JP2003007634A - ウェーハの熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】石英製反応管内に投入されたシリコンウェーハ
又はエピタキシャルシリコンウェーハを高温でＲＴＡ処
理する場合に、シリコンウェーハ又はエピタキシャルシ
リコンウェーハから生じ石英製反応管内壁面に付着する
ＳｉＯｘ或いはその他の生成物による石英製反応管の汚
れを抑制し、生産性向上を図ることができるようにした
ウェーハの熱処理方法及び装置を提供する 【解決手段】石英製反応管内に投入されたウェーハの熱
処理方法であって、前記ウェーハの少なくとも上方又は
下方に遮蔽部材を配置し、該ウェーハからの生成物が該
石英製反応管の内壁に付着しないように該遮蔽部材によ
って該ウェーハを遮蔽した状態で熱処理を行うようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
（ＣＺ）法にて製造されたシリコンウェーハ又はこれを
用いて製造されたエピタキシャルシリコンウェーハに対
して急速昇温／降温熱処理（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：ＲＴＡ）を効率的に行うこと
ができるようにしたウェーハの熱処理方法及び熱処理装
置に関する。

【０００２】

【関連技術】ＣＺ法にて製造されたシリコン結晶中に
は、石英製の坩堝を使用していることから酸素が少なか
らず混入する。この酸素は結晶製造中及び切断・基板加
工された後のデバイス製造工程での熱処理中に析出物と
なることが知られている。酸素析出物がデバイス活性領
域にある場合、デバイス歩留まりを低下させる要因とな
るが、その一方で基板内部に酸素析出物が形成された場
合は重金属汚染種に対するゲッタリング能力の改善効果
をもたらす。

【０００３】これらの観点から、シリコンウェーハ中の
酸素析出物制御（酸素析出特性の制御）は極めて重要で
ある。従来、この酸素析出特性の制御は、シリコン結晶
製造時での酸素濃度を制御することや基板に長時間の熱
処理を施すことにより行われてきた。しかし、前者の制
御に関しては、各々の酸素濃度に対して結晶製造条件を
設定する必要があり、製造作業が繁雑であった。また、
シリコン結晶の成長方向に対して同一の酸素濃度であっ
ても、結晶製造時の熱履歴の影響によって成長軸方向の
酸素析出特性は均一でなかった。さらに、後者に関して
も長時間の熱処理が必要で生産性が低かった。

【０００４】一方、近年の研究において、急速昇温/降
温熱処理（ＲＴＡ処理）をＣＺ法にて製造されたシリコ
ンウェーハに対して施すことにより、酸素析出が促進さ
れることが判った（例えば、M. Pagani etal., Appl. P
hys. Lett. 70, 1572 （1997））。本方法を用いると短
時間でシリコンウェーハ中に酸素析出核を形成可能であ
るため、多くの研究者がこの方法に注目している。

【０００５】このＲＴＡ処理は、図４に示したようなＲ
ＴＡ処理装置３０を用いて行われていた。該ＲＴＡ処理
装置３０は、上壁３２ａ、下壁３２ｂ及び側壁３２ｃか
ら構成された箱状のＲＴＡ処理用石英製反応管（ＲＴＡ
炉）３２を有している。この反応管３２を上下左右から
取り囲む位置に不図示の加熱ランプが設けられ、この加
熱ランプにより加熱が行われる。また反応管３２の紙面
手前側には開口部３３が設けられており、不図示のオー
トシャッターを通してシリコンウェーハＷが出し入れ可
能に構成されている。また、ウェーハＷの温度測定を行
うためのパイロメーターが反応管３２の外部に設けら
れ、上壁３２ａ又は下壁３２ｂを通してウェーハＷの温
度測定が行われる。

【０００６】該石英製反応管３２の内部にはサセプタ４
２が下壁３２ｂ上に設置され、該サセプタ４２の上面に
突設された突部４２ａ，４２ａにはＲＴＡ処理されるシ
リコンウェーハＷが載置される。

【０００７】しかし、このＲＴＡ処理用石英製反応管
（ＲＴＡ炉）３２内に投入されたシリコンウェーハＷを
高温でＲＴＡ処理した場合、エッチングされたシリコン
ウェーハＷ上の自然酸化膜（ＳｉＯｘ）或いはその他の
生成物が当該石英製反応管３２の内壁面に付着し、石英
製反応管３２の内部が汚れる問題があった。この汚れが
ひどい場合には処理温度の制御ができなくなるため、ウ
ェーハ治具類を取り外して石英製反応管３２の内部をウ
ェットな処理で洗浄する必要があり、ＲＴＡ炉を用いた
場合には結果的に生産性が低くなる問題があった。

【０００８】このＲＴＡ処理装置３０を用いるシリコン
ウェーハＷの熱処理は、図５のフローチャートの手順に
従って行われる。まず、ＲＴＡ処理用石英製反応管３２
内のサセプタ４２の突部４２ａ上にシリコンウェーハＷ
を載置（投入）し（ステップ２００）、ＲＴＡ処理を行
い（ステップ２０２）、ＲＴＡ処理が終了したシリコン
ウェーハＷを石英製反応管３２から取り出す（ステップ
２０４）。これが１枚のシリコンウェーハＷに対するＲ
ＴＡ処理の処理サイクルである。

【０００９】シリコンウェーハＷを少数枚処理している
うちは、上述した石英製反応管３２の内部の汚れも発生
しないが、多数枚の処理を行うとシリコンウェーハＷか
ら生成するＳｉＯｘやその他の生成物に起因する汚れが
石英製反応管３２の内部に付着するので、この汚れた石
英製反応管３２を汚れのない石英製反応管３２に交換す
る必要がある。この石英製反応管３２の交換は、目視に
より汚れの発生状況を判断しながら行うが、例えば、後
述する比較例１に示したように３０枚のシリコンウェー
ハのＲＴＡ処理を行った段階で石英製反応管３２の交換
を行う必要性が生じるものである。

【００１０】したがって、石英製反応管３２の交換時期
を判断する工程（ステップ２０６）を設け、交換時期で
ない（汚れが生じていない）限り、同じ石英製反応管３
２を用いてシリコンウェーハＷに対するＲＴＡ処理を繰
り返し、交換の時期がくる（汚れが生じている）と、汚
れた石英製反応管３２を汚れのない石英製反応管３２と
交換する（ステップ２０８）。この石英製反応管３２の
交換に要する時間は約２時間かかり、多大な手間を必要
とするものであった。さらに、この汚れた石英製反応管
３２を洗浄して汚れを除去するには長時間作業（約１
日）を要するものであった。また、エピタキシャルシリ
コンウェーハのＲＴＡ処理においても同様の問題が生じ
ていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、石英製反応管内に投入され
たシリコンウェーハ又はエピタキシャルシリコンウェー
ハを高温でＲＴＡ処理する場合に、シリコンウェーハ又
はエピタキシャルシリコンウェーハから生じ石英製反応
管内壁面に付着するＳｉＯｘ或いはその他の生成物によ
る石英製反応管の汚れを抑制し、生産性向上を図ること
ができるようにしたウェーハの熱処理方法及び熱処理装
置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のウェーハの熱処理方法は、石英製反応管内
に投入されたウェーハの熱処理方法であって、前記ウェ
ーハの少なくとも上方又は下方に遮蔽部材を配置し、該
ウェーハからの生成物が該石英製反応管の内壁に付着し
ないように該遮蔽部材によって該ウェーハを遮蔽した状
態で熱処理を行うことを特徴とする。このように、熱処
理されるウェーハの少なくとも上方又は下方のウェーハ
温度測定手段が設置されている側に遮蔽部材を配置すれ
ば、該遮蔽部材が汚れた際に容易に交換することがで
き、ウェーハの処理温度の制御を正確に行うことができ
る。

【００１３】本発明のウェーハの熱処理装置は、投入さ
れたウェーハを熱処理するための石英製反応管を有する
熱処理装置であって、前記石英製反応管内のウェーハ投
入位置の少なくとも上方又は下方に遮蔽部材を着脱可能
に配置したことを特徴とする。

【００１４】上記遮蔽部材としては、石英製遮蔽部材、
例えば石英製ウェーハや石英製板状基板などの透明部材
を好適に用いることができる。

【００１５】本発明における熱処理としては、急速昇温
／降温熱処理（ＲＴＡ処理）をあげることができる。ま
た、本発明で用いられる遮蔽部材は熱処理されるウェー
ハの寸法よりも大なる寸法（ウェーハ主面よりも大きな
面積）を有するのが好ましい。さらに、本発明の熱処理
の対象とされるウェーハとしてはシリコンウェーハ又は
エピタキシャルシリコンウェーハを用いることができ
る。

【００１６】前述したように、ＣＺ法にて製造されたシ
リコンウェーハに対して、窒素雰囲気或いはアルゴンガ
スなどの不活性ガス雰囲気でのＲＴＡ処理を行うと、Ｒ
ＴＡ処理用石英製反応管の内壁上にＳｉＯｘ或いはその
他の生成物が付着する。従来、シリコンウェーハと石英
製反応管との間には空間が空いているため、これらの生
成物がその空間に飛散し、その結果として石英製反応管
の内壁に直接付着してしまうものであった。

【００１７】例えば、不活性ガス雰囲気下１２５０℃で
シリコンウェーハを１００枚処理した後の石英製反応管
の状態を調べたところ、その内部にシリコンウェーハか
らの赤褐色状の生成物が大量に付着し、汚れた状態とな
っていた。この石英製反応管の汚れの強い部分はシリコ
ンウェーハの投入位置の直上及び直下であるという知見
を得た。

【００１８】この知見を基として、シリコンウェーハと
石英製反応管との間にシリコンウェーハより大きめの何
らかの材料を配置することにより石英製反応管の汚れを
抑えることができるのではないかとまず着想した。次
に、反応管材料が石英製であることから、この反応管の
内部に配置される材料は加熱ランプからの赤外線を透過
する透明部材である石英製が好ましく、具体的には石英
製ウェーハ或いは石英製の板状基板が望ましく、その上
生産性向上を図るために容易に取り外し（交換）可能な
構造とすることが必要であることを想到し、本発明を完
成したものである。

【００１９】一般的に、ＲＴＡ炉においては石英製反応
管の一部分（上方又は下方）を介して外部からパイロメ
ーター等の温度測定手段を用いて処理温度を制御してい
るため、石英製反応管内に配置される材料の一部分或い
は全体は、熱処理されるウェーハの処理温度を適正に制
御可能な透明な材料とすることが必須である。また、こ
れらの材料の改善以外にＲＴＡ処理前にシリコンウェー
ハをフッ酸液のような溶液にて洗浄し、表面の何らかの
膜を除去しておくことも、ＲＴＡ炉を用いた生産におけ
る生産性向上に繋がると考えられる。なお、エピタキシ
ャルシリコンウェーハについてもシリコンウェーハの場
合と同様の知見を得、この知見を基として本発明に到達
したものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一つの実施の形態
を添付図面に基づいて説明するが、図示例は例示的に示
されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種
々の変形が可能なことはいうまでもない。

【００２１】図１は本発明のシリコンウェーハの熱処理
装置の一つの実施の形態を示す縦断面説明図及び図２は
その上面説明図である。

【００２２】図中、１０は本発明に係るシリコンウェー
ハの熱処理装置で、上壁１２ａ、下壁１２ｂ及び側壁１
２ｃから構成された箱状の石英製反応管１２を有してい
る。

【００２３】該石英製反応管１２の内部には１対ずつ相
対向する２対（４個）の石英製支持部材１４，１４が隅
角部近傍にそれぞれ立設されている。該支持部材１４，
１４の上部には平板状の上側遮蔽部材１６を着脱自在に
支持する支持部１４ａ，１４ａが設けられている。

【００２４】１８は下サセプタで、石英製反応管１２の
下壁１２ｂの上面かつ支持部材１４，１４間に設置され
る。２０は該下サセプタ１８の上面に配置された平板状
の下側遮蔽部材である。該下側遮蔽部材２０の上面には
上サセプタ２２が設置され、該上サセプタ２２の上面に
突設された突部２２ａ，２２ａには熱処理されるシリコ
ンウェーハＷが載置される。該上側及び下側の遮蔽部材
１６，２０としては、石英製遮蔽部材、例えば石英製ウ
ェーハや石英製板状基板などの透明部材が好適に用いら
れる。

【００２５】上記した上下のサセプタ２２，１８、上側
及び下側の遮蔽部材１６，２０及びシリコンウェーハＷ
は、ＲＴＡ処理にあたって、石英製反応管１２の開口部
１３から投入し設置することができる。また、上壁１２
ａを取り外し可能とし、上部を開口した後、上方から前
記石英製反応管１２の内部に設置することもできる。
尚、図２において、２４はガス導入管で、石英製反応管
１２の内部にガスを導入する際に用いられる。

【００２６】このようにして、石英製反応管１２内の上
サセプタ２２上に載置（投入）されたシリコンウェーハ
Ｗは、その上方及び下方が遮蔽部材１６，２０によって
遮蔽された状態でＲＴＡ処理を受ける。尚、遮蔽部材１
６，２０はパイロメーター等の温度測定手段が設置され
ている一方のみに配置することによっても、本発明の効
果は得られるが、より正確にウェーハの温度制御を行う
ためには、少なくとも上方及び下方に設置することが好
ましい。

【００２７】このＲＴＡ処理の際には、前述したごと
く、シリコンウェーハＷからＳｉＯｘ或いはその他の生
成物が生成し、これらの生成物は石英製反応管１２の空
間に飛散する。しかし、本発明の熱処理装置１０におい
ては、シリコンウェーハＷの上方及び／又は下方に設け
られた遮蔽部材１６，２０によって、それらの生成物の
飛散は妨げられ、石英製反応管１２の内壁に達すること
はほとんどなくなり、したがって、石英製反応管１２の
内壁面の汚れを抑えることができる。

【００２８】上記した遮蔽部材１６，２０はシリコンウ
ェーハＷから生成するＳｉＯｘ或いはその他の生成物の
石英製反応管１２内の空間への飛散を妨げる作用を行う
ので、シリコンウェーハＷの寸法よりも大なる寸法とす
るのが好ましい。

【００２９】なお、図示例では、遮蔽部材としては、シ
リコンウェーハＷの上方及び下方を遮蔽する上側遮蔽部
材１６及び下側遮蔽部材２０を設けた場合を示したが、
必要に応じて、シリコンウェーハＷの側方を遮蔽する遮
蔽部材をさらに設けてもよいことはいうまでもない。

【００３０】ＲＴＡ処理が終了すると、不図示のオート
シャッターを開き、開口部１３からＲＴＡ処理済のシリ
コンウェーハＷを取り出し、次の処理すべきウェーハＷ
を投入する。遮蔽部材１６，２０を交換する必要がある
場合は、処理済ウェーハを取り出した後、上側遮蔽部材
１６、上サセプタ２２、下側遮蔽部材２０及び下サセプ
タ１８を順次取り出し、汚れのない遮蔽部材１６，２０
に交換した後、取り出し時とは逆の手順で順次配置し、
次の処理すべきウェーハＷを投入して次のＲＴＡ処理を
行う。このようにして多数枚のシリコンウェーハに対す
るＲＴＡ処理を繰り返し行う。その際、シリコンウェー
ハＷから生成するＳｉＯｘやその他の生成物は上側及び
下側遮蔽部材１６，２０によってその飛散が妨げられる
ので石英製反応管１２の内壁が汚染されることはない。

【００３１】上記した本発明のシリコンウェーハの熱処
理装置１０を用いてシリコンウェーハＷの熱処理を行う
手順を図３のフローチャートとともに説明する。まず、
前記石英製反応管１２内に設置された上側及び下側の遮
蔽部材１６，２０の間にシリコンウェーハＷを投入（載
置）し（ステップ１００）、ＲＴＡ処理を行い（ステッ
プ１０２）、ＲＴＡ処理が終了したシリコンウェーハＷ
を石英製反応管１２から取り出す（ステップ１０４）。
これが１枚のシリコンウェーハＷに対するＲＴＡ処理の
処理サイクルである。

【００３２】シリコンウェーハＷを少数枚処理している
うちは、遮蔽部材１６，２０の汚れも発生しないが、多
数枚の処理を行うとシリコンウェーハＷから生成するＳ
ｉＯｘやその他の生成物に起因する汚れが遮蔽部材１
６，２０に付着するので、これらの汚れた遮蔽部材１
６，２０を汚れのない遮蔽部材（洗浄済み又は新品）に
交換する必要がある。この遮蔽部材１６，２０の交換
は、目視により汚れの発生状況を判断しながら行っても
よいし、個々の遮蔽部材１６，２０によるＲＴＡ処理の
処理枚数をあらかじめ決めておき、その処理枚数になっ
たら交換するようにしてもよい。

【００３３】したがって、遮蔽部材１６，２０の交換時
期を判断する工程（ステップ１０６）を設け、交換時期
でない限り、同じ遮蔽部材１６，２０を用いてシリコン
ウェーハＷに対するＲＴＡ処理を繰り返し、交換の時期
がくると、汚れた遮蔽部材１６，２０を汚れのない遮蔽
部材１６，２０と交換する（ステップ１０８）。この遮
蔽部材１６，２０の交換に要する時間は２０分程度であ
り、石英製反応管１２全体を交換する場合（約２時間か
かる）に比べてはるかに簡単に交換を行うことができ
る。

【００３４】このように、本発明によれば石英製反応管
１２の内壁の汚れが発生しないため、従来のように多大
な手間（約２時間）を必要とする石英製反応管１２の交
換を行う必要がなくなり、その代わりに、簡単な手間
（１回当たり約２０分）で上下の遮蔽部材１６，２０を
交換するだけの作業となり、極めて効率よくＲＴＡ処理
を行うことができる。さらに、本発明においては、石英
製反応管１２の汚れがほとんどなくなるため洗浄を行う
必要性もほとんどなくなり、石英製反応管１２の洗浄に
要した長時間作業（約１日）を大幅に削減することがで
きる。なお、上記した実施の形態においては、シリコン
ウェーハの熱処理を例として示したが、エピタキシャル
シリコンウェーハの熱処理も同様に行うことができる。

【００３５】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもの
で限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもな
い。

【００３６】（実施例１及び比較例１）アルゴン雰囲気
下１２５０℃／１０秒の熱処理を、図４に示したような
従来の石英製反応管（比較例１）と、図１に示したよう
な石英製遮蔽部材を有する本発明の石英製反応管（実施
例１）と、を用いて１００枚のシリコンウェーハに対し
て行った。その際、後者（実施例１）に関してはシリコ
ンウェーハ２５枚処理毎に石英製遮蔽部材を交換した。
従来の石英製反応管（比較例１）の場合、３０枚程度の
ウェーハを処理をしてからウェーハ周辺でスリップ転位
の発生がみられ、処理枚数が増えるに従いスリップ転位
が多く発生した。一方、本発明の石英製反応管（実施例
１）の場合では、スリップ転位の発生はなかった。これ
らのスリップ転位の発生の有無の違いは、シリコンウェ
ーハから石英製反応管の内壁面に付着したＳｉＯｘ或い
はその他の生成物による石英製反応管の汚れにより処理
温度の制御が適切に出来なくなったことに起因している
と考えられる。

【００３７】したがって、従来の石英製反応管（比較例
１）を用いた場合には上記処理に対してシリコンウェー
ハ３０枚毎に石英製反応管全体の交換作業が必要となっ
た。この場合、交換作業に２時間弱、石英製反応管の洗
浄に少なくとも１日間を要した。一方、本発明の石英製
反応管（実施例１）の場合は、石英製遮蔽部材の交換に
約２０分間（１回あたり）の時間を要したが、石英製反
応管自体の交換が必要ないために生産性が向上した。な
お、エピタキシャルシリコンウェーハについても、同様
の実験を行ったところ同様の結果を得られることを確認
した。

【００３８】本発明の構成とすることによって、シリコ
ンウェーハ又はエピタキシャルシリコンウェーハから発
生するＳｉＯｘやその他の生成物を石英製ウェーハや石
英製板状基板等の遮蔽部材に付着させ、石英製反応管の
汚れを抑えることができる。この遮蔽部材が汚れた場合
には、遮蔽部材のみを取り外し、洗浄すればよい。この
ように、遮蔽部材を用いることによって石英製反応管の
汚れを抑えることができる。その上、遮蔽部材の交換は
１回あたり２０分程度であり、従来のように石英製反応
管全体を交換する場合（約２時間かかる）に比較しては
るかに簡単に済むのでＲＴＡ処理の効率化を図ることが
できる。

【００３９】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、ウ
ェーハの上方及び下方に石英製ウェーハ或いは石英製板
状基板のような遮蔽部材を配置するように構成して熱処
理を行うので、ウェーハから発生するＳｉＯｘ或いはそ
の他の生成物を遮蔽部材に付着させ、石英製反応管の汚
れを抑えることができ、汚染した遮蔽部材の交換のみを
行うだけで熱処理作業を続けることができ、多大の手間
を要した石英製反応管全体の交換を行う必要がなく、Ｒ
ＴＡ処理の効率を大幅に増大させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のシリコンウェーハの熱処理装置の一
つの実施の形態を示す縦断面説明図である。

【図２】 同上の上面説明図である。

【図３】 本発明のシリコンウェーハのＲＴＡ処理方法
の工程順の１例を示すフローチャートである。

【図４】 従来のシリコンウェーハのＲＴＡ処理装置の
１例を示す縦断面説明図である。

【図５】 従来のシリコンウェーハのＲＴＡ処理方法の
工程順の１例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０：本発明の熱処理装置、１２，３２：石英製反応
管、１２ａ，３２ａ：上壁、１２ｂ，３２ｂ：下壁、１
２ｃ，３２ｃ：側壁、１３，３３：開口部、１４：支持
部材、１４ａ：支持部、１６：上側遮蔽部材、１８：下
サセプタ、２０：下側遮蔽部材、２２：上サセプタ、２
２ａ，４２ａ：突部、２４：ガス導入管、３０：従来の
ＲＴＡ処理装置、４２：サセプタ、Ｗ：シリコンウェー
ハ。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 石英製反応管内に投入されたウェーハの
   熱処理方法であって、前記ウェーハの少なくとも上方又
   は下方に遮蔽部材を配置し、該ウェーハからの生成物が
   該石英製反応管の内壁に付着しないように該遮蔽部材に
   よって該ウェーハを遮蔽した状態で熱処理を行うことを
   特徴とするウェーハの熱処理方法。
2. 【請求項２】 前記熱処理が急速昇温／降温熱処理であ
   ることを特徴とする請求項１記載のウェーハの熱処理方
   法。
3. 【請求項３】 前記ウェーハがシリコンウェーハ又はエ
   ピタキシャルシリコンウェーハであることを特徴とする
   請求項１又は２記載のウェーハの熱処理方法。
4. 【請求項４】 前記遮蔽部材が石英製遮蔽部材であるこ
   とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のウェ
   ーハの熱処理方法。
5. 【請求項５】 投入されたウェーハを熱処理するための
   石英製反応管を有する熱処理装置であって、前記石英製
   反応管内のウェーハ投入位置の少なくとも上方又は下方
   に遮蔽部材を着脱可能に配置したことを特徴とするウェ
   ーハの熱処理装置。
6. 【請求項６】 前記遮蔽部材がウェーハの寸法よりも大
   なる寸法を有することを特徴とする請求項５記載のウェ
   ーハの熱処理装置。
7. 【請求項７】 前記遮蔽部材が石英製遮蔽部材であるこ
   とを特徴とする請求項５又は６記載のウェーハの熱処理
   装置。
8. 【請求項８】 前記熱処理が急速昇温／降温熱処理であ
   ることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載の
   ウェーハの熱処理装置。
9. 【請求項９】 前記ウェーハがシリコンウェーハ又はエ
   ピタキシャルシリコンウェーハであることを特徴とする
   請求項５〜８のいずれか１項記載のウェーハの熱処理装
   置。