JP2000091247A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JP2000091247A
JP2000091247A JP10279368A JP27936898A JP2000091247A JP 2000091247 A JP2000091247 A JP 2000091247A JP 10279368 A JP10279368 A JP 10279368A JP 27936898 A JP27936898 A JP 27936898A JP 2000091247 A JP2000091247 A JP 2000091247A
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mounting table
electrode
wafer
processing apparatus
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Shinsuke Oka
信介 岡
Risa Nakase
りさ 中瀬
Takashi Akahori
孝 赤堀
Satoshi Kawakami
聡 川上
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理ガスをプラズマ化し、例えば半導体ウエ
ハの表面に成膜を行うにあたってプラズマの発生を止め
たときに、今までプラズマに閉じ込められていたパーテ
ィクルがウエハ上に吸着してパーティクル汚染の一因と
なる。 【解決手段】 半導体ウエハの載置台４の周囲に例えば
窒化アルミニウムよりなるリング体６を載置台４の載置
面とほぼ同じ高さとなるように設け、このリング体６の
表面部に電極５２を埋設する。また載置台４の上方領域
を囲むように設けられたリング状の成膜ガス供給部６の
内壁面に真空容器２内に露出するように電極６３を設け
る。プラズマの発生を停止する直前に前記電極５２、６
３に正電圧を印加し、プラズマが消失したときにその中
のパーティクルを電極５２、６３に引き込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハに対してプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体デバイスの製造工程の中に
プラズマを利用して半導体ウエハ（以下ウエハという）
に対して成膜やエッチングといった処理がある。この処
理はウエハ載置台を備えた真空容器内に処理ガスを導入
して例えば電磁エネルギーをこの処理ガスに供給してプ
ラズマ化することによって行われる。電磁エネルギーの
供給の手法としては、マイクロ波と磁界との相互作用で
ある電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用する方法
や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐ
ｌａｓｕｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容器に
巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与える方
法などが知られている。
【０００３】ＥＣＲプラズマ処理を行なう従来のプラズ
マ処理装置の一例を、成膜処理を例にとって図１３に基
づいて説明すると、プラズマ生成室１Ａ内に例えば２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管１１を介して供給する
と同時に例えば図１３の点線の位置の磁場の強さが８７
５ガウスとなるように電磁コイル１２により印加してマ
イクロ波と磁界との相互作用（共鳴）でプラズマ生成用
ガス例えばＡｒガス及びＯ2 ガスを高密度にプラズマ化
し、このプラズマにより、成膜室１Ｂ内に導入された反
応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスを活性化させて活性種を形
成し、載置台１３上の半導体ウエハＷ表面にスパッタエ
ッチングと堆積とを同時進行で施すようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで高密度プラズ
マはウエハと対向している領域に立っているのである
が、真空容器内全体には薄いプラズマが存在しているた
め、シール部材であるＯリング等が劣化するし、また処
理ガスの反応によって容器壁に付着している膜が剥がれ
ることがあり、こうしたことから真空容器内におけるパ
ーティクルの発生を避けることができない。プラズマは
導電性であるためパーティクルはプラズマ中に閉じ込め
られているが、プラズマの発生を停止したときに、図１
４に示すようにプラズマ中のパーティクルが落下してウ
エハ上に付着することになる。特に載置台に静電チャッ
クを設けてウエハを吸着保持する場合、ウエハがチャー
ジされやすい状態になっているのでパーティクルがウエ
ハに引き寄せられる。しかしながら今後増々回路パター
ンの微細化が進むことから、こうしたパーティクルの付
着もできるだけ抑えなければならない。
【０００５】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は基板へのパーティクルの付着を抑
え、歩留まりを向上させることのできるプラズマ処理装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器と、
この真空容器内に設けられた基板の載置台と、を備え、
前記真空容器内に処理ガスを供給してこの処理ガスをプ
ラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の基板に対し
て処理を行うプラズマ処理装置において、前記真空容器
内に設けられたパ−ティクル引き込み用の電極と、この
電極に電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、前記プ
ラズマの発生を止めたときに、プラズマ中に閉じ込めら
れていたパ−ティクルを、電圧が印加された前記電極に
引き込むことを特徴とする。この場合電極に対する電圧
の印加開始のタイミングは、例えばプラズマの発生を止
める直前とされる。また電圧は例えば正電圧である。
【０００７】前記パ−ティクル引き込み用の電極は、例
えば載置台の載置面近傍に表面が位置するようにかつ当
該載置台を囲むようにリング体を設け、このリング体の
表面に露出するようにまたは当該リング体の表面近くに
埋設された状態で設けられる。
【０００８】他の発明は、真空容器と、この真空容器内
に設けられた基板の載置台と、を備え、前記真空容器内
に処理ガスを供給してこの処理ガスをプラズマ化し、そ
のプラズマにより載置台上の基板に対して処理を行うプ
ラズマ処理装置において、前記載置台の載置面とは反対
側の領域への反応生成物の付着を防止するために前記載
置面近傍に表面が位置するようにかつ当該載置台を囲む
ようにリング体を設けたことを特徴とする。この場合リ
ング体は、少なくとも表面部が窒化アルミニウムよりな
るものであることが好ましい。なおプラズマにより基板
に対して行われる処理は成膜処理あるいはエッチング処
理などである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、この実施の形態に用いら
れるプラズマ処理装置の一例を示す図である。図示する
ようにこのプラズマ処理装置は、例えばアルミニウム等
により形成された真空容器２を有しており、この真空容
器２は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状の第
１の真空室２１と、この下方に連通するように連結され
た円筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空
容器２は接地されてゼロ電位になっている。
【００１０】この真空容器２の上端は、開口されてこの
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容
器２内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのプラズマ
発生用高周波供給手段としての高周波電源部２４に接続
された導波管２５が設けられており、高周波電源部２４
により発生したマイクロ波Ｍを例えばＴＥモードにより
導波管２５で案内して、またはＴＥモ−ドにより案内さ
れたマイクロ波を導波管２５でＴＭモ−ドに変換して透
過窓２３から第１の真空室２１内へ導入し得るようにな
っている。
【００１１】第１の真空室２１を区画する側壁には例え
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が
設けられると共にこのノズル３１には、図示しないガス
源、例えばＡｒガスやＯ2 ガス源が接続されており、第
１の真空室２１内の上部にＡｒガスやＯ2 ガス等をムラ
なく均等に供給し得るようになっている。
【００１２】前記第２の真空室２２内には、前記第１の
真空室２１と対向するようにウエハの載置台４が設けら
れている。この載置台４は図２に示すように例えばアル
ミニウム製の本体４１と、この本体４１の上に設けられ
た静電チャック４２とを備えている。静電チャック４２
は誘電体例えばＡＩＮ（窒化アルミニウム）の表面部に
電極４３を設け、更に誘電体の内部に図示しないヒータ
を設けて構成される。前記電極４３には、ウエハＷにイ
オンを引き込むためのバイアス電圧を印加するように高
周波電源部４４が接続され、更にウエハＷを静電吸着す
るための直流電源部４５が接続されている。
【００１３】前記載置台４の周囲には、載置面の近傍に
表面が位置するようにかつ載置台４を囲むようにリング
体５が支脚５１に支持されて設けられている。このリン
グ体５は、載置台４の載置面より下方側の領域、即ち載
置台４のまわり及び下部に成膜されるのを防止するため
のものであり、リング体５の内縁は載置台４とわずかな
隙間を介して位置し、外縁は例えばプラズマの立ってい
る領域よりわずかに外側でかつガスの排気を妨げない位
置にある。リング体５の材質としてはエッチングされに
くい材質例えばＡｌ（アルミニウム）、ＡｌＮ（窒化ア
ルミニウム）、Ａｌ2 Ｏ3 などが用いられるが、その中
でも特にエッチングされにくい材質として窒化アルミニ
ウムが好ましい。この場合リング体５全体を窒化アルミ
ニウムで構成してもよいが、表面部のみを窒化アルミニ
ウムで構成してもよい。この例ではリング体５は窒化ア
ルミニウムよりなり、図２に示すように表面近傍例えば
表面から０．３ｍｍのところに、金属箔よりなるパーテ
ィクル引き込み用の電極５２が埋設されている。この電
極５２は載置台４を囲むようにリング状に形成されてお
り、スイッチ部５３を介して電圧印加手段である直流電
源５４の正電位側またはアースに接続される。
【００１４】一方前記第２の真空室２２の上部即ち第１
の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガ
ス供給部６が設けられている。この成膜ガス供給部６
は、図示しないガス供給管からリング状のガス室６１内
に成膜ガスが入り、ここから内壁のガス穴６２を通って
第２の真空室２２内に噴き出すように構成されている。
この成膜ガス供給部６の内壁には真空室２２内に露出す
るように上下２段に分けれて各々リング状にパーティク
ル引き込み用の電極６３が設けられており、この電極６
３はスイッチ部６４を介して電圧印加手段である直流電
源６５の正電位側またはアースに接続される。
【００１５】前記第１の真空室２１を区画する側壁の外
周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の
真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７
が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例
えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排
気管２８が接続されている。
【００１６】次に上述の装置を用いて基板であるウエハ
Ｗ上に例えばＳｉＯ2 膜よりなる層間絶縁膜を形成する
方法について図１、図２に示す構成図及び図３に示すフ
ローを参照しながら説明する。先ず、真空容器２の側壁
に設けた図示しないゲートバルブを開いて図示しない搬
送アームにより、例えば表面にアルミニウム配線が形成
された基板であるウエハＷを図示しないロードロック室
から搬入して載置台４上に載置し、静電チャック４２の
電極４３間に直流電圧を印加し、ウエハＷを静電吸着す
る。
【００１７】続いて、ゲートバルブを閉じて内部を密閉
した後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真
空度まで真空引きし、プラズマガスノズル３１から第１
の真空室２１内へプラズマ発生用ガス例えばＡｒガス及
びＯ2 ガスを導入すると共に成膜ガス供給部６から第２
真空室２２内へ成膜ガス例えばＳｉＨ4 ガスを所定の流
量で導入する。そして真空容器２内を所定のプロセス圧
に維持し、かつ高周波電源部４４により載置台４に１
３．５６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加する
と共に、載置台４の表面温度をおよそ３００℃に設定す
る。
【００１８】高周波電源部２４からの２．４５ＧＨｚの
高周波（マイクロ波）は、導波管２５を搬送されて真空
容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３を透過してマ
イクロ波が第１の真空室２１内へ導入される。一方真空
室２内には電磁コイル２６、２７により第１の真空室２
１の上部から第２の真空室２２の下部に向かう磁場が形
成される。例えば第１の真空室２１の下部付近にて磁場
の強さが８７５ガウスとなり、磁場とマイクロ波との相
互作用により電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴
によりＡｒガスがプラズマ化され、且つ高密度化され
る。なおＡｒガスを用いることによりプラズマが安定す
る。
【００１９】第１の真空室２１より第２の真空室２２内
に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給されているＳｉ
Ｈ4 ガスを活性化されて活性種を形成し、Ｏ2 ガスのプ
ラズマと反応してウエハＷ上にＳｉＯ2 膜を成膜する。
【００２０】ここで成膜を行っている間はスイッチ部５
３、６４をアース側に切り替えておき、成膜が終了する
時点の直前例えば１〜２秒前にスイッチ部５３、６４を
夫々直流電源５４、６５に切り替え、パーティクル引き
込み用の電極５２、６３に正電圧を印加する。プラズマ
中では、イオンよりも電子の速度の方が大きいので、プ
ラズマ中の物質へ入射する粒子数も電子の方が多い。こ
のためプラズマ中のパ−ティクルは負に帯電するので、
このパーティクルは図４に示すように電極５２、６３に
引き込まれる。
【００２１】一方リング体５内に埋設された電極５２に
正電圧が印加されると、電極５２の上に形成されている
誘電体（この例では窒化アルミニウム）はいわばコンデ
ンサとなるので、正電圧を印加した直後において負に帯
電したパーティクルがこのコンデンサに引き込まれる。
従ってパーティクルの引き込み作用は短時間しか働かな
いため、正電圧を印加するタイミングは、プラズマの発
生を止める直前、具体的には成膜ガスの供給を止める時
点あるいはマイクロ波の発生を止める時点の１〜２秒前
であることが好ましい。何故ならパーティクルはプラズ
マ中に閉じ込められており、プラズマが消失したときに
落下するため、落下するときにパーティクルを引き込む
ことが、ウエハＷ上へのパーティクルの落下をできるだ
け抑える観点から好ましいといえる。
【００２２】また成膜ガス供給部６に設けた電極６３は
はじめ露出しているため、正電圧を印加することにより
常時パーティクルの引き込み作用があるが、成膜処理を
重ねていくうちに電極６３の表面に薄膜が付着し、この
薄膜はＳｉＯ2 であり誘電体であるからコンデンサとな
り、従って正電圧を印加するタイミングは、やはりプラ
ズマの発生を止める直前であることが好ましい。
【００２３】次いで高周波電源部２４及び４４をオフに
してマイクロ波の発生及びバイアス電圧の印加を止める
と共にＡｒガス、Ｏ2 ガス及びＳｉＨ4 ガスの供給を止
めて成膜を終了する。また成膜終了後、適当な時点でス
イッチ部５３、６４を切り替えて電極５２、６３をアー
ス側に接続し、既述のコンデンサを放電させる。
【００２４】その後ウエハＷを第２の真空室２２から図
示しないロードロック室に搬出し、この時点で処理枚数
が予め定めた設定枚数に達していなければ次のウエハＷ
を同様にして成膜処理し、設定枚数に達していれば、真
空容器２内をクリーニングする。即ちウエハＷの表面に
成膜を行うときにウエハＷの表面のみならず真空容器２
内の内壁面やリング体５の表面にも成膜されるため、膜
剥がれによるパーティクルの発生を防止するために例え
ばＮ2 ガス及びＮＦ3 ガスを用いてプラズマを生成し、
このプラズマにより薄膜をエッチングにより除去する。
ここでは、設定数枚数をこえた場合（バッチクリーニン
グの場合）の例で説明を行ったが、枚葉クリーニング、
すなわちウエハを一枚づつ成膜し搬出する毎に、逐次処
理でクリーニングを行ってもよい。この場合図３の設定
枚数を越えたか否かのステップがなくなる。
【００２５】ところでリング体５がなければ、図５の点
線で示すように載置台４のまわり及び下部側領域に薄膜
が付着するが本実施の形態ではリング体５を設けている
ため点線で示す領域への成膜が防止され、主にリング体
５の表面に成膜される。載置台４のまわり及び下部側領
域にはプラズマがまわり込みにくく薄膜を除去しにくい
が、リング体５の表面であればプラズマと十分に接触す
るので膜が剥がれやすい。またリング体５は窒化アルミ
ニウムで作られているためエッチングされにくく、使用
寿命が長い。なおリング体５は上面を水平な面に形成す
ることがプラズマの安定化を図る上で好ましい。その理
由はリング体５の上面が例えば内側が高くなるように傾
斜していると内縁の上端が尖ってしまい、プラズマが集
中して異常放電が起こるおそれがあるからである。
【００２６】上述の実施の形態によれば、プラズマの発
生を停止したとき、今まで導電性のプラズマ中に閉じ込
められていたパーティクルが解放されるが、既述のよう
にこのパーティクルは電極５２、６３に引き込まれるの
で、ウエハＷ上に落下するかあるいは引き寄せられるパ
ーティクルの数が少なくなる。また載置台４の周辺への
薄膜の付着が抑えられるので、クリーニングの時間が短
くて済み、クリーニング効率がよい。
【００２７】例えば８インチサイズのウエハを用いて上
述のプロセス条件でＳｉＯ2 膜を形成し、電極５２、６
３をアースに接続したままつまり電極５２、６３を活用
しないでプラズマの発生を止めた場合と、プラズマの発
生を止める１秒前に電極（５２、６３）に０．６ｋＶの
正電圧を印加した場合及び電極（５２、６３）に１．０
ｋＶの正電圧を印加した場合とについてウエハ表面に付
着した０．２μｍ以下のパーティクルの個数を調べたと
ころ、電極５２、６３を活用しない場合は５０個を越え
ていたが、電極（５２、６３）に０．６ｋＶ及び１．０
ｋＶを印加した場合はいずれも１０個以下であった。従
って上述実施の形態によればウエハへのパーティクルの
付着を抑えることができる。
【００２８】以上において本発明ではパーティクル引き
込み用の電極は真空室の内壁に設けるようにしてもよい
し、前記リング体５の表面に露出するように設けてもよ
い。またプラズマの発生の方式はＥＣＲに限られるもの
ではなく、更に成膜処理以外の例えばエッチングを行う
場合にも適用することができる。例えばエッチングを行
う場合には、パーティクル引き込み用の電極を真空室内
に露出させておいてもその表面には成膜されないので、
当該電極に正電圧を印加するタイミングはプラズマの発
生を停止する直前よりももっと前であってもよく、常時
正電圧を印加するようにしてもよい。
【００２９】次に載置台４の好ましい構造について以下
に述べる。図６は載置台４の一例であり、本体４１は図
示していないが内部に冷媒流路が形成されていて冷却ジ
ャケットを構成している。従ってプラズマが発生してい
るときにはウエハＷの温度が上昇するが、この熱が静電
チャック４２を介して本体４１に放熱される。ウエハＷ
が置かれる雰囲気は真空雰囲気であるため、この放熱の
度合いはウエハＷと静電チャック４２の表面との接触の
度合に左右されるので、ウエハＷの温度は例えば静電チ
ャック４２の吸着力を調整することにより制御できる。
【００３０】ここで図６の例では静電吸着用の電極４３
を、内側に位置する、平面形状がリング状の電極４３Ａ
と、この電極４３Ａと同心で外側に位置する、平面形状
がリング状の電極４３Ｂとにより構成すると共に、電極
４３Ａ、４３Ｂ間に直流電源４５により直流電圧を印加
するように構成し（回路部分は略解して記載してあ
る）、外側の電極４３Ｂの外縁をウエハＷよりも２ｍｍ
以上例えば３ｍｍ外側に位置させている。言い換えれば
外側の電極４３Ｂの外縁の直径をウエハＷの直径よりも
４ｍｍ以上大きくしている。図６ではＭが２ｍｍ以上と
なる。
【００３１】このように構成すれば次のような利点あ
る。即ち静電チャックを構成するにあたって、誘電体４
０の表面の外側が加工上わずかに低くなる傾向にあり、
このため電極４３の外縁（上述の例では電極４３Ｂの外
縁）をウエハＷよりも外側に位置させれば、ウエハＷの
外縁部にも吸着力が作用するので、ウエハＷと静電チャ
ック４２との吸着（つまり放熱）がウエハＷ全面に亘っ
て高い均一性をもって行われる。このため電極４３の外
縁がウエハＷの内側に位置する場合に比べて、ウエハＷ
の外縁いっぱいまで高い面内温度均一性を確保すること
ができるので、デバイスの形成領域をより外側に広げて
も、パターンの埋め込みを良好に行うことができる。
【００３２】８インチサイズのウエハＷについて既述の
実施の形態と同様にしてＳｉＯ2 により０．８μｍ幅の
溝を埋め込む実験を行ったところ、ウエハＷに対する電
極４３のはみ出し距離（図６のＭ）が−３ｍｍ（電極４
３の外縁がウエハＷの内側に位置している）及び０ｍｍ
のときは埋め込み可能な溝のアスペクト比が夫々１及び
２であったが、Ｍが３ｍｍ以上のときはアスペクト比が
３の溝まで埋め込むことができた。
【００３３】この結果は、電極４３をウエハＷと同サイ
ズかあるいは小さなサイズにすると、ウエハＷの外縁部
分の吸着力が弱まりそのためウエハＷの放熱が悪くな
り、パターンの埋め込み特性が悪くなることに基づくも
のと考えられる。
【００３４】更に誘電体４０の外縁は電極４３の外縁よ
りも外側に位置し、その距離（図６のＬ）が３０ｍｍ以
上であることが好ましい。その理由は、電極４３の外側
の誘電体４０の部分がコンデンサの役割を果たすため、
誘電体４０の上面外縁の角部に電界が集中し、異常放電
が発生してパーティクル発生の原因になるが、誘電体４
０の上面外縁を電極４３から離せば電界の集中が緩和さ
れ、異常放電が起こりにくくなるからである。
【００３５】また図７及び図８は載置台４の他の例であ
り、この例では誘電体４０の表面の中央部には凹凸を形
成し、周縁部には凹凸を形成せずウエハＷと誘電体４０
とが面接触するように構成している。図７において凹部
つまり溝の深さは例えば５０μｍ程度とされるが、図の
便宜上溝の深さは大きく描いてある。図８の中央部にメ
ッシュが記載されている領域が、図７の凹凸が形成され
ている領域である。この領域を凹凸領域と呼ぶことにす
ると、例えば８インチウエハの載置台の場合、誘電体４
０の直径が２０５ｍｍ、凹凸領域７の直径が１５０ｍｍ
とされる。
【００３６】このように載置台４を構成した場合の利点
について以下に述べる。例えば層間絶縁膜の膜質を向上
するためにＳｉＯ 2膜に代えてＳｉＯＦ膜を用いること
が検討されているが、ＳｉＦ4 ガスとＯ2 ガスとを用い
てＳｉＯＦ膜をＥＣＲ装置を用いて成膜する場合のプロ
セス温度は、ＳｉＯ2 膜を成膜する場合のプロセス温度
（例えば２５０℃）に比べて例えば３５０℃と高い。ウ
エハＷの温度を高くするということは、既述のように静
電チャック４２の吸着力を弱くすること、つまり電極４
３、４３間の印加電圧を小さくすることである。図９は
静電吸着電圧例えば電極４３、４３間に印加する電圧と
ウエハＷ温度との関係の一例を模式的に示す図であり、
この例では、ウエハＷ温度を２５０℃から３５０℃に上
げるためには前記電圧を１．６Ｋから０．５ＫＶに下げ
ることになる。
【００３７】ところで吸着力を弱くすると、既述の如く
誘電体４０の周縁の高さが低くなること及びウエハに反
りがあることなどからウエハＷの周縁部における面接触
の度合いが小さくなる。このためウエハＷの中央部に比
べて周縁部の温度が高くなり、膜厚の面内均一性が悪く
なってしまう。
【００３８】図１０はＳｉＯ2 膜の成膜を２６４℃と３
６０℃とのプロセス温度で夫々行った場合において、ウ
エハ上の位置（中心が０である）と膜厚との関係を調べ
た結果である。ａ、ｂは夫々プロセス温度が２６４℃、
３６０℃の場合であり、この結果からプロセス温度が上
昇するとウエハＷ周縁部の膜厚が中央部よりも小さくな
っており、周縁部の温度が高くなっている（このプロセ
スは温度が高い程成膜速度が遅くなる）ことが分かる。
【００３９】従ってこの例のようにウエハＷと載置台４
との接触面積を、中央部よりも周縁部を大きくするよう
に構成することによって、結果としてウエハＷの周縁部
及び中央部の誘電体４２の表面（載置台４の表面）に対
する接触の度合いを揃えることができ、均一な熱伝達を
行うことができる。このためウエハＷの面内の温度均一
性が高まり、膜厚の面内均一性が向上する。
【００４０】このような載置台４としては、例えば図１
１に示すように載置台４の中央部（誘電体４２の中央
部）から周縁に向かって放射状に溝７１を形成し、前記
接触面積を中央部よりも周縁部が大きくなるように構成
してもよい。なお接触面積については上述の例とは逆に
ウエハＷの周縁部が中央部よりも小さくなるように構成
してもよい。
【００４１】ウエハＷの表面に凹凸を形成する利点とし
ては、接触面積がコントロールできるということの他
に、ウエハＷの静電チャック４２からの離脱が容易であ
るということもある。従って接触面積がウエハＷの面内
で一様になるように載置台４の表面に凹凸を形成しても
よく、この場合例えば図１２に示すように格子状に溝７
２を形成し、正方形状の凸部７３を島状に形成すること
ができる。その一例としては、凸部７３の正方形の一辺
Ｐを１．８ｍｍ、溝７２の幅Ｑを１．２ｍｍ、溝７２の
深さを０．５ｍｍとして構成される。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、基板に対してプラズマ
処理を行うにあたり、基板へのパーティクルの付着を抑
えることができ、歩留まりを向上させることができる。
また他の発明によれば、載置台の周辺への反応生成物の
付着が抑えられるので、クリーニング効率がよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
全体構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
要部を略解して示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態における処理の流れを示す
フロー図である。
【図４】プラズマに閉じ込められていたパーティクルが
電極に引き込まれる様子を示す説明図である。
【図５】載置台のまわりに薄膜が付着することをリング
体により防止していることを示す説明図である。
【図６】載置台の他の例を示す断面図である。
【図７】載置台の更に他の例を示す断面図である。
【図８】載置台の更に他の例を示す平面図である。
【図９】静電チャックの電極間に印加される電圧とウエ
ハ温度との関係を示す説明図である。
【図１０】ウエハ温度により膜厚分布が変わる様子を示
す説明図である。
【図１１】載置台の更にまた他の例を示す平面図であ
る。
【図１２】上記以外の載置台の他の例の一部を示す平面
図である。
【図１３】従来のプラズマ処理装置を示す縦断側面図で
ある。
【図１４】従来のプラズマ処理装置においてプラズマに
閉じ込められていたパーティクルがウエハに付着する様
子を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ ２ 真空容器 ２１、２２ 真空室 ２５ 導波管 ２６、２７ 電磁コイル ３１ ガスノズル ４ 載置台 ５ リング体 ６ 成膜ガス供給部 ５２、６３ パーティクル引き込み用の電極 ５３、６４ スイッチ部 ５４、６５ 電圧印加手段としての直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤堀 孝 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 川上 聡 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA14 BA44 CA04 CA12 DA04 FA01 FA03 GA02 KA14 KA47 KA49 5F004 AA14 AA15 BA16 BA19 BB14 BB18 BB29 BD04 CA01 DA17 DA25 DA26 DB03 FA08 5F045 AA10 AB32 AC01 AC11 AC16 AD07 AE01 BB15 DP03 EB06 EH17 EH20 HA13

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空容器と、この真空容器内に設けられ
    た基板の載置台と、を備え、前記真空容器内に処理ガス
    を供給してこの処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマ
    により載置台上の基板に対して処理を行うプラズマ処理
    装置において、 前記真空容器内に設けられたパ−ティクル引き込み用の
    電極と、この電極に電圧を印加する電圧印加手段と、を
    備え、 前記プラズマの発生を止めたときに、プラズマ中に閉じ
    込められていたパ−ティクルを、電圧が印加された前記
    電極に引き込むことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 電極に対する電圧の印加開始のタイミン
    グは、プラズマの発生を止める直前であることを特徴と
    する請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 電圧印加手段は、電極に正電圧を印加す
    ることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処
    理装置。
  4. 【請求項４】 載置台の載置面近傍に表面が位置するよ
    うにかつ当該載置台を囲むようにリング体を設け、この
    リング体の表面に露出するようにまたは当該リング体の
    表面近くに埋設された状態でパ−ティクル引き込み用の
    電極を設けたことを特徴とする請求項１、２または３記
    載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 真空容器と、この真空容器内に設けられ
    た基板の載置台と、を備え、前記真空容器内に処理ガス
    を供給してこの処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマ
    により載置台上の基板に対して処理を行うプラズマ処理
    装置において、 前記載置台の載置面とは反対側の領域への反応生成物の
    付着を防止するために前記載置面近傍に表面が位置する
    ようにかつ当該載置台を囲むようにリング体を設けたこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 リング体は、少なくとも表面部が窒化ア
    ルミニウムよりなることを特徴とする請求項５記載のプ
    ラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 プラズマにより基板に対して行われる処
    理は成膜処理であることを特徴とする請求項１、２、
    ３、４、５または６記載のプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 プラズマにより基板に対して行われる処
    理はエッチング処理であることを特徴とする請求項１、
    ２、３、４、５または６記載のプラズマ処理装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004235545A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
JP2006332505A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Kyocera Corp 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法
JP2007158373A (ja) * 2007-02-13 2007-06-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US7458247B2 (en) * 2004-03-29 2008-12-02 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method, and program
JP2010531063A (ja) * 2007-06-22 2010-09-16 ラム リサーチ コーポレーション ウェーハのデチャック中にウェーハ上の微粒子の量を低減するための方法及び装置
US20110045208A1 (en) * 2008-02-12 2011-02-24 Imott Inc. Diamond-like carbon film forming apparatus and method of forming diamond-like carbon film
JP2011117054A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法
US8231800B2 (en) 2004-03-29 2012-07-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
KR20170042359A (ko) * 2014-08-15 2017-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 높은 온도들로 압축 또는 인장 응력을 갖는 웨이퍼들을 프로세싱하는 방법 및 장치
KR101746241B1 (ko) * 2009-07-21 2017-06-12 가부시키가이샤 니콘 기판처리 시스템, 기판홀더, 기판홀더쌍, 기판접합장치 및 디바이스의 제조방법
KR20180035109A (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치의 운전 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672820B1 (ko) * 2004-11-12 2007-01-22 삼성전자주식회사 플라즈마를 사용한 피처리체의 처리 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63143273A (ja) * 1986-12-05 1988-06-15 Anelva Corp Ｅｃｒ装置
JPH04390A (ja) * 1990-04-18 1992-01-06 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH047658U (ja) * 1990-05-10 1992-01-23
JPH04318175A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Sony Corp バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置
JP3229987B2 (ja) * 1993-05-14 2001-11-19 日本電信電話株式会社 中性粒子加工方法およびその装置
JPH07106307A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US5556474A (en) * 1993-12-14 1996-09-17 Nissin Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JPH0922875A (ja) * 1995-07-06 1997-01-21 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004235545A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
US8231800B2 (en) 2004-03-29 2012-07-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US8854625B2 (en) 2004-03-29 2014-10-07 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
US7458247B2 (en) * 2004-03-29 2008-12-02 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method, and program
US7464581B2 (en) * 2004-03-29 2008-12-16 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
US8404050B2 (en) 2004-03-29 2013-03-26 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7797984B2 (en) 2004-03-29 2010-09-21 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
US7883779B2 (en) 2004-03-29 2011-02-08 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
JP4663406B2 (ja) * 2005-05-30 2011-04-06 京セラ株式会社 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法
JP2006332505A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Kyocera Corp 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法
JP4659771B2 (ja) * 2007-02-13 2011-03-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2007158373A (ja) * 2007-02-13 2007-06-21 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2014112700A (ja) * 2007-06-22 2014-06-19 Lam Research Corporation ウェーハのデチャック中にウェーハ上の微粒子の量を低減するための方法及び装置
JP2010531063A (ja) * 2007-06-22 2010-09-16 ラム リサーチ コーポレーション ウェーハのデチャック中にウェーハ上の微粒子の量を低減するための方法及び装置
KR101475974B1 (ko) * 2007-06-22 2014-12-23 램 리써치 코포레이션 웨이퍼 디-척킹 동안 웨이퍼 상의 입자의 양을 감소시키기 위한 방법 및 장치
US20110045208A1 (en) * 2008-02-12 2011-02-24 Imott Inc. Diamond-like carbon film forming apparatus and method of forming diamond-like carbon film
KR101746241B1 (ko) * 2009-07-21 2017-06-12 가부시키가이샤 니콘 기판처리 시스템, 기판홀더, 기판홀더쌍, 기판접합장치 및 디바이스의 제조방법
JP2011117054A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法
KR20170042359A (ko) * 2014-08-15 2017-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 높은 온도들로 압축 또는 인장 응력을 갖는 웨이퍼들을 프로세싱하는 방법 및 장치
JP2017527115A (ja) * 2014-08-15 2017-09-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ化学気相堆積システムにおいて高温で圧縮又は引張応力を有するウェハを処理する方法及び装置
US10403535B2 (en) 2014-08-15 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system
KR102430454B1 (ko) * 2014-08-15 2022-08-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 높은 온도들로 압축 또는 인장 응력을 갖는 웨이퍼들을 프로세싱하는 방법 및 장치
KR20180035109A (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치의 운전 방법
JP2018056248A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の運転方法
KR101948592B1 (ko) * 2016-09-28 2019-02-15 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치의 운전 방법

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