JPH08273894A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH08273894A JPH08273894A JP8060548A JP6054896A JPH08273894A JP H08273894 A JPH08273894 A JP H08273894A JP 8060548 A JP8060548 A JP 8060548A JP 6054896 A JP6054896 A JP 6054896A JP H08273894 A JPH08273894 A JP H08273894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter electrode
- electrode
- substrate
- reaction gas
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のマイクロ波プラズマ装置では、マイクロ
波の導入が被処理物の上方からなされる。このため、セ
ルフバイアス用のアース電極を設けることが困難であっ
た。また、反応ガスを処理が均一になるように処理室に
導入することまで考慮されていなかった。 【解決手段】被加工物である基板７に対向して、基板の
加工面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極
４を設け、μ波を対向電極４の下部外周に設けた石英リ
ング５を介して真空中にμ波を導く構成とした。更に、
対向電極４と石英リング５との間に反応ガスを導入し石
英リングに設けた穴からシャワー状に反応ガスを供給す
る。
波の導入が被処理物の上方からなされる。このため、セ
ルフバイアス用のアース電極を設けることが困難であっ
た。また、反応ガスを処理が均一になるように処理室に
導入することまで考慮されていなかった。 【解決手段】被加工物である基板７に対向して、基板の
加工面より大きな面積を真空中へ露呈して成る対向電極
４を設け、μ波を対向電極４の下部外周に設けた石英リ
ング５を介して真空中にμ波を導く構成とした。更に、
対向電極４と石英リング５との間に反応ガスを導入し石
英リングに設けた穴からシャワー状に反応ガスを供給す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを用いて
半導体薄膜基板や電子部品等に薄膜を形成したり、除去
（エッチング）するプラズマ処理装置に関し、特に均一
に大面積の被処理物を加工するのに好適な装置に関する
ものである。
半導体薄膜基板や電子部品等に薄膜を形成したり、除去
（エッチング）するプラズマ処理装置に関し、特に均一
に大面積の被処理物を加工するのに好適な装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来本発明に最も近い公知例としては、
技術誌「住友金属」第４３巻第４号５０頁〜５７頁、及
び１４９頁〜１５１頁記載の表面波プラズマを用いた例
がある。この場合は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波
管を用いて、テフロン板でできた誘電体線路に導入し、
さらに厚さ２０ｍｍの石英窓を介して真空中にマイクロ
波を導入している。
技術誌「住友金属」第４３巻第４号５０頁〜５７頁、及
び１４９頁〜１５１頁記載の表面波プラズマを用いた例
がある。この場合は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波
管を用いて、テフロン板でできた誘電体線路に導入し、
さらに厚さ２０ｍｍの石英窓を介して真空中にマイクロ
波を導入している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記公知例に示された
装置では、マイクロ波の導入が被処理物の上方からなさ
れる。このため、セルフバイアス用のアース電極は被処
理物の周縁部付近に設けることになり、この場合アース
電極に対する距離が被処理物の中心部と周縁部とで異な
るので、被処理物全体にわたり、均一電界を与えること
ができない。
装置では、マイクロ波の導入が被処理物の上方からなさ
れる。このため、セルフバイアス用のアース電極は被処
理物の周縁部付近に設けることになり、この場合アース
電極に対する距離が被処理物の中心部と周縁部とで異な
るので、被処理物全体にわたり、均一電界を与えること
ができない。
【０００４】また、このような構成では、反応ガスをど
のように供給し、均一な処理をする構成については何ら
考慮されていない。
のように供給し、均一な処理をする構成については何ら
考慮されていない。
【０００５】本発明の第１の目的は、マイクロ波の供給
が被処理物の上部からなされる場合であっても、セルフ
バイアス用の電極を対向電極として設けるとともに、反
応ガスを均一処理できるように供給するプラズマ処理装
置を提供することにある。
が被処理物の上部からなされる場合であっても、セルフ
バイアス用の電極を対向電極として設けるとともに、反
応ガスを均一処理できるように供給するプラズマ処理装
置を提供することにある。
【０００６】本発明の第２の目的は、マイクロ波の供給
が被処理物の上部からなされる場合であっても、被処理
物に対して均一電界を与えることができるプラズマ処理
装置を提供するにある。
が被処理物の上部からなされる場合であっても、被処理
物に対して均一電界を与えることができるプラズマ処理
装置を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これを達成するため、本
発明の第一の発明は、基板に対向して、基板より大面積
を有する対向電極が設けられる。このような構成におい
て、本発明は、前記対向電極の下面に絶縁物を設け、前
記対向電極と前記絶縁物との間に反応ガスを導入する流
路を設け、前記絶縁物に設けたガス穴からシャワー状に
反応ガスを処理室に供給することを特徴とするプラズマ
処理装置にある。
発明の第一の発明は、基板に対向して、基板より大面積
を有する対向電極が設けられる。このような構成におい
て、本発明は、前記対向電極の下面に絶縁物を設け、前
記対向電極と前記絶縁物との間に反応ガスを導入する流
路を設け、前記絶縁物に設けたガス穴からシャワー状に
反応ガスを処理室に供給することを特徴とするプラズマ
処理装置にある。
【０００８】また、本発明の第二の発明は、マイクロ波
を用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装
置において、被処理物である基板より大きな表面積を有
する対向電極を、前記基板と対向して設け、前記対向電
極をアース電位とし、前記対向電極の下面に配した絶縁
物を介してマイクロ波を全周方向から導入するととも
に、前記対向電極と前記絶縁物との間に反応ガスを導入
する流路を設け、前記絶縁物に設けたガス穴からシャワ
ー状に反応ガスを処理室に供給することを特徴とするプ
ラズマ処理装置にある。
を用いてプラズマを生成するマイクロ波プラズマ処理装
置において、被処理物である基板より大きな表面積を有
する対向電極を、前記基板と対向して設け、前記対向電
極をアース電位とし、前記対向電極の下面に配した絶縁
物を介してマイクロ波を全周方向から導入するととも
に、前記対向電極と前記絶縁物との間に反応ガスを導入
する流路を設け、前記絶縁物に設けたガス穴からシャワ
ー状に反応ガスを処理室に供給することを特徴とするプ
ラズマ処理装置にある。
【０００９】本発明においてはマイクロ波は対向電極裏
面の大きな空間の中心上方から導入される。マイクロ波
はその形成した導波路の形状やサイズに従い、様々なモ
ードの波に変換されるが、最も良く用られる２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波の場合φ３００ｍｍを超すとより高次
のモードを発生させ易くなり、総じて導波管周辺に強い
電界を発生させる。この電界を対向電極下に設けた絶縁
物のリングを介して大気中から基板上の真空の空間へマ
イクロ波を導入するので、円周方向で均一なマイクロ波
に基づいてプラズマが発生する。従来のように高周波の
みを用いたＲＩＥ方式やプラズマ方式の場合には、条件
にもよるが、磁場の存在なしに１Ｐａ以下の圧力下で放
電を開始させるのは難しかった。しかし、本発明によれ
ば、０．０２Ｐａの圧力下でもマイクロ波の導入により
容易に放電が開始できる。
面の大きな空間の中心上方から導入される。マイクロ波
はその形成した導波路の形状やサイズに従い、様々なモ
ードの波に変換されるが、最も良く用られる２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波の場合φ３００ｍｍを超すとより高次
のモードを発生させ易くなり、総じて導波管周辺に強い
電界を発生させる。この電界を対向電極下に設けた絶縁
物のリングを介して大気中から基板上の真空の空間へマ
イクロ波を導入するので、円周方向で均一なマイクロ波
に基づいてプラズマが発生する。従来のように高周波の
みを用いたＲＩＥ方式やプラズマ方式の場合には、条件
にもよるが、磁場の存在なしに１Ｐａ以下の圧力下で放
電を開始させるのは難しかった。しかし、本発明によれ
ば、０．０２Ｐａの圧力下でもマイクロ波の導入により
容易に放電が開始できる。
【００１０】また、本発明では、対向電極の面積が基板
の面積に比べて大きくされるので、イオン引き込み電圧
を大きくすることができる。
の面積に比べて大きくされるので、イオン引き込み電圧
を大きくすることができる。
【００１１】対向する電極にアース電位印加、高周波印
加（この場合には基板搭載側の電極をアース電位）基板
搭載電極を同期した高周波印加、さらには基板搭載電極
とは異なる高周波電源による独立高周波印加としても良
い。それぞれの被処理物の加工特性や使用する反応ガス
に応じて最適な電位印加が用いられることは言うまでも
ない。
加（この場合には基板搭載側の電極をアース電位）基板
搭載電極を同期した高周波印加、さらには基板搭載電極
とは異なる高周波電源による独立高周波印加としても良
い。それぞれの被処理物の加工特性や使用する反応ガス
に応じて最適な電位印加が用いられることは言うまでも
ない。
【００１２】また対向する電極（通常金属）がダメージ
を受け汚染物や異物を発生するのを抑えるため表面を純
度の高い絶縁物で覆うとともに対向電極とこの絶縁物と
の間にガスを導き、絶縁物に設けたガス穴からシャワー
状に反応ガスを供給し、処理の均一化に努めた。またこ
の対向電極に用いる絶縁物の厚さは印加する高周波の周
波数に応じて最適化する必要がある。またさらに対向電
極表面に何らかのプラズマに耐する表面処理を施し、対
向電極の中でガスを分散させ、対向電極にシャワー状に
ガスを供給するためのガス供給口を多数設けても良いこ
とは言うまでもない。
を受け汚染物や異物を発生するのを抑えるため表面を純
度の高い絶縁物で覆うとともに対向電極とこの絶縁物と
の間にガスを導き、絶縁物に設けたガス穴からシャワー
状に反応ガスを供給し、処理の均一化に努めた。またこ
の対向電極に用いる絶縁物の厚さは印加する高周波の周
波数に応じて最適化する必要がある。またさらに対向電
極表面に何らかのプラズマに耐する表面処理を施し、対
向電極の中でガスを分散させ、対向電極にシャワー状に
ガスを供給するためのガス供給口を多数設けても良いこ
とは言うまでもない。
【００１３】さらにはプラズマを着火するときやプラズ
マを切るときにのみマイクロ波を印加するような使い方
をしても良い。
マを切るときにのみマイクロ波を印加するような使い方
をしても良い。
【００１４】基板から見た壁の相対的な面積を減少させ
れば総じて壁面で形成された不純物の影響（不純ガスや
異物）を減じることができる。この観点からも基板と対
向電極の距離を小さく取る方が良いが、φ１５０ｍｍを
越える基板を処理する場合には基板直径の１／３以下に
対向電極と基板間の距離をセットした場合に、イオン密
度や基板上の電界分布、電子密度を一定に保つのに効果
があった。したがって、基板と対向電極との距離を５〜
５０ｍｍの範囲にするのが望しい。
れば総じて壁面で形成された不純物の影響（不純ガスや
異物）を減じることができる。この観点からも基板と対
向電極の距離を小さく取る方が良いが、φ１５０ｍｍを
越える基板を処理する場合には基板直径の１／３以下に
対向電極と基板間の距離をセットした場合に、イオン密
度や基板上の電界分布、電子密度を一定に保つのに効果
があった。したがって、基板と対向電極との距離を５〜
５０ｍｍの範囲にするのが望しい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１を用いて
設明する。図１はプラズマ処理装置の断面略図である。
基板の真空中での搬送機構、ボルト、ナット類、真空シ
ール材及び排気の為の手段を省略した。１はマイクロ波
発生源、２は第１の導波管である。３はマイクロ波を拡
大するための第２の導波管で、対向電極４が収まる口径
を有する。第２の導波管３の導入口３′の中心が基板７
の中心と一致するように第２の導波管３が設けられる。
５が石英リングである。６は電極カバーで、４の対向電
極を覆うように設けられ、基板７に対して反応ガスを供
給するガス流出口６′を多数個貫通させて設けている。
８は基板７を搭載する下部電極であり、高周波電源１２
で発生した高周波（本実施例では１３．５６ＭＨｚ）を
マッチングネットワーク１１を介して供給される。１０
は下部電極８のアースシールドであり、下部電極８と、
下部電極８を覆う絶縁材９で隔絶されている。１３はベ
ースフランジでアース電位となっており、石英リング５
の中を貫通させて設けたアース柱１６を介して対向電極
４と電気的に接続してある。石英リング５の中間高さ位
置での断面図が図２であり、図に示すようにアース柱１
６は石英リング５を貫通して６本設けたが、さらに数を
増大させたり、減じたりしても良い。また、１７は絶縁
カバーである。
設明する。図１はプラズマ処理装置の断面略図である。
基板の真空中での搬送機構、ボルト、ナット類、真空シ
ール材及び排気の為の手段を省略した。１はマイクロ波
発生源、２は第１の導波管である。３はマイクロ波を拡
大するための第２の導波管で、対向電極４が収まる口径
を有する。第２の導波管３の導入口３′の中心が基板７
の中心と一致するように第２の導波管３が設けられる。
５が石英リングである。６は電極カバーで、４の対向電
極を覆うように設けられ、基板７に対して反応ガスを供
給するガス流出口６′を多数個貫通させて設けている。
８は基板７を搭載する下部電極であり、高周波電源１２
で発生した高周波（本実施例では１３．５６ＭＨｚ）を
マッチングネットワーク１１を介して供給される。１０
は下部電極８のアースシールドであり、下部電極８と、
下部電極８を覆う絶縁材９で隔絶されている。１３はベ
ースフランジでアース電位となっており、石英リング５
の中を貫通させて設けたアース柱１６を介して対向電極
４と電気的に接続してある。石英リング５の中間高さ位
置での断面図が図２であり、図に示すようにアース柱１
６は石英リング５を貫通して６本設けたが、さらに数を
増大させたり、減じたりしても良い。また、１７は絶縁
カバーである。
【００１６】図１に戻ると１４は処理室を形成するため
のチャンバ、１５は排気ポートである。本実施例におい
て基板をセットした後反応ガスを供給し規定の圧力に制
御した後、マイクロ波源１を起動すると伴に高周波電源
１２を起動しプラズマを発生させ基板の表面処理を施
す。
のチャンバ、１５は排気ポートである。本実施例におい
て基板をセットした後反応ガスを供給し規定の圧力に制
御した後、マイクロ波源１を起動すると伴に高周波電源
１２を起動しプラズマを発生させ基板の表面処理を施
す。
【００１７】本実施例では基板７と対向電極４との距離
を３０ｍｍにセットした。Ｃｌ2ガスを用いて熱酸化シ
リコン膜をエッチングした。マイクロ波パワー３００
Ｗ、高周波パワー８０Ｗ印加した時に熱酸化シリコン膜
のエッチング速度は５ｎｍ／ｍｉｎ、これに対し、シリ
コンのエッチング速度が２５０ｎｍ／ｍｉｎを得た。従
来の対向電極のない石英ベルジャータイプの装置では熱
酸化シリコン膜を被着したウエハ（φ２００）の中央部
のエッチング速度が小さく均一性は±１５％程度であっ
たが、本発明では熱酸化膜のエッチング速度の均一性は
±５％内に低減できた。これとともにウエハ中央部でパ
ターン付のPoly-Siのエッチングにおいてテーパ型の形
状と成り易かったものが改善され、直角な形状が得ら
れ、イオン入射の均一性が向上できた。また電界分布や
電子密度の測定においても従来のベルジャータイプのも
のより径方向に均一化されていることを確認した。
を３０ｍｍにセットした。Ｃｌ2ガスを用いて熱酸化シ
リコン膜をエッチングした。マイクロ波パワー３００
Ｗ、高周波パワー８０Ｗ印加した時に熱酸化シリコン膜
のエッチング速度は５ｎｍ／ｍｉｎ、これに対し、シリ
コンのエッチング速度が２５０ｎｍ／ｍｉｎを得た。従
来の対向電極のない石英ベルジャータイプの装置では熱
酸化シリコン膜を被着したウエハ（φ２００）の中央部
のエッチング速度が小さく均一性は±１５％程度であっ
たが、本発明では熱酸化膜のエッチング速度の均一性は
±５％内に低減できた。これとともにウエハ中央部でパ
ターン付のPoly-Siのエッチングにおいてテーパ型の形
状と成り易かったものが改善され、直角な形状が得ら
れ、イオン入射の均一性が向上できた。また電界分布や
電子密度の測定においても従来のベルジャータイプのも
のより径方向に均一化されていることを確認した。
【００１８】また第２の導波管３の外周に設けた磁場発
生用のコイル１７ａ，１７ｂ及び１７ｃを用いることに
より、ＥＣＲ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス）放電を導入しても良いし、さらにＥＣＲを発生さ
せない８７５Ｇ以下の磁場でも径方向の処理を制御する
のに有効であった。しかしながら全く磁場を用いなくと
も基板７と対向電極４との距離、ガス流量、ガス流出口
６′の配置の仕方、圧力等でも処理の均一性を制御でき
る利点がある。また、コイル１７ａ，１７ｂ，１７ｃが
不要になる場合、装置全体を小形化できることは言うま
でもない。
生用のコイル１７ａ，１７ｂ及び１７ｃを用いることに
より、ＥＣＲ（エレクトロン・サイクロトロン・レゾナ
ンス）放電を導入しても良いし、さらにＥＣＲを発生さ
せない８７５Ｇ以下の磁場でも径方向の処理を制御する
のに有効であった。しかしながら全く磁場を用いなくと
も基板７と対向電極４との距離、ガス流量、ガス流出口
６′の配置の仕方、圧力等でも処理の均一性を制御でき
る利点がある。また、コイル１７ａ，１７ｂ，１７ｃが
不要になる場合、装置全体を小形化できることは言うま
でもない。
【００１９】次に他の実施例を図３〜図５を用いて説明
する。これらの図では同一部材には同一記号を付したの
で共通部分の説明は省略する。
する。これらの図では同一部材には同一記号を付したの
で共通部分の説明は省略する。
【００２０】図３は対向電極２３に高周波電源１２′に
よる高周波を印加した例である。本実施例ではベースフ
ランジ１３′の中を貫通させた導入端子２２を介して対
向電極２３へ高周波を導びいた。
よる高周波を印加した例である。本実施例ではベースフ
ランジ１３′の中を貫通させた導入端子２２を介して対
向電極２３へ高周波を導びいた。
【００２１】図４は図３の下部電極８′をアース電位と
した場合である。
した場合である。
【００２２】図５は１つの高周波電源１２″から分岐型
マッチングネットワーク１１″を介して、対向電極２４
と下部電極８″に分けて高周波を印加した場合である。
これら本実施例における同一パワー、同一条件（マイク
ロ波パワー３００Ｗ，高周波８０Ｗ，Ｃｌ2，０．７Ｐ
ａ，対向電極距離３０ｍｍ）の場合で比較すると、熱酸
化膜のエッチング速度は、図３，図１，図５，図４の順
に小さくなった。熱酸化シリコン膜のエッチング速度は
イオンの入射強度と見なすことができる。それぞれのプ
ラズマ処理（エッチング材料，ガス，デポジション材
料，バイアススパッタ効果）に合致した高周波バイアス
印加方式を選択すれば、様々な処理に対応できることは
言うまでもない。
マッチングネットワーク１１″を介して、対向電極２４
と下部電極８″に分けて高周波を印加した場合である。
これら本実施例における同一パワー、同一条件（マイク
ロ波パワー３００Ｗ，高周波８０Ｗ，Ｃｌ2，０．７Ｐ
ａ，対向電極距離３０ｍｍ）の場合で比較すると、熱酸
化膜のエッチング速度は、図３，図１，図５，図４の順
に小さくなった。熱酸化シリコン膜のエッチング速度は
イオンの入射強度と見なすことができる。それぞれのプ
ラズマ処理（エッチング材料，ガス，デポジション材
料，バイアススパッタ効果）に合致した高周波バイアス
印加方式を選択すれば、様々な処理に対応できることは
言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、セルフバイアス用の対
向電極を設けるマイクロ波プラズマ処理装置において、
反応ガスをシャワー状に供給できるので、処理の均一化
を達成できるという効果がある。
向電極を設けるマイクロ波プラズマ処理装置において、
反応ガスをシャワー状に供給できるので、処理の均一化
を達成できるという効果がある。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の石英リング位置での断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すプラズマ処理装置の
断面略図である。
断面略図である。
１…マイクロ波発生源、２…導波管、３…第２の導波
管、４，２３…対向電極、５…石英リング、１１，１３
…ベースフランジ、１１′…分岐型マッチングネットワ
ーク、１２…高周波電源、２２…導入端子。
管、４，２３…対向電極、５…石英リング、１１，１３
…ベースフランジ、１１′…分岐型マッチングネットワ
ーク、１２…高周波電源、２２…導入端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/302 Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極の下面に設けられた絶縁物
と、前記対向電極と前記絶縁物との間に反応ガスを導入
する流路を設け、前記絶縁物に設けたガス穴からシャワ
ー状に反応ガスを処理室に供給することを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】マイクロ波を用いてプラズマを生成するマ
イクロ波プラズマ処理装置において、被処理物である基
板より大きな表面積を有する対向電極を、前記基板と対
向して設け、前記対向電極をアース電位とし、前記対向
電極の下面に配した絶縁物を介してマイクロ波を全周方
向から導入するとともに、前記対向電極と前記絶縁物と
の間に反応ガスを導入する流路を設け、前記絶縁物に設
けたガス穴からシャワー状に反応ガスを処理室に供給す
ることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08060548A JP3082659B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08060548A JP3082659B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31162492A Division JPH06163462A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273894A true JPH08273894A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3082659B2 JP3082659B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=13145462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08060548A Expired - Fee Related JP3082659B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082659B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT405472B (de) * | 1997-03-04 | 1999-08-25 | Bernhard Dr Platzer | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas |
| US6358361B1 (en) | 1998-06-19 | 2002-03-19 | Sumitomo Metal Industries Limited | Plasma processor |
| JP2019110047A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP08060548A patent/JP3082659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT405472B (de) * | 1997-03-04 | 1999-08-25 | Bernhard Dr Platzer | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas |
| US6358361B1 (en) | 1998-06-19 | 2002-03-19 | Sumitomo Metal Industries Limited | Plasma processor |
| JP2019110047A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082659B2 (ja) | 2000-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5851600A (en) | Plasma process method and apparatus | |
| EP0300447B1 (en) | Method and apparatus for treating material by using plasma | |
| JP3438696B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| US8114246B2 (en) | Vacuum plasma processor having a chamber with electrodes and a coil for plasma excitation and method of operating same | |
| KR100437956B1 (ko) | 이온화된 물리적 증착 방법 및 장치 | |
| US6422172B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US5252178A (en) | Multi-zone plasma processing method and apparatus | |
| US20100101727A1 (en) | Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range | |
| US6167835B1 (en) | Two chamber plasma processing apparatus | |
| KR19980032633A (ko) | 유도 커플링된 플라즈마 소스 | |
| JP3748230B2 (ja) | プラズマエッチング装置及びシャワープレート | |
| JPH0613196A (ja) | プラズマ発生方法および発生装置 | |
| JPH10134995A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2760845B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
| JP2000173985A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US6914005B2 (en) | Plasma etching method | |
| JPH08273894A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5947728A (ja) | プラズマ付着方法および装置 | |
| JPH1140544A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| KR102074323B1 (ko) | 플라즈마 발생 장치 | |
| JP2003077904A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH06163462A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1167725A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH08319588A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2750430B2 (ja) | プラズマ制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |