JPH09232290A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09232290A JPH09232290A JP5547296A JP5547296A JPH09232290A JP H09232290 A JPH09232290 A JP H09232290A JP 5547296 A JP5547296 A JP 5547296A JP 5547296 A JP5547296 A JP 5547296A JP H09232290 A JPH09232290 A JP H09232290A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、製品の歩留りを向上させるようにす
る。 【解決手段】本発明は、チヤンバ内に反応ガスを供給
し、当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハ
の表面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処
理する半導体製造装置において、化学反応後のチヤンバ
内に残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加
熱して高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、高
温のパージガスをチヤンバ内に供給するガス供給手段と
を具え、化学反応後、チヤンバ内にガス供給手段により
高温のパージガスを供給して排気することによりチヤン
バ内の残留物及び残留ガスを排出する。これにより、半
導体製造装置はチヤンバ内の反応ガスを冷却することな
く残留物及び残留ガスを排出することができ、チヤンバ
内に堆積物が付着することを防止し得る。
る。 【解決手段】本発明は、チヤンバ内に反応ガスを供給
し、当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハ
の表面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処
理する半導体製造装置において、化学反応後のチヤンバ
内に残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加
熱して高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、高
温のパージガスをチヤンバ内に供給するガス供給手段と
を具え、化学反応後、チヤンバ内にガス供給手段により
高温のパージガスを供給して排気することによりチヤン
バ内の残留物及び残留ガスを排出する。これにより、半
導体製造装置はチヤンバ内の反応ガスを冷却することな
く残留物及び残留ガスを排出することができ、チヤンバ
内に堆積物が付着することを防止し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図４） 発明が解決しようとする課題（図４） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１〜図３） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、例えば半導体装置の製造における減圧型のエツチ
ング装置に適用して好適なものである。
関し、例えば半導体装置の製造における減圧型のエツチ
ング装置に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、図４に示すように、エツチング装
置１においては、チヤンバ２内に一定の空間を形成する
ように対向した２枚の円板状の電極３が設けられてお
り、この空間に低圧のプロセスガスを導入し、電極３に
ＲＦ電極４からの高周波電圧を印加することによりプラ
ズマを発生させる。これによりエツチング装置１は、発
生させたプラズマによつて電極３上に載置されたウエハ
５の表面をエツチングし、最後にプロセスガスを排気し
て処理を行つている。
置１においては、チヤンバ２内に一定の空間を形成する
ように対向した２枚の円板状の電極３が設けられてお
り、この空間に低圧のプロセスガスを導入し、電極３に
ＲＦ電極４からの高周波電圧を印加することによりプラ
ズマを発生させる。これによりエツチング装置１は、発
生させたプラズマによつて電極３上に載置されたウエハ
５の表面をエツチングし、最後にプロセスガスを排気し
て処理を行つている。
【０００４】ところで、この種のエツチング装置１で
は、プロセス処理中に生成された副生成物やガスがチヤ
ンバ２内に残留することにより、堆積物となつて側壁に
付着して塵を発生させる原因となつている。そこで、こ
れらの原因による塵を発生させないようにするために、
チヤンバ２の側壁をヒータで加熱して堆積物が付着しな
いようにしたり、チヤンバ２内の残留物を一掃するため
にＮ2 （窒素）ガスを供給し、副生成物や残留ガスを外
部に排出して浄化するようにしたエツチング装置が用い
られている。
は、プロセス処理中に生成された副生成物やガスがチヤ
ンバ２内に残留することにより、堆積物となつて側壁に
付着して塵を発生させる原因となつている。そこで、こ
れらの原因による塵を発生させないようにするために、
チヤンバ２の側壁をヒータで加熱して堆積物が付着しな
いようにしたり、チヤンバ２内の残留物を一掃するため
にＮ2 （窒素）ガスを供給し、副生成物や残留ガスを外
部に排出して浄化するようにしたエツチング装置が用い
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
エツチング装置１においては、プロセスガスやＮ2 ガス
をチヤンバ２内に供給する際にチヤンバ２の内側の側
壁、ウエハ５を搬送する搬送アーム（図示せず）及び円
板状の電極３を冷却してしまうことにより、チヤンバ２
内に残つている副生成物や残留ガスが堆積物となつて側
壁に付着し、これが剥離して塵が発生するという問題が
あつた。
エツチング装置１においては、プロセスガスやＮ2 ガス
をチヤンバ２内に供給する際にチヤンバ２の内側の側
壁、ウエハ５を搬送する搬送アーム（図示せず）及び円
板状の電極３を冷却してしまうことにより、チヤンバ２
内に残つている副生成物や残留ガスが堆積物となつて側
壁に付着し、これが剥離して塵が発生するという問題が
あつた。
【０００６】またエツチング装置１では、液化ガス又は
腐食性ガスを使用している場合、これらのプロセスガス
をチヤンバ２に供給するための配管内にガスが溜まつて
液化し、プロセスガスがチヤンバ２内に流れ難くなると
いう問題があつた。
腐食性ガスを使用している場合、これらのプロセスガス
をチヤンバ２に供給するための配管内にガスが溜まつて
液化し、プロセスガスがチヤンバ２内に流れ難くなると
いう問題があつた。
【０００７】また、エツチング装置１では、排気の入口
部や排気管内に堆積物が付着したり、これらの堆積物が
剥離して発生した塵を一定期間ごとにクリーニングしな
ければならず、そのために製品の歩留りが低下するとい
う問題があつた。
部や排気管内に堆積物が付着したり、これらの堆積物が
剥離して発生した塵を一定期間ごとにクリーニングしな
ければならず、そのために製品の歩留りが低下するとい
う問題があつた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、簡易な構成で製品の歩留りを向上し得る半導体製造
装置を提案しようとするものである。
で、簡易な構成で製品の歩留りを向上し得る半導体製造
装置を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、チヤンバ内に反応ガスを供給し、
当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハの表
面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処理す
る半導体製造装置において、化学反応後のチヤンバ内に
残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加熱し
て高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、高温の
パージガスをチヤンバ内に供給するガス供給手段とを具
え、化学反応後、チヤンバ内にガス供給手段により高温
のパージガスを供給して排気することによりチヤンバ内
の残留物及び残留ガスを排出する。半導体製造装置で
は、化学反応後のチヤンバ内に高温のパージガスを供給
して排気することにより、物及び残留ガスを排出するこ
とができ、チヤンバ内に堆積物が付着することを防止し
得る。
め本発明においては、チヤンバ内に反応ガスを供給し、
当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハの表
面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処理す
る半導体製造装置において、化学反応後のチヤンバ内に
残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加熱し
て高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、高温の
パージガスをチヤンバ内に供給するガス供給手段とを具
え、化学反応後、チヤンバ内にガス供給手段により高温
のパージガスを供給して排気することによりチヤンバ内
の残留物及び残留ガスを排出する。半導体製造装置で
は、化学反応後のチヤンバ内に高温のパージガスを供給
して排気することにより、物及び残留ガスを排出するこ
とができ、チヤンバ内に堆積物が付着することを防止し
得る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１１】図１においては、本発明によるエツチング
装置１０の全体構成を示す。このエツチング装置１０
は、チヤンバ１１と、チヤンバ１１内に反応ガスとして
のプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１２、チ
ヤンバ１１内に加熱したＮ2 ガス（以下、これをホツト
Ｎ2 ガスと呼ぶ）を供給するガス供給手段としてのパー
ジガス供給部１３、チヤンバ１１内に一定の空間を形成
するように対向して設けられた２枚の円板状の電極１４
及び電極１４に高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１
５からなるプラズマ発生手段、エツチングの終点を判定
する終点判定部１６から構成されている。
装置１０の全体構成を示す。このエツチング装置１０
は、チヤンバ１１と、チヤンバ１１内に反応ガスとして
のプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１２、チ
ヤンバ１１内に加熱したＮ2 ガス（以下、これをホツト
Ｎ2 ガスと呼ぶ）を供給するガス供給手段としてのパー
ジガス供給部１３、チヤンバ１１内に一定の空間を形成
するように対向して設けられた２枚の円板状の電極１４
及び電極１４に高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１
５からなるプラズマ発生手段、エツチングの終点を判定
する終点判定部１６から構成されている。
【００１２】またＲＦ電源１５は、一方がコンデンサ３
２を介して電極１４に接続され、他方が接地されてい
る。さらに終点判定部１６は、チヤンバ１１内のウエハ
１８に反射した光の強度を電圧信号に換えてエツチング
の終点を判定するようになされている。
２を介して電極１４に接続され、他方が接地されてい
る。さらに終点判定部１６は、チヤンバ１１内のウエハ
１８に反射した光の強度を電圧信号に換えてエツチング
の終点を判定するようになされている。
【００１３】ここでプロセスガス供給部１２は、Ｃｌ2
ガス、ＣＦ4 ガス及びＢＣｌ3 ガスをエアーオペレーシ
ヨンバルブ（以下、これをＡＯＶと呼ぶ）１７、１８及
び１９を介して流量制御用のマスフローコントローラ
（以下、これをＭＦＣと呼ぶ）２０、２１及び２２に送
出し、このＭＦＣ２０、２１及び２２で流量制御された
プロセスガスをＡＯＶ２３、２４及び２５を介してフア
イナルバルブ２６に送出する。
ガス、ＣＦ4 ガス及びＢＣｌ3 ガスをエアーオペレーシ
ヨンバルブ（以下、これをＡＯＶと呼ぶ）１７、１８及
び１９を介して流量制御用のマスフローコントローラ
（以下、これをＭＦＣと呼ぶ）２０、２１及び２２に送
出し、このＭＦＣ２０、２１及び２２で流量制御された
プロセスガスをＡＯＶ２３、２４及び２５を介してフア
イナルバルブ２６に送出する。
【００１４】またパージガス供給部１３は、常温のＮ2
ガスをＡＯＶ２７を介してＭＦＣ２８に送出し、このＭ
ＦＣ２８で流量制御されたＮ2 ガスをヒータ制御システ
ム２９の制御によるガス加熱手段としてのヒートアツプ
システム３０で加熱し、ホツトＮ2 ガスとしてＡＯＶ３
１を介してフアイナルバルブ２６に送出する。
ガスをＡＯＶ２７を介してＭＦＣ２８に送出し、このＭ
ＦＣ２８で流量制御されたＮ2 ガスをヒータ制御システ
ム２９の制御によるガス加熱手段としてのヒートアツプ
システム３０で加熱し、ホツトＮ2 ガスとしてＡＯＶ３
１を介してフアイナルバルブ２６に送出する。
【００１５】このエツチング装置１０では、プロセスガ
ス供給部１２から供給される３種類のプロセスガスをフ
アイナルバルブ２６を介してチヤンバ１１内に供給し、
２枚の円板状の電極１４の一方にＲＦ電源１５からの高
周波電圧を印加してプラズマを発生させ、ウエハ１８の
表面をエツチングする。
ス供給部１２から供給される３種類のプロセスガスをフ
アイナルバルブ２６を介してチヤンバ１１内に供給し、
２枚の円板状の電極１４の一方にＲＦ電源１５からの高
周波電圧を印加してプラズマを発生させ、ウエハ１８の
表面をエツチングする。
【００１６】その後エツチング装置１０は、パージガス
供給部１３からホツトＮ2 ガスをフアイナルバルブ２６
を介してチヤンバ１１内に供給して真空引きすることに
より、チヤンバ１１内に残つているプロセス処理中に生
成された副生成物や残留ガスをチヤンバ１１の側壁に付
着させることなく排気バルブ３３を介して外部の排気シ
ステム（図示せず）から排出し得るようになされてい
る。
供給部１３からホツトＮ2 ガスをフアイナルバルブ２６
を介してチヤンバ１１内に供給して真空引きすることに
より、チヤンバ１１内に残つているプロセス処理中に生
成された副生成物や残留ガスをチヤンバ１１の側壁に付
着させることなく排気バルブ３３を介して外部の排気シ
ステム（図示せず）から排出し得るようになされてい
る。
【００１７】以上の構成において、エツチング装置１０
では、図２に示す処理手順ＲＴ１に従つてウエハ１８を
エツチングする。すなわちエツチング装置１０は、ＲＴ
１の開始ステツプから入つてステツプＳＰ１に移る。ス
テツプＳＰ１において、エツチング装置１０は、まずチ
ヤンバ１１内にウエハ１８を搬送する。次にステツプＳ
Ｐ２において、エツチング装置１０は、図３のタイミン
グチヤートに基づいて排気バルブ３３のバルブを開いて
真空引きしてステツプＳＰ３に移る。
では、図２に示す処理手順ＲＴ１に従つてウエハ１８を
エツチングする。すなわちエツチング装置１０は、ＲＴ
１の開始ステツプから入つてステツプＳＰ１に移る。ス
テツプＳＰ１において、エツチング装置１０は、まずチ
ヤンバ１１内にウエハ１８を搬送する。次にステツプＳ
Ｐ２において、エツチング装置１０は、図３のタイミン
グチヤートに基づいて排気バルブ３３のバルブを開いて
真空引きしてステツプＳＰ３に移る。
【００１８】ステツプＳＰ３において、エツチング装置
１０は、図３のタイミングチヤートに基づいてＡＯＶ１
７〜１９のバルブを開いて、Ｃｌ2 ガス、ＣＦ4 ガス及
びＢＣｌ3 ガスをＭＦＣ２０〜２２に送出し、ＭＦＣ２
０〜２２で３種類のプロセスガスの流量を制御してＡＯ
Ｖ２３〜２５に送出する。ＡＯＶ２３〜２５は、図３の
タイミングチヤートに基づいて各バルブを開き、３種類
のプロセスガスをフアイナルバルブ２６に送出する。フ
アイナルバルブ２６は、図３のタイミングチヤートに基
づいてバルブを開くことにより、３種類のプロセスガス
をチヤンバ１１内に供給する。
１０は、図３のタイミングチヤートに基づいてＡＯＶ１
７〜１９のバルブを開いて、Ｃｌ2 ガス、ＣＦ4 ガス及
びＢＣｌ3 ガスをＭＦＣ２０〜２２に送出し、ＭＦＣ２
０〜２２で３種類のプロセスガスの流量を制御してＡＯ
Ｖ２３〜２５に送出する。ＡＯＶ２３〜２５は、図３の
タイミングチヤートに基づいて各バルブを開き、３種類
のプロセスガスをフアイナルバルブ２６に送出する。フ
アイナルバルブ２６は、図３のタイミングチヤートに基
づいてバルブを開くことにより、３種類のプロセスガス
をチヤンバ１１内に供給する。
【００１９】続いてステツプＳＰ４において、エツチン
グ装置１０は、チヤンバ１１内に設けられた電極１４に
高周波電圧を印加してステツプＳＰ５に移る。ステツプ
ＳＰ５において、エツチング装置１０は、高周波電圧の
印加によつて発生したプラズマによつてウエハ１８の表
面をエツチングする。そしてステツプＳＰ６において、
エツチング装置１０は、図３のタイミングチヤートに基
づいてＡＯＶ１７〜１９のバルブを閉め、その約１秒後
にＡＯＶ２３〜２５のバルブを閉めることによりガス供
給管内にガスを溜めないようにして、チヤンバ１１内へ
のプロセスガスの供給を停止する。ところが、このとき
チヤンバ１１の側壁に接触した副生成物は多少堆積し、
またプロセスガス供給の停止によりチヤンバ１１内には
停滞する残留ガスがある。
グ装置１０は、チヤンバ１１内に設けられた電極１４に
高周波電圧を印加してステツプＳＰ５に移る。ステツプ
ＳＰ５において、エツチング装置１０は、高周波電圧の
印加によつて発生したプラズマによつてウエハ１８の表
面をエツチングする。そしてステツプＳＰ６において、
エツチング装置１０は、図３のタイミングチヤートに基
づいてＡＯＶ１７〜１９のバルブを閉め、その約１秒後
にＡＯＶ２３〜２５のバルブを閉めることによりガス供
給管内にガスを溜めないようにして、チヤンバ１１内へ
のプロセスガスの供給を停止する。ところが、このとき
チヤンバ１１の側壁に接触した副生成物は多少堆積し、
またプロセスガス供給の停止によりチヤンバ１１内には
停滞する残留ガスがある。
【００２０】そこでステツプＳＰ７において、エツチン
グ装置１０は、図３のタイミングチヤートに基づいて、
ＡＯＶ２３〜２５のバルブを閉めた後にすぐＡＯＶ２７
のバルブを開いてＮ2 ガスをＭＦＣ２８に送出し、ＭＦ
Ｃ２８で流量の制御されたＮ 2 ガスをヒートアツプシス
テム３０で加熱し、ホツトＮ2 ガスとしてＡＯＶ３１に
送出する。ＡＯＶ３１は、図３のタイミングチヤートに
基づいてバルブを開いてフアイナルバルブ２６を介して
チヤンバ１１内にホツトＮ2 ガスを供給する。この後エ
ツチング装置１０は、ＡＯＶ２７のバルブを閉めるタイ
ミングよりも約１秒遅くＡＯＶ３１のバルブを閉めてガ
ス供給管内にガスが溜まることを防止する。すなわちエ
ツチング装置１０では、チヤンバ１１内にホツトＮ2 ガ
スを供給することにより、プロセス処理中に生成された
副生成物や残留ガスをチヤンバ１１内の側壁に付着させ
ることを防止する。
グ装置１０は、図３のタイミングチヤートに基づいて、
ＡＯＶ２３〜２５のバルブを閉めた後にすぐＡＯＶ２７
のバルブを開いてＮ2 ガスをＭＦＣ２８に送出し、ＭＦ
Ｃ２８で流量の制御されたＮ 2 ガスをヒートアツプシス
テム３０で加熱し、ホツトＮ2 ガスとしてＡＯＶ３１に
送出する。ＡＯＶ３１は、図３のタイミングチヤートに
基づいてバルブを開いてフアイナルバルブ２６を介して
チヤンバ１１内にホツトＮ2 ガスを供給する。この後エ
ツチング装置１０は、ＡＯＶ２７のバルブを閉めるタイ
ミングよりも約１秒遅くＡＯＶ３１のバルブを閉めてガ
ス供給管内にガスが溜まることを防止する。すなわちエ
ツチング装置１０では、チヤンバ１１内にホツトＮ2 ガ
スを供給することにより、プロセス処理中に生成された
副生成物や残留ガスをチヤンバ１１内の側壁に付着させ
ることを防止する。
【００２１】ステツプＳＰ８において、エツチング装置
１０は、図３のタイミングチヤートに基づいてフアイナ
ルバルブ２６のバルブを閉め、チヤンバ１１内のホツト
Ｎ2ガスを真空引きして副生成物や残留ガスを排気シス
テムから排出した後に排気バルブ３３を閉めてステツプ
ＳＰ９に移る。最後にステツプＳＰ９において、エツチ
ング装置１０は、エツチングした後のウエハ１８を払い
出してステツプＳＰ１０に移つて処理手順ＲＴ１を終了
する。
１０は、図３のタイミングチヤートに基づいてフアイナ
ルバルブ２６のバルブを閉め、チヤンバ１１内のホツト
Ｎ2ガスを真空引きして副生成物や残留ガスを排気シス
テムから排出した後に排気バルブ３３を閉めてステツプ
ＳＰ９に移る。最後にステツプＳＰ９において、エツチ
ング装置１０は、エツチングした後のウエハ１８を払い
出してステツプＳＰ１０に移つて処理手順ＲＴ１を終了
する。
【００２２】以上の構成によれば、エツチング装置１０
は、プロセスガス供給部１２からプロセスガスを供給
し、電極１４に高周波電圧を印加することにより発生し
たプラズマでウエハ１８の表面をエツチングした後にプ
ロセスガスの供給を停止して、パージガス供給部１３か
ら加熱したホツトＮ2 ガスをチヤンバ１１内に供給して
真空引きすることにより、プロセス処理中に生成されて
チヤンバ１１内に残つている副生成物や残留ガスを堆積
物として側壁に付着させることなく排気システムから外
部に排出することができる。
は、プロセスガス供給部１２からプロセスガスを供給
し、電極１４に高周波電圧を印加することにより発生し
たプラズマでウエハ１８の表面をエツチングした後にプ
ロセスガスの供給を停止して、パージガス供給部１３か
ら加熱したホツトＮ2 ガスをチヤンバ１１内に供給して
真空引きすることにより、プロセス処理中に生成されて
チヤンバ１１内に残つている副生成物や残留ガスを堆積
物として側壁に付着させることなく排気システムから外
部に排出することができる。
【００２３】またエツチング装置１０は、ＭＦＣ２０〜
２２及び２８の前後挟むようにしてＡＯＶ１７〜１９、
２３〜２５及びＡＯＶ２７、３１を設け、バルブの開閉
するタイミングをずらすようにしたことにより、ガス供
給管内にガスが溜まつて液化することを防止し得、ガス
を滑らかにチヤンバ１１内に供給することができる。
２２及び２８の前後挟むようにしてＡＯＶ１７〜１９、
２３〜２５及びＡＯＶ２７、３１を設け、バルブの開閉
するタイミングをずらすようにしたことにより、ガス供
給管内にガスが溜まつて液化することを防止し得、ガス
を滑らかにチヤンバ１１内に供給することができる。
【００２４】また、エツチング装置１では、ホツトＮ2
ガスをチヤンバ１１内に供給して真空引きすることによ
り、排気の入口部や排気管内に堆積物が付着することを
防止し得、堆積物の剥離による塵の発生を防止できる。
かくして、エツチング装置１０は、エツチング工程にお
いて塵を発生させることなく製品の歩留りを向上させる
ことができる。
ガスをチヤンバ１１内に供給して真空引きすることによ
り、排気の入口部や排気管内に堆積物が付着することを
防止し得、堆積物の剥離による塵の発生を防止できる。
かくして、エツチング装置１０は、エツチング工程にお
いて塵を発生させることなく製品の歩留りを向上させる
ことができる。
【００２５】なお上述の実施例においては、チヤンバ１
１に供給するパージガスとしてホツトＮ2 ガスを用いる
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、Ａｒ等の不活性ガスやドライエアを用いるようにし
ても良い。この場合にも、上述の実施例と同様の効果を
得ることができる。
１に供給するパージガスとしてホツトＮ2 ガスを用いる
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、Ａｒ等の不活性ガスやドライエアを用いるようにし
ても良い。この場合にも、上述の実施例と同様の効果を
得ることができる。
【００２６】また上述の実施例においては、チヤンバ１
１に供給するパージガスとしてホツトＮ2 ガスを用いる
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、ホツトＮ2 ガスの代わりにプロセスガスを加熱した
高温のプロセスガスとしてチヤンバ１１内に供給するよ
うにしても良い。
１に供給するパージガスとしてホツトＮ2 ガスを用いる
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、ホツトＮ2 ガスの代わりにプロセスガスを加熱した
高温のプロセスガスとしてチヤンバ１１内に供給するよ
うにしても良い。
【００２７】さらに上述の実施例においては、チヤンバ
１１内に供給するプロセスガスとしてＣｌ2 ガス、ＣＦ
４ガス及びＢＣｌ3 ガスを用いるようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、他の種々のプロセ
スガスを用いるようにしても良い。
１１内に供給するプロセスガスとしてＣｌ2 ガス、ＣＦ
４ガス及びＢＣｌ3 ガスを用いるようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、他の種々のプロセ
スガスを用いるようにしても良い。
【００２８】さらに上述の実施例においては、プロセス
ガスとホツトＮ2 ガスを共通の配管でチヤンバ１１内に
供給するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、プロセスガスとホツトＮ2 ガスをそれぞれ
別に設けた配管を用いてチヤンバ１１内に供給するよう
にしても良い。
ガスとホツトＮ2 ガスを共通の配管でチヤンバ１１内に
供給するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、プロセスガスとホツトＮ2 ガスをそれぞれ
別に設けた配管を用いてチヤンバ１１内に供給するよう
にしても良い。
【００２９】さらに上述の実施例においては、チヤンバ
１１の上部からプロセスガス及びホツトＮ2 ガスを供給
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、チヤンバ１１の任意の場所に複数の供給配管を
設けてプロセスガス及びホツトＮ2 ガスを供給するよう
にしても良い。これにより、エツチング装置１０は、さ
らに効率良く副生成物や残留ガスをパージすることがで
きる。
１１の上部からプロセスガス及びホツトＮ2 ガスを供給
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、チヤンバ１１の任意の場所に複数の供給配管を
設けてプロセスガス及びホツトＮ2 ガスを供給するよう
にしても良い。これにより、エツチング装置１０は、さ
らに効率良く副生成物や残留ガスをパージすることがで
きる。
【００３０】さらに上述の実施例においては、プロセス
ガス及びＮ2 ガスの流量制御にマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）２０〜２２及び２８を用いるようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、ニードルバ
ルブ等、他の種々の流量制御手段を用いるようにしても
良い。
ガス及びＮ2 ガスの流量制御にマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）２０〜２２及び２８を用いるようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、ニードルバ
ルブ等、他の種々の流量制御手段を用いるようにしても
良い。
【００３１】さらに上述の実施例においては、本発明の
エツチング装置１０をチヤンバ１１内でウエハを１枚づ
つ処理する枚葉式のエツチング装置の場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、一度に多数枚のウエハを
処理できるバツチ式のエツチング装置に適用しても良
い。
エツチング装置１０をチヤンバ１１内でウエハを１枚づ
つ処理する枚葉式のエツチング装置の場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、一度に多数枚のウエハを
処理できるバツチ式のエツチング装置に適用しても良
い。
【００３２】さらに上述の実施例においては、プロセス
ガスをチヤンバ１１から排気するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、チヤンバ１１の前
後又はどちらか一方に設けられたロードロツク・アンロ
ードロツク室（図示せず）から排気するようにしても良
い。
ガスをチヤンバ１１から排気するようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、チヤンバ１１の前
後又はどちらか一方に設けられたロードロツク・アンロ
ードロツク室（図示せず）から排気するようにしても良
い。
【００３３】さらに上述の実施例においては、電極１４
に高周波電圧を印加してプラズマを発生させるエツチン
グ装置１０を用いた場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる
マイクロ波プラズマエツチング装置や、ヘリコン波を用
いてプラズマを発生させるヘリコン波プラズマエツチン
グ装置に適用するようにしても良い。
に高周波電圧を印加してプラズマを発生させるエツチン
グ装置１０を用いた場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる
マイクロ波プラズマエツチング装置や、ヘリコン波を用
いてプラズマを発生させるヘリコン波プラズマエツチン
グ装置に適用するようにしても良い。
【００３４】さらに上述の実施例においては、本発明を
エツチング装置１０に適用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、アツシング装置やＣ
ＶＤ(chemical vapor deposition) 装置に適用しても好
適である。
エツチング装置１０に適用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、アツシング装置やＣ
ＶＤ(chemical vapor deposition) 装置に適用しても好
適である。
【００３５】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、チヤンバ
内に反応ガスを供給し、当該反応ガスを上記チヤンバ内
に搬送されたウエハの表面と化学反応させることにより
当該ウエハ表面を処理する半導体製造装置において、化
学反応後のチヤンバ内に残留した残留ガスを一掃するた
めのパージガスを加熱して高温のパージガスを生成する
ガス加熱手段と、高温のパージガスをチヤンバ内に供給
するガス供給手段とを具え、化学反応後、チヤンバ内に
ガス供給手段により高温のパージガスを供給して排気す
ることによりチヤンバ内の残留物及び残留ガスを排出す
ることができると共に、チヤンバ内に堆積物が付着する
ことを防止でき、かくして製品の歩留りを向上し得る半
導体製造装置を実現できる。
内に反応ガスを供給し、当該反応ガスを上記チヤンバ内
に搬送されたウエハの表面と化学反応させることにより
当該ウエハ表面を処理する半導体製造装置において、化
学反応後のチヤンバ内に残留した残留ガスを一掃するた
めのパージガスを加熱して高温のパージガスを生成する
ガス加熱手段と、高温のパージガスをチヤンバ内に供給
するガス供給手段とを具え、化学反応後、チヤンバ内に
ガス供給手段により高温のパージガスを供給して排気す
ることによりチヤンバ内の残留物及び残留ガスを排出す
ることができると共に、チヤンバ内に堆積物が付着する
ことを防止でき、かくして製品の歩留りを向上し得る半
導体製造装置を実現できる。
【図１】本発明の一実施例によるエツチング装置の構成
を示すブロツク図である。
を示すブロツク図である。
【図２】本発明の一実施例によるエツチング装置の処理
手順を示すフローチヤートである。
手順を示すフローチヤートである。
【図３】本発明の一実施例によるエツチング装置に設け
られたバルブ開閉のタイミングチヤートを示す略線図で
ある。
られたバルブ開閉のタイミングチヤートを示す略線図で
ある。
【図４】従来のエツチング装置の構成を示す略線図であ
る。
る。
１、１０……エツチング装置、２、１１……チヤンバ、
３、１４……電極、４、１５……ＲＦ電源、５、１８…
…ウエハ、１２……プロセスガス供給部、１３……パー
ジガス供給部、１６……終点判定部、１７〜１９、２３
〜２５、２７、３１……エアーオペレーシヨンバルブ
（ＡＯＶ）、２０〜２２、２８……マスフローコントロ
ーラ（ＭＦＣ）、２６……フアイナルバルブ、２９……
ヒータ制御システム、３０……ヒートアツプシステム、
３２……コンデンサ、３３……排気バルブ。
３、１４……電極、４、１５……ＲＦ電源、５、１８…
…ウエハ、１２……プロセスガス供給部、１３……パー
ジガス供給部、１６……終点判定部、１７〜１９、２３
〜２５、２７、３１……エアーオペレーシヨンバルブ
（ＡＯＶ）、２０〜２２、２８……マスフローコントロ
ーラ（ＭＦＣ）、２６……フアイナルバルブ、２９……
ヒータ制御システム、３０……ヒートアツプシステム、
３２……コンデンサ、３３……排気バルブ。
Claims (5)
- 【請求項１】チヤンバ内に反応ガスを供給し、当該反応
ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハの表面と化学
反応させることにより当該ウエハ表面を処理する半導体
製造装置において、 上記化学反応後の上記チヤンバ内に残留した残留ガスを
一掃するためのパージガスを加熱して高温のパージガス
を生成するガス加熱手段と、 上記高温のパージガスを上記チヤンバ内に供給するガス
供給手段とを具え、 上記化学反応後、上記チヤンバ内に上記ガス供給手段に
より上記高温のパージガスを供給して排気することによ
り上記チヤンバ内の残留物及び上記残留ガスを排出する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】上記チヤンバは、当該チヤンバ内に設けら
れた一対の電極間に高周波電圧を印加し、上記反応ガス
を励起させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段を
有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項３】上記高温のパージガスは、窒素ガスでなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】上記高温のパージガスは、上記反応ガスで
なることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項５】上記ガス供給手段は、上記反応ガスの供給
を制御する第１のバルブ、当該第１のバルブを通過した
上記反応ガスの流量を制御するガス流量制御部、当該ガ
ス流量制御部を介して流量制御された上記反応ガスの供
給を制御する第２のバルブでなることを特徴とする請求
項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5547296A JPH09232290A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5547296A JPH09232290A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232290A true JPH09232290A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12999557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5547296A Pending JPH09232290A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232290A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990078060A (ko) * | 1998-03-20 | 1999-10-25 | 가네꼬 히사시 | 플라즈마에칭방법 및 플라즈마에칭장치 |
| JP2004153265A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-27 | Boc Group Inc:The | 酸化クリーニングガスを熱活性化する方法および装置 |
| JP2006237360A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 半導体製造装置のガスクリーニングシステム |
| KR100754827B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-09-04 | 이선영 | 반도체 웨이퍼용 퍼지 가스의 가열 장치 |
| JP2009138210A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法ならびに発光装置の製造方法 |
| US7615259B2 (en) * | 2001-02-15 | 2009-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for processing workpiece |
| US8124539B2 (en) | 2003-04-24 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
| JP5793241B1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体 |
| JP5940199B1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-06-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| US11104995B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-08-31 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP5547296A patent/JPH09232290A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306770B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| KR19990078060A (ko) * | 1998-03-20 | 1999-10-25 | 가네꼬 히사시 | 플라즈마에칭방법 및 플라즈마에칭장치 |
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