CN103762193A - 在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法 - Google Patents

Abstract

捕获颗粒远离室内的晶片传输区域。第一电极在该区域的一侧上。第二电极在该区域的相对侧上。跨过这些电极连接的电源在这些电极之间建立静电场。该电场将这些颗粒捕获在这些电极上，远离该区域。为了从该室传输该晶片，该第二电极安装该晶片用以处理，该第一电极对着该第二电极限定工艺空间。该区域在空间中，以及该空间的分隔部分将该区域与每个电极分开。通过同时终止颗粒该晶片的等离子处理、将该第二电极接地、施加正DC电势至该第一电极以及将该晶片从该第二电极解除卡紧进入该区域而促使远离该晶片。

Description

在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法

本申请是申请号为200880021113.2，申请日为2008年6月12日，申请人为朗姆研究公司，发明创造名称为“在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法”的发明专利申请的分案申请。 

背景技术

在半导体器件（如集成电路、存储单元等）制造中，执行一系列制造步骤以在半导体晶片（“晶片”）上形成特征。这些步骤在提供低压气体的处理室中执行。多种电压（如RF电压）施加到该室中的一个或多个电极以建立等离子来执行这些步骤，包括例如蚀刻和沉积。在这些步骤期间，通过静电卡盘（ESC）将晶片固定地夹持在该室中。ESC构造有一个或多个电极，将电压施加该电极上。该电压引起促使晶片靠着该ECS的电荷。施加别的电压以将晶片从ESC分开，即称为解除卡紧的步骤。 

在ESC的寿命期间，重复应用这些所施加的电压会使得ESC退化。结果，ESC的颗粒会从ESC剥落并变得散布在该室中。等离子也会成为颗粒源。随着半导体集成电路技术过渡到100纳米以下尺度的制造，在这种室中存在不希望的颗粒因为例如降低成品率而成为更大的问题，。 

鉴于之前所述，需要降低室中的颗粒数量，包括降低解除卡紧操作过程中停留在晶片上的颗粒数量。 

发明内容

一般来说，本发明通过降低工艺室中的颗粒数量来满足这些需求。更具体地，当将工艺室配置为具有在其中将晶片传输出该工艺室的区域时可满足这些需求。将电极安装在该室内，并且偏置为实现晶片处理。关于晶片解除卡紧步骤，将该偏置从处理状态改变为传输状态，重新偏置的电极可有效建立跨越传输区域的电场，在该区域中将晶片从该室移出。该电场使得该传输区域中的颗粒移出该传输区域，减少在该晶片解除卡紧期间围绕或解除该晶片的颗粒数量。在将该处理后并解除卡紧的晶片传输出该室的过程中，由于围绕或接触该晶片的颗粒数量减少，该处理后的晶片经受更少的颗粒，并且在比允许颗粒在该解除卡紧及传输步骤过程中留在该区域中并停留在该晶片上更加清洁的条件下离开该室。 

应当认识到本发明可以许多方式实现，包括设备、方法和系统。下面描述本发明多个创新性实施例。 

在一个实施例中，提供在晶片等离子处理之后捕获颗粒离开工艺室中晶片传输区域的设备。第一电极安装在该工艺室内该传输区域的一侧上。第二电极安装在该室内在该传输区域的相对侧上，与该第一电极隔开。电源跨过该第一和第二电极连接以在这些电极之间以及跨越该传输区域建立电场。该电场在这些电极的特定一个上捕获某些特定的颗粒从而促使该室中的颗粒离开该传输区域。 

在另一实施例中，设备减少晶片等离子处理后工艺室中 的传输区域中的颗粒数量。该设备配置为运行在两个状态，第一状态是处理该晶片的状态，第二状态是用以将该处理后的晶片从该室移出的晶片传输状态。第一多状态电极安装在该工艺室内。第二多状态电极安装在该室内，与该第一电极隔开。该第二电极配置为在晶片处理后使该晶片解除卡紧进入传输区域。电极偏置控制器配置为偏置这些电极用以运行在每个状态。例如，对于该晶片传输状态，该控制器配置为在同一时刻将该第二电极接地、施加正DC电势至该第一电极以及使得该第二电极解除卡紧该晶片以便于将该晶片置于该传输区域中。 

在又一实施例中，提供一种准备工艺室以将处理后的晶片传输出该工艺室的方法。支撑电极可安装该晶片用以处理。该处理造成将不希望的颗粒释放到该室中的工艺空间内。第二电极对着该支撑电极并形成该工艺空间。该方法的步骤可包括在该工艺空间限定晶片传输区域从而该工艺空间的分隔部分将该区域与各该电极分开。同时执行终止该晶片的等离子处理、将该支撑电极接地、施加正DC电势至该第二电极以及将该晶片从该支撑电极解除卡紧进入该传输区域而促使这些颗粒远离该晶片。 

本发明的这些和其他特征将在下面结合附图、作为本发明示例说明的具体描述中变得更加明显。 

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，将容易理解本发明，以及类似的参考标号指出相似的元件。 

图1是按照本发明处理晶片的集成型（cluster-type）架构的俯视示意图。 

图2是该架构的处理室的正视示意图，示出按照本发明一个实施例，该室配置为降低该室中不希望颗粒的影响。 

图3是图2一部分的放大视图，示出按照本发明一个实施例，气体和起顶销将该晶片升离第二电极。 

图4是图2一部分的示意图，示出在传输状态，控制器控制第一电极上的正电压值从而促使带电颗粒远离该升起的晶片并离开该传输区域。 

图5示出在本发明一个实施例中该控制器构造为将一定电压范围的正电压施加到该第一电极。 

图6说明按照本发明一个实施例的方法的流程图。 

具体实施方式

发明描述为设备、所使用的系统以及减少工艺室中颗粒的数量的方法。该工艺室配置有将晶片传输出该工艺室的区域。将电极安装在该室中，并偏置为影响晶片处理。关于晶片解除卡紧步骤，将偏置从处理状态改变为传输状态。重新偏置的电极有效建立跨过传输区域的电场，在该区域中该晶片待被从该室移出。该电场促使不希望的颗粒离开该传输区域，减少当该晶片解除卡紧进入该区域时围绕或接触该晶片的颗粒数量。在该处理后的且解除卡紧的晶片传输进该区域以及离开该室期间，被促使离开该传输区域的颗粒不会接触该晶片。结果，与在该解除卡紧和传输步骤过程中允许该颗粒留在该传输区域并使得不希望的颗粒停留在该晶片上相比，该处理后的晶片可在更加清洁的条件下离开该室。 

然而，对于本领域技术人员来说，显然本发明可不使用这些具体细节的某些或全部的情况下实施。在有的情况下，公知的工艺步骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。 

这里使用的词“晶片”，表示（而不是限制）半导体基片、硬盘驱动器、光盘、玻璃基片和平面显示表面、液晶显示表面等，在处理室中可在其上形成多种材料或各种材料的层，如其中建立等离子用以处理的室，例如蚀刻或沉积。 

图1是按照本发明处理晶片的集成型构架的俯视示意图。许多处理室（或模块）之一42示为布置为围绕传输模块44。各该工艺模块42和该传输模块44之间的门阀46用来保持各个模块42和44中的环境以便于将该晶片40传输进该工艺模块42。还可以通过将该处理室42与该传输模块44分开促进在这种模块42中的晶片处理。打开该门阀46还便于该处理后的晶片40传输离开该处理室42。传输区域48在图1的俯视图和图2的正视图中以虚线示出。因此该传输区域48是从该工艺模块42延伸进该传输模块44的伸长的三维容积。图1中传输单元50示为将晶片40移进以及将处理后的晶片移出该室42。该室42中的处理可使用半导体集成电路技术。随着该技术过渡到100纳米以下尺度的制造，该室42中存在不希望的颗粒51已经带来更多的问题，例如成品率。 

图2是该处理室42之一的正视示意图，示出该室42配置为减少该室42中不希望颗粒51的影响。图2说明延伸进该室42的该三维传输区域48的高度低于第一（或上部）电极52。该区域48示为从该第一电极52向下延伸至第二（或下部）电极54。该传输区域48配置为高度在该电极52和54之间。每个电极52及54和该区域48之间可具有大约12mm的空间。图2因此示出该第一电极52安装在该工艺室42中该传输区域48的一侧64上（示例上侧）。图2还示出该第二电极 54安装在该室42该传输区域48的相对侧66上（示例下侧）并与该第一电极52隔开。 

图3示出该第二电极54可配置为静电卡盘（ESC），其由电压VC偏置以静电方式安装该晶片并将该晶片40保持在该第二电极54上用于处理。该电压VC称为卡紧电压或卡紧偏置。该第二电极54的构造可包括通道56，可通过其提供气体（箭头57）如氦气。在使用例如氩等离子放电大多数卡紧电压VC的等离子解除卡紧工艺之后，提供该示例性的氦气57可与中断该卡紧偏置连动。在这个示例中，在该氩等离子解除卡紧之后，通过示例性的氦气解除卡紧步骤，该气体57可克服在减少或去除该卡紧偏置之后将该晶片40保持在该第二电极54上的残余力。图3示出适当降低该卡紧电压VC和在受控压力下施加该气体57，该气体57将该晶片40升起离开该第二电极54以便于该晶片移进该传输区域。该晶片因此从该卡盘54脱离。该升起的晶片40称做浮在该第二电极54上方。该升起的（释放的）晶片40在图3中示为被起顶销67进一步升起并进入该传输区域48。图3示出该晶片在上部位置，适于被该传输单元50捕获。 

本发明的发明人所进行的ESC寿命分析表明将该偏置电压VC施加到该ESC和将该偏置电压从该ESC54去除的重复应用导致该上部ESC表面和由该上部ESC表面支撑的该晶片下部（背部）表面之间的摩擦。这种摩擦引起该ESC衰退。该分析表明该ESC的颗粒58（图3）会剥落该ESC。该剥落的颗粒58可进入该传输区域48，在那里该颗粒58称为“不希望”的颗粒51，并会变得散布在该室42中。还研究该晶片40的处理，包括该室42中建立的用以晶片处理（例如蚀刻）和其他目的的等离子60的影响。这种分析还指出该等离子60也会是该室52内该传输区域48中其他颗粒62的源。这种分析还表 明来自该等离子60的颗粒58会带负电。进而，发明人可识别出来自该ESC的颗粒58带正电。 

为了减少广义上晶片处理后该室42内该不期望的颗粒51的数量，图4示出本发明的一个实施例，其中该第一电极52可配置为安装在该工艺室42内的多状态电极。同时，在这样的实施例中，该第二电极54可配置为安装在该室42、与该第一电极52隔开的多状态电极。电极偏置控制器68可控制该电极52和54的多态方面的配置。该控制器68配置为将该电极52和54偏置为在两个示例性状态的每个中运行。第一状态（状态1）是处理状态，其中该控制器68激活状态1控制器70。该状态1控制器70的运行可包括运行使用个人计算机69执行传输制法R的程序。因此，状态1控制器70开始可控制该门阀46以便于该晶片40传输进入这些处理室42之一，然后将该处理室42与该传输模块44隔开。当该阀门46打开时，该传输单元50可移进该传输区域48以将该晶片从该传输模块44传输至该工艺室52，将该晶片置于该ESC54上。状态1控制器70还配置为使得RF电势VRF施加到该ESC54以及将该第一电极52接地。状态1中，该控制器70因此利用合适的电势VRF（例如，2、27或60MHz）激励该ESC54，在该室42中建立该等离子60用以处理该晶片40，例如，用以通常的蚀刻工艺。 

第二状态（或状态2）是传输（或晶片传输）状态，其中该控制器68配置为启动状态2控制器72并使得状态1控制器70终止该晶片40的等离子处理操作。在等离子处理终止并导致的该状态1电极偏置VRF关闭（即，终止那个偏置）的同时，该第二状态控制器72开始改变到状态2偏置。状态2偏置中，该控制器72将该第二电极54接地并施加正DC电势VDC至该第一电极52。图4示出在该传输状态（状态2），通过该控制器68引起的步骤，该状态2控制器72控 制该正电压VDC电势的值从而促使该室42的带电的颗粒58和64远离该晶片40并远离该传输区域48，以将该传输区域48的条件设定为用以移动该晶片40离开该室42。该词“条件设定”指的是该传输区域48包含或其中具有数量与例如状态1中该区域48中的颗粒51数量相比减少的颗粒51。关于该带负电的颗粒62，例如，该促使其离开是朝向并至该上部电极52。该正电势VDC选择为将该负电颗粒62保持在该上部电极52，直到如通过在该等离子蚀刻完成并将晶片从该室42取出之后的无晶片自动清洁工艺来去除。关于该带正电的颗粒58，例如，促使其从该晶片40离开是排斥该颗粒58向下回到并进入该卡盘54，直到按照上述的方式去除。 

状态2中的在状态2控制器72控制下的操作包括中断该卡紧偏置。例如，该卡紧电压VC的值可降低以引起解除卡紧操作。随着该VC的值降低，该气体57提供至这些通道56。该气体57克服该卡盘偏置VC充分降低或去除之后倾向于将该晶片40保持在该第二电极54上的残余力。将该气体57提供至这些通道56因此克服该ECS54在该晶片40上的夹持力（即，克服朝向该静电卡盘54的力）。图5中，该晶片40示为由该气体57和该销67（图3）向上移进该传输区域48。由于正颗粒58被排斥到达该下部电极54，该晶片40（其现在不在该传输区域48中）受到的不期望的颗粒51数量降低。 

由该状态2控制器72控制该正电压VDC电势的值（即，以促使该室42内的带电颗粒58和64远离该晶片40和离开该传输区域48）使得在这些电极52和54之间、跨过该传输区域48建立电场（见图5中线EF）。该电场EF在这些电极52和54之间的带电颗粒58和62施加静电力F。作用在该带正电的颗粒58（如图5中所示向下）上的力F通过将这些带正电的颗粒58保持在该静电卡盘54上来捕获这些 颗粒58（见捕获的颗粒58T，图5）。如图5所示，在该晶片40在该传输区域48中，所捕获的颗粒58T远离该传输区域48中的该晶片。 

该力F还通过将这些颗粒62向上推到该上部电极52来捕获带负电的颗粒62，其离开并处于该传输区域48上方（见所捕获的颗粒62T，图5）。如图5所示，对于该晶片40在该传输区域中，以及颗粒62被捕获在该上部电极52上，所捕获的颗粒62远离该晶片，以及该晶片受到更少的不期望的颗粒51并为从该室42传输设定好条件。 

该状态2控制器72进一步配置为保持状态2，同时维持施加到该第一电极52的该正DC电势VDC、通过将该第二电极54接地、持续供应该气体57至这些通道56以及驱动该起顶销67进一步升起该晶片40（即，跨过该空间88进入该传输区域48）。尽管以这种方式保持状态2，但是该状态2控制器72还启动该晶片传输单元50的运行从而将末端执行器74（图5）移进该该室42的该传输区域48中。当该末端执行器74对准该晶片40时，该控制器72使得该末端执行器74从上部位置（搁在该起顶销67上）拾取该晶片。图3示出该晶片40在该ESC54上方的该传输区域48中该上部位置、该起顶销67上（图5中未示）。该末端执行器74拾取该晶片然后通过该传输区域48缩回，将该晶片移进该传输模块54，同时在该传输区域58中运送该晶片40以及同时将分别捕获的负和正颗粒62和58保持远离所传输的晶片40。更具体地，图1示出的该晶片传输单元50可配置为在该传输区域48移动，并与电极52和54隔开用以移动所释放的晶片40离开该室42。该晶片40的移动因此是在该传输区域48中，其中所释放的晶片40保持远离被该静电卡盘54捕获的该颗粒58。所释放的晶片40还保持为远离被促向该上部电极54的该颗粒62。 

图5示出在一个实施例中，改变为状态2偏置由该第二状态控制器72将电源76连接到该第一电极52而引起。该电源76配置为通过将该正DC电势施加到该第一电极52以及通过开关73将该第二电极54接地而建立电场EF。该电场EF建立在该电极52和54之间并跨过该传输区域48。这样配置，该电源76使得该电场EF施加该静电力F。该电场EF在某个特定电极上捕获该颗粒51特定的一些，从而该室42中的颗粒51如上面所限定的那样被“促离”。例如，如上所述，作用在该带正电的颗粒58上的力F（如图5所示的向下）通过将这些带正电的颗粒58保持在该静电卡盘54来捕获这些颗粒58。如图5所示所捕获的颗粒58远离处于该传输区域48中该晶片40。还如上所述，该力F还通过将带负电的颗粒62向上推至该上部电极52来捕获该颗粒62，其离开并处于该传输区域48上方，并因此远离该传输区域48。 

在一个实施例中，图5所示的该电源76可配置为施加到该正DC电势该第一（上部）电极52在从约30伏特到约100伏特的范围内。 

在另一实施例中，图1所示的该晶片传输单元50可配置为在该传输区域48中移动并与该电极52和54分开，用以移动所释放的晶片40离开该室42。该晶片40的移动因此是在该传输区域48中在所释放的晶片40保持远离捕获在该静电卡盘54上的该颗粒58的情况下进行的。 

回顾上面所述，本发明的实施例减少该工艺室42中的该传输区域48中的颗粒51的数量，如在等离子处理该晶片40之后。这些实施例配置为运行在两个状态，第一状态是用以处理该晶片40的状态。该第二状态是该晶片传输状态，用以将该处理后的晶片40从该室42移出。该第一多状态电极可以是安装在该工艺室42中的电极 52。该第二多状态电极可以是安装在该室42中、与该第一电极52分开的该下部电极54。通过该通道56和该起顶销67以及减少该卡紧偏置VC，该第二电极54配置为解除卡紧该晶片40。图3和5示出晶片处理后解除卡紧进入该传输区域48。该电极偏置控制器68配置为偏置该电极52和54以运行在每个状态，并通过该状态控制器70和72动作。对于该第二（晶片传输）状态，该控制器68使得该状态2控制器72配置为同时进行：（i）将该第二电极54接地，（ii）施加该正DC电势VDC至该第一电极52，和（iii）使得该第二电极54解除卡紧该晶片40以将该晶片置于该传输区域48（例如，通过该气体57和该销67）。对于这个第二状态，该控制器72因此配置为控制该正DC电势VDC的值从而促使该室42中带电的不期望的颗粒51远离该晶片40以将该传输区域48为移动该晶片40离开该室42设定条件。该晶片传输器50运送该解除卡紧晶片40通过该室42。在状态2，该室42中的颗粒51可包括例如该电极52和54之间的该带负电的颗粒62和从该第二电极54释放的该带正电的颗粒58。该控制器72描述为保持施加到该第一电极52的该正DC电势VDC并将该第二电极54保持接地，以及启动该晶片传输器50的运转以运送该晶片40。在该传输器50运送该晶片通过该传输区域48时，所保持的电势VDC和接地有效的捕获各个负和正颗粒62及58远离该晶片40。 

在另一实施例中，图4示出支撑件78，用于彼此分隔安装各第一和第二电极52和54（为该电极52示出一个支撑件78，可以理解也为该电极54提供类似的支撑件）。图5示出在该电极52和54之间并隔开它们的该传输区域48。该状态2控制器72描述为设定该DC电势VDC的受控值从而带负电的颗粒62被促使至离开该传输区域48的该第一电极52。可以理解在该第二电极54接地的情况下以及设置值VDC偏置该电极52的情况下，该带正电的颗粒58被促向该第二电极54并离开该传输区域48。 

在另一实施例中，图5示出该晶片传输单元50，配置有运送该末端执行器74的臂80。该臂80安装为移进和移出该室42，以及从该起顶销67升起该晶片以及将该晶片放在该起顶销上。该臂80配置为移动在该传输区域48中。图5还示出该第二电极54可配置为静电卡盘。卡盘54可提供有晶片安装表面82，三个该起顶销67延伸穿过该表面82，以及该通道56限定为穿过该表面82。该通道56配置为引导示例性的氦气气体57（解除卡紧气体）至该晶片以在晶片处理后将该晶片40从该表面82解除卡紧进入该传输区域48，图3所示。利用施加到该电极52的该正DC电势VDC，该电场EF跨过该传输区域48从该第一电极52到该第二电极54以促使带电颗粒51离开该传输区域48，从而该传输区域48中由该臂80移动的该处理后并解除卡紧的晶片40经受较少数量的带电颗粒51。 

在本发明另一实施例中，提供一种用于准备工艺室以从该工艺室传输处理后的晶片的方法。该室可以是室42，该晶片可以是当将晶片40从安装晶片40用以处理的支撑电极54去除时，待在该传输区域48中传输的晶片40。图3示出该处理倾向于将该不期望的颗粒51释放进该室42中的工艺空间86内。图5中，该电极54示为对着该支撑电极52，该电极52和54限定该工艺空间86。图6说明该方法的流程图90，其可从开始进行到步骤92，在该工艺空间限定晶片传输区域从而该工艺空间的分隔部分将该区域与各该电极分开。该晶片传输区域可以是在该工艺空间86中的区域48。图5示出该工艺空间86的分隔部分88可将该传输区域48与各该电极52和54分开。该方法可进行到步骤94，同时执行某些进一步的步骤而促使该室中的颗粒远离该晶片。这种促使可以作用于不期望的颗粒51，包括带正电的颗粒58和带负电的颗粒62。操作94的某些进一步的步骤示为包括步骤96，终止该晶片的等离子处理。步骤96可由该控制器68以上述方式执行，其配置为开启状态2控制器72以使得状态1控制器70终 止等离子处理该晶片40的操作。如上所述，终止等离子处理导致该状态1电极偏置VRF的关闭（即，终止偏置）。 

通过同时进行某些进一步的步骤促使该室中的颗粒远离的步骤94可进一步包括步骤98。步骤98将该支撑电极接地。该支撑电极是支撑该晶片40的下部电极54。对于该第二（晶片传输）状态，该控制器68可使得该控制器72配置为将该第二电极54接地，如图5所示。 

通过同时进行某些进一步的步骤促使该室中的颗粒远离的步骤94可进一步包括步骤100。步骤100可施加正DC电势VDC至该电极52。并且，对于该晶片传输状态，该控制器68可使得该控制器72施加该电势VDC至该上部电极52，如图5所示。 

通过同时进行某些进一步的步骤促使该室中的颗粒远离的步骤94可进一步包括步骤102。步骤102可使得该第二电极54解除卡紧该晶片40以将该晶片置于该传输区域48中（如图3所示）。并且，对于该晶片传输状态，该控制器68可使得该控制器72减少该卡紧偏置VC，以导致将该气体56提供至该下部电极（该卡盘）54，并驱动该起顶销67。这使得该第二电极54解除卡紧该晶片40并将该晶片置于该传输区域48中，完成该方法。 

对于该第二状态，这些步骤96、98、100和102使得该正DC电势VDC的受控的值能够促使该室42的带电颗粒51远离该晶片40以使该传输区域48为移动该晶片40离开该室42设定条件。该晶片传输器50升起然后运送该解除卡紧的晶片40通过该室42的该传输区域48，该晶片远离该不期望的颗粒51。如上所述，在状态2，该室42中的颗粒51可包括例如该电极52和54之间的该带负电的颗粒62和从该第二电极54释放的该带正电的颗粒58。保持该正DC电势 VDC施加到该第一电极52，并可以是处于从约30伏特到约100伏特范围内的正DC电势。该第二电极54保持接地。该晶片40在从该支撑电极54移除后、跨过在该工艺空间86的该分隔部分88（该下部部分88）之一并进入该传输区域48保持解除卡紧，远离被促离该传输区域的该颗粒51。然后，可启动该晶片传输器50的运行以运送该晶片40。所保持的电势VDC和接地有效地持续促使这些颗粒远离该传输区域48，并且在该传输单元50运送该晶片通过该传输区域48时，捕获各自的负和正颗粒62和58以远离该晶片40。 

尽管这里详细地描述本发明的若干实施例，但是本领域一般技术人员应当理解本发明可实现为许多别的具体形式而不背离本发明的主旨和范围。所以，当前实例和实施例应当认为是说明性的而限制性的，并且本发明不限于这里提供的这些细节，而是可在所附权利要求的范围内修改和实施。 

Claims (17)

1.一种在晶片等离子处理之后捕获颗粒离开工艺室中晶片传输区域的设备，该设备包括：

第一电极，安装在该工艺室内该传输区域的一侧上；

第二电极，安装在该室内在该传输区域的相对侧上，与该第一电极隔开；和

与该第一电极连接以在这些电极之间以及跨越该传输区域建立电场的电源，该电场在这些电极的特定一个上捕获某些特定的颗粒从而促使该室中的颗粒离开该传输区域，

其中该第一电极是上部电极，该第二电极是下部电极，

其中，该电源配置为通过施加正DC电势到该第一电极而该第二电极接地建立该电场，和

该第二电极配置成静电卡盘，其设有晶片安装表面和限定为穿过该表面的通道，该通道配置为引导解除卡紧气体至该晶片以将该晶片从该表面解除卡紧并便于晶片在晶片处理后移进该传输区域；

该第二电极倾向于将带正电的颗粒释放进该室的该传输区域；和

该电源配置为通过施加正DC电势到该第一电极以及该静电卡盘接地来建立该电场，所配置的电源使得该电场施加静电力，其将带正电的颗粒捕获在该静电卡盘处而远离该传输区域中的晶片。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

带负电的颗粒倾向于在该等离子处理该晶片之后处于该室中；和

所配置的电源使得该电场在该带负电的颗粒上施加静电力，该力促使该带负电的颗粒靠着该第一电极并远离该传输区域。

3.根据权利要求1所述的设备，其中：

该第二电极配置为在该室中静电安装该晶片用以处理；

该第二电极倾向于将带正电的颗粒释放进该室的该传输区域；和

所配置的电源使得该电场在该带正电的颗粒上施加静电力，该力促使该带正电的颗粒朝向该第二电极并远离该传输区域。

4.根据权利要求1所述的设备，其中：

该室中的颗粒包括在这些电极之间的传输区域中的带负电的颗粒和从该第二电极释放的带正电的颗粒；和

该电源配置为建立该电场，通过施加正DC电势到该第一电极以及该第二电极接地而建立该电场，该电场施加静电力，其将带负电的颗粒保持靠着该第一电极并远离该传输区域，该力促使带正电的颗粒朝向该第二电极并远离该传输区域。

5.根据权利要求2所述的设备，其中该正DC电势在从约30伏特到约100伏特的范围。

6.根据权利要求3所述的设备，其中该正DC电势在约30伏特到约100伏特的范围。

7.根据权利要求1所述的设备，该设备进一步包括：

晶片传输单元，配置为在该传输区域移动并与这些电极隔开用以移动所释放的晶片离开该室，该移动在该传输区域内以及所释放的晶片保持为远离被捕获在该静电卡盘处的颗粒。

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

带负电的颗粒倾向于等离子处理晶片之后在该室中；和

所配置的电源使得该电场在这些电极之间施加静电力以促使带负电的颗粒靠着该第一电极并远离由该晶片传输单元移动的晶片。

9.减少晶片等离子处理后工艺室中的传输区域中颗粒数量的设备，该设备配置为运行在两个状态，第一状态是处理该晶片的状态，第二状态是用以将该处理后的晶片从该室移出的晶片传输状态，该设备包括：

具有多状态的第一电极，安装在该工艺室内；

具有多状态的第二电极，安装在该室内并与该第一电极隔开，该第二电极配置为在晶片处理后使该晶片解除卡紧进入传输区域；和

电极偏置控制器，配置为偏置这些电极用以运行在每个状态，对于该晶片传输状态该控制器配置为在同一时刻（i）将该第二电极接地，（ii）施加正DC电势至该第一电极，和（iii）使得该第二电极解除卡紧该晶片以便于将该晶片置于该传输区域中，

其中该第一电极是上部电极，该第二电极是下部电极，和

该设备进一步包括晶片传输臂，安装为移进和移出该室，该臂配置为移动在该传输区域中；其中：

该第二电极配置成静电卡盘，其设有晶片安装表面和限定为穿过该表面的通道，该通道配置为引导解除卡紧气体至该晶片以将该晶片从该表面解除卡紧并便于晶片在晶片处理后移进该传输区域；和

该正DC电势跨过该传输区域从该第一电极到该第二电极以促使带电颗粒离开该传输区域从而由该臂在该传输区域移动的该处理后的并解除卡紧的晶片经受减少数量的带电颗粒。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，对于该第二状态，该控制器配置为控制该正DC电势的值从而促使该室中的带电颗粒远离该晶片以使该传输区域为该晶片离开该室设定条件。

11.根据权利要求9所述的设备，该设备进一步包括晶片传输器用以传送该解除卡紧的晶片通过该传输区域；其中：

该室的颗粒包括这些电极之间的带负电的颗粒和从该第二电极释放的带正电的颗粒；和

该控制器进一步配置为保持施加到该第一电极的该正DC电势并保持该第二电极接地，以及启动该晶片传输器的运转以运送该晶片，所保持的电势和接地有效地促使在该传输器运送该晶片通过该传输区域时该负和正颗粒远离该晶片。

12.根据权利要求9所述的设备，其中该室中的颗粒包括这些电极之间的带负电的颗粒和从该第二电极释放的带正电的颗粒；该设备进一步包括：

用以彼此隔开安装该第一和第二电极的支撑件，该传输区域位于这些电极之间并与这些电极隔开；其中：

该控制器设置该DC电势的受控值从而促使带负电的颗粒离开至该第一电极而离开该传输区域；和

利用接地以及利用设置值偏置各个电极，该带正电的颗粒被促向该第二电极并离开该传输区域。

13.根据权利要求9所述的设备，其中该控制器配置为施加从30伏特到100伏特范围的该正DC电势。

14.一种准备工艺室以将处理后的晶片传输出该工艺室的方法，支撑电极安装该晶片用以处理，该处理倾向于造成不希望的颗粒被释放到该室中的工艺空间内，上部电极对着该支撑电极并形成该工艺空间；该方法包括如下步骤：

在该工艺空间限定晶片传输区域从而该工艺空间的分隔部分将该区域与各该电极分开；和

通过同时执行进一步的步骤来促使该室中的颗粒远离该晶片：

（i）终止该晶片的等离子处理，

（ii）将该支撑电极连接到地，

（iii）施加正DC电势到该上部电极，以及

（iv）将该晶片从该支撑电极解除卡紧进入该传输区域，

其中，该支撑电极配置成静电卡盘，其设有晶片安装表面和限定为穿过该表面的通道，该通道配置为引导解除卡紧气体至该晶片以将该晶片从该表面解除卡紧并便于晶片在晶片处理后移进该传输区域；和

该正DC电势跨过该传输区域从该上部电极到该支撑电极以促使带电颗粒离开该传输区域从而由晶片传输臂在该传输区域移动的该处理后的并解除卡紧的晶片经受减少数量的带电颗粒。

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

该工艺空间的颗粒包括带负电的颗粒和带正电的颗粒；和

该进一步的连接和施加的步骤促使该颗粒离开该传输区域。

16.根据权利要求14所示的方法，其中该进一步的施加步骤施加从约30伏特到约100伏特范围的正DC电势。

17.根据权利要求15所示的方法，其中该进一步的解除卡紧步骤是从该支撑电极移动该晶片跨过该工艺空间的分隔部分之一并进入该传输区域远离那些被促离该传输区域的颗粒。

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