JP2000262841A - トラップ装置及び半導体製造装置 - Google Patents
トラップ装置及び半導体製造装置Info
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- JP2000262841A JP2000262841A JP11074072A JP7407299A JP2000262841A JP 2000262841 A JP2000262841 A JP 2000262841A JP 11074072 A JP11074072 A JP 11074072A JP 7407299 A JP7407299 A JP 7407299A JP 2000262841 A JP2000262841 A JP 2000262841A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストレート型でありながら、排気配管を取り
外すことなく、トラップ装置に付着した反応副生成物除
去のためのメンテナンスができるようにする。 【解決手段】 略方形状のトラップ装置１０の一側壁に
開口１４を設ける。その開口１４には、トラップ装置１
０の軸に対して平行ではなく、直角方向に蓋１５を着脱
自在に取り付ける。蓋１５には、排気ガス中の反応副生
成物を付着させる冷却水配管１７と、トラップ装置１０
内にＮ2 ガスをパージするＮ2 ガスパージポート２０を
設ける。
外すことなく、トラップ装置に付着した反応副生成物除
去のためのメンテナンスができるようにする。 【解決手段】 略方形状のトラップ装置１０の一側壁に
開口１４を設ける。その開口１４には、トラップ装置１
０の軸に対して平行ではなく、直角方向に蓋１５を着脱
自在に取り付ける。蓋１５には、排気ガス中の反応副生
成物を付着させる冷却水配管１７と、トラップ装置１０
内にＮ2 ガスをパージするＮ2 ガスパージポート２０を
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトラップ装置及び半
導体製造装置に係り、特に半導体生成時に生じる反応副
生成物を排気系で捕獲するトラップ装置及び該トラップ
装置を備えた半導体製造装置に関するものである。
導体製造装置に係り、特に半導体生成時に生じる反応副
生成物を排気系で捕獲するトラップ装置及び該トラップ
装置を備えた半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４を用いて従来の半導体製造装置の排
気系について説明する。中空のヒータ４１内に反応管４
２が設けられ、反応管４２内には上端が開放された内管
４３が同心に設けられている。内管４３の下端部には反
応性ガス供給管４４が連通され、反応管４２の下端部に
排気配管４５が連通され、排気配管４５の途中にはトラ
ップ装置４６が接続されている。
気系について説明する。中空のヒータ４１内に反応管４
２が設けられ、反応管４２内には上端が開放された内管
４３が同心に設けられている。内管４３の下端部には反
応性ガス供給管４４が連通され、反応管４２の下端部に
排気配管４５が連通され、排気配管４５の途中にはトラ
ップ装置４６が接続されている。
【０００３】内管４３内には多数のウェハＷが装填され
たボート４７が装入されるようになっており、ボート４
７はボートキャップ４８、炉口蓋４９を介して図示しな
いボートエレベータにより昇降されるようになってい
る。
たボート４７が装入されるようになっており、ボート４
７はボートキャップ４８、炉口蓋４９を介して図示しな
いボートエレベータにより昇降されるようになってい
る。
【０００４】ウェハＷへの成膜処理は反応管４２内が真
空ポンプにより真空引きされ、ヒータ４１により所定温
度まで加熱され、反応性ガス供給管４４より反応性ガス
が導入されて行われる。処理中、反応後の不要な排気ガ
スは排気配管４５を介して排気される。
空ポンプにより真空引きされ、ヒータ４１により所定温
度まで加熱され、反応性ガス供給管４４より反応性ガス
が導入されて行われる。処理中、反応後の不要な排気ガ
スは排気配管４５を介して排気される。
【０００５】反応管４２内で行われる処理のうち、特に
反応性ガスとしてＳｉ3 Ｎ4 、ＴＥＯＳ等を用いる場合
には、反応後のガスが排気配管４５内で冷却され、排気
配管４５内に反応副生成物として付着しやすい。反応生
成物が付着すると排気抵抗が大きくなる等の不具合が生
じるため、排気配管４５の周囲にヒータ（図示せず）を
設ける等して排気ガスが冷却されることによる排気配管
４５内への反応副生成物の付着を防止する。さらに排気
配管４５の途中にトラップ装置４６を設け、トラップ装
置４６で反応副生成物を捕獲して、排気ガス中より反応
副生成物を除去し、真空ポンプに反応副生成物が付着す
るのを抑制し、メンテナンス頻度を少なくしている。ま
たトラップ装置４６は適宜メンテナンスすることでトラ
ップ装置４６を通過する際の排気抵抗が大きくなるのを
防止している。
反応性ガスとしてＳｉ3 Ｎ4 、ＴＥＯＳ等を用いる場合
には、反応後のガスが排気配管４５内で冷却され、排気
配管４５内に反応副生成物として付着しやすい。反応生
成物が付着すると排気抵抗が大きくなる等の不具合が生
じるため、排気配管４５の周囲にヒータ（図示せず）を
設ける等して排気ガスが冷却されることによる排気配管
４５内への反応副生成物の付着を防止する。さらに排気
配管４５の途中にトラップ装置４６を設け、トラップ装
置４６で反応副生成物を捕獲して、排気ガス中より反応
副生成物を除去し、真空ポンプに反応副生成物が付着す
るのを抑制し、メンテナンス頻度を少なくしている。ま
たトラップ装置４６は適宜メンテナンスすることでトラ
ップ装置４６を通過する際の排気抵抗が大きくなるのを
防止している。
【０００６】ところで排気ガス中に含まれる反応副生成
物を捕獲するトラップ装置には、大きく分けて図５、図
６に示す２種類がある。
物を捕獲するトラップ装置には、大きく分けて図５、図
６に示す２種類がある。
【０００７】図５に示すトラップ装置は、排気配管に直
状に接続されるストレート型と呼ばれるものである。両
端にフランジ５１を有して排気配管の途中に接続する円
筒部５２を有し、この円筒部５２を水冷ジャケット５３
内に納めて冷却するようになっている。円筒部５２内に
は水冷ジャケット５３と連通する冷却水配管５４が取り
付けられ、成膜後の排気ガスを冷却して排気ガス中に含
まれる反応生成物を冷却水配管５４に付着させるように
なっている。
状に接続されるストレート型と呼ばれるものである。両
端にフランジ５１を有して排気配管の途中に接続する円
筒部５２を有し、この円筒部５２を水冷ジャケット５３
内に納めて冷却するようになっている。円筒部５２内に
は水冷ジャケット５３と連通する冷却水配管５４が取り
付けられ、成膜後の排気ガスを冷却して排気ガス中に含
まれる反応生成物を冷却水配管５４に付着させるように
なっている。
【０００８】図６に示すトラップ装置は、アングル型ま
たはフィルタ型と呼ばれるものである。円筒部６１の側
部に水平排気配管に接続されるフランジを有するガス導
入接続管６２を、上部に垂直排気配管に接続されるフラ
ンジを有するガス排出接続管６３を備えて排気配管にア
ングルをもって接続される。円筒部６１の底部開口に
は、底部開口を塞ぐ底蓋６４と円筒部６１内に充填され
るフィルタ６５とからなるカートリッジ６６が着脱自在
に取り付けられる。フィルタ６５に反応副生成物を付着
させて排気ガス中の反応副生成物を除去し、カートリッ
ジ６６を円筒部６１の軸と平行な方向に取り外してフィ
ルタ６５を交換できるようになっている。
たはフィルタ型と呼ばれるものである。円筒部６１の側
部に水平排気配管に接続されるフランジを有するガス導
入接続管６２を、上部に垂直排気配管に接続されるフラ
ンジを有するガス排出接続管６３を備えて排気配管にア
ングルをもって接続される。円筒部６１の底部開口に
は、底部開口を塞ぐ底蓋６４と円筒部６１内に充填され
るフィルタ６５とからなるカートリッジ６６が着脱自在
に取り付けられる。フィルタ６５に反応副生成物を付着
させて排気ガス中の反応副生成物を除去し、カートリッ
ジ６６を円筒部６１の軸と平行な方向に取り外してフィ
ルタ６５を交換できるようになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５のストレート型で
は、反応副生成物を付着させるための冷却水配管５４が
円筒部５２の内部に固定されているため、冷却水配管５
４の洗浄が困難である。またトラップ装置自体が排気配
管の一部に組み込まれているため、半導体製造装置を完
全に停止し大気圧に戻し、排気配管全体の危険ガスを除
去してからでないと、トラップ装置を取り外して洗浄す
ることができないので、後述するようにメンテナンスに
非常に時間がかかる。
は、反応副生成物を付着させるための冷却水配管５４が
円筒部５２の内部に固定されているため、冷却水配管５
４の洗浄が困難である。またトラップ装置自体が排気配
管の一部に組み込まれているため、半導体製造装置を完
全に停止し大気圧に戻し、排気配管全体の危険ガスを除
去してからでないと、トラップ装置を取り外して洗浄す
ることができないので、後述するようにメンテナンスに
非常に時間がかかる。
【００１０】図６のアングル型のカートリッジ式のもの
は、図５の型のものと異なり、排気配管にトラップ装置
を接続したままの状態で、反応副生成物の付着したカー
トリッジ６６を取り外せるという利点はある。しかし図
７に示す通り、アングル型トラップ装置７４（ｂ）は、
トラップ装置７４を接続した排気配管７５が屈曲してお
り、かつカートリッジを円筒部の底部から円筒部軸方向
に取り出すスペースＡを必要とするため、これらを納め
る排気系ボックス７６の寸法Ｄｂが、ストレート型トラ
ップ装置７１（ａ）の排気系ボックス７３の寸法Ｄａに
比較して大きくなり、半導体製造装置の小形化が困難に
なる。
は、図５の型のものと異なり、排気配管にトラップ装置
を接続したままの状態で、反応副生成物の付着したカー
トリッジ６６を取り外せるという利点はある。しかし図
７に示す通り、アングル型トラップ装置７４（ｂ）は、
トラップ装置７４を接続した排気配管７５が屈曲してお
り、かつカートリッジを円筒部の底部から円筒部軸方向
に取り出すスペースＡを必要とするため、これらを納め
る排気系ボックス７６の寸法Ｄｂが、ストレート型トラ
ップ装置７１（ａ）の排気系ボックス７３の寸法Ｄａに
比較して大きくなり、半導体製造装置の小形化が困難に
なる。
【００１１】つぎにストレート型トラップ装置のメンテ
ナンス工程を説明をする。図８において８１は成膜室、
８２は反応性ガス導入口、８３はＮ2 ガス導入口、８４
は大気圧ベント、８５は仕切弁、８６は逆止弁、８７は
第１開閉弁、８８はストレート型トラップ装置、８９は
第２開閉弁、９０は排気配管である。
ナンス工程を説明をする。図８において８１は成膜室、
８２は反応性ガス導入口、８３はＮ2 ガス導入口、８４
は大気圧ベント、８５は仕切弁、８６は逆止弁、８７は
第１開閉弁、８８はストレート型トラップ装置、８９は
第２開閉弁、９０は排気配管である。
【００１２】（１）反応性ガス導入口８２から成膜室８
１への反応性ガスの導入を止める。
１への反応性ガスの導入を止める。
【００１３】（２）真空ポンプで成膜室８１を含む全て
の排気配管９０内をしばらく真空に引く。
の排気配管９０内をしばらく真空に引く。
【００１４】（３）第２開閉弁８９を閉じ、Ｎ2 ガス導
入口８３からＮ2 ガスパージして成膜室８１からトラッ
プ装置８８までを大気圧にする。
入口８３からＮ2 ガスパージして成膜室８１からトラッ
プ装置８８までを大気圧にする。
【００１５】（４）上記（２）、（３）のステップを繰
り返してトラップ装置８８内から危険ガスを除去してク
リーンにする。
り返してトラップ装置８８内から危険ガスを除去してク
リーンにする。
【００１６】（５）さらに第２開閉弁８９を閉じ、Ｎ2
ガス導入口８３からＮ2 ガスパージして成膜室８１から
トラップ装置８８までを大気圧にする。
ガス導入口８３からＮ2 ガスパージして成膜室８１から
トラップ装置８８までを大気圧にする。
【００１７】（６）第１開閉弁８７を閉じる。
【００１８】（７）トラップ装置８８を排気配管９０か
ら取り外して冷却水配管に付着した反応副生成物を洗浄
する。
ら取り外して冷却水配管に付着した反応副生成物を洗浄
する。
【００１９】上記工程において、ステップ（２）、
（３）の繰り返し動作が排気配管９０に比べて大容積の
成膜室８１を真空から大気圧まで高めなければならない
ため、非常に時間がかかった。
（３）の繰り返し動作が排気配管９０に比べて大容積の
成膜室８１を真空から大気圧まで高めなければならない
ため、非常に時間がかかった。
【００２０】本発明の課題は、ストレート型トラップ装
置を採用しながら、従来未解決であった小形化及び短時
間で容易にメンテナンスを行うという２つの課題を同時
に解消することが可能なトラップ装置及び半導体製造装
置を提供することにある。
置を採用しながら、従来未解決であった小形化及び短時
間で容易にメンテナンスを行うという２つの課題を同時
に解消することが可能なトラップ装置及び半導体製造装
置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、一端
にガス導入口を他端にガス排出口を有して内部に排気ガ
スを流す直状の筒体と、前記筒体内を流れる排ガスの流
れ方向に対して略平行な筒体側面に設けた開口と、前記
開口に着脱自在に取り付けられる蓋と、前記蓋に取り付
けられ前記筒体内を流れる排気ガス中の反応副生成物を
捕獲するトラップ手段とを備えたトラップ装置である。
にガス導入口を他端にガス排出口を有して内部に排気ガ
スを流す直状の筒体と、前記筒体内を流れる排ガスの流
れ方向に対して略平行な筒体側面に設けた開口と、前記
開口に着脱自在に取り付けられる蓋と、前記蓋に取り付
けられ前記筒体内を流れる排気ガス中の反応副生成物を
捕獲するトラップ手段とを備えたトラップ装置である。
【００２２】筒体はガス導入口とガス排出口とが直線状
にあるストレート型であることが、設置面積の上から好
ましい。筒体の一側壁に設けた開口に、これを塞ぐ蓋を
取り外せるように設ける。トラップ手段は、その蓋の内
面に取り付けられたコイル状の冷媒配管を有し、筒体内
を流れる排ガスを冷媒配管と接触させて排ガスを冷却す
る熱交換器で構成することが好ましい。
にあるストレート型であることが、設置面積の上から好
ましい。筒体の一側壁に設けた開口に、これを塞ぐ蓋を
取り外せるように設ける。トラップ手段は、その蓋の内
面に取り付けられたコイル状の冷媒配管を有し、筒体内
を流れる排ガスを冷媒配管と接触させて排ガスを冷却す
る熱交換器で構成することが好ましい。
【００２３】メンテナンス時は、トラップ装置を排気系
に接続したままの状態で、蓋をトラップ手段ごと筒体か
ら取り外す。そしてトラップ手段に付着した反応副生成
物を除去するか、蓋をトラップ手段ごと交換する。
に接続したままの状態で、蓋をトラップ手段ごと筒体か
ら取り外す。そしてトラップ手段に付着した反応副生成
物を除去するか、蓋をトラップ手段ごと交換する。
【００２４】請求項２の発明は、基板に成膜を施す処理
装置の排気系の途中に請求項１に記載のトラップ装置を
接続した半導体製造装置において、前記トラップ装置の
上流側と下流側に開閉弁をそれぞれ設け、これらの開閉
弁の間に不活性ガスを導入するガス導入管を接続した半
導体製造装置である。
装置の排気系の途中に請求項１に記載のトラップ装置を
接続した半導体製造装置において、前記トラップ装置の
上流側と下流側に開閉弁をそれぞれ設け、これらの開閉
弁の間に不活性ガスを導入するガス導入管を接続した半
導体製造装置である。
【００２５】開閉弁はトラップ装置自体に取り付けて
も、あるいはトラップ装置を接続する排気系側に取り付
けてもよい。導入する不活性ガスとしてはＮ2 ガスが一
般的であるがＡｒガスなどでもよい。両開閉弁を閉じる
ことで、トラップ装置を排気系に接続したまま閉鎖系と
して扱えるので、メンテナンス準備作業が容易になる。
も、あるいはトラップ装置を接続する排気系側に取り付
けてもよい。導入する不活性ガスとしてはＮ2 ガスが一
般的であるがＡｒガスなどでもよい。両開閉弁を閉じる
ことで、トラップ装置を排気系に接続したまま閉鎖系と
して扱えるので、メンテナンス準備作業が容易になる。
【００２６】またトラップ装置を大気圧に戻すとき、両
開閉弁を閉じてガス導入管から不活性ガスを導入すれ
ば、処理装置まで不活性ガスで満たす必要がなくなるの
で、トラップ装置内を少ないガス量で大気圧に戻すこと
ができる。
開閉弁を閉じてガス導入管から不活性ガスを導入すれ
ば、処理装置まで不活性ガスで満たす必要がなくなるの
で、トラップ装置内を少ないガス量で大気圧に戻すこと
ができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００２８】図１の概略斜視図に示すように、トラップ
装置１０はストレート型であり、略方形状に形成された
筒体１１を有している。この筒体１１の上部と下部には
排気配管と接続される接続管１２、１３がそれぞれ設け
られる。筒体１１内を流れる排ガスの流れ方向に対して
平行な筒体側面となる筒体１１の一側壁に、開口１４が
形成され、その開口１４は蓋１５により閉塞され、蓋１
５はボルト１６により着脱自在に取り付けられる。蓋１
５の内壁には冷却水が通るコイル状に巻回されたトラッ
プ手段としての冷却水配管１７が取り付けられ、筒体１
１内を流れる排気ガスと接触して排気ガス中の反応副生
成物を冷却水配管１７に付着させて捕獲するようになっ
ている。ストレート型のトラップ装置１０であるため、
配管スペースが小さくできるので、施工も楽で、かつ装
置を小さくできる。
装置１０はストレート型であり、略方形状に形成された
筒体１１を有している。この筒体１１の上部と下部には
排気配管と接続される接続管１２、１３がそれぞれ設け
られる。筒体１１内を流れる排ガスの流れ方向に対して
平行な筒体側面となる筒体１１の一側壁に、開口１４が
形成され、その開口１４は蓋１５により閉塞され、蓋１
５はボルト１６により着脱自在に取り付けられる。蓋１
５の内壁には冷却水が通るコイル状に巻回されたトラッ
プ手段としての冷却水配管１７が取り付けられ、筒体１
１内を流れる排気ガスと接触して排気ガス中の反応副生
成物を冷却水配管１７に付着させて捕獲するようになっ
ている。ストレート型のトラップ装置１０であるため、
配管スペースが小さくできるので、施工も楽で、かつ装
置を小さくできる。
【００２９】上記トラップ装置１０を図２の縦断面図を
用いてより具体的に説明すると、筒体１１の前記開口１
４に対向する背面壁１１ａはジャケット構造１８になっ
ており、背面壁１１ａを冷却水で冷却するようになって
いる。なお、背面壁１１ａと隣り合う両側壁もジャケッ
ト構造としてもよい。筒体１１の上部壁にはガス導入口
２２が形成され、そのガス導入口２２にフランジを有す
る接続管１２が連結されている。また下部壁にはガス排
気口２３が形成され、そのガス排気口２３にフランジを
有する接続管１３が連結されている。筒体１１の開口１
４を塞ぐ蓋１５は、外部より冷却水の導入と排出が可能
なように両端が蓋１５の外側に突出した状態で蓋１５の
内側に取り付けられたコイル状の冷却水配管１７と、筒
体１１内に不活性ガスであるＮ2 ガスを導入するガス導
入管としてのＮ2 ガスパージポート２０とを備える。前
記開口１４には蓋１５がＯリング２１を介してボルト１
６により気密に取り付けられる。
用いてより具体的に説明すると、筒体１１の前記開口１
４に対向する背面壁１１ａはジャケット構造１８になっ
ており、背面壁１１ａを冷却水で冷却するようになって
いる。なお、背面壁１１ａと隣り合う両側壁もジャケッ
ト構造としてもよい。筒体１１の上部壁にはガス導入口
２２が形成され、そのガス導入口２２にフランジを有す
る接続管１２が連結されている。また下部壁にはガス排
気口２３が形成され、そのガス排気口２３にフランジを
有する接続管１３が連結されている。筒体１１の開口１
４を塞ぐ蓋１５は、外部より冷却水の導入と排出が可能
なように両端が蓋１５の外側に突出した状態で蓋１５の
内側に取り付けられたコイル状の冷却水配管１７と、筒
体１１内に不活性ガスであるＮ2 ガスを導入するガス導
入管としてのＮ2 ガスパージポート２０とを備える。前
記開口１４には蓋１５がＯリング２１を介してボルト１
６により気密に取り付けられる。
【００３０】なお上述した説明では、筒体１１の形状を
略方形状としたが、円筒形でも多角形としてもよい。ま
た蓋１５をボルト１６で取り付けるようにしたが、他の
公知の手段で締め付けるようにしてもよい。要は筒体１
１の一部を着脱自在として、その一部に排気ガスを冷却
する熱交換器が一体に取り付けられていればよい。
略方形状としたが、円筒形でも多角形としてもよい。ま
た蓋１５をボルト１６で取り付けるようにしたが、他の
公知の手段で締め付けるようにしてもよい。要は筒体１
１の一部を着脱自在として、その一部に排気ガスを冷却
する熱交換器が一体に取り付けられていればよい。
【００３１】図３に成膜室３１とその排気系を示す。成
膜室３１には、反応性ガスを導入する反応性ガス導入口
３２と、Ｎ2 ガスを導入するＮ2 ガス導入口３３とが設
けられる。また成膜室３１の排気口に排気配管３９が接
続されて、成膜室３１内を真空引き可能としている。こ
の排気配管３９には、上流側より下流側に向けて、仕切
弁１と逆止弁２を設けた第１大気圧ベント３４、第１開
閉弁３５、仕切弁３と逆止弁４を設けた第２大気圧ベン
ト３６、実施形態のトラップ装置１０、第２開閉弁３８
等を順次介設している。
膜室３１には、反応性ガスを導入する反応性ガス導入口
３２と、Ｎ2 ガスを導入するＮ2 ガス導入口３３とが設
けられる。また成膜室３１の排気口に排気配管３９が接
続されて、成膜室３１内を真空引き可能としている。こ
の排気配管３９には、上流側より下流側に向けて、仕切
弁１と逆止弁２を設けた第１大気圧ベント３４、第１開
閉弁３５、仕切弁３と逆止弁４を設けた第２大気圧ベン
ト３６、実施形態のトラップ装置１０、第２開閉弁３８
等を順次介設している。
【００３２】この図３を用いて実施形態のトラップ装置
１０のメンテナンス手順を説明する。 （１）反応性ガス導入口３２から成膜室３１への反応性
ガスの導入を止める。 （２）第１開閉弁３５を閉じる。 （３）第２開閉弁３８を閉じ、Ｎ2 ガスパージポート２
０よりＮ2 ガスパージでトラップ装置１０内を大気圧へ
もっていく。このとき第２大気圧ベント３６の逆止弁４
が有効に作用して大気圧が保持される。 （４）上記ステップ（３）を数回繰り返しトラップ装置
１０内をクリーンにする。 （５）第２開閉弁３８を閉じ、Ｎ2 ガスパージポート２
０よりＮ2 ガスパージでトラップ装置１０内を大気圧に
戻し、冷却水配管１７ごと蓋１５を交換する。
１０のメンテナンス手順を説明する。 （１）反応性ガス導入口３２から成膜室３１への反応性
ガスの導入を止める。 （２）第１開閉弁３５を閉じる。 （３）第２開閉弁３８を閉じ、Ｎ2 ガスパージポート２
０よりＮ2 ガスパージでトラップ装置１０内を大気圧へ
もっていく。このとき第２大気圧ベント３６の逆止弁４
が有効に作用して大気圧が保持される。 （４）上記ステップ（３）を数回繰り返しトラップ装置
１０内をクリーンにする。 （５）第２開閉弁３８を閉じ、Ｎ2 ガスパージポート２
０よりＮ2 ガスパージでトラップ装置１０内を大気圧に
戻し、冷却水配管１７ごと蓋１５を交換する。
【００３３】ここでステップ（３）の繰り返し動作が大
気圧ベント３６、Ｎ2 ガスパージポート２０を設けるこ
とによって非常に早くなる。しかもトラップ装置のメン
テナンスに要する作業項目も、図８で説明したものより
も少なくなる。
気圧ベント３６、Ｎ2 ガスパージポート２０を設けるこ
とによって非常に早くなる。しかもトラップ装置のメン
テナンスに要する作業項目も、図８で説明したものより
も少なくなる。
【００３４】本実施形態によれば、トラップ装置１０の
上流側と下流側に第１開閉弁３５、第２開閉弁３８を設
けたので、排気配管３９に接続した状態でトラップ装置
１０を孤立させることができる。これにより上流側の第
１開閉弁３５を閉じて、トラップ装置１０内の危険ガス
を除去した後、下流側の第２開閉弁３８を閉じ、トラッ
プ装置１０に設けたＮ2 ガスパージポート２０からトラ
ップ装置１０内をＮ2ガスパージして大気圧に戻す手順
にすれば、従来例の図８のように、成膜室内にしかＮ2
ガスパージ（大気圧ベント含む）を持たない排気配管に
比べ、クリーンにしてからＮ2 をパージする容積が著し
く減るため、メンテナンスまでにかかる時間、および立
上げ時間が少なくでき、生産性を向上することができ
る。
上流側と下流側に第１開閉弁３５、第２開閉弁３８を設
けたので、排気配管３９に接続した状態でトラップ装置
１０を孤立させることができる。これにより上流側の第
１開閉弁３５を閉じて、トラップ装置１０内の危険ガス
を除去した後、下流側の第２開閉弁３８を閉じ、トラッ
プ装置１０に設けたＮ2 ガスパージポート２０からトラ
ップ装置１０内をＮ2ガスパージして大気圧に戻す手順
にすれば、従来例の図８のように、成膜室内にしかＮ2
ガスパージ（大気圧ベント含む）を持たない排気配管に
比べ、クリーンにしてからＮ2 をパージする容積が著し
く減るため、メンテナンスまでにかかる時間、および立
上げ時間が少なくでき、生産性を向上することができ
る。
【００３５】また、メンテナンス時に大気圧に戻した
り、トラップ装置内の危険ガスを押し出すのに必要なＮ
2 ガスの量を少なくできるので経済的である。加えて本
トラップ装置１０を用いると、排気配管３９を取り外す
ことなく、そのままで新しい冷却水配管１７を設けた蓋
１５の交換が可能となるので、反応副生成物除去のため
のメンテナンスに要する時間が激減する。さらに蓋１５
は筒体軸方向と直角方向に筒体１１から取り外すように
したので、アングル型のときのような専用スペースを必
要とするものと比べて、これらを納める排気系ボックス
の寸法が小さくなり、半導体製造装置の小形化が容易に
なる。
り、トラップ装置内の危険ガスを押し出すのに必要なＮ
2 ガスの量を少なくできるので経済的である。加えて本
トラップ装置１０を用いると、排気配管３９を取り外す
ことなく、そのままで新しい冷却水配管１７を設けた蓋
１５の交換が可能となるので、反応副生成物除去のため
のメンテナンスに要する時間が激減する。さらに蓋１５
は筒体軸方向と直角方向に筒体１１から取り外すように
したので、アングル型のときのような専用スペースを必
要とするものと比べて、これらを納める排気系ボックス
の寸法が小さくなり、半導体製造装置の小形化が容易に
なる。
【００３６】なお実施の形態では冷媒として水を使用し
たが、他の液体または気体を含むその他の流体であって
もよい。またトラップ手段として冷却水配管による熱交
換器を使用したが、フィルタであってもよい。また上記
したＮ2 ガスパージポートはトラップ装置にではなく、
第１、第２開閉弁の間の排気配管に設けてもよい。
たが、他の液体または気体を含むその他の流体であって
もよい。またトラップ手段として冷却水配管による熱交
換器を使用したが、フィルタであってもよい。また上記
したＮ2 ガスパージポートはトラップ装置にではなく、
第１、第２開閉弁の間の排気配管に設けてもよい。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、トラップ装置
に形成した開口をトラップ手段を有する蓋で塞ぎ、蓋と
一緒にトラップ手段を取り外せるようにしたので、スト
レート型のトラップ装置でありながら、トラップ装置を
排気配管に接続したままで、トラップ手段のメンテナン
スが容易にできる。したがって、排気配管スペースが小
さくでき、施工も楽で、かつ半導体製造装置を小さくで
きる。
に形成した開口をトラップ手段を有する蓋で塞ぎ、蓋と
一緒にトラップ手段を取り外せるようにしたので、スト
レート型のトラップ装置でありながら、トラップ装置を
排気配管に接続したままで、トラップ手段のメンテナン
スが容易にできる。したがって、排気配管スペースが小
さくでき、施工も楽で、かつ半導体製造装置を小さくで
きる。
【００３８】請求項２の発明によれば、両開閉弁を閉じ
ることで、排気配管に接続した状態でトラップ装置を切
り離すことができ、処理装置等の影響を受けることな
く、トラップ手段の交換が可能となり、メンテナンス時
間を短縮でき、生産性を向上することができる。また、
メンテナンス時に大気圧に戻したり、トラップ装置内の
危険ガスを押出すのに必要な不活性ガスの量を少なくで
きるので、経済的である。
ることで、排気配管に接続した状態でトラップ装置を切
り離すことができ、処理装置等の影響を受けることな
く、トラップ手段の交換が可能となり、メンテナンス時
間を短縮でき、生産性を向上することができる。また、
メンテナンス時に大気圧に戻したり、トラップ装置内の
危険ガスを押出すのに必要な不活性ガスの量を少なくで
きるので、経済的である。
【図１】実施形態のトラップ装置の概略分解斜視図であ
る。
る。
【図２】実施形態のトラップ装置の具体的な要部の縦断
面図である。
面図である。
【図３】実施形態のトラップ装置を接続した半導体製造
装置の排気配管図である。
装置の排気配管図である。
【図４】従来の半導体製造装置とその排気系を示す概略
説明図である。
説明図である。
【図５】従来のストレート型トラップ装置の概略断面図
である。
である。
【図６】従来のアングル型トラップ装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図７】従来のトラップ装置の排気系における接続図で
あり、（ａ）はストレート型トラップ装置、（ｂ）はア
ングル型トラップ装置を示す。
あり、（ａ）はストレート型トラップ装置、（ｂ）はア
ングル型トラップ装置を示す。
【図８】従来のストレート型トラップ装置を接続した半
導体製造装置の排気配管図である。
導体製造装置の排気配管図である。
１０ トラップ装置 １１ 筒体 １４ 開口 １５ 蓋 １７ 冷却水配管
Claims (2)
- 【請求項１】一端にガス導入口を他端にガス排出口を有
して内部に排気ガスを流す直状の筒体と、 前記筒体内を流れる排ガスの流れ方向に対して略平行な
筒体側面に設けた開口と、 前記開口に着脱自在に取り付けられる蓋と、 前記蓋に取り付けられ前記筒体内を流れる排気ガス中の
反応副生成物を捕獲するトラップ手段とを備えたトラッ
プ装置。 - 【請求項２】基板に成膜を施す処理装置の排気系の途中
に請求項１に記載のトラップ装置を接続した半導体製造
装置において、 前記トラップ装置の上流側と下流側に開閉弁をそれぞれ
設け、 これらの開閉弁の間に不活性ガスを導入するガス導入管
を接続した半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11074072A JP2000262841A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | トラップ装置及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11074072A JP2000262841A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | トラップ装置及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000262841A true JP2000262841A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13536622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11074072A Pending JP2000262841A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | トラップ装置及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000262841A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020086978A (ko) * | 2001-05-12 | 2002-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 |
| US20150252473A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma foreline thermal reactor system |
| JP2018122197A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フラックス回収装置およびリフロー装置ならびにフラックス回収装置における気体交換方法 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11074072A patent/JP2000262841A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020086978A (ko) * | 2001-05-12 | 2002-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치 |
| US20150252473A1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-09-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma foreline thermal reactor system |
| KR20160130261A (ko) * | 2014-03-06 | 2016-11-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 포어라인 열 반응기 시스템 |
| JP2017510453A (ja) * | 2014-03-06 | 2017-04-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ・フォアライン・サーマル・リアクタ・システム |
| US10920315B2 (en) | 2014-03-06 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma foreline thermal reactor system |
| KR102351585B1 (ko) * | 2014-03-06 | 2022-01-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 포어라인 열 반응기 시스템 |
| JP2018122197A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フラックス回収装置およびリフロー装置ならびにフラックス回収装置における気体交換方法 |
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