CN113604790A - 真空镀膜设备及方法 - Google Patents

真空镀膜设备及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113604790A
CN113604790A CN202110896164.7A CN202110896164A CN113604790A CN 113604790 A CN113604790 A CN 113604790A CN 202110896164 A CN202110896164 A CN 202110896164A CN 113604790 A CN113604790 A CN 113604790A
Authority
CN
China
Prior art keywords
air
buffer
switch valve
vacuum
buffer chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110896164.7A
Other languages
English (en)
Inventor
刘清存
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Original Assignee
Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Interface Technology Chengdu Co Ltd
Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd
General Interface Solution Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd, Interface Technology Chengdu Co Ltd, Yecheng Optoelectronics Wuxi Co Ltd, General Interface Solution Ltd filed Critical Interface Optoelectronics Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202110896164.7A priority Critical patent/CN113604790A/zh
Publication of CN113604790A publication Critical patent/CN113604790A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber

Abstract

本发明涉及一种真空镀膜设备及方法,真空镀膜设备包括缓冲室、抽气装置以及缓冲桶,缓冲室被配置为用以供待镀膜产品在镀膜前进行缓冲处理,缓冲室设有抽气通道,抽气通道上设有第一开关阀;抽气装置设于抽气通道的末端,以将缓冲室抽真空;缓冲桶设有进气通道和出气通道,进气通道远离缓冲桶的一端密封连接于第一开关阀与缓冲室之间,出气通道远离缓冲桶的一端密封连接于第一开关阀与抽气装置之间,且进气通道设有第二开关阀,出气通道设有第三开关阀。该真空镀膜设备能够解决目前减少生产节拍时间的方式会导致设备购置成本增加以及设备运行能耗增加的问题。

Description

真空镀膜设备及方法
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域,特别是涉及真空镀膜设备及方法。
背景技术
在显示屏镀制面板、盖板、太阳能面板等面板的生产产业中,需要用到真空镀膜装置,在真空镀膜的过程中,待镀膜产品进入镀膜室进行镀膜前,需要先送入缓冲室、过渡室等进行真空预处理或缓冲处理。而其中与产能有关的瓶颈之一是抽气时间问题,在此背景之下,目前市场上使用的真空镀膜装置,出于增产的目的,最为直接的设计是增加抽气泵的数量,以减少抽气时间,通过这种方法提高抽气速率,加快生产节奏,减少生产节拍时间。但增加抽气泵数量的方式会直接导致设备购置成本增加以及设备运行能耗增加。
发明内容
基于此,有必要针对目前减少生产节拍时间的方式会导致设备购置成本增加以及设备运行能耗增加的问题,提供一种真空镀膜设备及方法。
一种真空镀膜设备,包括:缓冲室,所述缓冲室被配置为用以供待镀膜产品在镀膜前进行大气至真空状态的缓冲处理,所述缓冲室设有抽气通道,所述抽气通道上设有第一开关阀;抽气装置,设于所述抽气通道的末端,以将所述缓冲室抽真空;以及缓冲桶,设有进气通道和出气通道,所述进气通道远离所述缓冲桶的一端密封连接于所述第一开关阀与所述缓冲室之间,所述出气通道远离所述缓冲桶的一端密封连接于所述第一开关阀与所述抽气装置之间,且所述进气通道设有第二开关阀,所述出气通道设有第三开关阀。
在本发明一实施例中,所述抽气装置包括低真空抽气泵组。
在本发明一实施例中,所述低真空抽气泵组包括沿所述抽气通道的延伸方向依次设置的鲁式泵和螺杆泵。
在本发明一实施例中,所述鲁式泵和所述螺杆泵被配置为同时开启。
在本发明一实施例中,所述低真空抽气泵组包括鲁式泵、油泵、螺杆泵、水环泵、流体喷射泵中的至少一种。
在本发明一实施例中,所述抽气通道被构造为一端连接于所述缓冲室,另一端连接于所述抽气装置的抽气管;和/或所述进气通道被构造为一端连接于所述缓冲桶,另一端连接于所述抽气通道的进气管;和/或所述出气通道被构造为一端连接于所述缓冲桶,另一端连接于所述抽气通道的出气管。
在本发明一实施例中,所述真空镀膜设备还包括设于所述抽气通道上的真空计。
在本发明一实施例中,所述缓冲室与所述第一开关阀之间、所述抽气装置与所述第一开关阀之间以及所述缓冲桶各设有所述真空计。
一种真空镀膜方法,包括以下步骤:
提供一如前述的真空镀膜设备;
将待镀膜产品输送至所述真空镀膜设备的所述缓冲室;
开启所述抽气装置,使所述抽气装置处于常开状态;
打开所述第三开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲桶内的空气抽出;
关闭所述第三开关阀;
打开所述第一开关阀和所述第二开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲室内的空气部分抽出,另一部分吸入至所述缓冲桶内储存;
分别关闭所述第一开关阀和所述第二开关阀;
打开所述第三开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲桶内暂存的空气抽出。
在本发明一实施例中,所述抽气装置还包括过渡室,所述过渡室被配置为用以承接在所述缓冲室缓冲处理后的待镀膜产品;
所述关闭所述第一开关阀和所述第二开关阀之后还包括:
将前次缓冲处理后的待镀膜产品自所述缓冲室输送至所述过渡室;
将所述缓冲室破真空;
将下一批次待镀膜产品输送至所述缓冲室,并进行下一批次待镀膜产品从大气至真空状态的缓冲处理。
上述真空镀膜设备,包括缓冲室、抽气装置以及缓冲桶,其中,缓冲室被配置为用以供待镀膜产品在镀膜前进行从大气至真空状态缓冲处理,且缓冲室设有抽气通道,抽气通道设有第一开关阀,抽气装置设于抽气通道的末端,通过打开第一开关阀打开即可利用抽气装置将缓冲室内的空气经由抽气通道抽出。
基于此,设置缓冲桶,其中,缓冲桶的进气通道远离缓冲桶的一端密封连接于第一开关阀与缓冲室之间,缓冲桶的出气通道远离缓冲桶的一端密封连接于第一开关阀与抽气装置之间,且进气通道设有第二开关阀,出气通道设有第三开关阀,通过在第一开关阀打开而将缓冲室内的空气抽出缓冲室的过程中,同时打开第二开关阀,利用缓冲桶暂时储存一部分从缓冲室中吸出的空气,在缓冲室暂时储存一部分从缓冲室中吸出的空气之后关闭第二开关阀,并在缓冲室内真空度达到预设值时关闭第一开关阀,此时抽气装置空置运转,打开第三开关阀,利用抽气装置将缓冲桶中的空气抽出,此方法增加了抽气装置的利用率,从而在不增加抽气装置的前提下,减少缓冲室抽真空所需的时间,加快了生产节奏,避免增加设备购置成本以及增加设备运行能耗。
附图说明
图1为相关技术中真空镀膜装置的结构示意图;
图2为相关技术中真空镀膜装置的另一种结构示意图;
图3为本发明真空镀膜装置一实施例的结构示意图;
图4为本发明真空镀膜方法一实施例的流程框图;
图5为相关技术中采用抽气装置直接抽气以及本发明中设置缓冲桶辅助抽气的时间-抽气压力曲线图。
附图标号说明:
100: 缓冲室 310: 进气通道
110: 抽气通道 311: 第二开关阀
111: 第一开关阀 320: 出气通道
112: 真空计 321: 第三开关阀
200: 抽气装置 400: 过渡室
210: 鲁式泵 500: 镀膜室
220: 螺杆泵 200’: 抽气泵
300: 缓冲桶
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
在显示屏镀制面板、盖板、太阳能板等生产产业中,需要利用真空镀膜装置在这些基板的表面镀膜。参阅图1和图2,在利用真空镀膜装置进行真空镀膜的过程中,待镀膜产品进入镀膜室镀膜之前,需要先送入缓冲室100、过渡室400等进行预处理或缓冲处理。其中,缓冲室100、过渡室400均需要进行不同程度的抽真空,而抽真空的速度对生产节拍时间的影响至关重要。为提高抽真空的速度以达到增产的目的,目前市场上使用的真空镀膜装置,通常采用的方法是增加抽气泵200’的数量,以减少抽气时间,例如,设置两组或者更多组抽气泵200’同时对缓冲室100进行抽气,通过这种方法提高抽气速率,加快生产节奏,减少生产节拍时间。但增加抽气泵200’数量的方式会直接导致设备购置成本增加以及设备运行能耗增加。基于此,有必要提供一种真空镀膜装置,以在不增加设备购置成本以及不增加设备运行能耗的前提下,提高抽气速率。
参阅图3,图3示出了本发明真空镀膜装置一实施例的结构示意图,本发明一实施例提供了的真空镀膜设备,包括缓冲室100、抽气装置200以及缓冲桶300。其中,缓冲室100被配置为用以供待镀膜产品在镀膜前进行缓冲处理,即待镀膜产品进入镀膜室500进行真空镀膜之前,先输送至缓冲室100内进行缓冲处理;且缓冲室100设有抽气通道110,抽气通道110上设有第一开关阀111,抽气装置200设于抽气通道110的末端,通过打开第一开关阀111打开即可利用抽气装置200将缓冲室100内的空气经由抽气通道110抽出。
基于此,设置缓冲桶300,其中,缓冲桶300的进气通道310远离缓冲桶300的一端密封连接于第一开关阀111与缓冲室100之间,缓冲桶300的出气通道320远离缓冲桶300的一端密封连接于第一开关阀111与抽气装置200之间,且进气通道310设有第二开关阀311,出气通道320设有第三开关阀321,通过在第一开关阀111打开而将缓冲室100内的空气抽出缓冲室100的过程中,打开第二开关阀311,利用缓冲桶300临时储存一部分从缓冲室100中抽出的空气,并在缓冲室100内真空度达到预设值时关闭第一开关阀111和第二开关阀311,此时抽气装置200空置运转,打开第三开关阀321,利用抽气装置200将缓冲桶300中的空气抽出,从而在不增加抽气装置200的前提下,减少缓冲室100抽真空所需的时间,避免增加设备购置成本增加以及增加设备运行能耗。
在一些实施例中,抽气装置200包括低真空抽气泵组,通过低真空抽气泵组对缓冲室100进行抽真空,将缓冲室100内的空气抽出至缓冲室100内的真空度达到预设值,例如,在一具体实施例中,设定真空预设值为0.05torr(1torr=133.3223684Pa),通过低真空抽气泵组对缓冲室100进行抽真空,将缓冲室100内的空气抽出至缓冲室100内的压强小于或等于0.05torr,实现在待镀膜产品进入镀膜室500进行真空镀膜之前对待镀膜产品进行缓冲处理。
在一些实施例中,抽气装置200处于常开状态,从而将抽气速率最大化。
在一些实施例中,低真空抽气泵组包括沿抽气通道110的延伸方向依次设置的鲁式泵210和螺杆泵220。通过鲁式泵210与螺杆泵220组合对缓冲室100进行抽真空,提高抽真空的效率。
在一些实施例中,低真空抽气泵组包括鲁式泵210、油泵、螺杆泵220、水环泵、流体喷射泵中的至少一种。在具体应用时,根据实际情况选择将鲁式泵210、油泵、螺杆泵220、水环泵、流体喷射泵中的一种单独或者将多种搭配使用,使得可供选择的低真空泵的类型及其组合范围较大,并依各自需求增加低真空泵组合的弹性。
在一些实施例中,鲁式泵210和螺杆泵220被配置为同时开启。将鲁式泵210与螺杆泵220配置为同时开启,使得抽真空的速率最大化。
在一些实施例中,抽气通道110被构造为一端连接于缓冲室100,另一端连接于抽气装置200的抽气管。在缓冲室100与抽气装置200之间连接抽气管作为抽气通道110,从而可以根据真空镀膜设备内的空间选择抽气管的长度及排布位置。
在一些实施例中,进气通道310被构造为一端连接于缓冲桶300,另一端连接于抽气通道110的进气管。在缓冲桶300与抽气通道110之间连接进气管作为进气通道310,从而可以根据真空镀膜设备内的空间选择进气管的长度及排布位置。
在一些实施例中,出气通道320被构造为一端连接于缓冲桶300,另一端连接于抽气通道110的出气管。在缓冲桶300与出气管之间连接进气管作为出气通道320,从而可以根据真空镀膜设备内的空间选择出气管的长度及排布位置。
在上述实施例中,抽气管、进气管、出气管材质相同或者相异,在此不作具体限定。
在上述实施例中,真空镀膜设备还包括设于抽气通道110上的真空计112。通过在真空镀膜设备的抽气通道110上设置真空计112,便于及时了解抽真空的程度,在抽真空的程度达到需求设定点时能够及时关闭第一开关阀111,使缓冲室100停止抽气,从而提高抽真空的效率。
在一些实施例中,缓冲室100与第一开关阀111之间、抽气装置200与第一开关阀111之间以及缓冲桶300各设有真空计112。在缓冲室100与第一开关阀111之间设置真空计112,能够对缓冲室100的真空度进行测量,同时又在抽气装置200与第一开关阀111之间设置真空计112,能够对抽气通道110的真空度进行测量,结合抽气通道110上不同位置以及缓冲桶300的真空度判断抽气程度是否达到设定需求,以及监控是否有真空泄露情况。
在一具体实施例中,真空镀膜设备包括缓冲室100、过渡室400以及镀膜室500,且缓冲室100、过渡室400以及镀膜室500顺次排布,以便于待镀膜产品在缓冲室100、过渡室400以及镀膜室500之间输送。缓冲室100与过渡室400之间以及过渡室400与镀膜室500之间通过门阀实现相互连通和相互隔开,在相邻两个腔室之间输送待镀膜产品时,将门阀打开,输送完成时,能够及时将门阀关闭,使得待镀膜产品,在相邻两个腔室之间的输送效率高。
基于通过增加抽气泵数量来提高抽气效率的方式会导致设备购置成本增加以及设备运行能耗增加的问题,本发明还提供一种真空镀膜方法,以在不增加设备购置成本以及不增加设备运行能耗的前提下,提高抽气速率。
参阅图3和图4,在本发明一实施例中,该真空镀膜方法包括以下步骤:
步骤S1、提供一如前述的真空镀膜设备;其中,真空镀膜设备的抽气装置200处于常开状态;
步骤S2、将待镀膜产品输送至真空镀膜设备的缓冲室100;其中,第三开关阀321处于关闭状态;
步骤S3、打开第一开关阀111和第二开关阀311,以使抽气装置将缓冲室100内的空气一部分先经由抽气装置200抽出,另一部分吸入至缓冲桶300内;
步骤S4、关闭第一开关阀111和第二开关阀311,第二开关阀311和第一开关阀111分别于开启后三秒以及抽气至真空设定点后关闭;
步骤S5、待镀膜产品自缓冲室100输送至过渡室400;打开第三开关阀321,抽气装置200继续对缓冲桶300内暂存的气体进行抽气;
步骤S6、缓冲室100内的产品清空后开始破真空;
步骤S7、重复上述步骤S2至步骤S6。
上述真空镀膜方法,在抽气装置将缓冲桶内的空气抽出后,关闭第三开关阀,并同时或非同时打开第一开关阀和第二开关阀,利用抽气装置将缓冲室内的空气抽出,由于缓冲室内的空气被抽出的同时,有一部分空气进入缓冲桶中,利用缓冲桶暂时储存一部分从缓冲室中吸出的空气,此法减少了抽气装置抽除缓冲室内气体的负担,使得缓冲室达到预设真空值所需的时间减少,而由缓冲室进入缓冲桶中暂存的空气则可以于第一开关阀和第二开关阀关闭后,继续通过抽气装置被抽出,此法增加了抽气装置的利用率,从而在不增加抽气装置的前提下,减少了缓冲室抽真空所需的时间,提高抽真空效率,同时避免增加设备购置成本以及增加设备运行能耗。
在一些实施例中,抽气装置还包括过渡室,过渡室被配置为用以承接在缓冲室缓冲处理后的待镀膜产品;
上述实施例中,在利用抽气装置将缓冲室内的空气抽出并关闭第一开关阀和第二开关阀之后,将已经在抽真空之后的缓冲室内缓冲处理过的待镀膜产品输送至过渡室,此时,缓冲室被空出,将缓冲室破真空,然后将下一批次的待镀膜产品输送至缓冲室,进行下一批次待镀膜产品的缓冲处理,从而实现不同批次的待镀膜产品的连续处理循环,进而在提高单批次待镀膜产品的处理效率的同时,提高整体效率。
在一具体实施例中,在多个批次的待镀膜产品依次进入缓冲室进行缓冲处理的过程中,将单一批次待镀膜产品输送至缓冲室花费时间为12秒,并且,在将该批次待镀膜产品输送至真空镀膜设备的12秒结束前3秒,即关闭第三开关阀完成缓冲桶内的空气抽出的步骤,避免缓冲桶内抽真空额外耗费时间。
在将待镀膜产品输送至真空镀膜设备后,开启第一开关阀和第二开关阀,开启第一开关阀和第二开关阀花费时间为1秒,保持第一开关阀开启状态17秒对缓冲室进行抽气,缓冲室抽气至真空设定点然后关闭第一开关阀,关闭第一开关阀花费时间为1秒,在第一开关阀开启的17秒内,保持第二开关阀开启状态3秒后关闭第二开关阀,将部分缓冲室的待抽除气体暂时储存在缓冲桶内。其中,在将缓冲室内抽气至设定值后,开启第三开关阀,利用抽气装置将缓冲桶内的空气抽出,从而为下一批次的待镀膜产品进入缓冲室进行缓冲处理做准备。
在保持第一开关阀开启状态17秒并关闭第一开关阀后,将该待镀膜产品输送至缓冲室外,花费时间为12秒。
在将该待镀膜产品输送至缓冲室外后,将缓冲室破真空放气,花费时间为15秒。
在该实施例中,完成一个批次的待镀膜产品的缓冲处理所需花费的总时间为58秒,满足在60秒内生产运作节拍的时间需求。
参阅图5,图5示出了相关技术中采用抽气装置直接抽气以及本发明中设置缓冲桶辅助抽气的时间-抽气压力曲线图,在图5所示出的时间-抽气压力曲线图中,位于中间的连续的曲线是相关技术中采用抽气装置直接抽气所测得的时间-抽气压力曲线,而位于该连续的曲线两侧的两段曲线则是本发明中设置缓冲桶辅助抽气所测得的时间-抽气压力曲线。根据上述时间-抽气压力曲线图,在设置缓冲桶辅助抽气的情况下,在第17s抽真空达到预设值,而在未设置缓冲桶的情况下,在第27s抽真空达到预设值,由此可见,设置缓冲桶后能够使抽真空达到预设值的时间提前10s,使得缓冲桶内的待镀膜产品能够提前10s自缓冲室进入后续的腔室内进行后续过程,达到缩短生产节拍时间的目的。
在一具体实施例中,待镀膜产品输送至缓冲室进行缓冲处理的各个动作时序及各个动作花费的时间如下表1。
表1:
Figure BDA0003197957500000111
Figure BDA0003197957500000121
进一步地,提供一组未设置缓冲桶的情况下,待镀膜产品输送至缓冲室进行缓冲处理的各个动作时序及各个动作花费的时间,作为对比例,具体如下表2。
表2:
Figure BDA0003197957500000122
结合表1和表2的数据,该实施例设置了缓冲桶与对比例中未设置缓冲桶相对比,设置了缓冲桶的情况下,生产节拍时间减少了10s。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种真空镀膜设备,其特征在于,包括:
缓冲室,所述缓冲室被配置为用以供待镀膜产品在镀膜前进行大气至真空状态的缓冲处理,所述缓冲室设有抽气通道,所述抽气通道上设有第一开关阀;
抽气装置,设于所述抽气通道的末端,以将所述缓冲室抽真空;以及
缓冲桶,设有进气通道和出气通道,所述进气通道远离所述缓冲桶的一端密封连接于所述第一开关阀与所述缓冲室之间,所述出气通道远离所述缓冲桶的一端密封连接于所述第一开关阀与所述抽气装置之间,且所述进气通道设有第二开关阀,所述出气通道设有第三开关阀。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述抽气装置包括低真空抽气泵组。
3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述低真空抽气泵组包括沿所述抽气通道的延伸方向依次设置的鲁式泵和螺杆泵。
4.根据权利要求3所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述鲁式泵和所述螺杆泵被配置为同时开启。
5.根据权利要求2所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述低真空抽气泵组包括鲁式泵、油泵、螺杆泵、水环泵、流体喷射泵中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述抽气通道被构造为一端连接于所述缓冲室,另一端连接于所述抽气装置的抽气管;和/或
所述进气通道被构造为一端连接于所述缓冲桶,另一端连接于所述抽气通道的进气管;和/或
所述出气通道被构造为一端连接于所述缓冲桶,另一端连接于所述抽气通道的出气管。
7.根据权利要求1至6任一项所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述真空镀膜设备还包括设于所述抽气通道上的真空计。
8.根据权利要求7所述的真空镀膜设备,其特征在于,所述缓冲室与所述第一开关阀之间、所述抽气装置与所述第一开关阀之间以及所述缓冲桶各设有所述真空计。
9.一种真空镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一如权利要求1至8任一项所述的真空镀膜设备;
将待镀膜产品输送至所述真空镀膜设备的所述缓冲室;
开启所述抽气装置,使所述抽气装置处于常开状态;
打开所述第三开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲桶内的空气抽出;
关闭所述第三开关阀;
打开所述第一开关阀和所述第二开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲室内的空气部分抽出,另一部分吸入至所述缓冲桶内储存;
分别关闭所述第一开关阀和所述第二开关阀;
打开所述第三开关阀,以使所述抽气装置将所述缓冲桶内暂存的空气抽出。
10.根据权利要求9所述的真空镀膜方法,其特征在于,所述抽气装置还包括过渡室,所述过渡室被配置为用以承接在所述缓冲室缓冲处理后的待镀膜产品;
所述关闭所述第一开关阀和所述第二开关阀之后还包括:
将前次缓冲处理后的待镀膜产品自所述缓冲室输送至所述过渡室;
将所述缓冲室破真空;
将下一批次待镀膜产品输送至所述缓冲室,并进行下一批次待镀膜产品从大气至真空状态的缓冲处理。
CN202110896164.7A 2021-08-05 2021-08-05 真空镀膜设备及方法 Pending CN113604790A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110896164.7A CN113604790A (zh) 2021-08-05 2021-08-05 真空镀膜设备及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110896164.7A CN113604790A (zh) 2021-08-05 2021-08-05 真空镀膜设备及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113604790A true CN113604790A (zh) 2021-11-05

Family

ID=78307059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110896164.7A Pending CN113604790A (zh) 2021-08-05 2021-08-05 真空镀膜设备及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113604790A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114561626A (zh) * 2022-02-18 2022-05-31 华虹半导体(无锡)有限公司 物理气相沉积装置及装置的降压方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07325279A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧処理装置及び方法
CN202369636U (zh) * 2011-08-17 2012-08-08 百力达太阳能股份有限公司 一种pecvd镀膜设备的真空缓冲系统
JP2013159813A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び成膜方法
CN203510890U (zh) * 2013-09-23 2014-04-02 惠州比亚迪实业有限公司 一种层压机
CN107447199A (zh) * 2016-05-24 2017-12-08 冯·阿登纳有限公司 用于分批向内装载和向外卸载基底的真空处理设备及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07325279A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧処理装置及び方法
CN202369636U (zh) * 2011-08-17 2012-08-08 百力达太阳能股份有限公司 一种pecvd镀膜设备的真空缓冲系统
JP2013159813A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置及び成膜方法
CN203510890U (zh) * 2013-09-23 2014-04-02 惠州比亚迪实业有限公司 一种层压机
CN107447199A (zh) * 2016-05-24 2017-12-08 冯·阿登纳有限公司 用于分批向内装载和向外卸载基底的真空处理设备及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114561626A (zh) * 2022-02-18 2022-05-31 华虹半导体(无锡)有限公司 物理气相沉积装置及装置的降压方法
CN114561626B (zh) * 2022-02-18 2024-03-15 华虹半导体(无锡)有限公司 物理气相沉积装置及装置的降压方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040173312A1 (en) Vacuum exhaust apparatus and drive method of vacuum apparatus
KR101148295B1 (ko) 인클로저 배기 방법 및 인클로저 배기 시스템
US6446651B1 (en) Multi-chamber vacuum system and a method of operating the same
CN113604790A (zh) 真空镀膜设备及方法
US9869317B2 (en) Pump
KR101327715B1 (ko) 진공 배기 장치 및 진공 배기 방법, 그리고 기판 처리 장치
CN106282928B (zh) 一种玻璃镀膜生产线
CN101560645B (zh) 大型真空镀膜设备
CN100379894C (zh) 在真空条件下处理物体的多腔室装置、对该装置抽真空的方法及其抽真空系统
JP5822213B2 (ja) 真空ポンプ輸送システム
CN104806535A (zh) 复合径流泵、组合径流泵及抽气系统
CN107841724B (zh) 镀膜机及镀膜方法
CN113774354B (zh) 一种新型气体隔离装置及磁控溅射连续镀膜线及工作方法
CN202226914U (zh) 真空系统
CN217077778U (zh) 卷对卷镀膜系统用的抽真空机组
CN109786297B (zh) 晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备
US20200109470A1 (en) Vacuum evacuation system
CN201763565U (zh) 真空泵系统
CN112095088B (zh) 一种快速切换镀膜工艺气体的方法及设备
CN217149308U (zh) 一种环型真空腔体pvd镀膜设备
TWM375081U (en) Continuous type vacuum sputtering apparatus
CN110332097A (zh) 一种真空玻璃抽气方法及抽气装置
CN106971963A (zh) 干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法
CN212426174U (zh) 一种溅射镀膜抽真空系统
CN207278513U (zh) 一种应用于人造大理石辅助生产的自动化真空系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20211105