JPH05234986A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH05234986A JPH05234986A JP3317092A JP3317092A JPH05234986A JP H05234986 A JPH05234986 A JP H05234986A JP 3317092 A JP3317092 A JP 3317092A JP 3317092 A JP3317092 A JP 3317092A JP H05234986 A JPH05234986 A JP H05234986A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上の異物の核となる排気配管内に付着
した付着物および排気配管から剥離し、反応管内部に移
動した付着物の排出と、付着物の熱サイクルによる剥離
を抑制することにより、反応管および排気管内を清浄な
雰囲気に保ち、ウエハに装置内付着物が付着し、異物化
するのを防止する化学気相成長装置を提供する。 【構成】 ウエハ１およびこのウエハ１を載置する石英
ボード２を収容する反応管３と、この反応管３の周囲に
設置され、ウエハ１を加熱するためのヒータ５と、前記
反応管３に反応ガスおよび不活性ガスを供給するための
ガス導入口６を有するガス供給系と、反応後のガスおよ
び不活性ガスを排気するガス排気口７を有する排気配管
系とを備え、かつ、前記ガス供給系に大流量ガス制御装
置１１を、前記排気配管系に分岐配管１２とこの分岐配
管に接続したエゼクタ式真空ポンプ１３をそれぞれ設け
る。
した付着物および排気配管から剥離し、反応管内部に移
動した付着物の排出と、付着物の熱サイクルによる剥離
を抑制することにより、反応管および排気管内を清浄な
雰囲気に保ち、ウエハに装置内付着物が付着し、異物化
するのを防止する化学気相成長装置を提供する。 【構成】 ウエハ１およびこのウエハ１を載置する石英
ボード２を収容する反応管３と、この反応管３の周囲に
設置され、ウエハ１を加熱するためのヒータ５と、前記
反応管３に反応ガスおよび不活性ガスを供給するための
ガス導入口６を有するガス供給系と、反応後のガスおよ
び不活性ガスを排気するガス排気口７を有する排気配管
系とを備え、かつ、前記ガス供給系に大流量ガス制御装
置１１を、前記排気配管系に分岐配管１２とこの分岐配
管に接続したエゼクタ式真空ポンプ１３をそれぞれ設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程に用
いられるウエハプロセス装置に係わり、特に、ウエハ上
にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを成膜させる化
学気相成長装置（以下「ＣＶＤ装置」という）に関す
る。
いられるウエハプロセス装置に係わり、特に、ウエハ上
にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などを成膜させる化
学気相成長装置（以下「ＣＶＤ装置」という）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、例えば、特公平２ー４１１６６
号公報に示された従来のＣＶＤ装置を示す断面図であ
る。図において、１はウエハ、２はウエハを載置する石
英ボード、３は反応管、４は反応管３を密閉するための
フロントキャップ、５はウエハを加熱するためのヒー
タ、６は反応管３内に反応ガスおよび不活性ガスを導入
するためのガス導入口、７は反応後のガスおよび不活性
ガスを排気するためのガス排気口、８は排気配管に設け
られたバルブ、そして符号９は常時作動し、反応管３内
を減圧排気するための真空ポンプである。
号公報に示された従来のＣＶＤ装置を示す断面図であ
る。図において、１はウエハ、２はウエハを載置する石
英ボード、３は反応管、４は反応管３を密閉するための
フロントキャップ、５はウエハを加熱するためのヒー
タ、６は反応管３内に反応ガスおよび不活性ガスを導入
するためのガス導入口、７は反応後のガスおよび不活性
ガスを排気するためのガス排気口、８は排気配管に設け
られたバルブ、そして符号９は常時作動し、反応管３内
を減圧排気するための真空ポンプである。
【０００３】このような構成において、例えば、ウエハ
１を石英ボード２に載せて反応管３内に搬入し、フロン
トキャップ４を閉じて反応管３を密閉する。つづいて、
ヒータ５で反応管３内部および搬入したウエハ１を一定
温度に加熱する。つづいて、バルブ８を開け、排気口７
より真空ポンプ９によって反応管３内を減圧排気する。
その後、反応管３内にガス導入口６より反応ガスを導入
する。反応管３内に導入された反応ガスはガス導入口６
よりガス排気口７方向に拡散分布し、熱化学反応によっ
て分解し、そして、ウエハ１の上に所望の薄膜を成長さ
せる。
１を石英ボード２に載せて反応管３内に搬入し、フロン
トキャップ４を閉じて反応管３を密閉する。つづいて、
ヒータ５で反応管３内部および搬入したウエハ１を一定
温度に加熱する。つづいて、バルブ８を開け、排気口７
より真空ポンプ９によって反応管３内を減圧排気する。
その後、反応管３内にガス導入口６より反応ガスを導入
する。反応管３内に導入された反応ガスはガス導入口６
よりガス排気口７方向に拡散分布し、熱化学反応によっ
て分解し、そして、ウエハ１の上に所望の薄膜を成長さ
せる。
【０００４】次に、反応ガスの導入を停止し、再度、反
応管３内を減圧排気してからバルブ８を閉め、つづい
て、反応管３内にガス導入口６より不活性ガスを導入し
て、反応管３内を大気圧に復帰させる。そして、フロン
トキャップ４を開け、ウエハ１を載置した石英ボード２
を搬出し、フロントキャップ４を閉じて新たなウエハ１
の搬入を待つ。
応管３内を減圧排気してからバルブ８を閉め、つづい
て、反応管３内にガス導入口６より不活性ガスを導入し
て、反応管３内を大気圧に復帰させる。そして、フロン
トキャップ４を開け、ウエハ１を載置した石英ボード２
を搬出し、フロントキャップ４を閉じて新たなウエハ１
の搬入を待つ。
【０００５】図３は、同じく特公平２ー４１１６６号公
報に示された従来のＣＤＶ装置を示す断面図である。図
において、１，２，４，６，７は前記従来のＣＶＤ装置
と全く同一のものであるが、反応管３は多数の小孔を有
する第一反応管３Ａと、この第一反応管３Ａの外側に設
置された第二反応管３Ｂとから二重管に構成されてい
る。また、第一反応管３Ａの端部にガス排気口７Ａが設
けられ、第二反応管３Ｂの端部に第一反応管３Ａと第二
反応管３Ｂとの間の空間部１０を排気するためのガス排
気口７Ｂが設けられている。
報に示された従来のＣＤＶ装置を示す断面図である。図
において、１，２，４，６，７は前記従来のＣＶＤ装置
と全く同一のものであるが、反応管３は多数の小孔を有
する第一反応管３Ａと、この第一反応管３Ａの外側に設
置された第二反応管３Ｂとから二重管に構成されてい
る。また、第一反応管３Ａの端部にガス排気口７Ａが設
けられ、第二反応管３Ｂの端部に第一反応管３Ａと第二
反応管３Ｂとの間の空間部１０を排気するためのガス排
気口７Ｂが設けられている。
【０００６】このような構成において、ウエハ１を載置
した石英ボード２を反応管３Ａ内に搬入し、ヒータ５に
よって反応管３の内部および搬入したウエハ１を一定温
度に加熱し、つづいて、ガス排気口７Ｂより空間部１０
を排気する。その後、ガス排気口７Ａより減圧排気を行
い、減圧排気した第一反応管３Ａおよび第二反応管３Ｂ
内にガス導入口６より反応ガスを導入することにより、
ウエハ１上に所望の薄膜を成長させる。
した石英ボード２を反応管３Ａ内に搬入し、ヒータ５に
よって反応管３の内部および搬入したウエハ１を一定温
度に加熱し、つづいて、ガス排気口７Ｂより空間部１０
を排気する。その後、ガス排気口７Ａより減圧排気を行
い、減圧排気した第一反応管３Ａおよび第二反応管３Ｂ
内にガス導入口６より反応ガスを導入することにより、
ウエハ１上に所望の薄膜を成長させる。
【０００７】つづいて、反応ガスの導入を停止し、再
度、第一反応管３Ａ内を減圧排気するとともに、排気配
管のバルブを全て閉じる。そして、第一反応管３Ａおよ
び第二反応管３Ｂ内にガス導入口６より不活性ガスを導
入することにより、第一反応管３Ａおよび第二反応管３
Ｂ内を大気圧に復帰させる。そして、フロントキャップ
４を開けてウエハ１を載置した石英ボード２を取り出
し、再び、フロントキャップ４を閉じて、新たなウエハ
１の搬入をまつ。
度、第一反応管３Ａ内を減圧排気するとともに、排気配
管のバルブを全て閉じる。そして、第一反応管３Ａおよ
び第二反応管３Ｂ内にガス導入口６より不活性ガスを導
入することにより、第一反応管３Ａおよび第二反応管３
Ｂ内を大気圧に復帰させる。そして、フロントキャップ
４を開けてウエハ１を載置した石英ボード２を取り出
し、再び、フロントキャップ４を閉じて、新たなウエハ
１の搬入をまつ。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＤＶ装置は以
上のように構成され、いずれも、薄膜成長時に反応管３
の内壁、ガス排気口７の周辺部およびガス排気口７とバ
ルブ８間の排気配管に反応生成物が付着形成しやすく、
特に、温度が低いガス排気口７の周辺部およびガス排気
口７とバルブ８間の排気配管への反応生成物の付着が甚
だしく、その形態は微粒子の集合体である。このため、
この付着物が剥離し、反応管３内のウエハ１上に移動、
付着して異物化し、ウエハの膜質を低下させ半導体デバ
イスの製造歩留りの向上を妨げるという課題があった。
上のように構成され、いずれも、薄膜成長時に反応管３
の内壁、ガス排気口７の周辺部およびガス排気口７とバ
ルブ８間の排気配管に反応生成物が付着形成しやすく、
特に、温度が低いガス排気口７の周辺部およびガス排気
口７とバルブ８間の排気配管への反応生成物の付着が甚
だしく、その形態は微粒子の集合体である。このため、
この付着物が剥離し、反応管３内のウエハ１上に移動、
付着して異物化し、ウエハの膜質を低下させ半導体デバ
イスの製造歩留りの向上を妨げるという課題があった。
【０００９】また、図３に示す従来のＣＶＤ装置では、
第一反応管３Ａと第二反応管３Ｂ間の空間部１０を排気
することにより、第一反応管３Ａの内壁に付着した付着
物を排除する防止策を講じているが、ガス排気口７Ｂの
周辺部およびガス排気口７Ｂとバルブ８間の排気配管へ
の付着物の排除に対しては充分な効果が期待できないと
いう課題があった。逆に、ガス排気口７Ｂの周辺部およ
びガス排気口７Ｂとバルブ８間の排気配管に付着した付
着物が剥離し、反応管３の空間部を排除するときのガス
の流れによりウエハ１上に付着して異物となることがあ
った。
第一反応管３Ａと第二反応管３Ｂ間の空間部１０を排気
することにより、第一反応管３Ａの内壁に付着した付着
物を排除する防止策を講じているが、ガス排気口７Ｂの
周辺部およびガス排気口７Ｂとバルブ８間の排気配管へ
の付着物の排除に対しては充分な効果が期待できないと
いう課題があった。逆に、ガス排気口７Ｂの周辺部およ
びガス排気口７Ｂとバルブ８間の排気配管に付着した付
着物が剥離し、反応管３の空間部を排除するときのガス
の流れによりウエハ１上に付着して異物となることがあ
った。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＣＶＤ装
置においては、ガス供給系に大流量ガス制御装置が設け
られ、かつ、排気配管系に分岐配管と分岐配管に接続し
たエゼクタ式真空ポンプが設けられている。
置においては、ガス供給系に大流量ガス制御装置が設け
られ、かつ、排気配管系に分岐配管と分岐配管に接続し
たエゼクタ式真空ポンプが設けられている。
【００１１】
【作用】この発明に係るＣＶＤ装置においては、ウエハ
上の異物の核となる、排気配管内に付着した付着物およ
び排気配管から剥離して反応管側に移動した付着物は、
大流量ガス制御装置より反応管内に供給され、エゼクタ
式真空ポンプによって排気される窒素ガスなどの不活性
ガスの流れの抵抗力によって一掃される。
上の異物の核となる、排気配管内に付着した付着物およ
び排気配管から剥離して反応管側に移動した付着物は、
大流量ガス制御装置より反応管内に供給され、エゼクタ
式真空ポンプによって排気される窒素ガスなどの不活性
ガスの流れの抵抗力によって一掃される。
【００１２】また、反応管内部および排気配管内部の圧
力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持すること
により、反応管から排気配管系にガスが伝導する熱量が
増して排気配管系の温度が高められることにより、排気
配管系に付着した付着物は容易に剥離しない性状に変化
し、さらに、反応管内部および排気配管内部の圧力が大
気圧未満から数百トールの低真空に維持された状態か
ら、ウエハを反応管内に搬入する大気圧復帰状態に移行
する際の排気配管系の温度変化は低減され、付着物の熱
サイクルによる剥離が著しく抑制される。
力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持すること
により、反応管から排気配管系にガスが伝導する熱量が
増して排気配管系の温度が高められることにより、排気
配管系に付着した付着物は容易に剥離しない性状に変化
し、さらに、反応管内部および排気配管内部の圧力が大
気圧未満から数百トールの低真空に維持された状態か
ら、ウエハを反応管内に搬入する大気圧復帰状態に移行
する際の排気配管系の温度変化は低減され、付着物の熱
サイクルによる剥離が著しく抑制される。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す化学気相成
長装置の断面図であり、図において、反応管３、フロン
トキャップ４、ヒータ５、ガス導入口６、ガス排気口
７、バルブ８および真空ポンプ９は前記従来例と全く同
じであるため、符号のみを付し、その説明を省略する。
長装置の断面図であり、図において、反応管３、フロン
トキャップ４、ヒータ５、ガス導入口６、ガス排気口
７、バルブ８および真空ポンプ９は前記従来例と全く同
じであるため、符号のみを付し、その説明を省略する。
【００１４】符号１１はガス導入口６を含むガス供給系
に設けられた大流量ガス制御装置、１２は排気配管系に
設けられた分岐配管、そして、符号１３は分岐配管１１
に接続されたエゼクター式真空ポンプである。このよう
な構成において、反応管３内にウエハ１を載置した石英
ボード２を搬入する前に、ガス排気系のバルブ８を閉
じ、大流量ガス制御装置１１によって窒素ガスなどの不
活性ガスを反応管３内にガス導入口６より導入するとと
もに分岐配管１１を通しエゼクター式真空ポンプ１２よ
って真空排気する。
に設けられた大流量ガス制御装置、１２は排気配管系に
設けられた分岐配管、そして、符号１３は分岐配管１１
に接続されたエゼクター式真空ポンプである。このよう
な構成において、反応管３内にウエハ１を載置した石英
ボード２を搬入する前に、ガス排気系のバルブ８を閉
じ、大流量ガス制御装置１１によって窒素ガスなどの不
活性ガスを反応管３内にガス導入口６より導入するとと
もに分岐配管１１を通しエゼクター式真空ポンプ１２よ
って真空排気する。
【００１５】また、このとき、エゼクター式真空ポンプ
１２の排気能力を制御し、反応管３内部および排気配管
内部の圧力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持
すると、反応管３から排気配管系にガスが伝導する熱量
が増し、付着物が生成された排気配管系の温度は高めら
れ、付着物は容易に剥離しない性状に変化する。
１２の排気能力を制御し、反応管３内部および排気配管
内部の圧力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持
すると、反応管３から排気配管系にガスが伝導する熱量
が増し、付着物が生成された排気配管系の温度は高めら
れ、付着物は容易に剥離しない性状に変化する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ウエハ上の異物の核となる、排気配管の内壁などに
付着した付着物および排気配管から剥離して反応管側に
移動した付着物は、反応管内に大流量ガス制御装置より
不活性ガスを供給するとともにエゼクタ式真空ポンプに
よって排気するので、不活性ガスの流れの抵抗力によっ
て一掃されるという効果を有する。
ば、ウエハ上の異物の核となる、排気配管の内壁などに
付着した付着物および排気配管から剥離して反応管側に
移動した付着物は、反応管内に大流量ガス制御装置より
不活性ガスを供給するとともにエゼクタ式真空ポンプに
よって排気するので、不活性ガスの流れの抵抗力によっ
て一掃されるという効果を有する。
【００１７】また、反応管内部および排気配管内部の圧
力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持すること
により、反応管から排気配管系にガスが伝導する熱量が
増して付着物が生成された排気配管系の温度が高められ
るので、付着物は容易に剥離しない性状に変化し、さら
に、反応管内部および排気配管内部の圧力が大気圧未満
から数百トールの低真空に維持された状態から、ウエハ
を反応管内に設置する大気圧復帰状態に移行する際の排
気配管系の温度変化は低減するので、付着物の熱サイク
ルによる剥離が著しく抑制されるという効果を有する。
よって、反応管および排気系内が清浄な雰囲気に保たれ
るので、ウエハプロセスの信頼性が高まり、半導体デバ
イスの製造歩溜りが向上するという効果を有する。
力を大気圧未満から数百トールの低真空に維持すること
により、反応管から排気配管系にガスが伝導する熱量が
増して付着物が生成された排気配管系の温度が高められ
るので、付着物は容易に剥離しない性状に変化し、さら
に、反応管内部および排気配管内部の圧力が大気圧未満
から数百トールの低真空に維持された状態から、ウエハ
を反応管内に設置する大気圧復帰状態に移行する際の排
気配管系の温度変化は低減するので、付着物の熱サイク
ルによる剥離が著しく抑制されるという効果を有する。
よって、反応管および排気系内が清浄な雰囲気に保たれ
るので、ウエハプロセスの信頼性が高まり、半導体デバ
イスの製造歩溜りが向上するという効果を有する。
【図１】この発明の一実施例を示す化学気相成長装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の化学気相成長装置の断面図である。
【図３】従来の化学気相成長装置の断面図である。
１ ウエハ ２ ボード ３ 反応管 ５ ヒータ ６ ガス導入口 ７ ガス排気口 １１ 大流量ガス制御装置 １２ 分岐配管 １３ エゼクター式真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 草壁 嘉彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社生産技術研究所内 (72)発明者 神立 信一 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内 (72)発明者 岡本 佳彦 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内 (72)発明者 高橋 広成 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハおよびこのウエハを載置するボー
ドを収容する反応管と、この反応管の周囲に設置され、
ウエハを加熱するためのヒータと、前記反応管に反応ガ
スおよび不活性ガスを供給するためのガス導入口を有す
るガス供給系と、反応後のガスおよび不活性ガスを排気
するガス排気口を有する排気配管系とを備えてなる化学
気相成長装置において、前記ガス供給系に大流量ガス制
御装置を設け、かつ前記排気配管系に分岐配管と分岐配
管に接続したエゼクタ式真空ポンプを設けたことを特徴
とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04033170A JP3098093B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04033170A JP3098093B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234986A true JPH05234986A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3098093B2 JP3098093B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=12379065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04033170A Expired - Fee Related JP3098093B2 (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3098093B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10220832A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 安全装置 |
| JP2002222808A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置およびその圧力制御方法 |
| JP2003158080A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP2008153695A (ja) * | 2008-03-06 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
| JP2010098331A (ja) * | 2003-09-19 | 2010-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP04033170A patent/JP3098093B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10220832A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 安全装置 |
| JP2002222808A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置およびその圧力制御方法 |
| JP4597393B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2010-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2003158080A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法 |
| JP2010098331A (ja) * | 2003-09-19 | 2010-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US8636882B2 (en) | 2003-09-19 | 2014-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Producing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP2008153695A (ja) * | 2008-03-06 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置 |
| JP4675388B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3098093B2 (ja) | 2000-10-10 |
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