재료질 다공체의 하류 측에 설치하며,
    상기 무기 재료질 다공체의 일단에, 금속제의 링 모양의 플랜지(flange)부가 설치되는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 다공체 유닛의 주위에 통기구를 설치한 중공 모양의 금속 통기 파이프와, 상기 무기 재료질 다공체의 일단 및 상기 금속 통기 파이프의 일단을 폐색하는 폐색 부재와, 상기 무기 재료질 다공체의 양단을 압압하는 폴리 테트라 플루오르 에틸렌(PTFE) 제의 연질 개스킷(gasket)과, 상기 금속 통기 파이프의 타단에 기밀적으로 관통하여 용착되는 금속제 부착 링을 갖추고,
    상기 폐색 부재의 원판상의 부착 돌부의 외주에 설치한 수 나사부와 상기 금속 통기 파이프의 일단의 내측에 형성되는 암 나사부를 나합(螺合)하는 것으로, 상기 금속 통기 파이프와 상기 금속제 부착 링으로 양(兩) 연질 개스킷을 상기 무기 재료질 다공체 방향으로 압압하여 조립하는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 무기 재료질 다공체는 이 무기 재료질 다공체의 일단에 설치되는 폐색 부재를 상류 측으로 향하여 설치하고, 제 2의 개폐변은 상기 무기 재료질 다공체의 하류 측으로 설치하는 것을 특징으로 하는 감압 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5379101B2 (ja) * 2010-09-13 2013-12-25 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ及びフィルタ装置
CN117305801B (zh) * 2023-11-29 2024-03-08 龙焱能源科技（杭州）有限公司 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020086978A (ko) * 2001-05-12 2002-11-21 삼성전자 주식회사 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치
JP2002336632A (ja) * 1997-05-08 2002-11-26 Takasago Thermal Eng Co Ltd フィルタ及び清浄装置
KR20040017482A (ko) * 2002-08-21 2004-02-27 삼성전자주식회사 반도체 공정챔버 진공배기라인의 파우더 유입방지장치
KR20040054839A (ko) * 2002-12-18 2004-06-26 삼성전자주식회사 배기 가스 처리 시스템

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US619569A (en) * 1899-02-14 hewel
US3838557A (en) * 1973-09-04 1974-10-01 Mc Donnell Douglas Corp Vent structure
DE3681799D1 (de) 1985-01-22 1991-11-14 Applied Materials Inc Halbleiter-bearbeitungseinrichtung.
US5181532A (en) * 1988-09-16 1993-01-26 Lage Brodefors Flow control
NL9200414A (nl) * 1992-03-06 1993-10-01 Bronkhorst High Tech Bv Laminair stromingselement met geintegreerd turbulentiefilter.
JP2723795B2 (ja) 1994-02-22 1998-03-09 九州日本電気株式会社 横型処理炉
US5623958A (en) * 1995-02-22 1997-04-29 Bumpers; Norman R. Low pressure relief valve
DE19736846A1 (de) * 1997-08-23 1999-03-04 Mannesmann Vdo Ag Druckregelanordnung
US5974809A (en) * 1998-01-21 1999-11-02 Helix Technology Corporation Cryopump with an exhaust filter
US6357484B1 (en) * 1998-08-31 2002-03-19 Uop Llc Microporous structure defined by a multiplicity of singular channels and method of making
US7077159B1 (en) * 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
JP3859546B2 (ja) * 2002-05-28 2006-12-20 富士通株式会社 強誘電体膜の検査装置及び検査方法並びに半導体装置の製造方法
WO2006084460A1 (en) * 2005-02-11 2006-08-17 Danmarks Tekniske Universitet Inlet stratification device
US7472720B2 (en) * 2006-10-30 2009-01-06 Young Engineering & Manufacturing, Inc. High flow nozzle system for flow control in bladder surge tanks
US8623141B2 (en) * 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002336632A (ja) * 1997-05-08 2002-11-26 Takasago Thermal Eng Co Ltd フィルタ及び清浄装置
KR20020086978A (ko) * 2001-05-12 2002-11-21 삼성전자 주식회사 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치
KR20040017482A (ko) * 2002-08-21 2004-02-27 삼성전자주식회사 반도체 공정챔버 진공배기라인의 파우더 유입방지장치
KR20040054839A (ko) * 2002-12-18 2004-06-26 삼성전자주식회사 배기 가스 처리 시스템

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