JP3092388B2

JP3092388B2 - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JP3092388B2
Application number: JP05095918A
Authority: JP
Inventors: 智美村上; 善隆森岡; 眞志田野
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1993-04-22
Filing date: 1993-04-22
Publication date: 2000-09-25
Anticipated expiration: 2015-09-25
Also published as: JPH06310439A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成装置に関し、よ
り詳細には光、マイクロ波等の電磁波を透過させるとと
もにチャンバーを封止する誘電体を備えた薄膜形成装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】電磁波を透過させるとともにチャンバー
を封止する誘電体を備えた薄膜形成装置としては、電磁
波として光を用いる光ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposi
tion)装置、マイクロ波を用いるマイクロ波プラズマ処
理装置、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)プラズ
マ処理装置等がある。

【０００３】従来これらの装置においては、生成される
薄膜が目的とする試料表面以外に前記誘電体にも堆積し
て光やマイクロ波等の電磁波が透過し難くなり、薄膜形
成が阻害されるという問題があった。

【０００４】この薄膜の堆積を防止するために、前記誘
電体表面にフォンプリン油等の低蒸気圧物質を塗布する
方法（応用物理：vol.55、No.6、 P.606〜P.611)、前記誘
電体表面に近接してガス導入管が配設された装置を用
い、パージガスを前記誘電体表面に吹き付けて堆積膜を
払い落とす方法（固体物理：vol.20、No.8、 P.564〜P.56
6)等が行なわれている。しかしながらこれらの方法では
いずれも効果が少なく、また上記低蒸気圧物質を塗布す
る方法においては、該低蒸気圧物質が試料表面に形成さ
れた薄膜中に混入するという問題があった。

【０００５】また、前記誘電体に近接して電極が配設さ
れ、この電極に高周波電源が接続された装置が提案され
ている（特開平１−１５９３７８号公報）。図５は、こ
の種薄膜形成装置を、ＥＣＲプラズマ処理装置に適用し
た場合を概略的に示した断面図である。このＥＣＲプラ
ズマ処理装置はプラズマを生成するチャンバー２１と、
試料Ｓを配置する反応室２２とからなる装置本体２３
と、チャンバー２１の周囲に配設されて直流電源（図示
せず）が接続された励磁コイル２４と、マイクロ波発振
器（図示せず）から発振されたマイクロ波をチャンバー
２１に導入する導波管２５と、高周波電源３５に接続さ
れた電極３４等とから構成されている。

【０００６】チャンバー２１は略円筒形状に形成されて
おり、チャンバー周壁２１ａの内側には石英製のカバー
２６が配設され、チャンバー２１の上部壁２１ｂには第
１のガス導入配管３８が接続され、チャンバー上部壁２
１ｂの略中央部にはマイクロ波を導入するための開口部
２７が形成されている。またチャンバー２１及びこれに
接続された導波管２５の一端部にわたる周囲には、これ
を囲繞する態様で同心状に励磁コイル２４が配設されて
いる。またチャンバー２１の下方には反応室２２が一体
的に形成され、反応室２２とチャンバー２１とは仕切り
板２８によって仕切られており、この仕切り板２８の略
中央部にはプラズマ引き出し窓２９が形成されている。
また反応室２２の略中央部には試料Ｓが載置される試料
台３０が配設されており、反応室２２の側壁２２ａには
第２のガス導入管３１が接続され、反応室２２の底部２
２ｂには排気系（図示せず）に連通している排気配管３
２が接続されている。

【０００７】チャンバー２１における開口部２７の上方
には石英等を用いて形成された誘電体３３が配設され、
開口部２７を封止するとともにマイクロ波を透過させる
ように構成されており、また誘電体３３上面には電極３
４が配置され、電極３４の中央部には導波管２５の内周
形状と略同一形状を有する孔３４ａが開口されている。
また電極３４と導波管接続フランジ部２５ｂとの間に
は、電極３４を絶縁するためにテフロン等の絶縁物４７
が被覆するように配設されている。一方、装置本体２３
の外方には使用周波数が１３．５６ＭＨｚ用の高周波電
源３５が配設されており、高周波電源３５は高周波発生
器３６と整合回路（図示せず）が内設されたマッチング
ボックス３７とから構成されている。マッチングボック
ス３７には冷却水配管３９ａ、３９ｂが接続され、水を
循環させてマッチングボックス３７内を冷却するように
なっている。またマッチングボックス３７の端子３７ａ
が導電体４０を介して電極３４に電気的に接続され、導
電体４０は銅等を用いて例えばパイプ形状に形成されて
おり、導電体４０の周囲にはステンレス等を用いて形成
されたシールドカバー４２が配設され、電磁波が外部に
漏洩するのを抑制するようになっている。また高周波発
生器３６の一端はマッチングボックス３７に接続され、
高周波発生器３６の他端３６ａ及び装置本体２３の側壁
２３ａは接地されている。

【０００８】図６はパイプ形状に形成された導電体４０
が電極３４に接続された部分を模式的に示した拡大断面
図であり、図中４３は銅等を用いてパイプ形状に形成さ
れた接続部品を示しており、接続部品４３の上下内外面
にはネジ部４３ａ、４３ｂが形成されている。また電極
３４にはネジ孔３４ｂが形成され、導電体４０端部の外
面にはネジ部４０ａが形成されており、導電体４０のネ
ジ部４０ａと電極３４のネジ孔３４ｂとを接続部品４３
のネジ部４３ａ、４３ｂに螺合することにより、導電体
４０が電極３４に接続されるようになっている。また、
マッチングボックス端子３７ａ側における導電体４０の
接続構造も、図６に示したものと略同様に構成されてい
る。

【０００９】図７は長方形状に形成された銅製の導電体
４１を用いた場合における電極３４への別の接続構造を
模式的に示した部分拡大断面図であり、図中４４は略中
空直方体形状に形成された導電体接続部４４ａとパイプ
形状に形成された電極接続部４４ｂとが一体成形された
銅製の接続部品を示しており、電極接続部４４ｂの外面
にはネジ部４４ｃが形成されている。また電極３４には
ネジ孔３４ｂが形成され、導電体４１端部近傍には複数
個のボルト孔４１ａが開口されており、接続部品４４の
ネジ部４４ｃを電極３４のネジ孔３４ｂに螺合し、複数
個のボルト４５ａ、ナット４５ｂを用いて導電体４１と
接続部品４４を結合することにより、導電体４１が電極
３４に接続されるようになっている。この場合、マッチ
ングボックス端子３７ａ側における導電体４１の接続構
造も、図７に示したものと略同様に構成されている。

【００１０】このように構成された装置を用いて例えば
試料にＴｉＮ薄膜を形成する場合、まず排気系を操作し
て装置本体２３内を減圧した後、第１のガス導入配管３
８からチャンバー２１内にＡｒ、Ｈ₂ 、Ｎ₂ を供給し、
第２のガス導入配管３１から反応室２２内にＴｉＣｌ₄
を供給する。この後、装置本体２３内を所定圧力に設定
する。次にマイクロ波発振器から導波管２５、誘電体３
３、開口部２７を介してマイクロ波をチャンバー２１に
導入するとともに、励磁コイル２４に直流電源を接続し
てチャンバー２１内に磁場を発生させる。そしてチャン
バー２１内で供給したガスを高エネルギ電子により励起
し、分解してイオン化し、プラズマを生成させる。する
とこのプラズマはプラズマ引き出し窓２９を通過し、発
散磁界により加速されて反応室２２内に導かれ、試料台
３０上に載置された試料Ｓの表面にＴｉＮ薄膜を形成す
る。一方、冷却水配管３９ａ、３９ｂに通水してマッチ
ングボックス３７を冷却しながら、高周波電源３５に通
電して１３．５６ＭＨｚの高周波を電極３４に印加し、
誘電体３３にセルフバイアスを発生させる。すると誘電
体３３下面にＡｒイオンが入射し、スパッタ効果により
ＴｉＮ薄膜が誘電体３３下面に付着するのが防止され
る。

【００１１】また、図８は従来の光ＣＶＤ装置を概略的
に示した断面図である。チャンバー５１は略円筒形状に
形成されており、チャンバー５１の上部壁５１ａの略中
央部には水銀ランプやレーザー発振器（共に図示せず）
により発生した赤外光、可視光、紫外光、Ｘ線またはレ
ーザー等の光を導入するための開口部５３が形成され、
チャンバー５１の略中央部には試料Ｓが載置される試料
台５７が配設されている。またチャンバー５１の側壁５
１ｂにはガス導入配管５４が接続され、チャンバー５１
の底部５１ｃには排気系（図示せず）に連通している排
気配管５５が接続されている。

【００１２】チャンバー５１の開口部５３の上方には透
明な石英等を用いて形成された誘電体５６が配設され、
開口部５３を封止するとともに光を透過させるように構
成されており、また誘電体５６の上面にはメッシュ状に
形成された電極５２が配置されている。一方、チャンバ
ー５１の外方には図５に示したのものと略同様に構成さ
れた使用周波数が１３．５６ＭＨｚ用の高周波電源３５
が配設されており、マッチングボックス３７には図５に
示したものと同様に冷却水配管３９ａ、３９ｂが接続さ
れている。またマッチングボックス３７の端子３７ａが
導電体４１を介して電極５２に電気的に接続され、導電
体４１は銅等を用いて例えば長方形状に形成されてお
り、導電体４１の周囲には図５に示したものと同様にス
テンレス等を用いて形成されたシールドカバー４２が配
設されている。また高周波発生器３６の一端はマッチン
グボックス３７に接続され、高周波発生器３６の他端３
６ａ及びチャンバー５１の側壁５１ｄは接地されてい
る。なお、電極５２と導電体４１とは複数個のボルト５
８等を用いて結合されている。

【００１３】このように構成され、光源に低圧水銀ラン
プを用いた装置を用いてアモルファスＳｉ薄膜を形成す
る場合、まず排気系を操作してチャンバー５１内を減圧
し、ガス導入配管５４からチャンバー５１内にＳｉ₂ Ｈ
₆ 、Ａｒを供給した後、チャンバー５１内を所定圧力に
設定する。次に図中矢印Ａで示したように、紫外光を誘
電体５６、開口部５３を透過させてチャンバー５１に導
入すると、紫外光中のフォトンによりＳｉ₂ Ｈ₆ が励起
され、ＳｉＨ₂ ラジカルが発生する。この反応を開始点
として連鎖反応が誘起され、試料台５７上に載置された
試料Ｓの表面にラジカルが導かれてアモルファスＳｉ薄
膜が形成される。一方、図５に示したものと同様にして
マッチングボックス３７を冷却し、高周波電源３５に通
電して１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を電極５２に印加
し、誘電体５６にセルフバイアスを発生させる。すると
誘電体５６下面にＡｒイオンが入射され、スパッタ効果
により薄膜が誘電体５６下面に付着するのが防止され
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記した薄膜形成装置
における高周波電源３５としては、工業的に利用し易い
１３．５６ＭＨｚ用が主として使用されている。このよ
うに高い周波数の高周波電源３５を用いた場合、マッチ
ングボックス３７内の整合回路が発熱し易くなるため、
冷却水配管３９ａ、３９ｂを設け、冷却水を循環させて
マッチングボックス３７を冷却する必要があるという課
題があった。

【００１５】また一般的に、周波数が高いほど高周波が
導電体の表面を伝播し易く、導電体の内部は伝播し難い
ため、電極３４、５２とマッチングボックス端子３７ａ
とを接続する前記導電体には、低抵抗の銅を用い、かつ
広い表面積を有するパイプ形状の導電体４０あるいは長
方形状の導電体４１が使用されている。したがって周波
数の高い高周波電源３５を用いた場合、導電体４０、４
１と電極３４、５２あるいはマッチングボックス端子３
７ａとの接続構造が複雑になり、かつ装置のメンテナン
ス時において導電体４０、４１の取り付け、取り外しが
困難であるという課題があった。

【００１６】また周波数の高い高周波電源３５を用いた
場合、所定値以上の高周波パワーを印加すると電極３
４、５２が高温になって誘電体３３、５６が加熱され、
また誘電体３３、５６に大きいセルフバイアスが掛かか
るためにこれらが破損するおそれがあるという問題があ
った。この破損を抑制するために高周波パワーを小さく
すると、誘電体３３、５６に堆積膜が付着し易くなり、
薄膜形成効率が低下するという問題があった。そのため
誘電体３３、５６を交換したり、洗浄する必要が生じ、
装置の稼働率が低下するという課題があった。

【００１７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、誘電体における破損をなくすとともに堆積膜
の付着を防止することができ、したがって装置の稼働率
を向上させることができ、またマッチングボックスの冷
却構造及び導電体の接続構造を簡単にすることができ、
メンテナンスを容易なものにすることができる薄膜形成
装置を提供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る薄膜形成装置は、電磁波導入用の開口部
を有するチャンバーと、前記開口部を封止するとともに
電磁波を透過させる誘電体と、該誘電体近傍に配置され
る電極とを備えた薄膜形成装置において、前記電極に使
用周波数が２５ｋＨｚ以上３ＭＨｚ以下用の高周波電源
が接続されていることを特徴としている。

【００１９】

【作用】電極に高周波を印加すると、これに近接して配
設された誘電体がブロッキングコンデンサとなり、プラ
ズマが当たる前記誘電体表面にはマイナスのセルフバイ
アスが発生する。このセルフバイアスにより、チャンバ
ーに導入された活性ガス（Ａｒ等）のプラスイオンが前
記誘電体表面に引き付けられて入射し、この入射エネル
ギーで該誘電体に付着した堆積膜がスパッタリングされ
る。

【００２０】本発明者等の調査によれば、周波数が１０
ｋＨｚ未満の低周波数領域では高周波パワーが誘電体を
挟んでプラズマに供給され難くなるため、スパッタ効果
が少ないが、周波数が１０ｋＨｚ以上１ＭＨｚ近傍まで
は周波数に比例してスパッタ効果が増大する。しかし周
波数が１ＭＨｚを超えるとイオンが高周波電界に追随す
るのが鈍化し、さらに３ＭＨｚを超えると急激にスパッ
タ効果が減少する。また数ＭＨｚ以下の高周波を用いた
場合、周波数が低いために導電体の代わりに同軸ケーブ
ルの使用が可能となり、しかも放射損失が少なく、効率
よく高周波を伝送し得ることとなる。さらにこの場合に
は高周波の漏洩が少ないため、従来配設されていたシー
ルドカバーを省略し得る。また整合回路の発熱が少なく
なるため、マッチングボックスを水冷しなくてもよく、
冷却ファンで冷却が可能となる。

【００２１】本発明に係る薄膜形成装置によれば、電極
に使用周波数が２５ｋＨｚ以上３ＭＨｚ以下用の高周波
電源が接続されているので、使用周波数が高い高周波電
源が配設された従来の装置に比べ、誘電体への堆積膜の
付着量がより一層少なくなり、したがって前記誘電体の
交換や洗浄のために生じる装置の稼働停止が減少し、稼
働率の向上が図れることとなる。また前記電極と高周波
電源とを同軸ケーブルを用いて接続し得ることとなり、
かつ従来用いられていた高周波漏洩防止用のシールドカ
バーが不要になるため、高周波電源及び電極との接続構
造が簡単になり、またマッチングボックスの水冷構造が
不要になるため、全体的にメンテナンスが容易に行える
こととなる。

【００２２】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る薄膜形成装置
の実施例を図面に基づいて説明する。なお、実施例に係
る装置の構成は図５に示した従来の薄膜形成装置の構成
と略同様であるため、ここでは同じ部分の説明は省略
し、従来のものと相違する箇所についてのみその構成を
説明する。また従来例と同一の構成部品には、同一の符
号を付すこととする。図１は本発明に係るＥＣＲプラズ
マ処理装置の実施例を概略的に示した断面図であり、図
中３３は誘電体を示している。誘電体３３上面には電極
１１が配置され、電極１１の中央部には導波管２５の内
周形状と略同一形状を有する孔１１ａが開口されてい
る。また電極１１と導波管接続フランジ部２５ｂとの間
には、電極１１を絶縁するためにテフロン等の絶縁物１
７が被覆するように配設されている。また装置本体２３
の外方には使用周波数が２５ｋＨｚ以上３ＭＨｚ以下用
の高周波電源１２が配設されており、高周波電源１２は
高周波発生器１３と整合回路及び冷却用ファン（共に図
示せず）が内設されたマッチングボックス１４とから構
成されている。またマッチングボックス１４の端子１４
ａは同軸ケーブル（５Ｄ−２Ｖ）１５とコネクタ１６と
を介して電極１１に電気的に接続され、高周波発生器１
３の一端はマッチングボックス１４に接続され、高周波
発生器１３の他端１３ａ及び装置本体２３の側壁２３ａ
は接地されている。

【００２３】図２は同軸ケーブル１５が電極１１に接続
される構造の一例を概略的に示した部分拡大断面図であ
る。同軸ケーブル１５はケーブル状の中心導体１５ａ
と、その周囲に形成された内部絶縁体１５ｃと、この表
面に形成された外導体１５ｂと、最外周に形成された被
覆部１５ｄとで構成されており、高周波は中心導体１５
ａと外導体１５ｂとの間を伝播し、外導体１５ｂ外方に
は漏洩し難いようになっている。また同軸ケーブル１５
の先端にはねじ部１５ｆが設けられたコネクタ部１５ｅ
が接続されている。また電極側コネクタ１６は上部に孔
１６ｄが形成された中心導体１６ａと、導波管接続フラ
ンジ部２５ｂに設けられたねじ孔２５ａとから構成され
ており、電極側コネクタ１６の中心導体１６ａ下部は電
極１１に形成された孔１１ｂ内に接続固定されている。
そしてねじ部１５ｆをねじ孔２５ａに挿入することによ
り、同軸ケーブル１５における中心導体１５ａの先端部
がコネクタ中心導体１６ａの孔１６ｄ内に嵌合して接続
され、同軸ケーブル１５の外導体端部１５ｂがねじ部１
５ｆを介して導波管接続フランジ部２５ｂに電気的・機
械的に接続固定されるようになっている。

【００２４】このように構成された装置を用いて例えば
試料にＴｉＮ膜を形成する場合、冷却用ファンを回転さ
せてマッチングボックス１４を冷却し、高周波を電極１
１に印加すること以外は、図５の装置の場合と略同様の
方法で行う。

【００２５】以下に、実施例に係る装置を用い、誘電体
３３下面に付着したＴｉＮ堆積膜の厚みを測定した結
果、並びにチャンバー２１のカバー２６面に付着したＴ
ｉＮ堆積膜の分布を測定した結果について説明する。薄
膜形成条件は表１に示したとおりであり、また電極１１
には２５ｋＨｚから３ＭＨｚの高周波（高周波パワーは
１００Ｗ）を印加した。なお比較例として、図５に示し
た装置を用いて電極３４に１０ｋＨｚ、４ＭＨｚの高周
波（高周波パワーは１００Ｗ）または１３．５６ＭＨｚ
の高周波（高周波パワーは１５０Ｗ）を印加した。実験
は試料Ｓ上に１０００ÅのＴｉＮを成膜処理するのを繰
り返し行ない、試料Ｓが５０枚ごとに誘電体３３下面に
付着した堆積膜の厚みを測定した。

【００２６】

【表１】

【００２７】図３は実施例及び比較例の装置を用いた場
合における誘電体３３下面に付着したＴｉＮ堆積膜の厚
みを示したグラフである。この図から明らかなように、
比較例の装置では試料表面にＴｉＮ薄膜が形成されるに
したがい、誘電体３３下面にも堆積膜が付着していった
が、実施例に係る薄膜形成装置では付着量が少なかっ
た。

【００２８】また図４は試料表面に１０μｍのＴｉＮ薄
膜を形成した際、カバー２６面に付着したＴｉＮ堆積物
を示した分布図であり、（ａ）は実施例の装置（周波数
２ＭＨｚ）を用いた場合、（ｂ）は比較例の装置（周波
数１３．５６ＭＨｚ）を用いた場合を示している。この
図から明らかなように、比較例のものではカバー２６面
にＴｉＮ堆積物が付着したが、実施例に係る薄膜形成装
置では堆積物はほとんど付着しなかった。

【００２９】上記したように本実施例に係る薄膜形成装
置では、電極１１に使用周波数が２５ｋＨｚ以上３ＭＨ
ｚ以下用の高周波電源が接続されているので、使用周波
数が高い１３．５６ＭＨｚ用の高周波電源が配設された
従来の装置に比べ、誘電体３３への堆積膜の付着量を減
少させることができ、したがって誘電体３３の交換や洗
浄のために生じる装置の稼働停止率を減少させることが
でき、稼働率の向上を図ることができる。また電極１１
とマッチングボックス１４とを同軸ケーブル１５を用い
て接続することができ、かつ従来用いられていた高周波
漏洩防止用のシールドカバー４２（図５）をなくすこと
ができるため、マッチングボックス１４及び電極１１と
の接続構造を簡単にすることができ、また従来形成され
ていたマッチングボックス３７（図５）の水冷構造をな
くすことができるため、全体的にメンテナンスを容易な
ものにすることができる。

【００３０】本実施例ではＥＣＲプラズマ処理装置を用
いてＴｉＮ薄膜を形成する場合について説明したが、Ｔ
ｉ、Ｗ等の薄膜を形成する場合も実施例の場合と略同様
の効果を得ることができる。

【００３１】また別の実施例として、誘電体近傍に配置
された電極に使用周波数が２５ｋＨｚ以上３ＭＨｚ以下
用の高周波電源が接続された光ＣＶＤ装置の場合も、実
施例の場合と略同様の効果を得ることができる。

【００３２】またエッチング装置においても、エッチン
グする際に誘電体３３下面に反応生成物による膜付着が
生じる場合、上記の周波数領域を有効的に適用すること
ができる。

【００３３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る薄膜形
成装置にあっては、電極に使用周波数が２５ｋＨｚ以上
３ＭＨｚ以下用の高周波電源が接続されているので、使
用周波数が高い高周波電源が配設された従来の装置に比
べ、誘電体への堆積膜の付着量を減少させることがで
き、したがって前記誘電体の交換や洗浄のために生じる
装置の稼働停止率を減少させることができ、稼働率の向
上を図ることができる。また前記電極と前記高周波電源
のマッチングボックスとを同軸ケーブルを用いて接続す
ることができ、かつ従来用いられていた高周波漏洩防止
用のシールドカバーをなくすことができるため、前記マ
ッチングボックス及び電極との接続構造を簡単にするこ
とができ、また従来形成されていた前記マッチングボッ
クスの水冷構造をなくすことができるため、全体的にメ
ンテナンスを容易なものにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＥＣＲプラズマ処理装置の実施例
を概略的に示した断面図である。

【図２】同軸ケーブルが電極に接続される構造の一例を
概略的に示した部分拡大断面図である。

【図３】誘電体下面に付着したＴｉＮ堆積膜の厚みを示
したグラフである。

【図４】試料表面に１０μｍのＴｉＮ薄膜を形成した
際、カバー面に付着したＴｉＮ堆積物を示した分布図で
あり、（ａ）は実施例の装置を用いた場合、（ｂ）は比
較例の装置を用いた場合を示している。

【図５】従来のＥＣＲプラズマ処理装置を概略的に示し
た断面図である。

【図６】従来のパイプ形状に形成された導電体が電極に
接続された部分を模式的に示した拡大断面図である。

【図７】従来の長方形状に形成された銅製の導電体を用
いた場合における電極への別の接続構造を模式的に示し
た部分拡大断面図である。

【図８】従来の光ＣＶＤ装置を概略的に示した断面図で
ある。

【符号の説明】

１１電極１２高周波電源２１チャンバー２７開口部３３誘電体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平１−159378（ＪＰ，Ａ) 特開平１−315136（ＪＰ，Ａ) 特開平３−161928（ＪＰ，Ａ) 特開平４−232261（ＪＰ，Ａ) 特開平４−192325（ＪＰ，Ａ) 特開平３−140470（ＪＰ，Ａ) 特開平３−31481（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/48 C23C 16/50

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波導入用の開口部を有するチャンバ
ーと、前記開口部を封止するとともに電磁波を透過させ
る誘電体と、該誘電体近傍に配置される電極とを備えた
薄膜形成装置において、前記電極に使用周波数が２５ｋ
Ｈｚ以上３ＭＨｚ以下用の高周波電源が接続されている
ことを特徴とする薄膜形成装置。