JP2001020076A - 反応室のクリーニング方法及び装置 - Google Patents
反応室のクリーニング方法及び装置Info
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Abstract
減することができると共に、均一なクリーニングを可能
にする。 【解決手段】 反応室1の内部に処理ガスを導入し、該
処理ガスを用いて基板3に対し成膜を行うプラズマCV
D装置において、反応室1内にクリーニングガスを導入
する導入管路15上にプラズマ生成ユニット14を設
け、基板に対する成膜処理を行う空き時間に、プラズマ
生成ユニット14で生成したプラズマによりクリーニン
グガスを活性化させ、該活性化させたクリーニングガス
を反応室1内に導入して、反応室1内をクリーニングす
る。
Description
コン基板やガラス基板などの被処理物に対して薄膜を形
成したり、薄膜のエッチングを行ったりする処理装置に
おいて、反応室内のクリーニングを行う方法及び装置に
関する。
ェーハ(被処理物)上にプラズマを利用して所定の成膜
を施すプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)成
膜工程がある。これは、真空保持された反応室内にウェ
ーハを配置し、反応室内に処理ガスを供給しながら、高
周波電力を放電用コイルや放電用電極に印加して、反応
室内にプラズマを発生させ、該プラズマにより処理ガス
を分解して化学反応を起こさせ、それによりウェーハの
表面上に薄膜を形成するというものである。
反応室の内壁表面や電極表面などにも膜が付着してい
き、ある膜厚以上になると、膜剥がれを生じて、パーテ
ィクル発生の原因となる。このため、通常の処理装置で
は、基板1枚ごとに、あるいは基板数枚ごとに1回の割
合で、クリーニング工程を実施し、反応室のメンテナン
ス周期を延ばすようにしている。以下、具体的なプラズ
マ処理装置を例にとって説明する。
D装置の一例を示している。反応室1は、アルミニウム
などの金属材料製の真空容器2で気密に構成されてい
る。反応室1の内部には、被処理物である基板(ウェー
ハ等)3を載置する基板載置台4が設置されている。基
板載置台4は、内蔵したヒータユニット(図示略)によ
り、基板3を所定温度に加熱できるようになっている。
また、この場合の基板載置台4はアースに接続されてい
る。
置台4と平行に上部電極6が配設されている。上部電極
6の下面側は、ガス導入口12から導入された処理ガス
(反応性ガス)を、反応室1内部にシャワー状に供給す
るためのシャワー板5となっている。この場合の上部電
極6はカソード電極としての機能を果たすもので、絶縁
ブロック7によって真空容器2と絶縁され、整合器8を
介して高周波電源9に接続されている。
減圧雰囲気下で行うため、反応室1の周壁下部には、反
応室1内の雰囲気ガスを排気するための排気ポンプ10
が、コンダクタンス調整器11を介して接続されてい
る。コンダクタンス調整器11は、排気経路の排気コン
ダクタンスを調整して反応室1内部の圧力を調節するた
めのものである。
明する。まず、排気ポンプ10によって充分排気された
反応室1内の基板載置台4の上面に、図示略の基板搬送
手段によって基板3を搬送し載置する。次に、基板載置
台4に内蔵したヒータユニットにより、その基板3をそ
の処理に適した温度に加熱する。
口12から所定流量の処理ガスを上部電極6に供給し、
上部電極6の下面のシャワー板5から反応室1内にシャ
ワー状に吹き出させる。そして、図示しない圧力測定器
とコンダクタンス調節器11の作用により、反応室1内
の圧力を所定の値に保持する。
波電力を、整合器8を介してカソード電極としての機能
を果たす上部電極6に印加する。そうすると、上部電極
6と基板載置台4間に発生する電界の作用により、反応
室1内にプラズマ13が生成され、基板載置台4上の基
板3の表面に薄膜が形成される。
マ13は、反応室1内の広い範囲に広がる。このため、
真空容器2の壁の表面、基板載置台4の側面及び裏側、
上部電極6の側面及び裏側などに薄膜が付着する。
しない基板搬送機構により、反応室1の外に搬出され、
新たに処理すべき基板3が搬入される。これを繰り返す
ことにより、反応室1内の各部に付着した薄膜は少しず
つ厚くなり、やがて剥がれるような状態になる。特に、
基板3の上方部に付着した薄膜は、基板3の処理中ある
いは搬送中に基板3の上に落下したりするおそれがあ
る。
ると、工程不良となり、歩留まりが低下する。このた
め、反応室1の内部は定期的にクリーニングする必要が
ある。その方法としては、反応室1内を大気圧に開放し
て、直接作業者が反応室1内の各部を水や有機溶剤を繊
維状のものに含ませて拭き取ったり、付着物が強固な場
合は、ナイフ状のもので削り取ったりする方法と、反応
室を開放せず、クリーニングガス等を反応室に導入し
て、付着物を化学的、物理的作用で除去するインサイチ
ュークリーニングの方法がある。
として、プラズマクリーニングがある。プラズマクリー
ニングは、被処理物である基板3の処理を1回以上行っ
た後に、基板3の無い状態で行う。即ち、反応室1から
基板3を搬出した後、反応室1の内部にガス導入口12
から、薄膜を除去するためのエッチングガス(クリーニ
ングガス)を導入する。
力測定器とコンダクタンス調整器11の作用により、反
応室1内をプラズマクリーニングに適した所定の圧力に
保持した後、高周波電源9の出力する高周波電力を、整
合器8を介して上部電極6に印加することで反応室1内
にプラズマを生成し、反応室1内に生成したプラズマ1
3により、反応室1内の各部に付着した薄膜をエッチン
グにより除去する。
基板3の処理工程の合間に、反応室1内の各部に形成さ
れる薄膜を除去することができる。そのため、板処理の
歩留まりを向上させることができる。
る。図19は、誘導結合型プラズマCVD装置の一例を
示す。本図に示すプラズマCVD装置は、反応室100
を、下部構造体106と上部のセラミックドーム(誘電
体ドーム)103とで構成しており、下部構造体106
にターボ分子ポンプ107が設けられている。
電極を兼ねたウェーハ吸着固定用の静電チャック101
が設けられており、静電チャック101上にウェーハ
(本図では図示略)を配置できるようになっている。1
10は、静電チャック101用の直流電源である。処理
ガス(反応ガス)は、セラミックドーム103上に置か
れたシャワー板105、SiH4 ガス用リングノズル1
11、酸素ガス用リングノズル112にそれぞれ別系統
で接続されたガス供給管153、151、152を通っ
て供給されるようになっている。
は、高周波電源108に接続されたコイル104が配置
されており、反応室100内に導入された反応ガスにコ
イル104によって高周波を誘導的に印加することで、
低圧力(1Pa)でも高密度なプラズマを発生させて、
ウェーハ上に所定の成膜を行えるようになっている。
下部に水冷ジャッケトを備えた下電極102を有し、こ
の下電極102に高周波電源109の出力する13.5
6MHzの高周波電力を供給することで、コイル104
によって生成されたプラズマをウェーハ上に引き込み、
スパッタデポを実現するようになっている。
平板型のプラズマCVD装置と区別され、HDP(High
Density Plasma)−CVD装置と呼ばれている。
数をこなしていくに従い、反応室100の内表面等に膜
が堆積していく。この膜の堆積は、パターン欠陥や不良
の原因となるパーティクル発生の元になるので、このパ
ーティクルの発生量が多くなると、装置をいったん止め
て、反応室100内をクリーニングする必要がある。い
ったん装置を止め、掃除して再度立ち上げ、成膜可能な
状態にするのにかかる時間は、約4〜5時間である。こ
のため、半導体メーカーは、できる限りパーティクル発
生周期を長くするために、基板1枚を処理するごとに、
または、基板数枚を処理するごとに、1回の割合でエッ
チングガス(C2F6等のクリーニングガス)を反応室1
00内に導入してプラズマを発生させ、反応室100内
に堆積した膜をエッチングにより除去するようにしてい
る。
うに反応室1、100内においてプラズマを発生させて
行うインサイチュークリーニングには、次に述べるよう
ないくつかの問題点がある。
直接発生させてエッチングガスにより付着物を除去する
ので、プラズマによって反応室1内の各部(反応室の内
壁や静電チャック、電極等)がダメージを受けることで
ある。つまり、プラズマは荷電粒子であるため、分子や
原子などの中性粒子と異なり、電界で加速され、中性粒
子より相当大きなエネルギを持つ。このため、反応室
1、100内の壁や電極表面等に激しく衝突し、物理的
にダメージを与える(スパッタリング作用)。また、表
面に付着した反応性の粒子にもエネルギを与えて活性化
するため、化学反応も促進する。このように、荷電粒子
の持つ高いエネルギのため、低温でも大きな速度でエッ
チングが進行し、反応室1内の各部材自体をも少しずつ
エッチングしてしまう。
プロセスは、ウェーハのエッチングではなく、反応室の
内壁表面や電極表面等に付着した反応生成物をエッチン
グにより除去しようとするものなので、均一なクリーニ
ングができないことである。つまり、プラズマクリーニ
ング時に生成されるプラズマの密度分布はクリーニング
に適するようには一様ではなく、反応室内部の構造によ
って、濃いところや薄いところ、また、イオン衝撃を強
く受けるところ、僅かしか受けないところなどがある。
このため、エッチング速度も一様ではなく、薄膜(反応
生成物)が早く取れる場所と、なかなか取れない場所が
出てくる。
面は地肌が露出した状態になり、長期間プラズマに晒さ
れることになる。そして、エッチングの遅い箇所に合わ
せることめた、その後もエッチング速度の速い部分のク
リーニングが継続して行われることにより、エッチング
速度の速い部分に関しては、エッチングダメージが進行
する。従って、クリーニングによる部材の消耗のバラツ
キが大きくなる等の問題がある。
よる反応室内各部のダメージを軽減することができると
共に、均一なクリーニングを可能にする反応室のクリー
ニング方法及びクリーニング装置を提供することを目的
とする。
室の内部に処理ガスを導入し、該処理ガスを用いて被処
理物に対し物理化学的処理を施す処理装置の前記反応室
のクリーニング方法において、前記反応室内にクリーニ
ングガスを導入する経路の反応室近傍にプラズマ生成ユ
ニットを設け、前記被処理物に対する処理の空き時間
に、前記プラズマ生成ユニットで生成したプラズマによ
りクリーニングガスを活性化させ、該活性化させたクリ
ーニングガスを前記反応室内に導入して反応室内をクリ
ーニングすることを特徴とする。
スを導入し、該処理ガスを用いて被処理物に対し物理化
学的処理を施す処理装置の前記反応室のクリーニング装
置において、前記被処理物に対する処理の空き時間に、
前記反応室内にクリーニングガスを導入するクリーニン
グガス導入手段と、該クリーニングガス導入手段のガス
導入経路の反応室近傍に設けられ、反応室内のクリーニ
ング時にプラズマを生成し、該プラズマにより反応室内
に導入するクリーニングガスを活性化させるプラズマ生
成ユニットとを備えたことを特徴とする。
内のクリーニング時に、反応室内でプラズマを発生させ
てクリーニングガスを活性化させるのではなく、反応室
外に設けたプラズマ生成ユニットでプラズマを発生さ
せ、そのプラズマでクリーニングガスを活性化させた上
で、その活性化したクリーニングガスを外部から反応室
内に導入するようにしているので、反応室内にプラズマ
が流入するのを極力抑えることができ、プラズマによる
反応室内でのスパッタリング作用を防止して、プラズマ
による反応室内各部のダメージの進行を軽減することが
できる。また、反応室内でのスパッタリング作用を防止
できると共に、反応室内のプラズマ密度の不均一による
問題を解消できるので、局所的なエッチングの進行を回
避して、バラツキのない一様なクリーニング効果を達成
することができる。従って、局部的な部材の消耗を減ら
すことができると共に、クリーニング時間の短縮を図る
こともできる。
記プラズマ生成ユニットのプラズマ源が、コイルに高周
波電力を印加し、それにより発生する高周波電磁界によ
ってプラズマを生成する誘導結合型のものであることを
特徴とする。
用いるので、マイクロ波型のプラズマ源を利用する場合
と比べて、高周波電源の周波数を2桁程度小さくするこ
とができる。ちなみに、マイクロ波型の場合は通常2.
45(GHz)の周波数であるが、誘導結合型の場合は
通常13.56(MHz)の周波数である。また、誘導
結合型の場合は、パイプで誘導コイルを構成することが
できるので、その中に冷却水を通すことで冷却構造の簡
素化を図ることができるし、放電部に高周波パワーを有
効に投入することもできる。
いて、前記反応室とプラズマ生成ユニットのプラズマ室
との間にゲート弁を設けたことを特徴とする。
ットのプラズマ室との間に設けたゲート弁を閉めること
により、反応室内で処理中のガスが、プラズマ生成ユニ
ット側へ流れ込むのを防止することができる。また、ク
リーニング時にはゲート弁を開くことで、プラズマ生成
ユニットで活性化したクリーニングガスを反応室内に導
入することができる。
かにおいて、前記プラズマ生成ユニットのプラズマ室か
ら反応室までの間に、該プラズマ生成ユニットで生成し
たプラズマの反応室内への流入を阻止するグリッドを設
けたことを特徴とする。この場合のグリッドは、適当な
目粗さの金属メッシュ(アルミニウム製等)やパンチン
グメタル等で構成することができる。
より、荷電粒子の電荷がグリッドに流れたり、あるい
は、電圧で反発されたりするため、グリッドを通過する
荷電粒子の量が減る。つまり、クリーニングガスのラジ
カルのみを反応室内に導入することができ、プラズマの
流入を阻止することができる。
記グリッドをアースに接続したことを特徴とする。
従って荷電粒子も反応室側に流れていくが、アース接続
されたグリッドの壁に荷電粒子が触れることで電荷を失
う。このため、グリッドのない場合に比べると、プラズ
マ生成ユニットから反応室側へ流れる荷電粒子の量を著
しく減らすことができる。
記グリッドに正の直流電圧を印加したことを特徴とす
る。
ン)が、グリッドの正の電圧で反発されて、グリッドに
近づけなくなるため、プラズマ生成ユニットから反応室
側へ流れる正に帯電した粒子(イオン)の数を減らすこ
とができる。
記グリッドに負の直流電圧を印加したことを特徴とす
る。
負イオン)が、グリッドの負の電圧で反発されて、グリ
ッドに近づけなくなるため、プラズマ室から反応室側へ
流れる負に帯電した粒子(電子や負イオン)の数を減ら
すことができる。
記グリッドを2段に設け、一方のグリッドに正の直流電
圧を印加し、他方のグリッドに負の直流電圧を印加した
ことを特徴とする。
ン)が、正の直流電圧を印加されたグリッドで反発され
て、該グリッドに近づけなくなるため、プラズマ生成ユ
ニットから反応室側へ流れる正に帯電した粒子(イオ
ン)の数を減らすことができる。また、負に帯電した粒
子(電子や負イオン)が、負の直流電圧を印加されたグ
リッドで反発されて、該グリッドに近づけなくなるた
め、プラズマ室から反応室側へ流れる負に帯電した粒子
(電子や負イオン)の数を減らすことができる。つま
り、正負の荷電粒子を、それぞれ電気的な力でプラズマ
生成ユニット側に押し返すことができ、反応室内への荷
電粒子の流入を有効に阻止することができる。
れかにおいて、前記コイルに高周波電力を印加するため
の高周波電源に、正弦波を断続的に発生させるタイムモ
ジュレーション機能を持たせたことを特徴とする。
続的に発生させるタイムモジュレーション機能を持たせ
ているので、生成したプラズマの電子温度のコントロー
ルが可能となり、クリーニングに適した中性活性種の生
成量を増やすことができる。
ずれかにおいて、前記プラズマ生成ユニットから流出す
る活性化されたクリーニングガスを、反応室の少なくと
も2カ所以上の場所から反応室内に供給するように構成
したことを特徴とする。
からクリーニングガスを導入するようにしたので、反応
室全体にクリーニングガスを拡散させることができて、
クリーニング効果を反応室全体に広げることができる。
を参照しながら説明する。
平行平板型プラズマCVD装置の断面図である。図示す
るプラズマCVD装置は、図18に示した従来例と類似
のものであるので、異なる点のみを詳しく説明し、同一
要素には図中同符号を付して説明を省略する。
は、反応室1内へ処理ガスを導入する処理ガス導入経路
(ガス導入口12)と独立して、反応室1内にクリーニ
ングガスを導入するクリーニングガス導入経路15を設
け、そのクリーニング導入経路15上に、プラズマ生成
ユニット14を配置している点である。このプラズマ生
成ユニット14は、基板処理の空き時間に実施するクリ
ーニング時に、プラズマを生成して、該プラズマにより
反応室1内に導入するクリーニングガスを活性化させる
ものである。
ように、反応室1を構成する真空容器2の近傍に設け
て、ガス輸送管路50を介して反応室1とつないでもよ
いし、クリーニングガスのラジカル(活性種)を一層効
率良く反応室1へ導入するために、図2に示すように、
真空容器2の外壁に直接取り付けてもよい。
グ方法について説明する。反応室1内に処理すべき基板
3を搬入して、基板3の表面に薄膜を形成する工程は従
来と同じである。違うのは、クリーニング工程(クリー
ニングの方法)である。反応室1内のクリーニングは、
被処理物である基板3の成膜処理を1回以上行った後
に、基板3のない状態、つまり基板3を反応室1外に取
り出した状態で行う。
マ生成ユニット14内部に、クリーニングガス導入経路
15から、薄膜を除去するためのクリーニングガスを導
入する。クリーニングガスは、例えばC2F6、CF4、
NF3、N2、N2O、O2 の中から選択して、単独ある
いは組合わせて用いる。
同様に、図示しない圧力測定器とコンダクタンス調整器
11の作用により、反応室1の内部を所定の圧力に保持
し、クリーニングガスをプラズマ生成ユニット14に導
入する。そして、プラズマ生成ユニット14の高密度型
プラズマ源により、プラズマを生成し、プラズマ生成ユ
ニット14で生成したクリーニングガスのプラズマの一
部及び大量の中性活性種を反応室1内へ送り込む。それ
により、反応室1内の種々の部材の表面に付着した薄膜
をエッチング作用により除去することができ、除去物質
をクリーニングガスと共に反応室1の外部に排気するこ
とができる。
でプラズマを発生させてクリーニングガスを活性化させ
るのではなく、反応室1外に設けたプラズマ生成ユニッ
ト14でプラズマを発生させ、そのプラズマでクリーニ
ングガスを活性化させ、その上で、その活性化したクリ
ーニングガスを反応室1内に導入するので、反応室1内
にプラズマが流入するのを極力抑えることができ、反応
室1内のプラズマ密度の不均一による問題を解消するこ
とができる。従って、プラズマによる反応室1内でのス
パッタリング作用を防止することができ、プラズマによ
る反応室1内各部のダメージの進行を軽減することがで
きる。
を防止できると共に、反応室1内のプラズマ密度の不均
一による問題を解消できるので、局所的なエッチングの
進行を回避して、バラツキのない一様なクリーニング効
果を達成することができる。従って、局部的な部材の消
耗を減らすことができると共に、クリーニング時間の短
縮を図ることもできる。
めた部分の具体的な構造例を図3〜図11を用いて説明
する。
外壁に直接取り付けられたプラズマ生成ユニットの第1
の例を示す断面図である。このプラズマ生成ユニット1
4Aは、金属製のプラズマ室壁16及び誘電体窓17で
気密に構成された円柱空間形状のプラズマ室18と、該
プラズマ室18内に高密度プラズマ19を生成するため
誘電体窓17の外周に巻かれたコイル20とで構成され
ている。円筒状に形成されたプラズマ室壁16の一端側
は反応室1に接続され、他端側にクリーニングガス導入
経路15が接続されている。また、コイル20には、高
周波電源21の出力する高周波電力を整合器22を介し
て供給できるようになっている。
の発する高周波電磁界をプラズマ室18内部に効率的に
導入できるように、セラミクス等の誘電損の小さな物質
が用いられている。放電状況を外部から見えるようにす
るために、石英などの透明の物質を用いてもよい。
3.56[MHz]を用いる。クリーニングガスの励起
状態を最適化するために、他の周波数を用いることも可
能である。また、高周波電力をパルス変調して用いるこ
ともできる。
クリーニングガスを活性化させるには、プラズマ生成ユ
ニット14A内にクリーニングガスを導入しながら、コ
イル20に高周波電力を印加する。それにより、高周波
電界の作用でクリーニングガスが活性化され、活性化し
たクリーニングガスが反応室1内に導入される。従っ
て、反応室1内の各部に付着した薄膜をエッチング作用
により除去することができる。
示す断面図である。このプラズマ生成ユニット14Bで
は、図3の構成に加えて、プラズマ室18と反応室1を
つなぐ通路途中に新たにゲート弁23を付加している。
のプラズマ室18と反応室1をつなぐ経路上にゲート弁
23を設けることにより、反応室1内の処理ガス(反応
ガス)が、プラズマ生成ユニット14側へ流れ込むのを
防ぐことができる。それ以外の構成は、図3の例と同じ
である。
示す断面図である。このプラズマ生成ユニット14Cで
は、図4の構成に加えて、プラズマ室18と反応室1を
つなぐ経路途中(ゲート弁23よりプラズマ室18側)
に、新たにグリッド24を付加し、このグリッド24を
アースに接続している。この場合、グリッド24は、金
属メッシュ等の導電部材で構成し、絶縁リング25によ
りプラズマ室壁16と絶縁した状態で設けてある。
応室1との連通側)にアース接続されたグリッド24を
設けたことにより、クリーニングガスの流れと共に反応
室1側に流れていく荷電粒子の量を減らすことができ
る。即ち、アース接続されたグリッド24の壁に荷電粒
子が触れることで荷電粒子が電荷を失うため、プラズマ
室18で生成したプラズマが、反応室1側へ流出するの
を防ぐことができる。そのため、反応室1の内壁や上部
電極6、基板載置台4の表面へのプラズマによる損傷を
極力防止することができる。
示す断面図である。このプラズマ生成ユニット14Dで
は、前記グリッド24に、スイッチ26の切り替えによ
って正または負の直流電圧を印加し得るようにしてい
る。
に印加している。この状態では、正に帯電した荷重粒子
27を、高密度プラズマ19側に押し返すことができ
る。また、スイッチ26を逆に切り替えて、グリッド2
4に負の電圧を印加した状態では、電子や負に帯電した
荷電粒子を、高密度プラズマ19側に押し返すことがで
きる。
場合は、正に帯電した粒子(イオン)が、グリッド24
の正の電圧で反発されて、グリッド24に近づけなくな
る。このため、プラズマ室18から反応室1へ流れる正
に帯電した粒子(イオン)の数を減らすことができる。
た場合は、負に帯電した粒子(電子や負イオン)が、グ
リッド24の負の電圧で反発されて、グリッド24に近
づけなくなる。このため、プラズマ室18から反応室1
へ流れる負に帯電した粒子(電子や負イオン)の数を減
らすことができる。
示す断面図である。このプラズマ生成ユニット14Eで
は、プラズマ室18と反応室1をつなぐ経路途中に、間
隔をおいて且つそれぞれ絶縁した状態で2段のグリッド
28、29を設け、一方のグリッド28に正の直流電圧
を印加し、他方のグリッド29に負の直流電圧を印加し
ている。従って、このプラズマ生成ユニット14Eの場
合は、正負の荷電粒子を、高密度プラズマ19側に押し
返すことができ、反応室1内へ流れ込む荷電粒子の数を
大幅に減らすことができる。
加えて、さらにアースに接続されたグリッドを設けれ
ば、荷重粒子流出の防止効果はさらに向上する。
A〜14E)のプラズマ室18で生成されるプラズマは
通常高密度(≧1×1011[個/cm3])であるため
に、プラズマと接する誘電体窓17やプラズマ室壁16
の温度が上昇する。誘電体窓17やプラズマ室壁16が
高温になると、これら熱膨張係数の異なる部材は、接合
部でずれを生じて、破損などの不具合を生じるおそれが
ある。また、部材の接合部には、気密に保つためのOリ
ングが装着されることが多いが、プラズマから受ける熱
によって、Oリングが溶けてしまうおそれもある。
16の表面に冷却液循環用流路51を設けて、プラズマ
室壁16の温度上昇を防ぐ構造をとることが好ましい。
合型のプラズマ源であることを利用して、誘導用のコイ
ル20を銅製等のパイプで構成し、そのパイプの内部に
冷却液を循環させることで、コイル20自身及び誘電体
窓17を冷却する構造をとることがより好ましい。この
ようにすれば、冷却構造を簡素化することができ、誘導
結合型プラズマ源を持つがゆえの利点を生かすことがで
きる。
ト14を真空容器2の壁に取り付けるために、接合部と
してフランジ52を設け、ボルトやクイックカップリン
グジョイントで容易に真空容器2と結合できるようにし
ている。
ズマ室壁16や誘電体窓17は、円筒形にするのが構造
上は望ましいが、図10に示すプラズマ生成ユニット1
4Fのように、角筒形(直方体筒形)としてもよい。高
密度プラズマ生成の機能に関しては、形状が異なっても
大差がないので、材料や周辺構造物との関係で適宜形状
を変えてよい。
を、図9に示すように円筒形にすると、部材の加工が簡
単になり、低コストで製作できる利点がある上、プラズ
マ室の保守(ウエットクリーニング)を行う際に、角部
がないことから簡単にできるという利点もある。一方、
プラズマ室壁16や誘電体窓17を、図10に示すよう
に角筒形にした場合は、放電部の容積を変えずに外形を
薄くしたい場合に有利である。
り、設置されている部材が多く、プラズマ生成ユニット
から導入されるクリーニングガスが、効率よく反応室の
内部広く行き渡らない可能性のある場合には、図11に
示すように、プラズマ生成ユニット14の出口にバッフ
ァ室56を設け、このバッファ室56から複数本のクリ
ーニングガス輸送管55を延ばして、それらの先端を反
応室1の複数箇所に接続することで、反応室1内に複数
箇所からクリーニングガスを導入するようにしてもよ
い。そうすれば、反応室1内の各部に効率的にクリーニ
ングガスをまわすことができる。
12は、本発明をエッチング装置に適用した例を示して
いる。本エッチング装置の場合、基板3を載置する基板
載置台4を、反応室1を構成する真空容器2の壁と絶縁
して設け(基板載置台4と真空容器2間に絶縁材7を設
けている)、この基板載置台4に対して、高周波電源9
の出力する高周波電力を整合器8を介して印加できるよ
うになっている。また、基板載置台4と対向する上部電
極6が、ガスシャワー板5を具備したアノード電極とな
っている。その他の構成は、図1のプラズマCVD装置
と同じである。反応室1にクリーニングガス導入経路1
5を接続し、その経路15上にプラズマ生成ユニット1
4を設けている点も同じである。
装置とほとんど同じであり、使用する処理ガスは、基板
3の表面に形成された薄膜をエッチングするためのガス
である。エッチング対象の薄膜が酸化膜の場合は、処理
ガスとしてC2F6 、CF4、CHF3 などを用いる。
10によって充分排気された反応室1内の基板載置台4
の上面に、図示略の基板搬送手段によって基板3を搬送
し載置する。基板3はエッチング対象膜の種類によって
加熱することもあるが、通常はレジストなどが形成され
ているために冷却する。
理ガスを上部電極6に供給し、上部電極6の下面のシャ
ワー板5から反応室1内にシャワー状に吹き出させる。
そして、図示しない圧力測定器とコンダクタンス調節器
11の作用により、反応室1内部の圧力を所定の値に保
持する。
波電力を、整合器8を介してカソード電極である基板載
置台4に印加すると、反応室1内部にプラズマが生成さ
れ、基板3の上の薄膜がエッチングされる。
物である基板3の処理を1回以上行った後、基板3のな
い状態で行う。反応室1から基板3を搬出した後、プラ
ズマ生成ユニット14の内部にクリーニングガス導入経
路15から、薄膜を除去するためのエッチングガス(ク
リーニングガス)を導入する。そして、プラズマ生成ユ
ニット14で活性化されたクリーニングガスを反応室6
1内に導入することにより、反応室61内部をクリーニ
ングする。このクリーニングについては、前述したプラ
ズマCVD装置の場合と同様である。
た例を示している。この装置の反応室61は石英などの
反応室壁62で気密に構成され、反応室壁62の外側に
はヒータ63が設けられ、反応室61全体をヒータ63
で加熱する構造になっている。ヒータ63の外側にはヒ
ーターカバー64が設けられ、ヒータ63の発する熱が
外に逃げないようにしている。反応室61の内底部に
は、基板載置ピン65が複数本突設され、これら基板載
置ピン65の上に基板69を載置するようになってい
る。
送管路50が接続され、そのガス輸送管路50に、反応
ガスを導入するためのガス導入管路66と、プラズマ生
成ユニット14を備えたクリーニングガス導入経路15
とが接続されている。また、反対側の側面に、コンダク
タンス調節器11を介して排気ポンプ10につながる排
気管路63が接続されている。
69を処理する場合は、まず、排気ポンプ10によって
充分排気された反応室61内の基板載置ピン65上に、
図示しない基板搬送機構によって、被処理物である基板
69を搬送し載せる。この状態で、基板69を、ヒータ
63によって加熱する。
入口66から所定流量の反応性ガスを反応室61内に導
入し、図示しない圧力測定器とコンダクタンス調節器1
1の作用により、反応室1内部の圧力を所定の値に保持
する。これにより、加熱された基板69と加熱されたガ
スの反応が基板69の表面で生じて、基板69の表面に
薄膜が生成される。
置ピン65にも薄膜が付着する。基板69は、処理が終
わると、図示しない基板搬送機構により、反応室61の
外に搬出され、新たに処理すべき基板69が搬入され
る。これが繰り返し行われるうち、反応室1内の各部に
付着した薄膜は少しずつ厚くなり、不具合の原因となる
ことは、前述のプラズマCVD装置の場合と同様であ
る。
反応室61内を定期的にクリーニングする。クリーニン
グは、被処理物である基板69の処理を1回以上行った
後、基板69のない状態で行う。
ら基板69を搬送した後、プラズマ生成ユニット14の
内部にクリーニングガス導入経路15から、薄膜を除去
するためのエッチングガス(クリーニングガス)を導入
する。そして、プラズマ生成ユニット14で活性化され
たクリーニングガスを反応室61内に導入することによ
り、反応室61内部をクリーニングする。このクリーニ
ングについては、前述したプラズマCVD装置の場合と
同様である。
る装置に適用した例を示している。反応室1はアルミニ
ウムなどの金属材料製の真空容器2で気密に構成され、
内部に被処理物である基板3を載置する基板載置台4が
設けられている。基板載置台4の対向する上部には、ガ
ス導入口12から導入された反応性ガスを、反応室1の
内部に供給するためのガス供給板75が設けられてい
る。
ガスを排気する排気管78が弁76を介して接続される
と共に、反応室1内を減圧するための排気ポンプ10
が、弁37及びコンダクタンス調整器11を介して接続
されている。また、反応室1の側面には、プラズマ生成
ユニット14を備えたクリーニングガス導入経路15が
接続されている。
3を処理する場合は、反応室1を大気圧状態にし、図示
しない基板搬送機構により、被処理物である基板3を基
板載置台4の上に搬送する。この状態で、基板3を図示
しないヒータによって加熱し所定の温度に保持する。
量の反応性ガスを反応室1内に導入し、基板3の上に薄
膜を形成する。この時、反応室1における基板3の処理
は大気圧で行うため、弁76を開、弁77を閉状態にし
て、反応室1に導入されたガスを、排気管78を通して
除害設備等に向かって排気する。
物である基板3の処理を1回以上行った後、基板3のな
い状態で行う。反応室1内の各部材のクリーニングを行
う場合は、反応室1を減圧状態にする必要があるため、
弁76を閉じ、弁77を開いて、反応室1内のガスを排
気し、排気コンダクタンスを変えて反応室1内の圧力を
所定の値に保持する。
ーニングガス導入経路15から、薄膜を除去するための
クリーニングガスを導入し、プラズマ生成ユニット14
で活性化させたクリーニングガスを反応室1内に導入し
て、反応室1内の各部の表面に付着した薄膜をエッチン
グ作用により除去し、除去した物質をクリーニングガス
と共に反応室1の外部に排気する。この場合のクリーニ
ングガスとしては、前述したものと同様に、C2F6、C
F4、NF3、N2、N2O、O2 の中から選択して組合わ
せて用いる。
形態のプラズマCVD装置を示している。図示するプラ
ズマCVD装置は、図19に示した従来例と類似のもの
であるので、異なる点のみを詳しく説明し、同一要素に
は図中同符号を付して説明を省略する。
天井部のシャワー板(図19の符号105で示すもの)
と、それにつながるガス供給管(図19の符号153で
示すもの)を省略している。代わりに、下部構造体10
6の側面部に、プラズマ生成ユニット114を装備した
クリーニングガス導入経路117を接続している。ま
た、ターボ分子ポンプ107をバイパスするバルブ13
6付きのバイパスライン135を下部構造体106の側
面部に接続している。このバイパスライン135を設け
たのは、HDP−CVD装置の場合、成膜圧力が数Pa
と低く、クリーニング時に反応室100内の圧力を成膜
時より2桁以上高く設定する必要があるためである。バ
イパスライン135の使用時にはターボ分子ポンプ10
7の前後のバルブは閉じる。
詳細な構造を示すように、反応室100を構成する下部
構造体106のベルマウス部115(図15参照)に接
続されるアルミニウム製のL字管状の反応室ポート12
1と、石英またはセラミック製の放電管部122と、ア
ルミニウム製のガス導入管部123と、放電管部122
の外周に巻かれた放電用コイル128と、プラズマ放電
用高周波電源130からなる。反応室ポート121、放
電管部122、ガス導入管部123は気密に接合される
ことで、1本のクリーニングガス通路を構成しており、
ガス導入管部123のガス導入ポート124に、図15
に示すように、バルブ116を介してクリーニングガス
導入経路117が接続されている。
で、反応室100のクリーニング方法について説明す
る。ここで実施するクリーニング方法は、反応室100
内でプラズマを生成して反応室100内をクリーニング
するのではなく、別の場所、つまり反応室100の外部
に配設したプラズマ生成ユニット114でプラズマを生
成し、該プラズマで活性化させたクリーニングガスを反
応室100内に導入して、反応室100内のクリーニン
グを行うものである。
導入経路117からクリーニングガスを反応室100内
に導入する。その際、経路途中に設けたプラズマ生成ユ
ニット114のコイル128に高周波電源130より高
周波電力を印加することで、放電管部122内に高密度
のプラズマを生成し、該プラズマにより、通過するクリ
ーニングガスを活性化し、活性化した状態のクリーニン
グガスを反応室100内に導入する。それにより、反応
室100内の種々の部材の表面に付着した薄膜をエッチ
ング作用により除去することができ、除去物質をバイパ
スライン135を経て、クリーニングガスと共に反応室
1の外部に排気することができる。
ガス導入部分にベルマウス部115を設けたので、その
形状(ラッパの出口のように広がる形状)の効果によ
り、反応室100内に広くクリーニングガスの活性種が
拡散することになり、反応室100全体にクリーニング
効果を広げることができる。
反応種)のみを、反応室100内に導入しようとする場
合には、前述した実施形態(図5、図6、図7参照)の
ように、反応室ポート122内にアース接続したグリッ
ドを配設すればよいし、場合によっては、グリッドに正
または負の直流電圧を印加すればよい。その際、グリッ
ドは、金属製(アルミ製等)のメッシュあるいはパンチ
ングメタル等を利用することができる。
の出口側にグリッドを配設した場合には、プラズマが反
応室100の中に入るのを阻止し、ラジカルのみを反応
室100内に導入することができる。従って、静電チャ
ック101部分のダメージを減らしながら、反応室10
0内のクリーニングを実施することができる。
グガス導入経路117を反応室100を構成する下部構
造体106に接続するのではなく、クリーニングガス導
入経路163を、反応室100の天井部に設けたガス吹
出部165に接続し、該クリーニングガス導入経路16
3の先端にプラズマ生成ユニット114を設けた例を示
している。このように、クリーニングガスの導入部が、
適宜変更することができる。
生成ユニットのプラズマ放電用の高周波電源20、13
0に、タイムモジュレーション機能(13.56MHz
の正弦波を断続的に発生させる機能)を持たせ、該機能
のデューティ比(ON時間とOFF時間の比)を操作す
ることにより、発生するプラズマの電子温度を制御し
て、クリーニングに寄与する活性種の生成量の増加を実
現することもできる。
CVD装置、エッチング装置、熱CVD装置、HDP−
CVD装置に本発明を適用した場合を説明したが、この
他ののECR型CVD装置にも本発明は適用することが
できる。また、半導体用製造装置だけではなく、LCD
用製造装置にも本発明は適用可能である。
間の全体を、外部に設けたプラズマ生成ユニット14
(14A〜14F)、114からの活性化されたクリー
ニングガスの導入で賄う場合を説明したが、ある段階ま
でエッチングを早めるために、反応室1、100内で直
接プラズマを生成してクリーニングを実施し、その後、
ゆっくりとむらなくエッチングするために、外部のプラ
ズマ生成ユニット14から活性化されたクリーニングガ
スのみを導入して、反応室内のクリーニングを行うよう
にすることも可能である。
発明によれば、反応室の外にプラズマ生成ユニットを設
けることによって、反応室のクリーニングを中性活性種
を主体にして行うことができる。従って、従来のように
プラズマによって反応室内部の部材が消耗するのを大き
く抑制することができる。
ュークリーニングでは、プラズマの不均一による反応室
各部の消耗のバラツキが大きかったため、反応室内部の
部材の消耗が部分的に激しく生じ、結局部材の交換頻度
が高くなるという問題があったが、本発明では、中性活
性種によるインサイチュークリーニングを実現すること
ができるため、クリーニング速度にバラツキがあって
も、反応室の部材が部分的に激しく消耗するのを回避す
ることができる。
可能であり、従来装置においてプラズマの届かなかった
ところでも、クリーニングすることができる。また、平
均したクリーニング効果を高めることができるので、パ
ーティクルの発生周期が長くなることにより、処理装置
の移動率を上げることもできるし、部品交換回数を減ら
すこともできる。
生成ユニットのプラズマ源として、誘導結合型のプラズ
マ源を用いるので、マイクロ波型のプラズマ源を利用す
る場合と比べて、高周波電源の周波数を2桁程度小さく
することができる。また、誘導結合型の場合は、マイク
ロ波型に比べて構造をシンプルにすることができ、安価
に構成できる。その理由としては、次のことが揚げられ
る。
管を冷却するための冷却構造を別途設ける必要がある
が、誘導結合型の場合は、パイプで誘導コイルを構成す
ることができるので、その中に冷却水を通すことで、冷
却構造を簡素化することができる。
のマイクロ波の漏洩防止のため、厳重なシールドが必要
であり、このため構造が複雑で高価になる。例えば、O
リング等の誘電損失の大きな部品を使う場合には、マイ
クロ波に晒されないような特別なシールドの工夫が必要
となる。これに対し、誘導結合型の場合は、発振器の周
波数に13.56(MHz)以下を利用することができ
るので、シールド等は比較的簡単な構造でよくなる。
電力を放電管に導入するための導波管の占有スペースが
大きいが、誘導結合型の場合は、整合器のみ放電管の付
近に設置すればよいので、占有スペースを小さくでき
る。
できる放電管内圧力の範囲が10(mTorr)〜1(Torr)
と比較的狭く、プラズマ点火のためのイグニッション機
構を別に設ける必要のある場合があるが、誘導結合型の
場合は、容易に放電できる放電管内圧力の範囲が0.1
(mTorr)〜30(Torr)と広いので、イグニッションキ
ー機構を設ける必要がない。
マ生成ユニットのプラズマ室との間にゲート弁を設けた
ので、反応室内で処理中のガスがプラズマ生成ユニット
側へ流れ込むのを防止することができる。
的な作用により、プラズマ生成ユニットから反応室側へ
流れ込む荷電粒子の量を減らすことができ、クリーニン
グガスのラジカルのみを反応室内に導入することができ
る。
ドをアースに接続することで、プラズマ生成ユニットか
ら反応室側へ流れる荷電粒子の量を著しく減らすことが
できる。また、請求項7の発明のようにグリッドに正の
直流電圧を印加することで、プラズマ生成ユニットから
反応室側へ流れる正に帯電した粒子(イオン)の数を減
らすことができる。また、請求項8の発明のように、グ
リッドに負の直流電圧を印加することで、プラズマ室か
ら反応室側へ流れる負に帯電した粒子(電子や負イオ
ン)の数を減らすことができる。
を2段に設け、一方のグリッドに正の直流電圧を印加
し、他方のグリッドに負の直流電圧を印加することで、
正負の荷電粒子を、それぞれ電気的な力でプラズマ生成
ユニット側に押し返すことができ、反応室内への荷電粒
子の流入を有効に阻止することができる。
合型のプラズマ源のコイルに高周波電力を印加するため
の高周波電源に、正弦波を断続的に発生させるタイムモ
ジュレーション機能を持たせることで、さらにダメージ
の少ないクリーニングを実現することができる。
マ生成ユニットから流出する活性化されたクリーニング
ガスを、反応室の少なくとも2カ所以上の場所から反応
室内に供給するように構成することで、反応室全体にク
リーニングガスを拡散させることができ、クリーニング
効果を反応室全体に広げることができる。
す断面図である。
断面図である。
れたプラズマ生成ユニットの構造の第1の例を示す断面
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
面図である。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
リーニング導入経路を複数に分割した例を示す断面図で
ある。
例を示す断面図である。
面図である。
を示す断面図である。
適用した例を示す断面図である。
構造を示す図である。
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 反応室の内部に処理ガスを導入し、該処
理ガスを用いて被処理物に対し物理化学的処理を施す処
理装置の前記反応室のクリーニング方法において、 前記反応室内にクリーニングガスを導入する経路の反応
室近傍にプラズマ生成ユニットを設け、前記被処理物に
対する処理の空き時間に、前記プラズマ生成ユニットで
生成したプラズマによりクリーニングガスを活性化さ
せ、該活性化させたクリーニングガスを前記反応室内に
導入して反応室内をクリーニングすることを特徴とする
反応室のクリーニング方法。 - 【請求項2】 反応室の内部に処理ガスを導入し、該処
理ガスを用いて被処理物に対し物理化学的処理を施す処
理装置の前記反応室のクリーニング装置において、 前記被処理物に対する処理の空き時間に、前記反応室内
にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入手
段と、 該クリーニングガス導入手段のガス導入経路の反応室近
傍に設けられ、反応室内のクリーニング時にプラズマを
生成し、該プラズマにより反応室内に導入するクリーニ
ングガスを活性化させるプラズマ生成ユニットとを備え
たことを特徴とする反応室のクリーニング装置。 - 【請求項3】 前記プラズマ生成ユニットのプラズマ源
が、コイルに高周波電力を印加し、それにより発生する
高周波電磁界によってプラズマを生成する誘導結合型の
ものであることを特徴とする請求項2記載の反応室のク
リーニング装置。 - 【請求項4】 前記反応室とプラズマ生成ユニットのプ
ラズマ室との間にゲート弁を設けたことを特徴とする請
求項2または3記載の反応室のクリーニング装置。 - 【請求項5】 前記プラズマ生成ユニットのプラズマ室
から反応室までの間に、該プラズマ生成ユニットで生成
したプラズマの反応室内への流入を阻止するグリッドを
設けたことを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載
の反応室のクリーニング装置。 - 【請求項6】 前記グリッドをアースに接続したことを
特徴とする請求項5記載の反応室のクリーニング装置。 - 【請求項7】 前記グリッドに正の直流電圧を印加した
ことを特徴とする請求項5記載の反応室のクリーニング
装置。 - 【請求項8】 前記グリッドに負の直流電圧を印加した
ことを特徴とする請求項5記載の反応室のクリーニング
装置。 - 【請求項9】 前記グリッドを2段に設け、一方のグリ
ッドに正の直流電圧を印加し、他方のグリッドに負の直
流電圧を印加したことを特徴とする請求項5記載の反応
室のクリーニング装置。 - 【請求項10】 前記コイルに高周波電力を印加するた
めの高周波電源に、正弦波を断続的に発生させるタイム
モジュレーション機能を持たせたことを特徴とする請求
項3〜9のいずれかに記載の反応室のクリーニング装
置。 - 【請求項11】 前記プラズマ生成ユニットから流出す
る活性化されたクリーニングガスを、反応室の少なくと
も2カ所以上の場所から反応室内に供給するように構成
したことを特徴とする請求項2〜10のいずれかに記載
の反応室のクリーニング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11191942A JP2001020076A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 反応室のクリーニング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11191942A JP2001020076A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 反応室のクリーニング方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001020076A true JP2001020076A (ja) | 2001-01-23 |
Family
ID=16283031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP11191942A Pending JP2001020076A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 反応室のクリーニング方法及び装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2001020076A (ja) |
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- 1999-07-06 JP JP11191942A patent/JP2001020076A/ja active Pending
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