JP3545498B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体ウェハなどの被処理物に処理を行う半導体製造技術に関し、特にCVD法によって半導体ウェハに薄膜形成を行う半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【0003】
真空処理容器の内部である真空処理室を有する半導体製造装置(例えば、ホットウォール型2枚搬送同時デポ式低圧CVD装置など)において、プロセスガスや不活性ガスなどのガスを導入するガス導入部は空間である。
【0004】
また、真空処理容器は石英などによって形成された単一の管形状である。
【0005】
なお、ホットウォール型のCVD装置については、1991年11月22日、株式会社工業調査会発行「電子材料11月号別冊、超LSI製造・試験装置ガイドブック<1992年版>」29〜34頁に記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術における半導体製造装置では、例えば、窒化珪素膜を形成する場合、ガス導入部の内壁に粉状の反応副生成物、いわゆる異物(一例として、塩化アンモニウムの白い粉など)が付着する。
【0007】
その結果、前記異物が真空処理室内で巻き上がり、搬送中もしくは成膜中の半導体ウェハの表面に付着するため、半導体ウェハ(製品)の歩留りを低下させるという問題が発生する。
【0008】
また、真空処理室の内面に付着した異物を除去するには、真空処理容器を形成するフランジ部を取り外し、真空処理室内を洗浄する。
【0009】
その後、真空処理室内を乾燥し、再びフランジ部を取り付け、真空気密の確認と真空処理室の空焼き、成膜時の半導体ウェハの膜厚分布の調整あるいは確認などの作業を行わなければならない。
【0010】
したがって、作業者の労力と作業時間が大幅にかかり、半導体製造装置の稼働率が低下するという問題が発生する。
【0011】
そこで、本発明の目的は、半導体ウェハなどの被処理物の歩留りと半導体製造装置の稼働率を向上させる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0012】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0014】
すなわち、本発明による半導体装置の製造方法は、外気と遮断する真空処理容器内を真空排気し、プロセスガスなどのガスを前記真空処理容器と連通したガス導入部に導入し、前記ガス導入部に設けられた1個または複数個の多孔質部材を加熱して温度を制御し、前記ガスを前記多孔質部材を通過させて前記ガスの温度を制御して、前記真空処理容器内に導入し、前記真空処理容器内で前記半導体ウェハの処理を行うものである。
【0015】
さらに、本発明による半導体装置の製造方法は、外気と遮断する真空処理容器内を真空排気し、プロセスガスまたは不活性ガスなどの複数のガスを前記真空処理容器と連通したガス導入部にそれぞれ別々に導入し、前記ガス導入部に設けられた複数個の多孔質部材を加熱して温度を制御し、前記複数のガスを前記ガス導入部に設けられた複数個の前記多孔質部材に別々に通過させた後混合し、混合した前記複数のガスを前記真空処理容器内に導入して、前記真空処理容器内で前記半導体ウェハの処理を行うものである。
【0021】
【作用】
上記した手段によれば、真空処理容器を形成する筒部材と連通したガス導入部にプロセスガスまたは不活性ガスなどのガスが通過する多孔質部材が設けられたことにより、筒部材内に導入するガスを濾過することができる。
【0022】
これにより、反応副生成物、すなわち異物の発生を低減することができ、ガス導入部の内壁に付着する異物の量を低減することができる。
【0023】
また、ガス導入部に金属ブロック部材が設置されていることにより、ガス導入部の空間を埋めることができる。
【0024】
これにより、ガス導入部の内壁に異物が付着しにくくなり、その結果、真空処理容器内に入り込む異物の量を低減することができる。
【0025】
さらに、筒部材の内部に内管部材が着脱可能に配置されることにより、内管部材を容易に取り出すことができ、かつ交換できる。つまり、真空処理容器の内部である真空処理室を筒部材と内管部材との二重構造にして、内管部材内で被処理物の処理を行うことにより、真空処理室を洗浄する際に、内管部材を交換するだけでその洗浄を行うことができる。
【0026】
また、ガス導入部の近傍に多孔質部材を介してガスを加熱する第1加熱手段が設けられ、前記多孔質部材を加熱して多孔質部材を通過するガスの温度制御を行うことにより、異物を発生させる化学反応を起こりにくくすることができる。
【0027】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【0028】
図1は本発明の半導体製造装置の構造の一実施例を示す部分断面図、図2は本発明の半導体製造装置における筒部材の構造の一実施例を示す斜視図、図3は本発明の半導体製造装置における内管部材の構造の一実施例を示す斜視図、図4は本発明の半導体製造装置における多孔質部材と金属ブロック部材の構造の一実施例を一部破断して示す図であり、(a)は部分断面図、(b)は平面図、(c)は側面図である。
【0029】
本実施例による半導体製造装置は、被処理物の一例である半導体ウェハ1に成膜処理を行うホットウォール型2枚搬送同時デポ式低圧CVD装置であり、その構成について説明すると、外気と遮断する真空処理容器2を形成しかつプロセスガスなどのガスが導入される筒部材である外管部材3と、外管部材3の内部3aに着脱可能に配置する内管部材4と、外管部材3と連通しかつ前記ガスが通過するガス導入部5aと、ガス導入部5aに設けられる複数個の多孔質部材6と、真空処理容器2内の真空または前記ガスを排気する真空排気手段である真空排気ポンプ7とからなり、多孔質部材6を通過した前記ガスが内管部材4に導入され、内管部材4内で半導体ウェハ1のCVD処理が行われるものである。
【0030】
ここで、多孔質部材6は、多数の細かな孔が設けられたいわゆるフィルタであり、ガスが前記細かな孔を通過することにより、真空処理容器2内に導入されるプロセスガスや不活性ガスを濾過するものである。
【0031】
なお、前記半導体製造装置の真空処理容器2は、筒部材である外管部材3の内部3aに内管部材4を配置するものである。つまり、真空処理容器2の内部2aである真空処理室2bを外管部材3と内管部材4との二重構造にするものであり、内管部材4内で半導体ウェハ1のCVD処理を行う。
【0032】
ただし、外管部材3の内部3aに内管部材4を配置せずに、外管部材3の内部3aで直接半導体ウェハ1のCVD処理を行うものであってもよい。
【0033】
また、真空処理容器2は、外管部材3と、ガス導入部5aを有したフランジ部5と、半導体ウェハ1を搬入出するゲートバルブ8と、外管部材3または内管部材4のメンテナンスを行う際に開閉する開閉バルブ9とによって構成され、密閉することにより、外気の雰囲気と遮断することができる。
【0034】
なお、ゲートバルブ8および開閉バルブ9は、それぞれの内面に気密を保持するフランジ面8aまたはフランジ面9bを各々有している。
【0035】
さらに、本実施例の半導体製造装置においては、フランジ部5内に形成されかつ外管部材3と連通するガス導入部5aに、複数個の多孔質部材6を保持する金属ブロック部材10が設置されている。
【0036】
ここで、本実施例の外管部材3は、例えば、図2に示すように、角柱の筒状のものであり、石英や炭化珪素などによって形成されている。
【0037】
さらに、外管部材3の大きさは、幅3cが250〜350mm、奥行き3dが500〜900mm、高さ3eが30〜60mm程度であり、両側に真空気密を保持する鍔部3fを有している。
【0038】
なお、外管部材3は角柱の筒状のものに限らず、円筒状などのものであってもよい。
【0039】
また、本実施例の内管部材4は、例えば、図3に示すように、角柱の筒状のものであり、外管部材3と同様に、石英や炭化珪素などによって形成されるものである。
【0040】
さらに、内管部材4の外形の大きさは、幅4aが240〜340mm、奥行き4bが490〜900mm、高さ4cが30〜60mm程度である。
【0041】
なお、外管部材3が円筒状のものである場合、内管部材4も円筒状のものであってもよい。
【0042】
また、本実施例の多孔質部材6は、好ましくは、セラミック、あるいはステンレス鋼やニッケル合金などの金属によって形成されるものであるが、CVD処理が室温に近い低温で行われる場合は、ポリイミド系の樹脂などによって形成されるものであってもよい。
【0043】
ここで、本実施例においては、図4に示すように、8個の多孔質部材6が金属ブロック部材10の内部10aにはめ込まれて保持されている。
【0044】
なお、多孔質部材6は長さ5〜60mm程度の円柱形のものであり、各々に導入口6aと排出口6bとを有しており、ガス導入部5aに導入された1種類または複数のガスが各々の多孔質部材6にほぼ均等に導入され、さらに、多孔質部材6内で濾過されて各々の排出口6bからほぼ均等量のガスが排出される。
【0045】
また、本実施例の金属ブロック部材10は、アルミニウム合金やステンレス鋼などによって形成された角柱のものであり、多孔質部材6を保持するとともに金属ブロック部材10が加熱された時に多孔質部材6へ熱を伝え、さらにガスに熱を伝えるものである。
【0046】
なお、金属ブロック部材10の大きさは、幅10bが250〜340mm、厚さ10cが20〜48mm、高さ10dが5〜60mm程度である。
【0047】
ここで、金属ブロック部材10はガス導入部5aの空間を埋め込むように、例えば、貫通孔10eなどを用いてフランジ部5にねじ固定されている。また、金属ブロック部材10の形状は角柱のものに限らず、ガス導入部5aの空間を埋め込むものであれば、他の形状であってもよい。
【0048】
また、本実施例の半導体製造装置は、ガス導入部5aの近傍、すなわちフランジ部5の多孔質部材6の設置箇所近傍に、多孔質部材6を介してガスを加熱するヒータなどの第1加熱手段12が設けられている。
【0049】
これにより、ガス導入部5a、多孔質部材6または金属ブロック部材10を、例えば、50〜200℃程度の範囲で加熱することができ、その結果、多孔質部材6を通過するガスの温度制御を行うことができる。
【0050】
また、本実施例の半導体製造装置は、ホットウォール型2枚搬送同時デポ式低圧CVD装置であるため、外管部材3の周囲に外管部材3を介して半導体ウェハ1を加熱する抵抗加熱ヒータなどの第2加熱手段13が複数個設置されている。
【0051】
なお、第2加熱手段13が複数個設けられているため、外管部材3を加熱する際に、外管部材3の中央付近と端部とで加熱する温度を変えることも可能である。
【0052】
また、前記半導体製造装置の真空処理容器2のゲートバルブ8は、駆動部材14によってその開閉が行われ、半導体ウェハ1は搬送ロボット15によって搬送される。
【0053】
さらに、真空処理容器2の開閉バルブ9には、温度測定用の熱電対16を差し込む挿入口9aが設けられている。したがって、挿入口9aに熱電対16を差し込むことにより、CVD処理中の外管部材3内の温度を測定できる。
【0054】
また、第2加熱手段13および外管部材3の周囲における半導体ウェハ1の処理が行われる付近は、カバー部材17によって覆われて保護されている。
【0055】
なお、本実施例の半導体製造装置で用いるガスは、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス、もしくはジクロルシランガスやアンモニアガスなどのプロセスガスである。
【0056】
さらに、前記半導体製造装置、すなわちホットウォール型2枚搬送同時デポ式低圧CVD装置によって半導体ウェハ1に形成される薄膜は、例えば、窒化珪素膜、酸化珪素膜、多結晶珪素膜、非晶質珪素膜などである。
【0057】
また、前記半導体製造装置に設けられている第1加熱手段12および第2加熱手段13は、必ずしも取り付けられるものではないが、好ましくは、両者とも設置されるものである。
【0058】
次に、本実施例の半導体製造方法について説明する。
【0059】
まず、駆動部材14によって真空処理容器2のゲートバルブ8を開け、搬送ロボット15によって2枚の半導体ウェハ1を真空処理室2bに搬送した後、ゲートバルブ8を閉じる。
【0060】
これによって、真空処理室2bを外気と遮断、すなわち密閉し、さらに、真空排気ポンプ7によって真空処理室2bを真空排気して所定圧力に設定する。
【0061】
その後、前記プロセスガスを真空処理容器2の外管部材3と連通したガス導入部5aに導入する。
【0062】
なお、ヒータなどの第1加熱手段12によって、予め多孔質部材6を加熱しておく。この時の加熱温度は、50℃程度である。
【0063】
ここで、前記プロセスガスまたは不活性ガスをガス導入部5aに設けられた複数個の多孔質部材6に通過させる。すなわち、少なくとも2種類のガスをガス導入部5aに導入し、そこでガスを混合し、さらに、多孔質部材6の導入口6aに導入した後、排出口6bから排出する。
【0064】
これにより、複数のガスの混合を均一に行うことができ、さらに、多孔質部材6を通過するガスの濾過および温度制御を行うことができる。
【0065】
その後、加熱および濾過された所定量のガスを筒部材3内および内管部材4内に導入する。
【0066】
ここで、真空処理容器2を抵抗加熱ヒータなどの第2加熱手段13によって加熱することにより、真空処理室2bが所定の温度に設定され、半導体ウェハ1を加熱する。
【0067】
これにより、内管部材4内で半導体ウェハ1にCVD処理、すなわち、所望の膜質および膜厚を有した窒化珪素膜を形成することができる。
【0068】
次に、本実施例の半導体製造方法および装置によって得られる作用効果について説明する。
【0069】
すなわち、真空処理容器2を形成する筒部材3と連通したガス導入部5aにプロセスガスまたは不活性ガスなどのガスが通過する多孔質部材6が設けられたことにより、外管部材3内に導入する前記ガスを濾過することができる。
【0070】
これにより、反応副生成物、すなわち異物(本実施例では塩化アンモニウムの白い粉)の発生を低減することができ、ガス導入部5aの内壁に付着する異物の量を低減することができる。
【0071】
その結果、半導体ウェハ1の処理が行われる内管部材4内で異物が巻き起こることを低減でき、半導体ウェハ1の歩留りを向上させることができる。
【0072】
また、ガス導入部5aに金属ブロック部材10が設置されていることにより、ガス導入部5aの空間を埋めることができる。
【0073】
これにより、ガス導入部5aの前記内壁に異物が付着しにくくなるため、外管部材3内に入り込む前記異物の量を低減することができる。
【0074】
その結果、前記同様、内管部材4内で前記異物が巻き起こることを低減でき、半導体ウェハ1の歩留りを向上させることができる。
【0075】
さらに、外管部材3の内部3aに内管部材4が着脱可能に配置されることにより、内管部材4を容易に取り出すことができ、かつ交換できる。つまり、真空処理容器2の内部2aである真空処理室2bを外管部材3と内管部材4との二重構造にして、内管部材4内で半導体ウェハ1の処理を行うことにより、真空処理室2bを洗浄する際に、内管部材4を交換するだけでその洗浄を行うことができる。
【0076】
これにより、真空処理室2bの洗浄の際に、フランジ部5を取り外す作業や組み立てる作業などを省略でき、さらに、真空気密の確認と真空処理室2bの空焼き、または成膜時の半導体ウェハ1の膜厚分布の調整あるいは確認などの作業全般の時間を短縮することができる。
【0077】
その結果、真空処理室2bのメンテナンスの時間が短縮することができ、半導体製造装置の稼働率を向上させることができる。
【0078】
なお、半導体ウェハ1の歩留りと半導体製造装置の稼働率を向上することができるため、半導体ウェハ1(製品)の製造原価を低減することができる。
【0079】
また、ガス導入部5aの近傍に多孔質部材6を介してガスを加熱する第1加熱手段12が設けられ、多孔質部材6を加熱して、多孔質部材6を通過するガスの温度制御を行うことにより、異物を発生させる化学反応を起こりにくくすることができる。
【0080】
これにより、異物の発生を低減することができ、その結果、前記同様、半導体ウェハ1の歩留りを向上させることができる。
【0081】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0082】
例えば、前記実施例の半導体製造装置は、複数個の多孔質部材が設けられるものであったが、図5に示す他の実施例のように、大形の多孔質部材18を1つ設けてもよい。
【0083】
ここで、図5に示す多孔質部材18は、前記実施例で説明した金属ブロック部材とほぼ同じ大きさ、かつ同様の材料によって形成されるものであり、その全面に渡って多数の細孔18aが設けられている。
【0084】
なお、多孔質部材18を用いる場合、前記金属ブロック部材は用いなくてもよく、その場合においても、前記実施例と同様の効果を得ることができる。
【0085】
また、図6に示す他の実施例のように、多孔質部材19を複数個の配管20に接続したものであってもよい(図6に示す配管20は2種類の場合)。
【0086】
つまり、2つの配管20に2種類のガスを別々に供給し、各々のガスを別々に多孔質部材19に通過させ、濾過後に前記2種類のガスを混合し、外管部材3(図1参照)に導入する。
【0087】
なお、図6に示す多孔質部材19は、各々の側面19aからガスを排出するものである。これにより、排出後にそれぞれのガスが衝突しあうため、2種類のガスを混合して前記外管部材3に導入することができる。
【0088】
その結果、多孔質部材19を用いた場合においても、前記実施例と同様の効果を得ることができる。
【0089】
また、前記実施例においては、導入したガスを多孔質部材を介して加熱するものであったが、例えば、予め加熱された高温の不活性ガスと低温のプロセスガスとを準備し、両者を多孔質部材に通過させる前または通過後に混合してガス導入部へ導入してもよい。
【0090】
つまり、プロセスガスを加熱する際に、不活性ガスを介して加熱するものである。
【0091】
また、前記実施例で説明したプロセスガスを多孔質部材を介して加熱する手段は、ヒータに限定することなく、多孔質部材の近傍に温水や加熱されたオイルなどを循環させて多孔質部材を加熱するものであってもよい。
【0092】
なお、前記実施例の半導体製造方法および装置は、CVD処理だけでなく、真空処理室を有して半導体ウェハなどの被処理物に処理を行うものであれば、エッチング処理やスパッタ処理などを行う半導体製造方法および装置であってもよい。
【0093】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【0094】
(1).真空処理容器を形成する外管部材と連通したガス導入部にプロセスガスまたは不活性ガスなどのガスが通過する多孔質部材が設けられたことにより、外管部材内に導入するガスを濾過することができる。これにより、反応副生成物、すなわち異物の発生を低減することができる。その結果、被処理物の処理が行われる外管部材内で異物が巻き起こることを低減でき、半導体ウェハなどの被処理物の歩留りを向上させることができる。
【0095】
(2).ガス導入部に金属ブロック部材が設置されていることにより、ガス導入部の空間を埋めることができる。これにより、ガス導入部の内壁に異物が付着しにくくなるため、真空処理容器内に入り込む異物の量を低減することができる。その結果、半導体ウェハなどの被処理物の歩留りを向上させることができる。
【0096】
(3).外管部材の内部に内管部材が着脱可能に配置されることにより、内管部材を容易に取り出すことができ、かつ交換できる。つまり、真空処理室を外管部材と内管部材との二重構造にすることにより、真空処理室を洗浄する際に、内管部材を交換するだけでその洗浄を行うことができる。
【0097】
その結果、真空処理室のメンテナンスの時間が短縮することができ、半導体製造装置の稼働率を向上させることができる。
【0098】
(4).ガス導入部の近傍に多孔質部材を介してガスを加熱する第1加熱手段が設けられ、前記多孔質部材を加熱して、多孔質部材を通過するガスの温度制御を行うことにより、異物を発生させる化学反応を起こりにくくすることができる。これにより、異物の発生を低減することができ、その結果、半導体ウェハなどの被処理物の歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の半導体製造装置の構造の一実施例を示す部分断面図である。
【図2】
本発明の半導体製造装置における筒部材の構造の一実施例を示す斜視図である。
【図3】
本発明の半導体製造装置における内管部材の構造の一実施例を示す斜視図である。
【図4】
本発明の半導体製造装置における多孔質部材と金属ブロック部材の構造の一実施例を一部破断して示す図であり、(a)は部分断面図、(b)は平面図、(c)は側面図である。
【図5】
本発明の他の実施例である半導体製造装置における多孔質部材の構造の一例を示す図であり、(a)は正面図、(b)は平面図、(c)は側面図である。
【図6】
本発明の他の実施例である半導体製造装置における多孔質部材の構造の一例を示す図であり、(a)は正面図、(b)は側面図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェハ(被処理物)
2 真空処理容器
2a 内部
2b 真空処理室
3 外管部材(筒部材)
3a 内部
3c 幅
3d 奥行き
3e 高さ
3f 鍔部
4 内管部材
4a 幅
4b 奥行き
4c 高さ
5 フランジ部
5a ガス導入部
6 多孔質部材
6a 導入口
6b 排出口
7 真空排気ポンプ(真空排気手段)
8 ゲートバルブ
8a フランジ面
9 開閉バルブ
9a 挿入口
9b フランジ面
10 金属ブロック部材
10a 内部
10b 幅
10c 厚さ
10d 高さ
10e 貫通孔
12 第1加熱手段
13 第2加熱手段
14 駆動部材
15 搬送ロボット
16 熱電対
17 カバー部材
18 多孔質部材
18a 細孔
19 多孔質部材
19a 側面
20 配管
Claims (2)
- 外気と遮断する真空処理容器内で半導体ウェハの処理を行う半導体装置の製造方法であって、
前記真空処理容器内を真空排気し、
プロセスガスなどのガスを前記真空処理容器と連通したガス導入部に導入し、前記ガス導入部に設けられた1個または複数個の多孔質部材を加熱して温度を制御し、
前記ガスを前記多孔質部材を通過させて前記ガスの温度を制御して、前記真空処理容器内に導入し、
前記真空処理容器内で前記半導体ウェハの処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 外気と遮断する真空処理容器内で半導体ウェハの処理を行う半導体装置の製造方法であって、
前記真空処理容器内を真空排気し、
プロセスガスまたは不活性ガスなどの複数のガスを前記真空処理容器と連通したガス導入部にそれぞれ別々に導入し、
前記ガス導入部に設けられた複数個の多孔質部材を加熱して温度を制御し、
前記複数のガスを前記ガス導入部に設けられた複数個の前記多孔質部材に別々に通過させた後混合し、
混合した前記複数のガスを前記真空処理容器内に導入して、前記真空処理容器内で前記半導体ウェハの処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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