KR20140117413A

KR20140117413A - 흡착반

Info

Publication number: KR20140117413A
Application number: KR1020147019782A
Authority: KR
Inventors: 기요타카 후지히라
Original assignee: 가부시키가이샤 단켄시루세코
Priority date: 2011-12-28
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2014-10-07
Also published as: JP6010811B2; TWI571350B; JP2013138056A; TW201343317A; CN104040709B; WO2013100134A1; CN104040709A

Abstract

본 발명의 과제는 복잡한 설비를 사용하지 않고, 반도체 웨이퍼 등의 피흡착물을 파손시키지 않고 흡착시킬 수 있는 흡착반을 제공하는 것이다. 흡착반(1)은, 반도체 웨이퍼(5)가 적재되는 상면(7a) 및 하면(7b)을 갖는 다공질인 패드부(7)와, 패드부(7)를 보유 지지하기 위한 보유 지지부(9)를 구비하고, 패드부(7)는, 패드부(7)의 상면(7a)으로부터 하면(7b)의 방향으로 소정의 기체 투과량을 갖는 제1 다공질 재료로 형성되어 있는 제1 부분(L)과, 패드부(7)의 상면(7a)으로부터 하면(7b)의 방향에서의 기체 투과량이, 제1 다공질 재료보다도 높은 제2 다공질 재료로 형성되어 있는 제2 부분(H)을 갖고 있고, 보유 지지부(9)는, 패드부(7)를 형성하는 제1 부분(L)의 기공과 제2 부분(H)의 기공을 직접 접속하도록 되어 있다.

Description

흡착반{SUCTION PAD}

본 발명은, 흡착반에 관한 것으로, 특히, 진공원에 접속되도록 구성되고, 이 진공원을 작동시킴으로써 판 형상의 피흡착물을 흡착시키기 위한 흡착반에 관한 것이다.

종래부터, 반도체 웨이퍼를 어떤 처리 공정으로부터 다음의 처리 공정에 반송하는 설비에 있어서, 반송 대상인 반도체 웨이퍼를 흡착시켜 고정하는 흡착반이 사용되어 있다. 이와 같은 흡착반은, 균일하게 구멍이 분포되어 있는 다공질체로 구성된 스테이지를 갖고 있다. 반도체 웨이퍼를 스테이지에 흡착시켜 고정할 때, 우선 이 스테이지의 평평한 상면에 반도체 웨이퍼를 접촉시키고, 계속해서 다공질체의 구멍 내를 진공 펌프에 의해 진공화함으로써, 스테이지의 평평한 상면에 반도체 웨이퍼를 흡착반에 흡착시켜, 고정하도록 되어 있다.

그런데 최근에는, 반도체 웨이퍼의 대형화ㆍ박형화가 진행됨에 따라서, 상술한 바와 같이 흡착반에 있어서도, 대형화ㆍ박형화된 반도체 웨이퍼를 적절하게 흡착ㆍ고정할 수 있도록 하는 것이 요망되고 있다. 일반적으로, 반도체 웨이퍼가 대형화ㆍ박형화되면 반도체 웨이퍼가 휘기 쉬워져 버려, 종래 사용되고 있었던 흡착반을 사용한 경우, 반도체 웨이퍼가 파손되어 버릴 우려가 있었다.

즉, 대형화ㆍ박형화된 반도체 웨이퍼를 일반적인 흡착반을 사용해서 흡착ㆍ고정할 때, 흡착반에는, 다공질체의 구멍이 균일하게 분포되어 있으므로, 흡착반에 접속된 진공 펌프를 작동시켰을 때에 흡착반과 다공질체의 접촉면에 개방되어 있는 모두 구멍에서 동시에 흡착이 개시되어 버린다.

여기서, 특히 대형화된 반도체 웨이퍼는, 흡착반 상에 휨이 없는 상태로 적재하는 것은 곤란하므로, 반도체 웨이퍼는 휜 상태로 흡착반 상에 적재되게 된다. 그리고 반도체 웨이퍼가 휜 상태로 흡착반 상에 적재되면, 반도체 웨이퍼에 있어서 흡착반과 접촉하고 있는 부분과, 접촉하지 않은 부분이 생겨 버린다.

이 상태에서 진공 펌프를 작동시켜, 흡착반과 다공질체의 접촉면에 개방되어 있는 모든 구멍에서 동시에 공기의 흡인이 개시하게 되면, 반도체 웨이퍼와 흡착반이 접촉하고 있는 부분으로부터 흡착이 시작된다. 이에 의해, 흡인 속도의 차에 의해, 휜 반도체 웨이퍼를 변형시키는 외력이 생겨, 반도체 웨이퍼의 내부 응력에 현저한 치우침이 생기게 되어, 그 결과, 반도체 웨이퍼가 파손되어 버린다.

이와 같은 반도체 웨이퍼의 파손을 방지하기 위한 기술로서는, 특허문헌 1에 기재된 장치가 알려져 있다.

이 특허문헌 1의 장치는, 반도체 웨이퍼가 적재되는 스테이지와, 스테이지에 형성된 복수의 관통 구멍과, 각 관통 구멍과 진공 펌프 사이를 연결하는 유로의 각각에 배치된 전자기 밸브와, 전자기 밸브를 제어하기 위한 제어부를 구비하고 있다. 그리고 특허문헌 1의 장치에서는, 제어부에 의해, 반도체 웨이퍼의 휨에 따라서 각각의 전자기 밸브를 독립 제어하여 관통 구멍으로부터 반도체 웨이퍼에 작용하는 흡인 속도를 관통 구멍마다 독립적으로 제어하고 있고, 이에 의해 반도체 웨이퍼의 흡착ㆍ고정 시에 반도체 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하고 있다.

일본 특허 공개 평7-58191호 공보

그러나 상술한 특허문헌 1의 장치에서는, 스테이지에 형성된 복수의 관통 구멍마다 전자기 밸브를 설치하고, 또한 각 전자기 밸브를 개별로 제어하기 위해 복잡한 설비가 필요하게 되어 버린다고 하는 문제가 있었다. 이 문제는, 반도체 웨이퍼를 대형화시킨 경우에 특히 현저해진다.

또한, 예를 들어 FPD(Flat Panel Display)용의 유리 패널과 같은 대형의 박판을 취급하는 경우에 있어서도 마찬가지의 문제가 생겼다.

따라서 본 발명은, 상술한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 복잡한 설비를 사용하지 않고, 반도체 웨이퍼나 FPD용의 유리 패널 등의 피흡착물을 파손시키지 않고 흡착시킬 수 있는 흡착반을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 진공원에 접속되도록 구성되고, 이 진공원을 작동시킴으로써 판 형상의 피흡착물을 흡착시키기 위한 흡착반이며, 피흡착물이 적재되는 상면 및 하면을 갖는 다공질인 패드부와, 패드부를 보유 지지하기 위한 보유 지지부를 구비하고, 패드부는, 패드부의 상면으로부터 하면의 방향으로 소정의 기체 투과량을 갖는 제1 다공질 재료로 형성되어 있는 제1 부분과, 패드부의 상면으로부터 하면의 방향에서의 기체 투과량이, 제1 다공질 재료보다도 많은 제2 다공질 재료로 형성되어 있는 제2 부분을 갖고 있고, 보유 지지부는, 패드부를 형성하는 제1 다공질 재료의 기공 및 제2 다공질 재료의 기공을 패드부의 하면측으로부터 진공원에 직접 접속하기 위한 유로를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 피흡착물이 적재되는 패드부는, 제1 부분과 제2 부분에 대응하는 부분에서 기체 투과량이 다르다. 그리고 이와 같은 흡착반의 상면에 피흡착물을 적재하고 진공원에 접속해서 하면측으로부터 패드부의 기공 내의 진공화를 개시하면, 비교적 기체 투과량이 적은 제1 다공질 재료로 형성되어 있는 제1 부분보다도, 비교적 기체 투과량이 많은 제2 다공질 재료로 형성되어 있는 제2 부분의 쪽이, 흡착 속도가 빠르다. 따라서, 진공화를 개시하면, 우선, 패드부의 상면 중 제2 부분에 대응하는 부분에 접촉하고 있는 피흡착물의 일부가 패드부에 흡착된다. 그리고 이에 지연되어 패드부의 상면 중 제1 부분에 대응하는 부분에 접촉하고 있는 피흡착물의 일부가 패드부에 흡착된다. 이와 같이, 패드부를 다른 기체 투과량을 갖는 2개의 다공질 재료로 형성함으로써, 패드부의 상면 중 제1 부분에 대응하는 부분과, 제2 부분에 대응하는 부분에서 흡착 속도의 차를 발생시킬 수 있다. 이에 의해 피흡착물을 2단계에 걸쳐 패드부에 흡착시켜 고정할 수 있으므로, 피흡착물이 과도하게 휘는 것을 방지할 수 있어, 이에 의해, 피흡착물 내부에 과도한 응력 집중이 생기는 것을 방지할 수 있다.

또한, 이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 흡인 속도가 비교적 늦은 제1 부분을 형성하는 제1 다공질 재료의 기공 및 흡인 속도가 비교적 빠른 제2 부분을 형성하는 제2 다공질 재료의 기공을, 유로를 통하여 진공원에 직접 접속하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 진공원을 작동시키는 것만으로 패드부의 상면 중 제1 부분에 대응하는 부분과, 제2 부분에 대응하는 부분에서 다른 흡착 속도를 발생시킬 수 있다. 그리고 이 경우, 제어 밸브 등을 사용할 필요가 없으므로, 간단한 구조로 피흡착물이 파손되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 형태에 의하면,

상기 패드부는 직사각형 형상을 갖고 있고, 상기 제2 부분은, 상기 패드부의 코너에 위치 결정되어 있다.

이와 같은 구성에 의하면, 직사각형의 박판을 패드부 상의 소정 위치에, 정확하게 위치 결정할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 형태에 의하면,

상기 패드부는 원형 형상을 갖고 있고, 상기 제2 부분은, 상기 패드부의 중앙에 위치 결정되어 있다.

본 발명의 다른 바람직한 형태에 의하면,

상기 패드부의 상면에 있어서의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 면적비는, 5:1 내지 100:1이다.

이상과 같이 본 발명에 따르면, 복잡한 설비를 사용하지 않고, 반도체 웨이퍼나 FPD용의 유리 패널 등의 피흡착물을 파손시키지 않고 흡착시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반을 구비하는 흡착 시스템을 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반의 보유 지지부 상면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 의한 패드부의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 5는 본 발명의 변형예에 의한 패드부의 상면도이다.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 의한 흡착반에 대해 설명한다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반을 구비하는 흡착 시스템을 도시하는 사시도이며, 도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반의 단면도이다.

도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 흡착 시스템은 흡착반(1)과, 흡착반에 접속된 진공원이 되는 펌프(3)를 구비한다. 흡착반(1)은 피흡착물인 반도체 웨이퍼(5)가 적재되는 패드부(7)와, 패드부(7)를 보유 지지하기 위한 보유 지지부(9)를 구비한다. 이 흡착반(1)은 호스 등의 연결 부재(11)를 통하여 펌프(3)에 접속되어 있다.

패드부(7)는 평탄한 2개의 원형면을 각각, 상면(7a) 및 하면(7b)으로 한 원판 형상을 갖고, 그 상면에 반도체 웨이퍼(5)를 적재할 수 있도록 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 패드부(7)는 상면(7a)의 치수 형상이, 피흡착물인 원형의 반도체 웨이퍼(5)와 대략 동일한 치수 형상으로 되어 있다. 또한, 패드부(7)는, 후술하는 바와 같이, 중심부에 배치되고 상대적으로 기체 투과량이 적은 제1 부분(L)과, 제1 부분(L)의 주위에 배치되고 상대적으로 기체 투과량이 많은 제2 부분(H)을 구비하고 있다.

또한, 보유 지지부(9)는 패드부(7)보다도 대직경의 두께의 원판 형상이며, 중앙에 상방을 향해서 개방되는 오목부를 구비하고 있다. 상세하게는, 보유 지지부(9)는, 그 상면에 패드부를 수용하도록 된 제1 원형 오목부(13)를 갖는다. 제1 원형 오목부(13)는 보유 지지부(9)의 측벽(9a)의 내주측을 직사각 형상으로 절결함으로써 형성되어 있다. 이 제1 원형 오목부(13)는 패드부(7)의 외경과 거의 동일한 직경을 갖고, 패드부(7)를 수용할 때에 패드부(7)와 제1 원형 오목부(13)의 측벽 사이에 간극이 형성되지 않도록 되어 있다.

도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 흡착반의 보유 지지부(9)의 상면도이다.

도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 보유 지지부(9)는, 제1 원형 오목부(13)의 하방에 연속적으로 설치되고, 제1 원형 오목부(13)보다도 소직경의 제2 원형 오목부(15)를 구비하고 있다. 제2 원형 오목부(15)는 패드부(7)를 제1 원형 오목부(13)에 끼웠을 때에, 패드부(7)에 의해 덮여지도록 되어 있고, 이 제2 원형 오목부(15)와 패드부(7)에 의해 형성되는 공간(17)의 천장은, 패드부(7)의 하면(7b)에 의해 구성된다.

또한, 제2 원형 오목부(15)의 저면에는, 연결 부재(11)가 연결되어 있는 개구(15a)가 형성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 보유 지지부(9)는, 제2 원형 오목부(15)와 패드부(7)의 하면(7b)에 의해 형성되는 공간(17)에 통하여, 패드부(7)의 기공과 펌프(3)를 유체 연통시키고 있다.

도 4는 패드부(7)의 일례를 나타내는 상면도이다. 패드부(7)는 다공질 카본의 복합체에 의해 형성되어 있다. 구체적으로는, 패드부(7)는 소정의 기체 투과량을 갖는 제1 다공질 카본에 의해 형성된 제1 부분(L)과, 제1 다공질 카본보다도 기체 투과량이 많은 제2 다공질 카본에 의해 형성된 제2 부분(H)을 일체로 하여 형성되어 있다.

제1 다공질 카본에 의해 형성된 제1 부분(L)은, 상면에서 보았을 때에, 패드부(7)의 중앙에 배치된 원형(상세하게는 원기둥 형상)의 제2 부분(H)을 둘러싸는 링 형상을 갖는다. 그리고 제2 부분(H)은 링 형상의 제1 부분(L)의 중앙의 개구 내에 배치되어 있다.

이와 같은 패드부(7)는 상면(7a)과 하면(7b) 사이에 걸쳐서 동일한 수평 단면 형상, 즉 링 형상의 제1 부분(L)의 중앙에 제2 부분(H)이 배치된 단면 형상을 갖고 있다. 이와 같이 구성된 패드부(7)는, 제1 부분(L)이 차지하는 영역에서는, 상면(7a)으로부터 하면(7b)의 방향으로, 제1 다공질 카본이 갖는 기체 투과량을 발휘하고, 제2 부분(H)이 차지하는 영역에서는, 상면(7a)으로부터 하면(7b)의 방향으로, 제2 다공질 카본이 갖는 기체 투과량을 발휘한다.

다음에, 패드부의 기체 투과량에 대해 상세하게 설명한다.

기체 투과량은, 일정한 압력 하에서, 단위 시간당 단위 면적 영역을 통과하는 기체의 양을 나타낸다. 그리고 이 기체 투과량은, 아르키메데스법에 의해 측정되는 다공질 카본의 개방 기공률[vol％] 및 평균 기공 직경[㎛]을 조정함으로써 결정된다. 다공질 카본의 개방 기공률[vol％] 및 평균 기공 직경[㎛]을 조정하기 위해서는, 다공질 카본의 제조 공정 중 가압 공정에 있어서, 피성형체에 첨가하는 압력을 조정한다.

이하에, 다른 다공질 카본의 개방 기공률[vol％] 및 평균 기공 직경[㎛]을 갖는 2종류의 다공질 카본의 제조예를 나타낸다.

평균 입경 20㎛의 자기 소결성 탄소를 틀에 넣어서 가압할 때의 성형 면압을 조정하고, 완성된 성형체를 비산화 분위기 속에서 승온 속도 30℃/hr로 소성함으로써 개방 기공률 및 평균 기공률이 다른 2개의 다공질 카본을 제조할 수 있었다. 성형 시의 성형 면압을 조정함으로써 얻어지는 다공질 카본의 예를 이하의 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 성형 시의 성형 면압을 크게 함으로써 개방 기공률이 낮고, 또한 평균 기공 직경이 작은, 기체 투과량이 적은 다공질 카본을 제조할 수 있다. 또한, 성형 시의 성형 면압을 작게 함으로써 개방 기공률이 높고, 또한 평균 기공 직경이 큰, 기체 투과량이 많은 다공질 카본을 제조할 수 있다.

상술한 표 1에 나타내는 예에서는, 제1 다공질 카본의 기체 투과량과, 제2 다공질 카본의 기체 투과량의 비가, 1:20 내지 1:300 정도로 되어 있다.

또한, 다공질 카본의 개방 기공률을 조정함으로써 기체 투과량을 조정하기 위한 수단으로서는, 성형체의 소성 시에 분해ㆍ기화하는 수지를 첨가하는 방법도 있다.

다음에, 상술한 흡착반(1)을 포함하는 흡착 시스템의 작용에 대해 상세하게 설명한다.

반도체 웨이퍼를 흡착반(1)에 흡착시키기 위해서는, 우선, 반도체 웨이퍼(5)를 흡착반(1)의 패드부(7)의 상면에 적재한다. 이때, 예를 들어 반도체 웨이퍼(5)가 원판 형상의 것이면, 반도체 웨이퍼(5)의 중심과 패드부(7)의 중심이 일치하도록 한다. 그리고 이 상태에서 펌프(3)를 작동시키면, 펌프(3)에 연결된 연결 부재(11)를 통하여 보유 지지부(9)의 공간(17) 내의 공기가 펌프(3)의 방향으로 흡인된다.

공간(17) 내의 공기가 흡인되면, 패드부(7)의 제1 다공질 카본의 기공 및 제2 다공질 카본의 기공으로부터 공기가 흡인되어, 반도체 웨이퍼(5)의 패드부(7)에의 흡착이 개시된다. 반도체 웨이퍼(5)의 흡착이 개시되면, 우선, 기체 투과량이 많은 제2 다공질 카본으로 구성된 제2 부분(H)의 상면에 있는 반도체 웨이퍼(5)의 부분, 즉 반도체 웨이퍼(5)의 중심 근방이 패드부(7)에 흡착된다.

이때, 상술한 바와 같이 제2 부분(H)의 흡인 속도는 제1 부분(L)의 흡인 속도보다도 충분히 빠르므로, 가령 반도체 웨이퍼(5)가 제2 부분(H)의 상면에 접촉하지 않아도, 반도체 웨이퍼(5)의 중심 근방이 최초로 패드부(7)에 흡인된다. 계속해서, 제2 부분(H)보다도 흡착 속도가 늦은 제1 부분(L)에서 반도체 웨이퍼(5)의 흡착이 개시된다.

이와 같이, 우선, 반도체 웨이퍼(5)의 중심 근방을 제2 부분(H)에 의해 흡착시켜 확실히 고정하고, 계속해서 반도체 웨이퍼(5)의 중심 이외의 부분을 흡착시키므로, 반도체 웨이퍼(5)는 2단계에 걸쳐 흡착된다. 이에 의해, 패드부(7)에 적재된 반도체 웨이퍼(5)가 휘어져 있었다고 해도, 반도체 웨이퍼(5)의 일부에 응력이 집중되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 반도체 웨이퍼를 흡착반(1)으로부터 해방할 때에는, 펌프(3)를 전환하여 펌프(3)로부터 흡착반(1)에 공기를 송입한다. 이에 의해, 우선, 패드부(7)에 있어서의 비교적 기체 투과량이 많은 제2 다공질 카본으로 구성된 제2 부분(H)의 상면에 있는 반도체 웨이퍼(5)의 부분, 즉 반도체 웨이퍼(5)의 중심 근방이 패드부(7)로부터 해방된다.

그리고, 반도체 웨이퍼(5)의 중심이 패드부(7)로부터 해방되면, 패드부(7)와 제2 부분(H)의 상면 사이에 공간이 생겨, 이 공간 내부가 고압이 된다. 그리고 이 공간 내부가 고압이 되면, 공간 내의 압력에 의해 공간의 주위 반도체 웨이퍼(5)[제1 부분(L)과 접촉하고 있는 부분]가 패드부(7)로부터 서서히 이격되어 가고, 공간이 패드부(7)의 주위 방향을 향해서 넓어지기 시작한다. 그리고 공간이 넓어지면, 내부의 압력이 낮아지지만, 공간이 어느 정도 넓어질 때까지의 동안에, 제1 부분(L)으로부터도 충분히 공기가 송입된다. 그리고, 이에 의해 제1 부분(L)과 접촉하고 있는 나머지의 부분도 서서히 패드부(7)로부터 해방된다.

계속해서, 패드부(7)에 있어서의 비교적 기체 투과량이 적은 제1 다공질 카본으로 구성된 제1 부분(L)의 상면에 있는 반도체 웨이퍼(5)의 부분, 즉 반도체 웨이퍼(5)의 주변부가 패드부(7)로부터 해방된다. 그리고, 최종적으로는, 패드부(7)의 상면으로부터 송출되는 압축 공기에 의해 반도체 웨이퍼(5)가 패드부(7)의 상면으로부터 뜬 상태로 된다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼를 해방할 때에도, 반도체 웨이퍼의 중심으로부터 주변을 향해서 서서히 해방할 수 있어, 반도체 웨이퍼(5)의 해방 시에도 반도체 웨이퍼(5)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.

이상과 같이 본 발명의 실시 형태에 따르면, 흡인을 개시하고자 하는 위치를 비교적 기체 투과량이 많은 제2 다공질 카본으로 형성하고, 그 다른 부분을 비교적 기체 투과량이 적은 제1 다공질 카본으로 형성함으로써, 패드부(7) 상에 적재된 반도체 웨이퍼(5)가 휜 형상에 관계없이, 원하는 위치로부터 흡인을 개시할 수 있다. 그리고 이에 의해, 흡착 시에 반도체 웨이퍼(5)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변경, 변형이 가능하다.

상기 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 패드부(7)는 상면(7a)의 치수ㆍ형상이, 피흡착물인 반도체 웨이퍼(5)의 흡착면과 대략 동일하다. 그러나, 패드부(7)의 상면(7a)의 치수, 형상은, 반도체 웨이퍼 등의 흡착물의 크기, 특성, 또는 요구되는 흡착 조건 등에 따라서 적절히, 변경 가능하다.

예를 들어, 패드부(7)를, 상면(7a)이, 반도체 웨이퍼(5) 등의 피흡착물의 흡착면의 치수보다 큰 치수, 즉 원형의 반도체 웨이퍼(5)보다 대직경의 원 형상으로 되는 것으로 해도 좋다. 이 경우, 패드부(7)의 제2 부분(H)은 반도체 웨이퍼(5)에 덮여지는 부분에 설치된다.

패드부(7)를 이와 같이 구성함으로써, 패드부(7)의 상면(7a) 중 제1 부분(L)에 대응하는 부분의 흡착 속도와, 패드부(7)의 상면(7a) 중 제2 부분(H)에 대응하는 부분의 흡착 속도의 차를 유효하게 활용할 수 있으므로, 보다 확실하게 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.

또한, 제2 부분(H)의 형상ㆍ치수, 배치 위치를, 적절히 변경해도 좋다. 예를 들어, 도 5의 (a)에 도시되어 있는 바와 같이, 제2 부분(H)을 상기 실시 형태보다 큰 직경으로 설정해도 좋다. 또한, 제1 부분(L)과 제2 부분(H)의 크기(상면에서 보았을 때의 면적)의 비는, 5:1 내지 100:1의 사이에 적절히 설정되는 것이 바람직하다.

또한, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 패드부를 직사각형으로서, 그 중앙에 원형의 제2 부분(H)을 설치하고, 다른 부분을 제1 부분(L)으로 한 구성이어도 좋다. 이 경우, 보유 지지부 등도 패드부의 형상에 맞추어, 직사각 형상이 된다.

또한, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 원형의 제2 부분(H)을, 직사각형의 패드부의 중심으로부터 오프셋시켜 배치한 것이어도 좋다. 이 예는, 예를 들어 FPD용의 유리 패널과 같은 직사각형의 피흡착물을 흡착시킬 경우에 유효하다.

또한, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 대략 정사각형의 제2 부분(H)을 직사각형의 패드부의 코너에 배치하고, 다른 부분을 제1 부분(L)으로 하는 구성, 혹은 도 5의 (e)에 도시하는 바와 같이, 대략 정사각형의 제2 부분(H)을 직사각형의 패드부의 긴 변을 따른 중앙 위치에 배치하고, 다른 부분을 제1 부분(L)으로 하는 구성이어도 좋다.

이와 같이 제2 부분(H)을, 직사각형의 패드부의 코너에 배치하고, 또는 1변을 따라서 배치함으로써, 피흡착물의 위치 결정을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어 FPD용의 유리 패널과 같은 비교적 대형의 피흡착물을 위치 결정하는 경우에는, 패드부의 코너와, 유리 패널의 코너를 위치 정렬을 하고, 이 위치에서 유리 패널을 보유 지지하면서 펌프를 작동시킨다. 이에 의해, 흡착 시에 유리 패널에 흡인력이 작용했을 때에 유리 패널이 패드부에 대해 어긋나는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 이와 같은 작용ㆍ효과는, 제2 부분(H)이, 패드부 외주의 어느 쪽인가의 위치에 있는 경우에 달성할 수 있다.

또한, 도 5의 (f) 또는 (g)에 도시하는 바와 같이, 직사각형의 패드부의 1변 또는 인접하는 2변을 따라서 제2 부분(H)을 배치하고, 다른 부분을 제1 부분(L)으로 하는 구성이어도 좋다. 이와 같은 구성에 의해서도, 도 5의 (d) 등의 구성과 마찬가지의 작용ㆍ효과를 달성할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 패드부(7)와 지지부(9)의 제2 원형 오목부(15) 사이에 원판 형상의 공간(17)이 형성되는 구성이었지만, 지지부의 원형 오목부의 형상을 변경하고, 패드부(7)와 지지부 사이의 공간에, 연결 부재(11)를 통하여 펌프(3)에 유체 연통된 동심 형상의 복수의 환 형상 유로가 형성되는 구성으로 해도 좋다.

예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 패드부를 구성하는 재료로서 다공질 카본을 사용하는 것으로 했지만, 다공질 세라믹 등의 다른 통기성 재료를 사용하는 것도 가능하다.

1 : 흡착반
3 : 펌프
5 : 반도체 웨이퍼
7 : 패드부
9 : 보유 지지부
13 : 제1 원형 오목부
15 : 제2 원형 오목부
L : 제1 부분
H : 제2 부분

Claims

진공원에 접속되도록 구성되고, 이 진공원을 작동시킴으로써 판 형상의 피흡착물을 흡착시키기 위한 흡착반이며,
상기 피흡착물이 적재되는 상면 및 하면을 갖는 다공질인 패드부와,
상기 패드부를 보유 지지하기 위한 보유 지지부를 구비하고,
상기 패드부는, 상기 패드부의 상기 상면으로부터 상기 하면의 방향으로 소정의 기체 투과량을 갖는 제1 다공질 재료로 형성되어 있는 제1 부분과, 상기 패드부의 상기 상면으로부터 상기 하면의 방향에서의 기체 투과량이, 상기 제1 다공질 재료보다도 많은 제2 다공질 재료로 형성되어 있는 제2 부분을 갖고 있고,
상기 보유 지지부는, 상기 패드부를 형성하는 상기 제1 다공질 재료의 기공 및 상기 제2 다공질 재료의 기공을 상기 패드부의 상기 하면측으로부터 상기 진공원에 직접 접속하도록 되어 있는,
것을 특징으로 하는 흡착반.
제1항에 있어서,
상기 패드부는 직사각형 형상을 갖고 있고, 상기 제2 부분은, 상기 패드부의 코너에 위치 결정되어 있는, 흡착반.
제1항에 있어서,
상기 패드부는 원형 형상을 갖고 있고, 상기 제2 부분은, 상기 패드부의 중앙에 위치 결정되어 있는, 흡착반.
제1항에 있어서,
상기 패드부의 상면에 있어서의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 면적비는, 5:1 내지 100:1인, 흡착반.