JP2010531063A - ウェーハのデチャック中にウェーハ上の微粒子の量を低減するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微粒子は、チャンバ内のウェーハ移送区域から離して捕獲される。第1の電極は、区域の一方の側に存在する。第2の電極は、区域の反対側に存在する。電極に渡って接続された電源は、電極間に静電場を発生させる。電場は、電極において、区域から離して微粒子を捕獲する。チャンバからウェーハを移送するために、第2の電極は、処理のためウェーハを装着し、第1の電極は、第2の電極の反対側に存在し、処理空間を画成する。区域は、空間内において、各電極から区域を分離する空間の分離部と共に存在する。微粒子は、ウェーハのプラズマ処理の終了と、第2の電極の接地への接続と、正の直流電位の第1の電極への印加と、第2の電極から区域内へのウェーハのデチャックとを同時に行うことにより、ウェーハから離れる方向へ付勢される。
【選択図】図4
Description
Claims (20)
- ウェーハのプラズマ処理後、処理チャンバ内のウェーハ移送区域から離して微粒子を捕獲する装置であって、
前記移送区域の一方の側において前記処理チャンバ内に装着された第1の電極と、
前記移送区域の反対側において、前記第1の電極から間隔を空けて、前記チャンバ内に装着された第2の電極と、
特定の一方の前記電極において、前記微粒子の特定のものを捕獲し、前記チャンバ内の微粒子を前記移送区域から離れる方向へ付勢された状態とする静電場を、前記電極間及び前記移送区域全体に発生させるために、前記第1の電極に接続された電源と
を備える装置。 - 前記電源は、前記第2の電極が接地に接続された状態で、正の直流電位を前記第1の電極に印加することにより前記電場を発生させるように構成される請求項1記載の装置。
- 請求項2記載の装置であって、
負荷電微粒子は、前記ウェーハの前記プラズマ処理後に前記チャンバ内に存在する傾向にあり、
前記構成された電源は、前記電場により前記負荷電微粒子に対して静電力を加え、前記力は、前記負荷電微粒子を前記第1の電極に対して、前記移送区域から離れる方向へ付勢する
装置。 - 請求項2記載の装置であって、
前記第2の電極は、前記ウェーハを処理のために前記チャンバ内に静電的に装着するように構成され、
前記第2の電極は、前記チャンバの前記移送区域内へ正荷電微粒子を放出する傾向にあり、
前記構成された電源は、前記電場により前記正荷電微粒子に対して静電力を加え、前記力は、前記正荷電微粒子を前記第2の電極に向けて、前記移送区域から離れる方向へ付勢する
装置。 - 請求項1記載の装置であって、
前記チャンバ内の前記微粒子は、前記電極間の前記位相区域内の負荷電微粒子と、前記第2の電極から放出された正荷電微粒子とを含み、
前記電源は、前記電場を発生させるように構成され、前記電場は、前記第2の電極が接地に接続された状態で、正の直流電位を前記第1の電極に印加することにより発生させ、前記電場は、負荷電微粒子を第1の電極において前記移送区域から離して保持する静電力を加え、前記力は、正荷電微粒子を前記第2の電極へ向けて、前記移送区域から離れる方向へ付勢する
装置。 - 前記正の直流電位は、約30ボルト乃至約100ボルトの範囲である請求項3記載の装置。
- 前記正の直流電位は、約30ボルト乃至約100ボルトの範囲である請求項4記載の装置。
- 請求項1記載の装置であって、
前記第2の電極は、前記ウェーハを処理のために前記チャンバ内に装着する静電チャックとして構成され、
前記第2の電極は、前記チャンバの前記移送区域内へ正荷電微粒子を放出する傾向にあり、
前記静電チャックは、前記ウェーハを前記静電チャックから解放して前記ウェーハを前記移送区域内へ移動させることを容易にするために、前記ウェーハに対してガスを供給するように構成され、
前記電源は、前記静電チャックが接地に接続された状態で、正の直流電位を前記第1の電極に印加することにより前記電場を発生させるように構成され、前記構成された電源は、前記電場により、負荷電微粒子を前記静電チャックにおいて前記移送区域から離して捕獲する静電力を加える
装置。 - 請求項8記載の装置であって、更に、
前記移送区域内での移動用に構成され、前記チャンバから前記解放されたウェーハを移動させるために前記電極から間隔を空けたウェーハ移送ユニットを備え、前記移動は、前記解放されたウェーハが前記静電チャックに捕獲された前記微粒子から離間した状態を維持して、前記移送区域内において行われる装置。 - 請求項9記載の装置であって、
負荷電微粒子は、ウェーハのプラズマ処理後に前記チャンバ内に存在する傾向にあり、
前記構成された電源は、前記電場により前記電極間に静電力を加え、負荷電微粒子を前記第1の電極に対して、前記ウェーハ移送ユニットにより移動させる前記ウェーハから離れる方向へ付勢する
装置。 - ウェーハのプラズマ処理後、処理チャンバ内の移送区域における微粒子の量を低減する装置であり、前記ウェーハを処理するための状態である第1の状態と、前記チャンバから前記処理済みウェーハを取り出すためのウェーハ移送状態である第2の状態との二つの状態での動作用に構成された装置であって、
前記処理チャンバ内に装着された第1の多状態電極と、
前記第1の電極から間隔を空けて前記チャンバ内に装着され、ウェーハ処理後に前記ウェーハを前記移送区域へデチャックするように構成された第2の多状態電極と、
前記状態のそれぞれにおける動作のために前記電極にバイアスを加えるように構成され、前記ウェーハ移送状態のために、(i)前記第2の電極を接地に接続すること、(ii)前記第1の電極に正の直流電位を印加すること、及び(iii)前記第2の電極に前記ウェーハをデチャックさせて前記ウェーハの前記移送区域内での位置決めを促進することを同時に行うように構成された電極バイアスコントローラと
を備える装置。 - 前記第2の状態のために、前記コントローラは、前記正の直流電位の値を制御して、前記チャンバ内の荷電微粒子が前記ウェーハから離れる方向に付勢され、前記チャンバからの前記ウェーハの移動のために前記移送区域が調整されるように構成される請求項11記載の装置。
- 請求項11記載の装置であって、更に、
前記移送区域を介して前記でチャックされたウェーハを搬送するウェーハトランスポータを備え、
前記チャンバ内の前記微粒子は、前記電極間の負荷電微粒子と、前記第2の電極から放出された正荷電微粒子とを含み、
前記コントローラは、更に、前記第1の電極に印加された前記正の直流電位を維持すると共に前記第2の電極を接地に接続した状態を維持するように構成され、前記維持された電位及び接地への接続は、前記トランスポータが前記移送区域を介して前記ウェーハを搬送する際に、正負の微粒子を前記ウェーハから離れる方向へ付勢する上で有効となる
装置。 - 請求項11記載の装置であって、
前記チャンバ内の前記微粒子は、前記電極間の負荷電微粒子と、前記第2の電極から放出された正荷電微粒子とを含み、
前記装置は、更に、
前記移送区域が前記電極間において前記電極から分離された状態で、互いに間隔を空けた前記第1及び第2の電極を装着するための支持部を備え、
前記コントローラは、負荷電微粒子が前記第1の電極から離れる方向で前記移送区域外へ付勢されるように、前記直流電位の前記制御値を設定し
前記接地の接続と、前記それぞれの電極にバイアスを加える前記設定値とにより、前記正荷電微粒子は、前記第2の電極へ向けて、前記移送区域外へ付勢される
装置。 - 請求項11記載の装置であって、更に、
前記チャンバ内部及び外部への移動用に装着され、前記移送区域内で移動するように構成されたウェーハ移送アームを備え、
前記第2の電極は、ウェーハ装着面と、前記装着面を介して画成された通路とを設けた静電チャックとして構成され、前記通路は、ウェーハ処理終了後、前記ウェーハを前記装着面からデチャックし、前記移送区域へのウェーハ移動を容易にするために、デチャックガスを前記ウェーハへ誘導するように構成され、
前記正の直流電位は、前記移送区域内において前記アームにより移動される前記処理及びデチャックされたウェーハが晒される荷電微粒子の量が低減されるように、前記第1の電極から前記第2の電極に至る前記移送区域全体に渡り、荷電微粒子を前記移送区域外へ付勢する
装置。 - 前記コントローラは、約30ボルト乃至約100ボルトの範囲の前記正の直流電位を印加するように構成される請求項11記載の装置。
- 処理チャンバから、処理が行なわれたウェーハを移送するために処理チャンバを準備する方法であって、
支持電極は、前記処理のために前記ウェーハを装着し、前記処理は、不要微粒子を前記チャンバ内の処理空間へ放出する傾向を有し、前記支持電極の反対側の第2の電極は、前記処理空間を画成し、
前記処理空間内のウェーハ移送区域を、前記処理空間の分離部が前記電極のそれぞれから前記区域を分離するように画成するステップと、
前記チャンバ内の微粒子を前記ウェーハから離れる方向へ付勢するステップであって、
(i)前記ウェーハのプラズマ処理を終了し、
(ii)前記支持電極を接地に接続し、
(iii)正の直流電位を前記第2の電極に印加し、
(iv)前記ウェーハを前記支持電極から前記移送区域へデチャックする別のステップを同時に実行するステップと
を備える方法。 - 請求項17記載の方法であって、
前記処理空間の微粒子は、負荷電微粒子と正荷電微粒子とを含み、
接続及び印加を行う前記別のステップにより、前記微粒子は前記移送区域外に付勢される
方法。 - 印加を行う前記別のステップにより、約30ボルト乃至約100ボルトの範囲の前記正の直流電位が印加される請求項17記載の方法。
- デチャックを行う前記別のステップは、前記処理空間の前記分離部の一方を越えて、前記移送区域から離れる方向へ付勢された前記微粒子から離間した前記移送区域内へ前記支持電極から前記ウェーハを移動させることにより行なわれる請求項18記載の方法。
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