JP2018190815A - 真空吸着部材 - Google Patents
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Abstract
Description
(構成)
図1に示されている本発明の第1実施形態としての真空吸着部材は、基体1と、支持部材2と、を備えている。基体1は、例えば略平板状のセラミックス焼結体からなる。基体1には、その上面から突出する複数の凸部11と、基体1の内部を通って基体1の上面に開口を有する真空吸引経路10と、基体1をその厚さ方向に貫通する貫通孔14と、が形成されている。
前記構成の真空吸着部材によれば、まず、半導体ウエハなどの基板Wが基体1の上方に配置されることで、支持部材2の上端に基板Wが当接する(図2A参照)。支持部材2を構成するベローズ部材が伸縮性を有するため、支持部材2の上端を反りまたは撓みなどがある基板Wの形状になじませるように、当該基板Wを支持部材2の上端に当接させることができる。
(構成)
図3に示されている本発明の第2実施形態としての真空吸着部材においては、基体1に貫通孔14(図1参照)ではなく、上面から環状に窪んでいる環状凹部16が形成されている。基体1には、その上面のうち環状凹部16により囲まれている領域に、複数の凸部11の上端と高さ位置が同じになる上端を有する一または複数の副凸部12が形成されている。副凸部12のそれぞれは、凸部11と同様に、柱状、錘台状、複数の柱または錘台が軸線方向に積み重ねられたような形状であり、ブラスト加工もしくはレーザー加工またはこれらの組み合わせにより形成される。
前記構成の真空吸着部材によれば、まず、基板Wが基体1の上方に配置されることで、支持部材2の上端に基板Wが当接する(図4A参照)。支持部材2を構成するベローズ部材が伸縮性を有するため、支持部材2の上端を反りまたは撓みなどがある基板Wの形状になじませるように、当該基板Wを支持部材2の上端に当接させることができる。
第1実施形態において、第2実施形態と同様に基礎部材4の上面に副凸部が設けられていてもよい。第2実施形態において副凸部12が省略されてもよい。
Claims (5)
- 基体と、
前記基体の上面から突出する複数の凸部と、
前記基体の内部を通り、前記基体の上面に開口を有する真空吸引経路と、
前記基体の上面側から見たときに前記複数の凸部によって取り囲まれる位置に設けられ、前記複数の凸部の上端よりも高い位置から前記複数の凸部の上端と同じ高さ位置まで変位可能な上端を有する支持部材と、
前記支持部材が該支持部材の上端の開口を通じて外部に連通する内部空間を有し、
前記基体の内部または前記基体とは異なる別個の基礎部材の内部を通り、前記支持部材の前記内部空間に連通する副真空吸引経路と、を備えていることを特徴とする真空吸着部材。 - 請求項1記載の真空吸着部材において、
前記基体または前記別個の基礎部材の上面に設けられ、少なくとも前記支持部材の上端が前記複数の凸部の上端と同じ高さ位置まで変位した時に前記複数の凸部の上端と高さ位置が同じになる上端を有する副凸部が前記支持部材の内部空間に収容されていることを特徴とする真空吸着部材。 - 請求項1または2記載の真空吸着部材において、
前記副真空吸引経路は、前記基体の内部を通り、前記支持部材の内部空間に連通する吸 引経路であって、
前記支持部材が、上下が開放されている筒状のベローズ部材により構成され、
前記基体が、前記ベローズ部材の少なくとも下部を収容する環状凹部を有することを特徴とする真空吸着部材。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の真空吸着部材により基板を吸着支持する方法であって、
前記基板を前記基体の上方に配置することで、前記支持部材の上端に前記基板を当接させる過程と、
前記副真空吸引経路を通じて前記支持部材の内部空間を真空吸引することで、前記支持部材の上端を前記複数の凸部の上端と同じ高さ位置まで変位させる過程と、
前記真空吸引経路を通じて前記基体および前記基板により上下が画定された空間を真空吸引することで、前記基板を前記複数の凸部の上端に当接させる過程と、を含んでいることを特徴とする真空吸着方法。 - 請求項4記載の真空吸着方法において、
前記真空吸引経路を通じて前記基体および前記基板により上下が画定された空間に形成される負圧と、前記副真空吸引経路を通じて前記支持部材の内部空間に形成される負圧と、の両方を調節する過程と、を含んでいることを特徴とする真空吸着方法。
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