KR20040010898A - 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치 - Google Patents

대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 방전 시스템의 내부에 점화용 전극을 부착함으로써 효율적으로 플라즈마 방전을 할 수 있도록 아크를 발생시키는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치를 제공하는데 목적이 있다.
이러한 본 발명의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치는, 마이크로 웨이브가 전파되는 마이크로 웨이브 도파관과 마이크로 웨이브 도파관을 관통하는 석영관으로 이루어져 플라즈마를 발생시키는 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템에 있어서, 석영관의 내부에 안착되어 점화용 기체를 주입하는 유체주입부;와 이 유체주입부 내벽에 부착된 점화용 전극; 및 점화용 전극에 고전압을 인가시키는 교류 고전압 발생장치로 구성되어 아크를 발생시키는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 따르면, 외부와의 차단이 용이하고, 원거리에서 방전이 가능하므로 외부와 차단을 해주는 차폐물질의 열적변형에 대한 피해를 줄일 수 있으며, 마이크로 웨이브가 전극에 의해 반사되지 않는 잇점이 있다.

Description

대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치{Igniting device of Microwave Plasma Discharge System}
본 발명은 대기압 하에서 마이크로 웨이브를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유체주입부 내벽에 점화용 전극을 부착하여 효율적으로 플라즈마를 방전하는 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마(Plasma)란 고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체상태로, 전하분리도가 상당히 높으면서도 전기적으로는 음과 양의 전하수가 같아서 중성을 띠는 기체이다.
플라즈마는 열적으로는 매우 고온의 성질을 가지며, 전기적으로는 도체이고, 대전류를 흘릴 수 있으며, 큰 힘을 전자력에 의해 발생시킬 수 있고, 자체가 빛을 내며, 내부에 화학적으로 활성이 매우 강한 라디칼이나 이온을 많이 포함하고 있는 특성을 가지므로, 초고온 핵융합에 이용되는 플라즈마로부터 반도체 공정, 신소재 합성 등에 이용되는 저온 글로우 플라즈마에 이르기까지 다양한 응용범위를 가진다.
현재 사용되는 대기압 플라즈마는 진공 플라즈마와 달리 방전소스에 의해 플라즈마를 발생시키기가 어렵기 때문에, 방전에 필요한 초기 전자를 공급하기 위해 부수적인 점화장치가 필요하다. 즉, 대기압 플라즈마 시스템에서 점화장치는 전자가 진행하면서 대기중 입자와 충돌이 심하므로 전자에 전기적인 에너지를 공급하기위한 장치이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치에 대해 설명한다.
도 1은 종래의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 2는 종래의 점화장치의 아크 발생 예시도이다.
먼저 도 1을 참조하면, 종래의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템은 마이크로 웨이브 도파관(10), 석영관(12), 메인 유체 유도관 즉, 유체주입부(14), 점화장치(16), 전원 공급선(18), 및 전원장치(도시하지 않음)로 구성된다.
마이크로 웨이브가 전파되는 마이크로 웨이브 도파관(10)의 중앙을 관통하여 원통형의 유전체인 석영관(12)이 장착되어 있고, 석영관(12) 내부 중앙에는 유체주입부(14)가 있으며, 유체주입부(14) 상측에는 아크를 발생시키는 점화장치(16)가 장착되어 있다. 이 점화장치(16)는 도 2에 도시된 바와 같이 서로 엇갈리는 사선 방향으로 절연 및 밀봉 스페이서(161)가 장착되어 있어 하단에는 전원 공급선(163)이 연결되어 있으며 상단에는 고전압 아크를 발생시키는 텅스텐 점화 팁(162)이 연결되어 있다.
전술한 바와 같이 구성된 텅스텐 점화 팁(162)은 석영관(12) 외벽을 관통하여 플라즈마 발생 영역에 근접하도록 설치되어 두개의 텅스텐 점화 팁(162) 사이에서 고전압 아크가 발생되고, 이로 인하여 마이크로 웨이브의 전기장 영역에서 마이크로 웨이브에 의해 플라즈마를 발생시킨다.
이 때 플라즈마 방전 시스템의 공급 전원은 10~15kV 이상의 직류 또는 교류 고전압 변압기를 이용하며, 점화장치의 점화 팁(162)은 고열이 발생되는 플라즈마 발생 영역 근처에 설치되므로 고온에 잘 견디는 물질(즉, 텅스텐)을 이용한다.
그런데, 종래의 고전압 아크를 발생시키는 텅스텐 점화 팁은 석영관 외벽을 관통하여 설치되므로 외부 대기와 차단이 되도록 제작하기가 번거롭고, 고온에 견디는 물질 즉, 텅스텐과 같은 금속 물질을 사용해야 하므로 부품 비용이 많이 드는 문제점 뿐만 아니라, 부식성 있는 기체나 방전 이후의 이온에 의한 부식으로 점화 팁을 자주 교체해 주어야 한다는 문제점이 있다.
또한, 금속의 높은 열전도성으로 인해 점화 팁과 석영관의 외벽을 차단해주는 차폐물질의 열적 변형을 가져오는 문제점이 있다.
또한, 종래의 점화 팁은 플라즈마 발생 영역에 최대한 근접하도록 설치되므로 점화 팁 설치 및 방전 위치의 변동이 제한되며 더욱이, 유체의 흐름이 원활한 석영관 내에 위치하므로 유체의 흐름을 방해하여 난류나 와류를 형성하게 되고, 유체 속도 분포의 불균일성으로 플라즈마를 불안정하게 하는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 효율적인 플라즈마 방전을 위하여 도전성 테이프나 와이어(wire) 또는 시트(sheet)전극과 같은 점화용 전극을 사용함으로써 아크를 발생시키는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 나타낸 단면도,
도 2는 종래의 점화장치의 아크 발생 예시도,
도 3은 본 발명에 따른 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 나타낸 사시도,
도 5는 본 발명에 따른 점화장치의 아크 발생 예시도이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
310;마이크로 웨이브 도파관 312;석영관
314;유체주입부 316;점화용 전극
318;전원 공급선 322;교류 고전압 발생장치
324;절연포트 326;플라즈마 발생영역
B1;점화용기체 주입방향 B2;보조기체 주입방향
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치는, 마이크로 웨이브가 전파되는 마이크로 웨이브 도파관과 상기 마이크로 웨이브 도파관을 관통하는 석영관으로 이루어져 플라즈마를 발생시키는 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템에 있어서, 상기 석영관의 내부에 안착되어 점화용 기체를 주입하는 유체주입부;와 상기 유체주입부 내벽에 부착된 점화용 전극; 및 상기 점화용 전극에 고전압을 인가하는 교류 고전압 발생장치로 구성되어 아크를 발생시키는 것을 특징으로 한다.
상기 점화용 전극은 도전성 테이프나 와이어(Wire)형태 또는 시트(Sheet)전극을 사용하며, 상기 점화용 기체는 불활성 기체(아르곤 등)를 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 구조를 나타낸 사시도이며, 도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 점화장치의 아크 발생 예시도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템은 마이크로 웨이브 도파관(310), 석영관(312), 유체주입부(314), 점화용 전극(316), 전원 공급선(318), 교류 고전압 발생장치(322), 및 절연포트(324)로 구성된다.
본 발명에 따른 유체주입부(314)는 다양한 형태로 구현될 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 원통형의 관의 형태로 도시하여 설명하고자 한다.
또한, 교류 고전압 발생장치(322)는 150W 용량의 10~15kV 이상을 사용하며, 출력포트 한쪽은 테플론 또는 실리콘을 비롯한 절연물질로 절연되어 있다. 이와 같이 절연물질을 사용하는 이유는 위상차가 상쇄됨을 방지하여 파워를 전극에 많이 인가하기 위해서이다.
이러한 플라즈마 방전 시스템은, 원통형의 유전체로 마이크로 웨이브 도파관(310)의 중앙을 관통하는 석영관(312)이 장착되어 있고, 석영관(312)의 내부 중앙에는 점화용 기체를 주입시키기 위한 유체주입부(314)가 안착되어 있는 구조를 이루고 있다. 그리고, 유체주입부(314) 내벽에는 점화용 전극인 도전성 테이프나 와이어(wire) 또는 시트(sheet)전극이 부착되어 있으며, 부착된 점화용 전극(316)의 하단은 피복으로 절연된 도선 즉, 전원공급선(318)을 통해 교류 고전압 발생장치(322)와 연결되어 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 점화장치는 유체주입부(314) 내벽에 점화용 전극(316)을 부착하고 하단에는 교류 고전압 발생장치(322)를 연결하여 구성됨으로써, 종래의 점화장치(도1의 16)보다 크기가 작고 작동 방식이 간편하다.
전술한 바와 같이 구성된 점화장치를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 동작 과정은 다음과 같다.
먼저, 마이크로 웨이브 전원을 켠 후, 마이크로 웨이브를 석영관 방향으로(도 4의 화살표 방향)전파시킨다. 아크 발생을 용이하게 하기 위하여 유체주입부(314) 내부에 점화용 기체인 불활성 기체(아르곤, 헬륨, 네온 등)를 튜브 사이즈 직경 15mm를 기준으로 분당 4~5리터의 유량을 B1방향으로 주입시킨다. 이 상태에서 교류 고전압 발생장치(322)의 전원을 온(ON) 시키고 교류 10~15 kV로 승압된 전원을 발생시켜 전원공급선(318)을 통해 점화용 전극(316)에 인가한다. 그러면, 주입시킨 불활성 기체와 점화용 전극(316)에 의해 아크가 발생되어 불활성 기체가 흐르는 방향대로 발진되며, 발진된 아크(arc)는 마이크로 웨이브에 의해 형성된 전기장 영역에서 플라즈마 방전을 일으킨다. 즉, 아크는 전기장 영역에서 초기방전 개시를 위한 씨앗 역할을 한다. 이때 불활성 기체는 유전율이 높아서 마이크로 웨이브에 의해 형성된 아크가 발달되기 쉽게 한다.
일단 토치 불꽃이 발생한 후에는 점화장치의 전원을 차단해도 토치 불꽃은 사라지지 않으며 연속적으로 플라즈마를 발생시킬 수 있으므로, 방전이 양호하게 발생되면 전원이 꺼지고 공정기체(보조유체)를 B2방향으로 주입하면서 점화용 기체인 불활성 기체(아르곤 등)를 차단한다. 여기서, 공정기체는 석영관 주위로 회오리쳐 이동하여 석영관을 냉각시키고, 플라즈마를 중앙으로 몰아주는 역할을 한다.
도 5에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 점화장치로부터 발생되는 아크는 유체주입부(314)의 내벽에 부착된 점화용 전극(316)과 점화용 기체에 의해 발생되며, 토치 형태로 발진하여 플라즈마 방전을 함으로써 원거리에서도 방전이 가능하다. 도 2에 도시된 종래의 아크 발생 형태와 비교하면, 종래의 점화장치는 사선으로 대향되는 두개의 점화 팁 사이에서 아크가 발생되기 때문에 원거리에서 방전이 불가능하므로 플라즈마 발생영역(326) 근처에 위치하지만, 본 발명에 따른 점화장치는 원거리에서 방전이 가능하므로 플라즈마 발생영역(326)으로부터 소정의 거리를 두고 위치할 수 있다.
한편,토르 이하의 고진공에서는 방전되는 이온이나 분자의 양이 적어 플라즈마의 발생이 용이하지 않기 때문에 본 발명의 점화장치를 이용하면 초기방전 전자 공급으로 쉽게 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 방전 시스템의 점화장치는 대기압 RF방전의 점화용으로 적용가능하다. 대기압 방전은 그 특성상 점화장치가 필요하며, 대기압 RF방전에서는 더욱 필요하므로 본 발명의 점화장치를 이용하면 쉽게 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예에 국한되지 않고, 본 발명의 기술사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 점화장치를 이용한 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템은 유체주입관 내에 점화장치가 있어 외부와의 차단이 용이하고 제작이 용이한 효과가 있다.
또한, 유체주입부의 위치를 조정하여 점화의 위치를 변경할 수 있으며, 플라즈마 발생 영역으로부터 원거리에서 방전이 가능하므로 점화 팁을 자주 교체해야하는 문제점이나 차폐 물질의 열적변형 문제점을 해결한 효과가 있다.
또한, 전극이 유체주입관 내에 있으므로 석영관내의 유체의 흐름을 방해하지 않아 난류와 와류가 발생하지 않으며, 더욱이 전극이 도파관 근처에 있지 않으므로 마이크로 웨이브가 전극에 의해 반사되는 문제점이 없는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 마이크로 웨이브가 전파되는 마이크로 웨이브 도파관과 상기 마이크로 웨이브 도파관을 관통하는 석영관으로 이루어져 플라즈마를 발생시키는 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템에 있어서,
    상기 석영관의 내부로 점화용 기체를 주입하는 유체주입관;
    상기 유체주입관에 인접설치되는 점화용 전극; 및
    상기 점화용 전극에 고전압을 인가하는 교류 고전압 발생장치로 구성되어 아크를 발생시키는 것을 특징으로 하는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 점화용 기체는
    불활성 가스를 사용함을 특징으로 하는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전시스템의 점화장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 점화용 전극은
    도전성 테이프나 와이어(Wire)형태 또는 시트(Sheet)전극임을 특징으로 하는 대기압 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 교류 고전압 발생장치는
    한 쪽 출력포트를 절연하는 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 방전 시스템의 점화장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011139036A2 (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 (주)에스이 플라즈마 대기압 플라즈마 장치
KR20180080749A (ko) * 2017-01-04 2018-07-13 주식회사 메디플 휴대용 마이크로파 플라즈마 발생기
CN108650770A (zh) * 2018-07-31 2018-10-12 安徽工业大学 一种微波脉冲共振放电等离子体射流体模加热改性装置
CN109243956A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 真实仪器公司 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法
CN110662339A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 真实仪器公司 等离子体源、用于激发等离子体的激发系统和光学监测系统
US10923324B2 (en) 2017-07-10 2021-02-16 Verity Instruments, Inc. Microwave plasma source
CN113543444A (zh) * 2021-07-09 2021-10-22 陕西青朗万城环保科技有限公司 一种微波诱导金属放电助燃方法及其控制系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03174397A (ja) * 1989-09-20 1991-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質物質の合成方法およびその合成装置
JPH04390A (ja) * 1990-04-18 1992-01-06 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH1060655A (ja) * 1996-08-22 1998-03-03 Canon Inc 薄膜形成方法および装置
JPH1079348A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Fuji Xerox Co Ltd 半導体の製造方法及び半導体の製造装置
JP2001077028A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Fuji Xerox Co Ltd 半導体製造装置および半導体製造システム
KR20010038118A (ko) * 1999-10-22 2001-05-15 김덕중 슬러지 처리용 무전극 플라즈마 토치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03174397A (ja) * 1989-09-20 1991-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質物質の合成方法およびその合成装置
JPH04390A (ja) * 1990-04-18 1992-01-06 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH1060655A (ja) * 1996-08-22 1998-03-03 Canon Inc 薄膜形成方法および装置
JPH1079348A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Fuji Xerox Co Ltd 半導体の製造方法及び半導体の製造装置
JP2001077028A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Fuji Xerox Co Ltd 半導体製造装置および半導体製造システム
KR20010038118A (ko) * 1999-10-22 2001-05-15 김덕중 슬러지 처리용 무전극 플라즈마 토치

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011139036A3 (ko) * 2010-05-04 2012-01-12 (주)에스이 플라즈마 대기압 플라즈마 장치
WO2011139036A2 (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 (주)에스이 플라즈마 대기압 플라즈마 장치
KR20180080749A (ko) * 2017-01-04 2018-07-13 주식회사 메디플 휴대용 마이크로파 플라즈마 발생기
US10923324B2 (en) 2017-07-10 2021-02-16 Verity Instruments, Inc. Microwave plasma source
CN109243956B (zh) * 2017-07-10 2021-03-26 真实仪器公司 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法
CN109243956A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 真实仪器公司 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法
KR20190006454A (ko) * 2017-07-10 2019-01-18 베러티 인스트루먼트, 인코퍼레이티드 마이크로파 플라즈마 소스
US10679832B2 (en) 2017-07-10 2020-06-09 Verity Instruments, Inc. Microwave plasma source
CN110662339A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 真实仪器公司 等离子体源、用于激发等离子体的激发系统和光学监测系统
CN110662339B (zh) * 2018-06-28 2022-07-01 真实仪器公司 等离子体源、用于激发等离子体的激发系统和光学监测系统
CN108650770A (zh) * 2018-07-31 2018-10-12 安徽工业大学 一种微波脉冲共振放电等离子体射流体模加热改性装置
CN113543444A (zh) * 2021-07-09 2021-10-22 陕西青朗万城环保科技有限公司 一种微波诱导金属放电助燃方法及其控制系统
CN113543444B (zh) * 2021-07-09 2024-04-19 陕西青朗万城环保科技有限公司 一种微波诱导金属放电助燃方法及其控制系统

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