CN117305801B - 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及基板传动技术领域，公开了用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统。其中，用于基板镀膜的传动装置包括镀膜室、第一缓冲室和第二缓冲室，第二缓冲室经第二阀门与第一缓冲室连通，第二缓冲室经第三阀门与镀膜室连通，第二缓冲室上还设有第二抽气机构和第一进气机构，第二抽气机构用于抽出第二缓冲室内的气体；经第二抽气机构和第一进气机构调节第二缓冲室内的气压，在第二缓冲室与镀膜室的气压处于相同的状态下，第二阀门处于关闭状态且第三阀门处于开启状态，适于基板从第二缓冲室传动至镀膜室，本发明通过对第二缓冲室进行气压控制，使得第二缓冲室的气压与镀膜室的气压保持一致，从而在第三阀门开启时，减少镀膜室内的气压波动。

Description

用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统

技术领域

本发明涉及基板传动技术领域，具体涉及用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统。

背景技术

在对基板镀膜时，需要将基板从缓冲室传动至镀膜室，随后再对基板进行镀膜。

现有技术中，近空间升华设备是一种常用于CdTe沉积的镀膜设备，对镀膜室沉积过程中的气压的稳定有极为严格的要求。气压一旦有波动，会直接影响成膜厚度和成膜质量。目前常见的设备为单缓冲室结构，单缓冲室的一侧与外界大气连通，另一侧与镀膜室连通，在使用的过程中，单缓冲室内部的气压受到外界大气的影响，处于上下波动状态，当单缓冲室与镀膜室连通时，由于单缓冲室的气压不稳定，镀膜室的真空会受到单缓冲室的影响，导致镀膜室的气压波动较大，影响成膜厚度和成膜质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统，以解决单缓冲室与镀膜室连通时，镀膜室的真空会受到单缓冲室的影响，导致镀膜室的气压波动较大的问题。

第一方面，本发明提供了一种用于基板镀膜的传动装置，包括：

镀膜室；

第一缓冲室，进口处设有第一阀门，所述第一阀门用于与外界连通，适于基板进入所述第一缓冲室内；所述第一缓冲室上设有第一抽气机构，用于抽出所述第一缓冲室内的气体；

第二缓冲室，与所述第一缓冲室之间设有第二阀门，适于基板从所述第一缓冲室传动至所述第二缓冲室，所述第二缓冲室与所述镀膜室之间设有第三阀门，所述第二缓冲室经所述第三阀门与所述镀膜室连通；所述第二缓冲室上设有第二抽气机构和第一进气机构，所述第二抽气机构用于抽出所述第二缓冲室内的气体，所述第一进气机构用于向所述第二缓冲室内充入气体；

经所述第二抽气机构和所述第一进气机构调节所述第二缓冲室内的气压，在所述第二缓冲室与所述镀膜室的气压处于相同的状态下，所述第二阀门处于关闭状态且所述第三阀门处于开启状态，适于基板从所述第二缓冲室传动至所述镀膜室。

有益效果：此用于基板镀膜的传动装置，当基板传动至第一缓冲室内，通过第一抽气机构将第一缓冲室内的气体抽出，当第一缓冲室内的气压值到达设定值时，开启第二阀门，使第一缓冲室内的基板传动至第二缓冲室内，通过第一进气机构向第二缓冲室内充气和第二抽气机构抽出第二缓冲室内的气体，对第二缓冲室进行气压控制，使得第二缓冲室的气压与镀膜室的气压保持一致，从而在第三阀门开启时，基板从第二缓冲室传动至镀膜室，镀膜室内的气压能够保持稳定状态，减少镀膜室内的气压波动，保证基板成膜厚度的均匀性和成膜质量。

在一种可选的实施方式中，所述第一进气机构包括进气总管、第一进气管、第一控制阀和气体存储器，所述第一进气管的一端与所述进气总管连通，另一端与所述第二缓冲室连通，所述气体存储器设于所述第一进气管上，所述气体存储器用于存储所述进气总管内的气体，所述第一控制阀设于所述第一进气管上，用于控制所述气体存储器内的气体经所述第一进气管通道进入所述第二缓冲室。

有益效果：通过在第一进气管上设置气体存储器，由气体存储器预先存储进气总管的气体，以便于进气总管内的气体快速通过第一进气管充入至第二缓冲室内，提高第二缓冲室的充气效率。

在一种可选的实施方式中，所述第一进气机构还包括第二进气管和气体流量控制器，所述第二进气管的一端与所述第二缓冲室连通，另一端与所述进气总管连通，所述气体流量控制器设于所述第二进气管上。

有益效果：在第二缓冲室上设置第二进气管和气体流量控制器，通过气体流量控制第二进气管内的气体精准的进入至第二缓冲室内，实现对第二缓冲室内的气压进行精准调控，进一步保证第二缓冲室内的气压与镀膜室内的气压相同。

在一种可选的实施方式中，所述第二抽气机构包括第一抽气管、快抽阀门和第一驱动泵，所述第一驱动泵经所述第一抽气管与所述第二缓冲室连通，所述快抽阀门设于所述第一抽气管上，用于控制所述第一抽气管通道的开启与关闭。

有益效果：在快抽阀门开启的状态下，通过第一驱动泵对第一抽气管进行抽气，能够快速将第二缓冲室内的气体抽出，使得第二缓冲室内的气压迅速到达指定范围，进一步提高对第二缓冲室内气体调节的效率。同时能够将第二缓冲室内的杂质气体快速排出。

在一种可选的实施方式中，所述第二抽气机构还包括第二抽气管和慢抽阀门，所述第二抽气管与所述第一驱动泵和所述第二缓冲室连通，所述慢抽阀门设于所述第二抽气管上，用于控制所述第二抽气管通道的开启与关闭。

有益效果：在慢抽阀门开启的状态下，通过第一驱动泵对第二抽气管进行抽气，能够缓慢的将第二缓冲室内的气体抽出，使得第二缓冲室内的气压精准的到达指定范围，进一步提高对第二缓冲室内气体调节的效率。

在一种可选的实施方式中，所述第一抽气机构包括第二驱动泵、第三抽气管和第二控制阀，所述第二驱动泵与所述第三抽气管连接，所述第三抽气管与所述第一缓冲室连通，所述第二控制阀设于所述第三抽气管上，用于控制所述第三抽气管通道的开启与关闭。

有益效果：在第二控制阀开启的状态下，通过第二驱动泵对第三抽气管进行抽气，使第一缓冲室内的气体被抽出，让第一缓冲室内的气压处于中等真空范围，在第一缓冲室内的基板传动至第二缓冲室过程中，避免第一缓冲室内过多的杂质气体进入至第二缓冲室。

在一种可选的实施方式中，所述第一缓冲室上还设有第二进气机构，所述第二进气机构用于向所述第一缓冲室内充入气体。

有益效果：在第一缓冲室内的气体被抽出的情况下，若要开启第一阀门，使外界基板传动第一缓冲室内，由于外界气压与第一缓冲室内的气压存在压差，第一阀门受外界压力作用不易于开启，通过第二进气机构向第一缓冲室内充入空气，使第一缓冲室内的气压与外界气压相同，以便于第一阀门的开启。

在一种可选的实施方式中，所述第二进气机构包括第三进气管和第三控制阀，所述第三进气管的一端与所述第一缓冲室连通，另一端与外界连通，所述第三控制阀设于所述第三进气管上，用于控制所述第三进气管通道的开启与关闭。

有益效果：通过控制第三控制阀的开启，使外界气体通过第三进气管进入第一缓冲室内，以便于第一阀门开启，结构简单，便于操作。

在一种可选的实施方式中，所述第一缓冲室、所述第二缓冲室与所述镀膜室上分别设有真空计。

有益效果：通过在第一缓冲室、第二缓冲室与镀膜室上分别设置真空计，以便于精准控制第一缓冲室、第二缓冲室和镀膜室内部的气压环境。

第二方面，本发明还提供了一种镀膜传动系统，包括：

传动辊；

用于基板镀膜的传动装置，所述第一缓冲室、所述第二缓冲室与所述镀膜室内分别设有多个所述传动辊，基板适于由所述传动辊驱动传动。

有益效果：此镀膜传动系统，通过传动辊将基板依次传动至第一缓冲室、第二缓冲室与镀膜室内，实现自动化驱动基板传动。通过对第二缓冲室进行气压控制，使得第二缓冲室的气压与镀膜室的气压保持一致，从而在第三阀门开启时，基板从第二缓冲室传动至镀膜室，镀膜室内的气压能够保持稳定状态，减少镀膜室内的气压波动，保证基板成膜厚度的均匀性和成膜质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例的一种用于基板镀膜的传动装置的原理示意图；

图2为图1中的第二缓冲室、第一进气机构和第二抽气机构连接的原理示意图；

图3为图1中第一缓冲室、第二进气机构和第一抽气机构连接的原理示意图。

附图标记说明：

1、镀膜室；2、第一缓冲室；3、第一阀门；4、第二阀门；5、基板；6、第一抽气机构；601、第二驱动泵；602、第三抽气管；603、第二控制阀；7、第二缓冲室；8、第三阀门；9、第二抽气机构；901、第一抽气管；902、快抽阀门；903、第一驱动泵；904、第二抽气管；905、慢抽阀门；10、第一进气机构；101、第一进气管；102、第一控制阀；103、气体存储器；104、第二进气管；105、气体流量控制器；106、进气总管；11、第二进气机构；111、第三进气管；112、第三控制阀；113、第四进气管；114、第四控制阀；12、真空计；13、传动辊。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

相关技术中，常见的设备为单缓冲室结构，单缓冲室的一侧与外界大气连通，另一侧与镀膜室连通，在使用的过程中，单缓冲室内部的气压受到外界大气的影响，处于上下波动状态，当单缓冲室与镀膜室连通时，由于单缓冲室的气压不稳定，镀膜室的真空会受到单缓冲室的影响，导致镀膜室的气压波动较大，影响成膜厚度和成膜质量。

下面结合图1至图3，描述本发明的实施例。

根据本发明的实施例，一方面，如图1所示，提供了一种用于基板镀膜的传动装置，包括镀膜室1、第一缓冲室2和第二缓冲室7。

具体地，如图1所示，第一缓冲室2进口处设有第一阀门3，第一阀门3用于将第一缓冲室2内部与外界连通，使得基板5能够通过第一阀门3传动至第一缓冲室2内部。第二阀门4与第一缓冲室2的内部连通。

具体地，如图1所示，第一缓冲室2上还设有第一抽气机构6，第一抽气机构6用于抽出第一缓冲室2内的气体。

具体地，如图1所示，第二缓冲室7与第一缓冲室2之间设有第二阀门4，使得第一缓冲室2内的基板5能够通过第二阀门4传动至第二缓冲室7内部。第二缓冲室7与镀膜室1之间设有第三阀门8，第二缓冲室7经第三阀门8与镀膜室1连通，使得第二缓冲室7内的基板5能够通过第三阀门8传动至镀膜室1内。

具体地，如图1所示，第二缓冲室7上还设有第二抽气机构9和第一进气机构10，第二抽气机构9用于抽出第二缓冲室7内的气体。第一进气机构10用于向第二缓冲室7内充入气体。

具体地，通过第一进气机构10向第二缓冲室7内充气和第二抽气机构9抽出第二缓冲室7内的气体，来调整第二缓冲室7内的气压，在第二缓冲室7内的气压与镀膜室1内的气压相同状态下，第二阀门处于关闭状态，第三阀门处于开启状态，基板5适于从第二缓冲室7传动至镀膜室1内。

本实施例的用于基板镀膜的传动装置，当基板5传动至第一缓冲室2内，通过第一抽气机构6将第一缓冲室2内的气体抽出，当第一缓冲室2内的气压值到达设定值时，开启第二阀门4，使第一缓冲室2内的基板5传动至第二缓冲室7内，通过第一进气机构10向第二缓冲室7内充气和第二抽气机构9抽出第二缓冲室7内的气体，对第二缓冲室7进行气压控制，使得第二缓冲室7的气压与镀膜室1的气压保持一致，从而在第三阀门8开启时，基板5从第二缓冲室7传动至镀膜室1，镀膜室1内的气压能够保持稳定状态，减少镀膜室1内的气压波动，保证基板5成膜厚度的均匀性和成膜质量。

并且，通过设置第一缓冲室2、第二缓冲室7与镀膜室1，使得基板5在传动至镀膜室1之前，需要经过第一缓冲室2和第二缓冲室7，第一缓冲室2与第二缓冲室7内的气压能够进行单独调节，提高基板5成膜生产效率。例如，在基板5传动第一缓冲室2时，第二缓冲室7可以预先调节内部气压，使第二缓冲室7的内部气压与镀膜室1的内部气压接近，在基板5从第一缓冲室2传动第二缓冲室7时，再调节第二缓冲室7的气压与镀膜室1的气压相同，缩短第二缓冲室7内气压调节时间，进而提高基板5成膜生产效率。

需要说明的是，通过实验对比，在镀膜室1的一侧设置两个缓冲室和设置一个缓冲室相比，镀膜室1内的气压波动从±3mtorr提高到±0.1mtorr，基板5膜厚的纵向均匀性从±10%提高到±1%之内，基板5成膜速度从60秒/片提升到30秒/片，即基板5的成膜质量和效率显著提高。

其中，第一阀门3与第二阀门4可以分别设置在第一缓冲室2的两端，或者，第一阀门3与第二阀门4可以设置在第一缓冲室2的相邻两侧，本发明实施例不对第一阀门3和第二阀门4在第一缓冲室2上的位置进行具体地限制。

具体地，如图1所示，第一阀门3、第一缓冲室2、第二阀门4、第二缓冲室7、第三阀门8和镀膜室1可以沿第一缓冲室2的长度方向依次设置，具体设置方式依据使用环境进行设计即可，在此本发明实施例不对其进行具体地限制。

在一种可选的实施方式中，如图1和图2所示，第一进气机构10包括进气总管106、第一进气管101、第一控制阀102和气体存储器103，第一进气管101的一端与进气总管106连通，另一端与第二缓冲室7连通，气体存储器103设于第一进气管101上，气体存储器103用于存储进气总管106内的气体，第一控制阀102设于第一进气管101上，用于控制气体存储器103内的气体经第一进气管101通道进入第二缓冲室7。通过在第一进气管101上设置气体存储器103，由气体存储器103预先存储进气总管106的气体，以便于进气总管106内的气体快速通过第一进气管101充入至第二缓冲室7内，提高第二缓冲室7的充气效率。

在第二抽气机构9对第二缓冲室7进行抽气，使得第二缓冲室7内的气压低于镀膜室1的气压时，通过控制第一控制阀102使得气体存储器103内的气体从第一进气管101快速充入第二缓冲室7，使得第二缓冲室7内的气压升高，直至第二缓冲室7内的气压与镀膜室1的气压相同，以便于对第二缓冲室7内的气压进行精准调节。同时，通过控制第一控制阀102将气体存储器103内的气体充入第二缓冲室7内，能够将第二缓冲室7内的杂气排出，避免第二缓冲室7内的杂气进入镀膜室1，影响基板5成膜质量。

例如，基板5从第一缓冲室2传动至第二缓冲室7后，第二阀门4与第三阀门8均处于关闭状态，通过第二抽气机构9对第二缓冲室7进行抽气，使第二缓冲室7内的气压值低于镀膜室1内的气压值，能够保证第二缓冲室7内的杂质气体尽可能排出，随后控制第一控制阀102将气体存储器103内的气体快速充入第二缓冲室7内，再将第二缓冲室7内的气压值调至与镀膜室1内的气压值相同，此时，开启第三阀门8，基板5从第二缓冲室7传动至镀膜室1，能够有效避免镀膜室1内的气压波动或镀膜室1内的气体被污染。

具体地，进气总管106内可以装载有氮气、氩气、氦气、氧气、氢气或以上单种气体和氧气的混合气体，本发明实施例不对进气总管106装载的气体类型进行限定。

具体地，气体存储器103可以是气瓶、气罐或气体储存库等，本发明实施例不对气体存储器103进行详细的限定。

具体地，气体存储器103与进气总管106之间可以设置开关阀门，通过控制开关阀门来控制气体存储器103内存储气体的量。

在一种可选的实施方式中，如图1和图2所示，第一进气机构10还包括第二进气管104和气体流量控制器105，第二进气管104的一端与第二缓冲室7连通，第二进气管104的另一端与进气总管106连通，气体流量控制器105设置在第二进气管104上。在第二缓冲室7上设置第二进气管104和气体流量控制器105，通过气体流量控制第二进气管104内的气体精准的进入至第二缓冲室7内，实现对第二缓冲室7内的气压进行精准调控，进一步保证第二缓冲室7内的气压与镀膜室1内的气压相同。

例如，在对第二缓冲室7进行气压调节时，可以先控制第一进气管101将大量气体快速充入第二缓冲室7内，使第二缓冲室7内的气压与镀膜室1内的气压接近，然后关闭第一进气管101，通过第二进气管104向第二缓冲室7内精准注入一定量的气体，使第二缓冲室7的气压与镀膜室1的气压相同。

在一种可选的实施方式中，如图1和图2所示，第二抽气机构9包括第一抽气管901、快抽阀门902和第一驱动泵903，第一驱动泵903经第一抽气管901与第二缓冲室7连通，快抽阀门902设置在第一抽气管901上，快抽阀门902用于控制第一抽气管901通道的开启与关闭。在快抽阀门902开启的状态下，通过第一驱动泵903对第一抽气管901进行抽气，能够快速将第二缓冲室7内的气体抽出，使得第二缓冲室7内的气压迅速到达指定范围，进一步提高对第二缓冲室7内气体调节的效率。同时能够将第二缓冲室7内的杂质气体快速排出。

在一种可选的实施方式中，如图1和图2所示，第二抽气机构9还包括第二抽气管904和慢抽阀门905，第二抽气管904与第一驱动泵903连接，第二抽气管904与第二缓冲室7连通，慢抽阀门905设置在第二抽气管904上，慢抽阀门905用于控制第二抽气管904通道的开启与关闭。在慢抽阀门905开启的状态下，通过第一驱动泵903对第二抽气管904进行抽气，能够缓慢的将第二缓冲室7内的气体抽出，使得第二缓冲室7内的气压精准的到达指定范围，进一步提高对第二缓冲室7内气体调节的效率。

例如，在对第二缓冲室7的气压进行抽气调整时，可以先开启快抽阀门902，通过第一驱动泵903对第一抽气管901进行抽气，快速将第二缓冲室7内的气体抽出，使第二缓冲室7内的气压迅速到达指定范围附近，然后关闭快抽阀门902开启慢抽阀门905，再通过第一驱动泵903对第二抽气管904进行抽气，缓慢的将第二缓冲室7内的气体抽出，调整至第二缓冲室7内的气压与镀膜室1的气压相同。

示例性的，与快抽阀门902连接的第一抽气管901的管道直径可以设置为100mm，与慢抽阀门905连接的第二抽气管904的管道直径可以设置为25mm，通过开启第一抽气管901实现快速抽气，开启第二抽气管904实现缓慢抽气。

在一种可选的实施方式中，如图1和图3所示，第一抽气机构6包括第二驱动泵601、第三抽气管602和第二控制阀603，第二驱动泵601与第三抽气管602连接，第三抽气管602与第一缓冲室2连通，第二控制阀603设置在第三抽气管602上，第二控制阀603用于控制第三抽气通道的开启与关闭。在第二控制阀603开启的状态下，通过第二驱动泵601对第三抽气管602进行抽气，使第一缓冲室2内的气体被抽出，让第一缓冲室2内的气压处于中等真空范围，在第一缓冲室2内的基板5传动至第二缓冲室7过程中，避免第一缓冲室2内过多的杂质气体进入至第二缓冲室7。

在一种可选的实施方式中，如图1和图3所示，第一缓冲室2上还设有第二进气机构11，第二进气机构11用于向第一缓冲室2内充入气体。在第一缓冲室2内的气体被抽出的情况下，若要开启第一阀门3，使外界基板5传动第一缓冲室2内，由于外界气压与第一缓冲室2内的气压存在压差，第一阀门3受外界压力作用不易于开启，通过第二进气机构11向第一缓冲室2内充入空气，使第一缓冲室2内的气压与外界气压相同，以便于第一阀门3的开启。

在一种可选的实施方式中，如图1和图3所示，第二进气机构11包括第三进气管111和第三控制阀112，第三进气管111的一端与第一缓冲室2连通，另一端与外界连通，第三控制阀112设于第三进气管111上，用于控制第三进气管111通道的开启与关闭。通过控制第三控制阀112的开启，使外界气体通过第三进气管111进入第一缓冲室2内，以便于第一阀门3开启，结构简单，便于操作。

具体地，如图1和图3所示，第二进气机构11还包括第四进气管113和第四控制阀114，第四进气管113与第一缓冲室2连通，第四控制阀114设于第四进气管113上。第四控制阀114的流量小于第三控制阀112流量。若需要对第一缓冲室2进行充气时，先通过控制第三控制阀112的开启，使外界一定量的气体从第三进气管111快速进入第一缓冲室2内，第一缓冲室2内的气压小于外界气压，然后关闭第三控制阀112，开启第四控制阀114，使外界气体缓慢进入至第一缓冲室2，直至第一缓冲室2内的气压与外界相同，防止第三进气管111快速注入过多的气体导致第一缓冲室2膨胀损坏。

在一种可选的实施方式中，如图1所示，第一缓冲室2、第二缓冲室7与镀膜室1上分别设有真空计12，通过在第一缓冲室2、第二缓冲室7与镀膜室1上分别设置真空计12，以便于精准控制第一缓冲室2、第二缓冲室7和镀膜室1内部的气压环境。

本发明实施例中用于基板镀膜的传动装置的工作原理描述如下：

1）基板5在大气状态下传动至第一缓冲室2：

在基板5传动第一缓冲室2之前，通过控制第三控制阀112的开启，使外界一定量的气体从第三进气管111快速传动第一缓冲室2内，此时第一缓冲室2内的气压小于外界气压，然后关闭第三控制阀112，开启第四控制阀114，使外界气体缓慢传动至第一缓冲室2，直至第一缓冲室2内的气压与外界大气的气压相同，然后开启第一阀门3。基板5传动至第一缓冲室2内部，然后关闭第一阀门3。

2）基板5在第一缓冲室2内，第一抽气机构6对第一缓冲室2进行抽气：

基板5在第一缓冲室2内，通过第二驱动泵601对第三抽气管602进行抽气，使第一缓冲室2内的气体被抽出，让第一缓冲室2内的气压处于100-1000mtorr（粗真空区）。

3）基板5从第一缓冲室2传动第二缓冲室7之前，第二缓冲室7的状态：

在基板5从第一缓冲室2传动第二缓冲室7之前，开启快抽阀门902，通过第一驱动泵903对第一抽气管901进行抽气，快速将第二缓冲室7内的气体抽出，使第二缓冲室7内的气压迅速到达5-50mtorr，然后关闭快抽阀门902。

4）基板5从第一缓冲室2传动至第二缓冲室7：

开启第二阀门4，基板5从第一缓冲室2传动第二缓冲室7，在基板5传动至第二缓冲室7后，关闭第二阀门4。

5）基板5在第二缓冲室7内，对第二缓冲室7进行抽真空：

第二阀门4和第三阀门8均处于关闭状态，先开启快抽阀门902，通过第一驱动泵903对第一抽气管901进行抽气，快速将第二缓冲室7内的气体抽出，使第二缓冲室7内的气压迅速到达5-50mtorr，此时，第二缓冲室7内的气压值比镀膜室1内的气压值低，且第二缓冲室7内的杂气被抽出，随后控制第一控制阀102将气体存储器103内的气体快速充入第二缓冲室7内，使第二缓冲室7内的气压与镀膜室1内的气压接近，然后关闭第一进气管101，通过第二进气管104向第二缓冲室7内精准注入一定量的气体，同时通过第一驱动泵903对第二抽气管904进行抽气，缓慢的将第二缓冲室7内的气体抽出，即采用慢抽气和精准进气的方式来调整第二缓冲室7内部的气压，调整至第二缓冲室7内的气压与镀膜室1的气压相同。

6）基板5从第二缓冲室7传动至镀膜室1：

当第二缓冲室7内的气压与镀膜室1的气压相同时，开启第三阀门8，基板5从第二缓冲室7传动镀膜室1，镀膜室1内的气压保持稳定状态，关闭第三阀门8，镀膜室1内部对基板5进行加工，完成基板5成膜。

第二缓冲室7的第二进气管104关闭、第二抽气管904关闭，第一抽气管901开启，再次快速将第二缓冲室7内的气体抽出，使第二缓冲室7内的气压迅速到达5-50mtorr，以便于第一缓冲室2内的基板5传动至第二缓冲室7，开启下一基板5加工。

根据本发明的实施例，另一方面，如图1至图3所示，还提供了一种镀膜传动系统，包括传动辊13和用于基板镀膜的传动装置。

具体地，第一缓冲室2、第二缓冲室7与镀膜室1内分别设有多个传动辊13，基板5适于由传动辊13驱动传动。

此镀膜传动系统，通过传动辊13将基板5依次传动至第一缓冲室2、第二缓冲室7与镀膜室1内，实现自动化驱动基板5传动。通过对第二缓冲室7进行气压控制，使得第二缓冲室7的气压与镀膜室1的气压保持一致，从而在第三阀门8开启时，基板5从第二缓冲室7传动至镀膜室1，镀膜室1内的气压能够保持稳定状态，减少镀膜室1内的气压波动，保证基板5成膜厚度的均匀性和成膜质量。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (8)

1.一种用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，包括：

镀膜室（1）；

第一缓冲室（2），进口处设有第一阀门（3），所述第一阀门（3）用于与外界连通，适于基板（5）进入所述第一缓冲室（2）内；所述第一缓冲室（2）上设有第一抽气机构（6），用于抽出所述第一缓冲室（2）内的气体；

第二缓冲室（7），与所述第一缓冲室（2）之间设有第二阀门（4），适于基板（5）从所述第一缓冲室（2）传动至所述第二缓冲室（7），所述第二缓冲室（7）与所述镀膜室（1）之间设有第三阀门（8），所述第二缓冲室（7）经所述第三阀门（8）与所述镀膜室（1）连通；所述第二缓冲室（7）上设有第二抽气机构（9）和第一进气机构（10），所述第二抽气机构（9）用于抽出所述第二缓冲室（7）内的气体，所述第一进气机构（10）用于向所述第二缓冲室（7）内充入气体；所述第一进气机构（10）包括进气总管（106）、第一进气管（101）、第一控制阀（102）和气体存储器（103），所述第一进气管（101）的一端与所述进气总管（106）连通，另一端与所述第二缓冲室（7）连通，所述气体存储器（103）设于所述第一进气管（101）上，所述气体存储器（103）用于存储所述进气总管（106）内的气体，所述第一控制阀（102）设于所述第一进气管（101）上，用于控制所述气体存储器（103）内的气体经所述第一进气管（101）通道进入所述第二缓冲室（7）；

经所述第二抽气机构（9）和所述第一进气机构（10）同时调节所述第二缓冲室（7）内的气压，在所述第二缓冲室（7）与所述镀膜室（1）的气压处于相同的状态下，所述第二阀门（4）处于关闭状态且所述第三阀门（8）处于开启状态，适于基板（5）从所述第二缓冲室（7）传动至所述镀膜室（1）；

所述第一进气机构（10）还包括第二进气管（104）和气体流量控制器（105），所述第二进气管（104）的一端与所述第二缓冲室（7）连通，另一端与所述进气总管（106）连通，所述气体流量控制器（105）设于所述第二进气管（104）上。

2.根据权利要求1所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第二抽气机构（9）包括第一抽气管（901）、快抽阀门（902）和第一驱动泵（903），所述第一驱动泵（903）经所述第一抽气管（901）与所述第二缓冲室（7）连通，所述快抽阀门（902）设于所述第一抽气管（901）上，用于控制所述第一抽气管（901）通道的开启与关闭。

3.根据权利要求2所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第二抽气机构（9）还包括第二抽气管（904）和慢抽阀门（905），所述第二抽气管（904）与所述第一驱动泵（903）和所述第二缓冲室（7）连通，所述慢抽阀门（905）设于所述第二抽气管（904）上，用于控制所述第二抽气管（904）通道的开启与关闭。

4.根据权利要求3所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第一抽气机构（6）包括第二驱动泵（601）、第三抽气管（602）和第二控制阀（603），所述第二驱动泵（601）与所述第三抽气管（602）连接，所述第三抽气管（602）与所述第一缓冲室（2）连通，所述第二控制阀（603）设于所述第三抽气管（602）上，用于控制所述第三抽气管（602）通道的开启与关闭。

5.根据权利要求4所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第一缓冲室（2）上还设有第二进气机构（11），所述第二进气机构（11）用于向所述第一缓冲室（2）内充入气体。

6.根据权利要求5所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第二进气机构（11）包括第三进气管（111）和第三控制阀（112），所述第三进气管（111）的一端与所述第一缓冲室（2）连通，另一端与外界连通，所述第三控制阀（112）设于所述第三进气管（111）上，用于控制所述第三进气管（111）通道的开启与关闭。

7.根据权利要求6所述的用于基板镀膜的传动装置，其特征在于，所述第一缓冲室（2）、所述第二缓冲室（7）与所述镀膜室（1）上分别设有真空计（12）。

8.一种镀膜传动系统，其特征在于，包括：

传动辊（13）；

权利要求1至7中任一项所述的用于基板镀膜的传动装置，所述第一缓冲室（2）、所述第二缓冲室（7）与所述镀膜室（1）内分别设有多个所述传动辊（13），基板（5）适于由所述传动辊（13）驱动传动。