JPH04390A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH04390A JPH04390A JP10031190A JP10031190A JPH04390A JP H04390 A JPH04390 A JP H04390A JP 10031190 A JP10031190 A JP 10031190A JP 10031190 A JP10031190 A JP 10031190A JP H04390 A JPH04390 A JP H04390A
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- microwave
- cooled
- particles
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Links
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に関するもので
ある。
ある。
従来の装置としては、例えば、特開平ＰＯＩ−１０７５
４０号公報に記載のようなものが知られている。
４０号公報に記載のようなものが知られている。
上記従来技術は、低温に冷却された試料周辺の反応生成
物、即ちパーティクルの吸着の点について配慮がされて
おらず、プラズマ処理時における試料へのパーティクル
の吸着が発生し、処理が不均一になるという間融があっ
た。
物、即ちパーティクルの吸着の点について配慮がされて
おらず、プラズマ処理時における試料へのパーティクル
の吸着が発生し、処理が不均一になるという間融があっ
た。
本発明の目的は、試料表面のパーティクル数を減少させ
ることで、処理の均一性を向上できるマイクロ波プラズ
マ処理装置を提供することにある。
ることで、処理の均一性を向上できるマイクロ波プラズ
マ処理装置を提供することにある。
上記目的は、低温に冷却された試料台の周りに低温のア
ース電極板を設けることにより達成できる。
ース電極板を設けることにより達成できる。
低温に冷却されたアース電極板を試料台に隣接して設け
ることにより、プラズマ処理中のバーティクルがアーク
電極板に吸着され、試料表面に付着するパーティクルが
減少するように作用する。
ることにより、プラズマ処理中のバーティクルがアーク
電極板に吸着され、試料表面に付着するパーティクルが
減少するように作用する。
これによって基板の処理性能が均一化される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置を示す。
真空室１内には、試料である、例えば、８１基板７を配
置する試料台である基板電極３が設けられており、基板
電極３は外部に設けた冷却器工３から基板電通３にエタ
ノール等の冷媒を循環して基板電極３および、アーク電
極板１０の冷却を行う。基板電極３に対向して真空室１
上部に石英ベルジャ２が取り付けである。真空室１には
、図示しない処理ガス供給源につながり真空室ｌ内に処
理ガスを供給する処理ガス導入管１１と、真空ポンプ８
につながり真空室１内に所定圧力に減圧排気するための
排気口丘が設けである。石英ベルジャ２を囲んで導波管
４が取り付けてあり、導波管４の端部にマグネトロン５
が取り付けである。石英ベルジャ２の周りには導波管４
を介して磁界全土手段であるコイル６が設けである。基
板電極３着こは高周波電源９がつながり、試料７の開開
、すなわち、基板電極３の周囲；こは低温に冷却された
アース電極板１０が電気的に絶縁して隣接して設けてあ
る。
置する試料台である基板電極３が設けられており、基板
電極３は外部に設けた冷却器工３から基板電通３にエタ
ノール等の冷媒を循環して基板電極３および、アーク電
極板１０の冷却を行う。基板電極３に対向して真空室１
上部に石英ベルジャ２が取り付けである。真空室１には
、図示しない処理ガス供給源につながり真空室ｌ内に処
理ガスを供給する処理ガス導入管１１と、真空ポンプ８
につながり真空室１内に所定圧力に減圧排気するための
排気口丘が設けである。石英ベルジャ２を囲んで導波管
４が取り付けてあり、導波管４の端部にマグネトロン５
が取り付けである。石英ベルジャ２の周りには導波管４
を介して磁界全土手段であるコイル６が設けである。基
板電極３着こは高周波電源９がつながり、試料７の開開
、すなわち、基板電極３の周囲；こは低温に冷却された
アース電極板１０が電気的に絶縁して隣接して設けてあ
る。
上記構成の装置により、処理ガス導入管１１よりガスが
導入され、マグネトロン５よりマイクロ波が発振され、
石英ベルジャ２内に印加され、コイル６による磁場との
相互作用によってプラズマが発生する。また基板電極３
に高周波電源９により高周波が印加され、バイアス電圧
が生じて、プラズマ中のイオンが基板７に入射させられ
て、基板７がプラズマ処理される。プラズマ処理の反応
熱により基板７の温度は上がる。この時、基板ｉＥ瞳に
隣接して低温のアース電極板を設けることにより、基板
電（ｊに配置された基板７とアース電ＦｆＡ坂１０の間
に温度差が生し、この温度差により反応生成物（パーテ
ィクル）のほとんどがアース電極板１０に吸着される。
導入され、マグネトロン５よりマイクロ波が発振され、
石英ベルジャ２内に印加され、コイル６による磁場との
相互作用によってプラズマが発生する。また基板電極３
に高周波電源９により高周波が印加され、バイアス電圧
が生じて、プラズマ中のイオンが基板７に入射させられ
て、基板７がプラズマ処理される。プラズマ処理の反応
熱により基板７の温度は上がる。この時、基板ｉＥ瞳に
隣接して低温のアース電極板を設けることにより、基板
電（ｊに配置された基板７とアース電ＦｆＡ坂１０の間
に温度差が生し、この温度差により反応生成物（パーテ
ィクル）のほとんどがアース電極板１０に吸着される。
これにより、基板７表面へのパーティクルの付着が防止
され、基板の処理性能が向上する。
され、基板の処理性能が向上する。
本発明によれば、基板表面上のパーティクルを少なくで
きるので、処理の均一性を向上できる効果がある。
きるので、処理の均一性を向上できる効果がある。
第１図は本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の一
実施例を示す縦断面図である。 ■・・・・・・真空室、２・・・・・・石英ベルジャ、
３・・・・・・基板電極、４・・・・・・導波管、５・
・・・・・マグネトロン、６・・・・・・コイル、７・
・・・・・基板、８・・・・・・真空ポンプ、９・・・
・・・高周波電源、１０・・・・・・アース電極板、１
１・・・・・・ガス導入口、ν・・・・・・保冷配管、
Ｂ・・・・・・冷却器代理人 弁理士 小 川 勝
男 、１ン’；’ｔｔ図
実施例を示す縦断面図である。 ■・・・・・・真空室、２・・・・・・石英ベルジャ、
３・・・・・・基板電極、４・・・・・・導波管、５・
・・・・・マグネトロン、６・・・・・・コイル、７・
・・・・・基板、８・・・・・・真空ポンプ、９・・・
・・・高周波電源、１０・・・・・・アース電極板、１
１・・・・・・ガス導入口、ν・・・・・・保冷配管、
Ｂ・・・・・・冷却器代理人 弁理士 小 川 勝
男 、１ン’；’ｔｔ図
Claims (1)
- １．マイクロ波発生手段と、該手段とマイクロ波伝達手
段を介して連結された導波管と、該導波管の内側に配置
された放電管と、磁場発生手段とを有し、該磁場発生手
段による磁場と前記マイクロ波発生装置によるマイクロ
波とが印加される前記放電管内で放電ガスをプラズマ化
すると共に、冷却器により低温に温度制御された試料台
に高周波バイアスを印加して該試料台に配置保持された
試料を処理する装置において、低温に冷却されたアース
電極板を前記試料台に隣接して設けたことを特徴とする
マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031190A JPH04390A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031190A JPH04390A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04390A true JPH04390A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14270630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10031190A Pending JPH04390A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06112138A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| WO2000016385A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tokyo Electron Limited | Reacteur au plasma |
| KR20040010898A (ko) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | 사단법인 고등기술연구원 연구조합 | 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP10031190A patent/JPH04390A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06112138A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| WO2000016385A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tokyo Electron Limited | Reacteur au plasma |
| KR20040010898A (ko) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | 사단법인 고등기술연구원 연구조합 | 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치 |
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