JPS5947728A - プラズマ付着方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路などの電子デバイスの製造に
あたり試料基板上に各種材料の薄膜を形成するための方
法および付着装置に関するものであり、特にプラズマを
利用して金８や金↓３化合物の薄膜を低温で高品質に形
成するためのプラズマＵ着方法および装置に関するもの
である。

従来、プラズマを利用したＩＦネ形成装置としては、大
きく分けて、スパッタ装置とプラズマＣＶＤ　％　ｌｉ
”ｊがある。前者は主として金属１ｆ４さまたは金８化
合物膜などを対象とし、後者は主とし、てＳ　ｉＯ２＋
　Ｓ　ｉｄＪ　４゜ＳＩなどのシリコン系材料の薄膜形
成を対象としでいる。

原料供給法からみれは、前者は固体利オＮ１をターゲッ
トとして、イオンで衝撃し、１１１体表面から放出され
るスパッタ原子を膜形成１べき基板に付着堆積させて膜
形成する。後者は原料をカスの影で供給し、例えば５Ｉ
Ｈ４やＮ２または０２なとのカスをプラズマを利用して
反応さ・け、Ｓ　Ｉ　３Ｎ４やＳ’ｌ　０２ｙなとを形
成する。

従来の高周波放電プラズマを利用したプラズマＣＶＤ法
では、試料基板を８０℃〜ｌ／−ＯＯ℃に加熱する必要
があり、しかも形成されたＳ　ｉ　ＢＨ３膜などの膜質
も緻密性などの点で不十分であった。

これに対して、マイクロ波を用いて電子サイクロトロン
共鳴条件によりプラズマを生成し、発散磁界を用いて試
料台上にプラズマを引出して適度のエネルギーでイオン
衝撃を引起すようにしたＥＣＲプラズマ付着付着膜願昭
ｔｊ−３７１７７号（特開昭ｊ４−／Ｊ’ｊｊＪｊ号公
報）に提案されているが、これによれば、基板加熱なし
の低温で高温ＣＶＤ法ｐ敵する緻密かつ高品質の８１ｓ
Ｎ４などのシリコン糸の膜を形成することができる。

しかしながら、金属や金属化合物の膜形成の場合には、
シリコン系の場合のＳｉＨ４などのような適当なガスが
なく、ガスの形で供給できるものは弗化物、塩化物、臭
化物のようなハロゲン化物に限られている。これらハロ
ゲン化物を供給するには加熱を必要とするうえ、プラズ
マによる分解が困難であり、従って良質の膜を得るのが
困靜であるという欠点があった。

また、スパッタ法では、試料基板に入射する原子につい
て膜形成反応を促進させるためのイオン化およびイオン
エネルギの制御がなされておらず、低温で付着性のよい
良質な膜が得られないという欠点があった。

本発明は以上の状況に矯みｔなされたものであり、その
目的は、スパッタ法の原料供給法の容易さと、ＥＣＲプ
ラズマ付着付着膜形成特性の特長とを両立させ、かつ両
者の欠点を解決しで、金属や金属化合物などの薄膜を低
温で良メｔに形成することのできるプラズマ付着方法を
提供することにある０ 本発明の他の目的は、スパッタ法の原料供給法の容易さ
と、ＥＣＲプラズマ付着付着膜形成特性の特長とを両立
させ、かつ両者の欠点を解決して、金４や金属化合物な
どについて極めて広範囲の材料の薄膜を低温で安定に、
かつ良質に形成することのできるプラズマ付着装置を提
供することにある。

本発明の更に他の目的は、形成される膜の性質を広範囲
に制御できるプラズマ付着装置を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、付着の効率が高いプラズマ付
着装置を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、保守が容易であり、膜形成の
歩留りの向上したプラズマイ」着装置ｗを提供すること
にある。

かかる目的を達成するために、本発明プラズマ付着方法
では、真壁容器内にガスを導入してプラズマを発生させ
、そのプラズマの流れの一部ノイオンでスパッタリング
材料によるターゲットをスパッタし、かかるターゲット
からプラズマの流れに飛び出したスパッタ原子をこのプ
ラズマの流れに取り込んでイオン化し、そのイオン化さ
れたスパッタ原子をプラズマの流れと共に試料基板まで
輸送してこの試料基板に入射させ、当該試料基板上にス
パッタリング材料の薄膜を形成する。

本発明プラズマ付着装置は、ガスを導、大してプラズマ
を発生させるプラズマ生成室と、膜形成すべき試料基板
を配置するための試料台を有し・その試料基板上に薄膜
を付着して堆積させる試料室と、プラズマ生成室と試料
室との間に配置さ第１たプラズマ引出し窓と、プラズマ
生成室で発生したプラズマをプラズマ引出し窓を介して
プラズマ流として試料室に導く手段と、スパッタリング
材料により形成され、プラズマ引出し窓と試料台との間
に配置された箋ターゲット七を具え、プラズマ流の一部
のイオンによりターゲットをスパッタし１スパツタ原子
をプラズマ流に取り込んで試料基板まで輸送してその試
料基板に入射さｌｔ１当該試料基板上にスパッタリング
材料の薄膜を形成するように構成する。

ココテ、プラズマ生成室では、マイクロ波ニよる電子サ
イクロ）０ン共鳴放７４４．によりプラズマを生成する
のが好適である。

また、本発明の好適例では、プラズマ生成室から試料室
に向けて磁界強度が適当な勾配で弱くなる発散磁界の磁
界分布をもつ磁気コイルを有する。

更にまた一本発明では、上述のターゲットをプラスマリ
１出し窓の近傍であって、しかもプラズマ流に近接また
は接触するように配置するのが好適である。

ここで、ターゲットのうち、プラズマ流に面していない
部分をシールド電極によって覆うのが好適である。

以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例を示し、ここに７はプラズマ
生成室、コは試料室である。３はマイクロ波導入窓であ
り、この実施例では石英ガラス板で形成するものとする
。矩形導波管弘よりマイクロ波導入窓３を介してプラズ
マ生成室ｌへ導がれるマイクロ波のマイクロ波源（図示
省略）としては、例えば、周波数４゜４ＨＧＨｚのマダ
ネトロンを用いることができる。

プラズマ生成室ｌにおいて、マイクロ波導入窓３と対向
する他端にはプラズマダ［出し窓Ｓを設け、この窓！を
介して、生成されたプラズマからプラズマ流！を引出し
て、試料基板７を載置した試料台を上に導く。試料室コ
は排気系ワに接続されている。この排気系？は、例えば
排気容量調整パルプ、液体窒素トラップ、排気能カ、２
グ００１．Ａｅｃの油拡散ポンプおよび排気能力ｊ００
１／ｒｎ　ｉ　ｎ　　の油回転ポンプ（いずれも図示省
略）により＋７９成できる。

プラズマ生成室／は、マイクロ波の電界強度を高め、マ
イクロ波放電の効率を高めるように、マイクロ波空胴共
振器の条件にするのが好都合である。そこで、かかる−
例として、円形空胴共振モード’ｒｉ、１２を採用し、
プラズマ生成室ｌを内（７−）ｔＪ寸法で、直径／ｊ　
ｃＲ％高さ／！；ｃｍの円筒形状とした。

計算上では、かかる条件を満たすのは、直径／ｊｃｙｕ
に対して高さ約／グσとなるが、プラズマ化ｔｌＬ　？
ｅの左回り円偏波の波長の変化を考慮して上述のように
高さｌｊ３を採用した。なお、゛リイクロトロン連動電
子と直接結合する右回り円偏波の波長はプラズマ引出に
より十分波長が短くなり、プラズマ生成後は厳密な高さ
寸法の規定を必要としない。プラズマ引出し窓！は一例
として直径ｔα程度の円形窓とすることができる。

７”５　スｖ生成ｇ　／の外周には磁気コイル／θヲＪ
ｉ６設し、これによって発生する磁界の強度を、マイク
ロ波による電子サイク四トロン共鳴の条件がブラズマ生
成室／の内部の少なくとも一部で成立するように定める
ものとする。周波数、２．ＬｔＧＩｌｚ（７）マイクロ
波に対しては、この条件は磁束密度１ｒ７ＪＧであるた
め、磁気コイルｌθはこれ以上の最大磁束密度を発生し
得るように構成する。また、磁気コイル／θによって発
生する磁界は、プラズマ生成室ｌにおける電子サイクロ
トロン共鳴に供するだけでなく、その磁界が試料室２に
も及ぶように構成してあり、試料室λ内の磁界の強度は
プラズマ引出し窓ｊから試料台ざに向けてさらに適当な
勾配で減少する発散磁界の形成にも供され、それにより
プラズマ生成室ｌから試料台ｌへのプラズマ流乙の引出
しにも用いるものとする。

電子サイクロトロン共鳴により高エネルギー状態となっ
た円運動電子の磁気モーメントと発散磁界の磁界勾配と
の間の相互作用により、電子は試料台ｒの方向に円運動
をしつつ加速される。しかし、試料台ざの表面とプラズ
マ生成室／とは電気的に絶縁して構成しているので、試
料台ざが負の電位を発生し、プラズマ流中に電子を減速
させ、イオンを加速する電界を発生し、試料台に上に同
数の電子とイオンが到達するような条件が保たれる。す
なわち、この発散磁界構成により、電子のエネルギーが
イオンの試料台ｌへの入射エネルギーに変換され、適度
のイオン衝撃によって効率のよい付着と膜形成反応を生
じる。この場合のイオンエネルギーはｊ〜３θｅＶ程度
であり、マイクロ波パワーやガス圧などによってその値
を制御することができる。

ガス導入系としては、プラズマ生成室ｌにＡｒ。

Ｎ２　＋０２　ｙＨ２などのプラズマ生成用ガスを導く
第１ガス導入糸１２と、試料室λにＳ　ｉＨ４などの原
料ガスを導入する第１ガス導入糸１２とのλ系統を有す
る。

また、プラズマ生成室ｌの壁部には給水口／ダから冷却
水を流し、その冷却水を排水口／Ｓから排出することに
よりプラズマ生成室ｌを冷却する。また、同様にして、
試料台ｔおよび磁気コイル／θも冷却できるようになっ
ている。

以上の構成は、上述した特願昭すづ７Ｉ７７号に開示さ
れているプラズマ付着装置とほぼ同様の構成とすること
ができる。

本発明では、さらに、試料室２において、プラズマ引出
し窓ｊに近接してプラズマ流６を取り囲む形状でプラズ
マ流乙に近接または接触するように、Ａ７．Ｍｏ、Ｎｂ
などのスパッタリンダ材料によるリング状のスパッタリ
ング用ターゲット／４を配置する。ここで、ターゲット
／４はターゲット’Ｆｌ　ｇ　／７ＧＪ付番プ、ターゲ
ラ）／Ｊのプラズマ流乙に面していない部分を接地電位
のシールド電極／ｇによって間隙ｊ〜ｌθ薗をもって覆
い、それにより、ターゲット／にのスパーク放電等の異
常放電あるい番Ｊ不要なイオン入射を防止するようにす
るのが好適である。

スパッタリング用ターゲット電極１７はさらにスパッタ
用電源／９に接続する。この電源１９は、例えば、最大
電圧１０ＯＯＶ　、　９大を流／Ａの容量の直流電源と
する。スパッタ用電源１９としては高周波スパッタ装置
と同様の考えで高周波電源を用いることもできる。スパ
ッタリング用ターゲット電極１７には水冷などにより冷
却する機構を設けてもよい。

スパッタリング用ターゲット電極１７が負になるように
電源／ｑを接続して、例えは、第７ガス導入系１２から
アルゴン（Ａｒ　）ガスを導入してプラズマを生成した
場合、第２図に示すように、プラズマ流を中のアルゴン
イオンＡｒ＋が、スパッタリング用ターゲット／イの負
電位によって加速されてターゲット／乙の表面に入射・
衝撃し、スパッタリング用ターゲット／６を構成する金
属Ｍの原子がスパッタされてプラズマ流６中に飛び出す
。かかるプラズマ流を中でこのスパッタ原子はイオン化
されてＭ＋となり、先に説明したように、プラズマ流６
中に発生している電界により、そのイオンＭ）−は試料
台ｌの方向に輸送され、適度のエネルギーと方向性を与
えられて試料基板７に入射して（Ｊ着し、堆積して金属
Ｍの膜が形成される。

この場合、イオン化されたスパッタ原子の入射エネルギ
ーとプラズマ流中の他のイオンのＩ５撃は膜形成反応の
促進に重要な役割を果す。

スパッタリング用ターゲットｌｔの表面は磁界方向にほ
ぼ平行の状態となっているため、スパッタリング用ター
ゲット／ｌから放出される２次電子は円運動しつつター
ゲット表面近傍でドリフト運動をしながら捕捉され、マ
グネトロン放電と同様のメカニズムでスパッタリング効
率を高めている。

それと共に、ターゲラ）／４へのイオン衝撃の安定化に
役立っており、実験の結果、きわめて安定な動作を実現
できた。磁気コイル／θで発生したこの部分の磁界強度
は３ｏｏ　−１Ｉｏｏａであったが、これは、マグネト
ロン形スパッタ装置のターゲット表面部での磁界強度と
ほぼ同程度である。

次に、本発明プラズマ付着装置の特性の具体例について
述べる。第１ガス導入系／２にＡｒガスを導入してプラ
ズマを生成する場合、プラズマ生成基ｌのガス圧が７×
／θ−’Ｔｏ　ｒ　ｒ　＝　１０−２Ｔｏ　ｒ　ｒ以上
というきわめて広範囲のガス圧領域において安定に放ｔ
を行うことができた。特に最適なガス圧領域は、／Ｘ／
θ−’Ｔｏｒｒ　〜、７　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒであっ
た。

スパッタリング用ターゲット／ｌをＡｆｆ形成し、マイ
クロ波パワーを１００　Ｗ　ｓスパッタ用電源／りの電
圧をｓｏｏ　ｖとしたとき、ターゲット／４にｌＩｏｏ
ｍＡのイオン電流が流れた。このとき、スパッタリング
用ターゲット／乙にアルゴンイオン衝撃によるスパッタ
リング反応を生じてプラズマ流全体が深い青色を呈し、
Ａｌ原子が均一にスパツ１夕される状態が観察された。

第３図はガス圧５×ｌθ−’Ｔｏｒｒ　〜！；　Ｘ　／
θ−δＴｏｒｒでのスパッタ用電源電力とＡｌの付着速
度との関係を示すもので、上述の条件では付着速度約−
２０ＯＡ／１ｎｉｎとなった。ここで、マイクロ波パワ
ーの増加により、イオン電流（スパッタ用電源電流）お
よび付着速度を容易に増加することができることがわか
る。

本発明によれば、第一図に示したように、スパッタされ
たＭ原子がプラズマ流≦４中でイオン化されてＭ十とな
り、プラズマ流６と一体となって試料台ｌ上に輸送され
て薄膜を形成するので、プラズマ流≦が試料台ｔを照射
する領域、この例ではｌＳ削幼領域、に限定されて膜が
形成され、従って効率のよい膜形成が可能である。また
、この領域では均一性のよい膜形成が可能であり、中央
１０ｃｒｎ９６の領域では±５％以下の均一性が得られ
た。

更にまた、付着するイオンおよびプ・ラズマ流中の他の
イオンがすでに述べたように適度のエネルギを持ってい
るから、付着性よく良質な膜形成が可能である。常温で
Ａｌｐ’Ｉｔ形成したにも拘らず、きわめて付着性よく
７８ｍの厚さの膜を鏡面状態で形成することができた。

また、テフロンのような付着性のきわめて低い材料を基
板としＣ用いても、その上にきわめてイ」理性よく膜を
形成することができた。

ｆａｌガス導入系／２からＡｒと０２の混合ガス（もし
くはｏ２′ｊｆ７Ｊ０Ｄみ）を導入し、あるいは第１ガ
ス導入系ｌλからＡｒおよび第１ガス導入系／２から０
２を導入してスパッタリング用ターゲットＡｌと組合せ
ることによって、Ａ１２０ｇ膜を低温で緻密かつ高品質
に形成することができる。また、０２の代わりにＮ２を
導入することにより、Ａｌｘ膜、さらにスパッタリング
用ターゲット／６の材料として、Ｍｅ　、Ｗ、Ｔ　＊　
、Ｎｂなど各種の金属、その他の拐料を用いることによ
ってこれらの材料の膜、さらにはそれらの酸化膜あるい
は窒化膜を形成することができる。また、例えば、第一
ガス導入系／３から５ｔ）１４ガスを導入することによ
ってＳｔと金属の合金やＭｏＢ１２．ＷＳｉ２などのシ
リサイド膜を形成す今ことができる。すなわち、本発明
では、第１ガス導入系／２および第２ガス導入糸／３か
らの導入ガスの適訳、スパッタリング用ターゲツト材質
の選択およびこれらの組合せによって、金属膜、化合物
膜９合金膜などきわめて広範囲の材料の薄膜を低温でき
わめて高品質に形成できる。

なお、ターゲット／６の形状は、任意に定めることがで
きるが、プラズマ流乙に面する表面がプラズマ流乙に対
して平行であることが好適である。

ターゲラ）／Ａの形状および構造については、上側に示
したように純金属材料をリング状に加工したものの他に
、リング状の基体の内周面上にターゲット材料を付着さ
せた構造、薄板状のターゲット材料をリング状に配置し
た構造、塊状のターゲット材料など、用途に応じて種々
の大きさおよび゛形状とすればよいことは当然である。

上述した実施例においＣは、ターゲットｔｉとシールド
電極はリング状に形成されているが、必ずしもリング状
に形成する必要はなく、プラズマ流乙に而して／個所ま
たζ」複シに個所に分割して設けてもよい。

次に、ターゲット電極およびシールドｒ４ｉＪｔｉｉの
取付は部分の具体例を第１／図に示す。第７図において
、第１図と同様の個１ス１には同一符号を付すことにす
る。ここで、プラズマ生成室ｌは例えば内径／ｓｏｍｄ
　、高さ／！Ｏｔｒｍとする。プラズマ引出し２ｊはそ
の直径を例えば３θｔｐｍｇｆ　、　６０ｍｍ９６　、
７０ｍｍグに可変できるものとする。／Ａはプラズマ生
成室の側壁１．２人は試料室−の上部本体板であり、こ
の本体部２人には、プラズマ生成１ｉ　／の窓径より大
きい内径を有する穴あき円板〃を、プラズマ流乙の通過
する中心開口をもつリング状の金属スペーサ〃および刀
を介してボルト評により固着する。リングｎは段イ」き
となし、その段部には、プラズマ流乙の通過する中心開
口をもつリング状の板Ｂを介挿してリングｎとｎとによ
り挾持させる。この板Ｂにはボルトにによりリング状の
上部シールド電極ｎ　Ａを固着する。上部シールド電極
／Ｉ　Ａはプラズマ流乙の外縁にほぼ接するように内側
に張り出したりンダ状のひさし部を有する。−そのぴ′
ざし部の内側には、プラズマ流乙の通過する中心開口を
もつ内側には、プラズマ流６′の超過する中心開口をも
つ絶縁物としてのマコール（商品名）によるリング状ス
ベーザｌを介してターゲラ）’９％／７の上部を上部シ
ールド電極／Ｉ　Ａに、これとは電気的に絶縁した状態
で、ポル）Ｊにより固着する。更に、上部シールド電極
／ＩＩ　Ａの側壁には貫通孔〃をあけ、この孔〃を介し
て電流端子３θをターゲットｉ［極／７ニ取す４ｊけ、
スパッタ用電源／りがらターゲット／４に給電する。＼
友＆ターゲツ）　電極／７はリング状の上部ターゲラ）
［極／７　Ａとリング状の下部ターゲット電極／７Ｂと
から成り、両者は図示のように螺着され、それにより形
成される空所に例えば外径）３　ｏｎｏｐ、高さ３０Ｉ
ｎＩｎのターゲット１６を収容することができる。上部
シールド電極／ｇ　Ａの下端部にはひさし部をもつリン
グ状お下部シールド電極／ｇ　Ｂを＃、着するものとす
る。このようにして、ターゲラ）／４の装置あるいは交
換時には、下部シールド電極ｎ　Ｂおよび下部ターゲッ
ト電極７７　Ｂを取り外してから、リング状のターゲッ
トｌｔをターゲット電極／７　Ａと／７　Ｂとの間に収
容し、次いでこれら下部電極／７　Ｂおよび７ｇ　Ｂを
各対応する上部電極／７　Ａおよび７ｇ　Ａにそれぞれ
螺着する。なお、シールド電極／ｇ　Ａおよび／ざＢに
は、図示のようなひさし部を設けず、点線で示すような
形状としてもよいこと勿論である。

このような電極構造の下方、例えば下部シールド電極／
ＦＩ　Ｂから７０ｍｍ下方には、例えば直径／Ｊｊｍ峻
のシャッタ３１を配置して、プラズマ流乙の通過または
遮断を制御する。

試料台ｔは例えば水冷の構造とな−し、この試料台ｌを
マコールによるスペーサ３２を介して腕３３に固着する
。この腕３３は試料室コの側壁に固着する。

更に試料台ｇの下方にはシールド板３ダを配置し、この
シールド板３グもまた腕３３に固着する。

以上説明したように、本発明によれば、固体材料を薄膜
形成用原料としてスパッタリングによりその原子を放出
させ、そのスパッタ原子をプラズマ流によってイオン化
し、かつ運動エネルギを付与して膜形成するよう、にし
たので、種々のガスを導入することと組合せることによ
り、きわめて広範囲の材料の膜を低温で高品質に形成で
きる。また、本発明では、従来のスパッタ装置とは興な
り、プラズマ生成をマイクロ波による電子サイクロトロ
ン共鳴を用いてスパッタリングとは独立に行うことによ
って、１０”６Ｔｏｒｒ　Ｎ１０−”Ｔｏｒｒ以上とき
わめて広範囲のガス圧で安定にスパッタリング反応を生
じさせることができる。更にまた、本発明によれば、ス
パッタ原子に付与する運動エネルギをマイクロ波パワー
で可変でき、各種の導入ガスのガス圧を広範囲に定める
ことができ、しかもλつの導入系からのガスの分圧を適
当に定めることもでき、従って、形成される膜の性質を
広範囲に制御できる。しかもまた、イオン化された付着
原子および分子がプラズマ流により試料基板上に運ばれ
るので、付着の効率が高まるだけでなく、試料室の他の
部分への不必要な膜形成を生じないので、保守の容易さ
および歩留りの向上にも役立つという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明に
よるプラズマ付着の原理の説明図、第３図は本発明の特
性例として、スパッタ用電源電力とＡ４の付着速度との
関係の実験結果を示す特性曲線図、第ｑ図は本発明にお
けるターゲット電極およびシール電極の構造の具体例を
示す断面図である。 ｌ・・・プラズマ生成室、 ／Ａ・・・側　　壁、 λ・・・試料室、 ２人・・・上部本体板、 ３・・・マイクロ波導入窓、 ダ・・・矩形導波管、 ！・・・プラズマ引出し窓、 ６・・・プラズマ流、 ７・・・試料基板、 ｒ・・・試料台、 ９・・・排気系、 ／θ・・・磁気コイル、 ｌ／・・・磁気シールド、 ／２・・・第１ガス導入系、 ／３・・・第２ガス導入系、 ／Ｖ・・・冷却水の給水Ｉ］　。 ／３・・・排水Ｄ　。 ／ｌ・・・スパッタリング用ターゲット、／７・・・タ
ーゲット電極、 ／７Ａ・・・上部ターゲット電極、 ／７Ｂ・・・下部ターゲット用、極、 ７ｇ・・・シールド電極、 ／ＬＡ・・・上部シールド電極、 ／ｇＢ・・・下部シールド電極、 １９・・・スパッタ用市、源、 λｌ・・・穴あき円板、 ｎ、２３・・・リンダ状スペーサ、 ２ｔｌ、礼１・・・ボルト、 Ｂ・・・リング状板、 １・・・リンダ状スペーサ、 ２９・・・貫通孔、 ３θ・・・電流端子、 ３／・・・シャッタ、 ３ノ・・・スペーサ、 ３３・・・腕、 ３’ｌ・・・シールド板。 特許出願人　日本電信ｔＩＬ話公社 第２図 第３図 ０　　　　２００　　　４００　　　　６００スパツ９
田電淵電５カ　［Ｗ］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ／）真空容器内にガスを導入してプラズマを発生させる
   工程と、 前記プラズマの流れの一部のイオンで、スパッタリング
   材料によるターゲットをスパッタする工程と、 前記ターゲットから前記プラズマの流れに飛び出したス
   パッタ原子を前記プラズマの流れに取り込んでイオン化
   する工程と、 そのイオン化されたスパッタ原子を前記プラズマの流れ
   と共に試料基板まで輸送して前記試料基板に入射させ、
   当該試料基板上に前記スパッタリング材料の薄膜を形成
   する工程とを具えたことを特徴とするプラズマ何着方法
   。 、２）ガスを導入してプラズマを発生させるプラズマ生
   成室と、 膜形成すべき試料基板をｉ”ｔｉ、！置するための試料
   台を有し、前記試料基板上に薄膜を何着して堆積させる
   試料室と、。 前記プラズマ生成室と前記試料室との間に配置されたプ
   ラズマ引出し窓と、 前記プラズマ生成室で発生したプラズマを前記プラズマ
   引出し窓を介してブラズーマ流１として前記試料室に導
   く手段と、 スパッタリング材料で形成され、前記プラズマ引出し窓
   と前記試料台との同に配置されたターゲットとを具え、
   前記プラズマ流の一部のイオンにより前記ターゲットを
   スパッタし、スパッタ原子を前記プラズマ流に取り込ん
   で前記試料基板まで輸送して前記試料基板に入射させ、
   当該Ｅｆ１基板上に前記スパッタリング材料の薄膜を形
   成するようにしたことを特徴とするプラズマ何着装Ｐ′
   １“。 ３）特許請求の範囲第２項記載のプラズマ角層装置にお
   いて、前記プラズマ生成室番コマ・ｒりロ波による電子
   サイクロトロン共鳴放電圧を用いて前記プラズマを生成
   するように構成したことを特徴とするプラズマ付着装置
   。 リ　特許請求の範囲第２項記載のプラズマ付着装置にお
   いて、前記プラズマ生成室から前記試料室に向けて磁界
   強度が適当な勾配で弱くなる発散磁界の磁界分布をもつ
   磁気コイルを有することを特徴とするプラズマ付着装置
   。 り特許請求の範囲第２項記載のプラズマ付着装置におい
   て、前記ターゲットを前記プラズマ引出し窓の近傍であ
   って、しかも前記プラズマ流に近接または接触するよう
   に配設したことを特徴とするプラズマ付着装置。 ６）特許請求の範囲第３項記載のプラズマ付着装置にお
   いて、前記ターゲットのうち前記プラズマ流に面してい
   ない部分をシールド７１極によって覆ったことを特徴と
   するプラズマ付着装置。