JPH0869897A

JPH0869897A - プラズマアッシング装置

Info

Publication number: JPH0869897A
Application number: JP6228770A
Authority: JP
Inventors: Chishio Koshimizu; 地塩輿水
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-08-30
Filing date: 1994-08-30
Publication date: 1996-03-12
Anticipated expiration: 2016-08-27
Also published as: JP3202877B2

Abstract

(57)【要約】【目的】プラズマ発生のために誘導結合型方式を採用
することによりプラズマ密度を高めることができるプラ
ズマアッシング装置を提供する。【構成】処理容器４２の載置台４４に載置された被処
理体Ｗの表面に形成されているレジスト膜１０６をプラ
ズマによりアッシングするプラズマアッシング装置３６
Ａ，３６Ｂにおいて、前記プラズマの発生エネルギを供
給するために前記載置台に対向する位置に高周波電源８
４に接続されたアンテナ部材８２を設ける。そして、ア
ンテナ部材から放射される電磁波の誘導作用により処理
容器内にアッシング用の高密度なプラズマを発生させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマアッシング装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にあ
っては、半導体ウエハに成膜を形成したり、これを微細
加工技術により所定のパターンにエッチングしたりする
ことが繰り返し行われるが、微細加工のエッチング処理
を施す場合には硬化処理されたレジスト膜をマスクとし
てパターン形状にウエハ表面を削り込んでエッチング
し、その後、不要なレジスト膜を除去するためにこれに
対してアッシング処理を施すようになっている。

【０００３】ここで、図７に基づいて従来のプラズマア
ッシング装置について説明する。図示するようにこのア
ッシング装置２はベルジャー形の処理容器４を有してお
り、この上段外側には上下一対の電極６Ａ、６Ｂが設け
られる。上側電極６Ａにはマッチング回路８を介して例
えば１３．５６ＭＨｚで発振する高周波電源１０が接続
されている。

【０００４】処理容器４の内部には、例えば真空チャッ
ク等により半導体ウエハＷを吸着保持する載置台１２が
配置されており、この載置台１２には温度制御部１４に
よって制御されるヒータ１６及び冷却部１８によって冷
媒流量が制御される冷却水配管２０が内蔵される。ま
た、この載置台１２は昇降手段２２により昇降可能にな
されている。そして、上記処理容器４の上部には、マス
フローコントローラ２４及び処理ガス供給源２６を有す
るガス供給系２８が接続される。

【０００５】レジスト膜をマスクとしてエッチングされ
たウエハを上記装置を用いてアッシングする場合にはエ
ッチング処理後のウエハを載置台１２に設置してこれを
ヒータ１６により３００℃程度に加熱する。そして、こ
の処理容器４内に酸素を供給しつつ減圧雰囲気に維持す
ると共に上部電極６Ａに高周波電圧を印加することによ
りこれら電極６Ａ、６Ｂ間にプラズマが発生して酸素ガ
スの一部は活性化されてオゾンとなり、オゾン含有気体
は容器内をウエハ表面に向けて流下する。

【０００６】流下したオゾンはウエハ周囲の雰囲気に加
熱されて分解され、酸素原子ラジカルが多量に発生す
る。そして、このラジカルがウエハ表面のレジスト膜と
反応してこれを気化し、レジストのアッシングが行われ
ることになる。また、上記した装置例の外に、処理容器
内に、平板状の上部電極と下部電極を平行に対向させて
配置し、これらの間にプラズマを発生させるようにした
いわゆる平行平板形のアッシング装置も知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなベルジャー式のアッシング装置や平行平板形のアッ
シング装置にあっては、あまり密度の濃いプラズマを立
てることができず、従って発生するラジカルの量もそれ
程多いものではない。従って、アッシングレートが余り
高くなく所定の厚みのレジスト膜をアッシングするには
比較的多くの時間を要してしまい、アッシング効率を十
分に高くし得ないという問題点があった。

【０００８】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、プラズマ発生のために誘導結合型方式を採用
することによりプラズマ密度を高めたプラズマアッシン
グ装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、処理容器の載置台に載置された被処理
体の表面に形成されているレジスト膜をプラズマにより
アッシングするプラズマアッシング装置において、前記
プラズマの発生エネルギを供給するために前記載置台に
対向する位置に高周波電源に接続されたアンテナ部材を
設けるようにしたものである。

【００１０】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、例えば
処理容器の天井部に渦巻状に設けたアンテナ部材に高周
波電圧を印加することにより電波が発生し、この電波に
よりプラズマ放電が励起されて処理ガスが活性化され、
多数の原子ラジカルが発生する。この時のプラズマの密
度は、先に示した従来のプラズマ発生方式の場合と比較
して高くなり、従って、プラズマ放電励起によって生ず
る活性種の量もかなり多くなり、アッシングレートを高
めることが可能となる。

【００１１】アンテナ部材に印加する高周波電圧を、例
えば所定の長さのインターバルを挟んでオンオフ制御し
たり或いは強弱をつけることにより変調して供給エネル
ギを抑制することにより、過度のイオンの発生を抑制す
ると同時にその分活性種の量を増加させることができ
る。

【００１２】また、アンテナ部材と載置台との間にグリ
ッドを配置することによりこのグリッドで被処理体表面
にダメージを与える恐れのあるイオンをトラップするこ
とが可能となる。特に、このグリッドに一定の或いはア
ンテナ部材に印加する高周波電圧の変調と同期したバイ
アス電圧を印加することにより、このグリッドを通過し
て被処理体表面に向かうイオンも引き戻すことが可能と
なり、一層ダメージの発生を抑制することが可能とな
る。

【００１３】

【実施例】以下に、本発明に係るプラズマアッシング装
置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明のプラズマアッシング装置の一例を示す断面図、図
２は図１に示すアッシング装置を備えたクラスタ装置を
示す概略構成図、図３はアンテナ部材を示す平面図、図
４はエッチング工程からアッシング工程までの操作を説
明するための被処理体の断面図、図５はアンテナ部材に
印加する高周波電圧の変調の態様を示す図、図６はアン
テナ部材の印加電圧とグリッドの印加電圧との関係を示
す図である。

【００１４】まず、本発明装置を備えたクラスタ装置を
図２に基づいて説明すると、このクラスタ装置３０は、
真空引き可能になされた略方形状の共通搬送室３２を有
し、この共通搬送室３２の一側面には、被処理体として
の例えば半導体ウエハにエッチング処理を施すための周
知の例えば平行平板形のプラズマエッチング装置３４が
開閉可能になされたゲートバルブＧ１を介して接続され
ている。また、共通搬送室３２の他の２つの各側面に
は、エッチング処理後の半導体ウエハに、例えばライト
エッチングを含むアッシング処理を施すための第１及び
第２の本発明に係るプラズマアッシング装置３６Ａ、３
６ＢがそれぞれゲートバルブＧ２及びＧ３を介して接続
されている。

【００１５】また、共通搬送室３２の残りの側面には、
第１及び第２のカセット室３８Ａ、３８Ｂがそれぞれゲ
ートバルブＧ４、Ｇ５を介して接続されると共に、各カ
セット室３８Ａ、３８Ｂの外側には、このクラスタ装置
３０に対してウエハを搬入・搬出する際に開閉されるゲ
ートバルブＧ６、Ｇ７がそれぞれ設けられる。各カセッ
ト室３８Ａ、３８Ｂは、それぞれ真空引き可能になさ
れ、例えば第１のカセット室３８Ａは未処理の半導体ウ
エハＷを収容するカセットＣが収納され、第２のカセッ
ト室３８Ｂは処理済みの半導体ウエハＷを収容するカセ
ットＣが収納される。

【００１６】上記共通搬送室３２内の中心には、伸縮及
び旋回可能になされた多関節アーム機構４０が設置され
ており、このアーム４０Ａの先端にウエハＷを保持し得
るようになっている。従って、未処理のウエハをアーム
機構４０により第１のカセツト室３８Ａから取り出し
て、プラズマエッチング装置３４及びいずれか一方のア
ッシング装置３６Ａ或いは３６Ｂの順にロードして対応
する処理を順次行い得るようになっている。

【００１７】尚、エッチング装置１つに対して２つのア
ッシング装置を設けた理由はエッチングに要する時間よ
りもアッシングに要する時間の方が長いので、全体の処
理効率を上げるためにアッシング装置の方を多く設けた
のである。

【００１８】次に、上記アッシング装置について図１を
参照しつつ説明する。２つのアッシング装置３６Ａ、３
６Ｂは全く同様に構成されているので、ここでは例えば
第１のアッシング装置３６Ａを例にとって説明する。図
１に示すようにこのプラズマアッシング装置３６Ａは、
天井部が開放された有底方形状に成形された例えばアル
ミニウム製の処理容器４２を有している。この処理容器
４２内には半導体ウエハＷを載置する下部電極としての
例えばアルミニウム製の載置台４４が載置台支持台４６
上に設けられている。この載置台４４の上面である載置
面には、例えば高圧直流源４８に開閉スイッチ５０を介
して接続された静電チャック５２が設けられており、ク
ーロン力によりウエハを吸着保持するようになってい
る。

【００１９】また、上記載置台４４内には、加熱手段例
えばセラミックヒータ５４が埋め込まれており、このヒ
ータには加熱電源５６が開閉スイッチ５８を介して接続
されている。そして、上記載置台４４及び処理容器４２
は共に接地されて零電位となっている。上記処理容器４
２の底部には、図示しない真空ポンプが介設された排気
系６０が接続され、この一側壁には、前記共通搬送室３
２との間を連通・閉塞自在とする前記ゲートバルブＧ２
が設けられる。

【００２０】また、処理容器４２の側壁には、処理ガス
を導入するためのガス導入ノズル６２が貫通させて設け
られており、このノズル６２にガス通路６４が接続され
ている。本実施例においては、通常のレジスト膜のアッ
シング処理のみならず、これと同時にウエハ表面の、前
工程によりダメージを受けたダメージ層もエッチングす
るいわゆるライトエッチングも施すことから処理ガスと
しては酸素のみならずＣＦ₄ 或いはＣＦＨ₃ 等のエッチ
ング用ガスを僅かに混入するようになっている。そのた
めに、上記ガス通路６４は、マスフローコントローラ６
６Ａ、開閉弁６８Ａを途中に介設して酸素源７０に接続
された酸素供給源７２と、マスフローコントローラ６６
Ｂ、開閉弁６８Ｂを途中に介設してアッシングガス源７
４に接続されたアッシングガス供給系７６に連結されて
いる。アッシングガスとしては例えばライトエッチング
用にＣＦ₄ ガス等が用いられる。

【００２１】一方、上記処理容器４２の天井部の開放口
には、電磁波を透過し得る絶縁材、例えば石英よりなる
天井板７８が例えばＯリング等のシール部材８０を介し
て機密に設けられている。この天井板７８の厚みは、処
理容器４２内の真空圧に耐え得るように厚く、例えば２
５ｍｍ程度に設定されている。

【００２２】上記石英製の天井板７８の上面には、図３
にも示すように略全面に亘って例えば２〜３回渦巻状に
巻回された導電体、例えば銅製のアンテナ部材８２が設
けられている。そして、このアンテナ部材８２の中心端
と外周端との間には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波
電源８４が介設された高周波給電系８６が接続されてお
り、この給電系８６の途中には高周波印加効率を改善す
るマッチング回路８８及びアンテナ部材８２に供給する
高周波電力を所定の波形に変調する変調部９０がそれぞ
れ介設されている。

【００２３】従って、アンテナ部材８２には変調部９０
にて変調された所定の波形の高周波電圧を印加すること
ができ、これによって発生した電磁波が石英製の天井板
７８を透過して処理空間Ｓに至り、ここで処理ガスを励
起してプラズマを生ぜしめることになる。ここでアンテ
ナ部材８２の形状は、２〜３ターンの渦巻状に限定され
ず、１ターンのリング状或いは４ターン以上の渦巻状に
設定してもよく、また、アンテナ部材８２の断面形状は
図示例のような円形のみならず、例えば矩形状などに設
定してもよい。また、変調部９０における高周波電圧変
調の態様は、後述するように例えばオンオフを繰り返し
たり、或いは電圧の強弱を繰り返すような変調を行うこ
とができる（図５参照）。

【００２４】上記アンテナ部材８２全体は外部に電磁波
が漏れることを防止するためにメッシュ状の例えば金網
よりなるシールド９２により被われており、このシール
ド９２は接地されている。上記天井板７８と載置台４４
との間には、載置台４４の上方略全面に亘って多数のス
リット１０２を有する例えばメッシュ状の金網よりなる
グリッド９４が設置されており、このグリッド９４に
は、例えば可変直流電源９６と変調回路９８よりなるバ
イアス手段１００が接続されている。

【００２５】そして、このグリッド９４を接地すること
により或いは所定のバイアス電圧を、アンテナ部材８２
に対する高周波電圧の供給と同期させて間欠的に印加す
ることにより、ウエハダメージ発生の原因となるイオン
を捕獲してトラップし得るようになっている。上記同期
をとるために、バイアス手段１００の変調回路９８と高
周波給電系８６の変調部９０は、例えばマイクロコンピ
ュータ等よりなる制御部１０３により制御される。

【００２６】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。図２において、まず、未処理ウ
エハを収容する第１のカセット室３８Ａ内を真空引きし
たならば、これと予め真空状態になされている共通搬送
室３２内とを区画するゲートバルブＧ４を開き、共通搬
送室３２内の多関節アーム機構４０を伸縮することによ
りこのアーム先端に第１のカセット室３８Ａ内の未処理
ウエハを保持する。次に、この共通搬送室３２とプラズ
マエッチング装置３４との間を区画するゲートバルブＧ
１を開いて、アーム先端の未処理ウエハをエッチング装
置３４内にロードし、プラズマエッチングをウエハに対
して施す。このエッチングでは、例えばＣＨＦ₃ やＣＦ
₄ 等のエッチングガスをＨｅガスやＡｒガス等の不活性
ガスをキャリアガスとして所定量供給し、上下電極に例
えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して通常のプ
ラズマエッチングを行う。

【００２７】この時のウエハＷの状態は次のようにな
る。未処理のウエハは例えば図４（Ａ）に示すようにＳ
ｉウエハ上にＳｉＯ₂ 膜１０４を形成し、この膜上にパ
ターン化されたレジスト膜１０６が形成されている。そ
して、このレジスト膜１０６をマスクとして上述のよう
にエッチング処理を行うとレジスト膜１０６に被われて
いない部分のＳｉＯ₂ 膜１０４が削られて図４（Ｂ）の
ようになる。この場合、一般的には異方性エッチングを
行うことから露出したシリコン表面１０８は比較的ダメ
ージを受けた状態となる傾向にある。従って、次のアッ
シング工程では、レジスト膜のアッシングのみならず、
上記したダメージ表面１０８を僅かに削るライトエッチ
ングも同時に行う。

【００２８】まず、上述のようにエッチング装置３４に
てエッチング処理が完了すると、このエッチング処理済
みのウエハは開状態となったゲートバルブＧ１を介して
アンロードされ、次に、第１或いは第２のプラズマアッ
シング装置３６Ａ、３６Ｂの内、空いている方のアッシ
ング装置例えば３６Ａに入れられ、上述のようなアッシ
ングとライトエッチングを同時に施す。一方、この間に
次の未処理のウエハが上記プラズマエッチング装置３４
にて上述したと同様にエッチングされており、エッチン
グ完了後のウエハは、他方のアッシング装置３６Ｂ内に
ロードされてアッシングとライトエッチングを同時に施
すことになる。このようにエッチング処理に要する時間
は、アッシングに要する時間よりも比較的短くて済むの
で、エッチング装置３４での処理済みのウエハは第１と
第２のアッシング装置３６Ａ、３６Ｂに相互に振り分け
てロードされる。そして、アッシングとライトエッチン
グが終了した処理済みのウエハは、アーム機構４０によ
り処理済みウエハを収容する第２のカセット室３８Ｂ内
に収容されることになる。

【００２９】ここで、アッシングとライトエッチングを
同時に施す場合について説明する。アッシング装置、例
えば３６Ａ内の載置台４４の表面に載置されたエッチン
グ処理済みのウエハＷは静電チャック５２にクーロン力
により強固に吸着保持され、この状態で酸素供給源７２
から所定量の酸素を、アッシングガス供給系７６から所
定量の、例えばＣＦ₄ やＣＦＨ₃ 等のアッシングガスを
それぞれ供給しつつ処理容器４２内をプロセス圧力、例
えば数１０ｍＴｏｒｒから２Ｔｏｒｒ程度の範囲内の圧
力に維持する。

【００３０】セラミックヒータ５４に通電することによ
り、常温以上のプロセス温度、例えば３００℃程度にウ
エハの温度を維持する。これと同時に、石英製の天井部
７８の上面に設けたアンテナ部材８０に、高周波電力を
印加すると、天井板７８を透過した電磁波は処理空間Ｓ
に滞留するガスをその誘導作動により励起してプラズマ
化する。このプラズマ放電励起によってガスの元素は活
性化されてオゾンやフッソ原子活性種となり、オゾンは
主にレジスト膜１０６と反応してこれを気化させるアッ
シングに消費され、フッソ原子の活性種などはダメージ
を受けたシリコン表面１０８をソフトエッチングする時
に消費されることになる。アッシングとソフトエッチン
グが完了した時のウエハ断面は図４（Ｃ）示される。

【００３１】ここで、プラズマ発生のためにアンテナ部
材８２を用いた誘導結合方式を採用したので、従来の平
行平板方式の場合と比較して発生するプラズマ密度を高
くすることができ、従って、その分、活性種の量も多く
なってアッシング効率を大幅に向上させるこてができ
る。また、発生した濃いプラズマによって処理空間Ｓの
ガスが電離してイオンも発生するが、このイオンの大部
分は載置台４４の上方に設けたグリッド３４によりトラ
ップされて排除されてしまうので、イオンがウエハ表面
に衝突してこれにダメージを与える可能性を大幅に抑制
することができる。同時に、載置台４４は接地されて零
電位になっているので、ウエハ側へのイオンの引き込み
がなく、ウエハダメージの発生を大幅に抑制することが
できる。

【００３２】アッシング時においては、アンテナ部材８
２に印加する高周波電圧は例えば図５（Ａ）及び図５
（Ｂ）に示すように変調部９０にて変調を加えるのが好
ましい。図５（Ａ）に示す変調波形の場合は、所定時間
Ｔ１、例えば数１０μ秒の間、高周波電力を印加したら
所定時間Ｔ２、例えば数１０から数１００μ秒の間、電
力の供給を停止すること、すなわちオンオフを繰り返し
行うようになっている。図５（Ｂ）に示す波形の場合
は、図５（Ａ）におけるオフ時に完全に高周波電力の供
給を停止するのではなく、この間には僅かな量の電力を
供給し、すなわち電力の強弱をつけるように変調してい
る。このように電力のオンオフ或いは電力の強弱をつけ
ることにより次のような効果を生ずる。

【００３３】すなわち変調をかけないで大きな高周波電
力を連続して供給していると電子温度が過度に高くなっ
てその分イオンへの解離が促進されるが、アッシングに
関してはウエハにダメージを与える恐れのあるイオンは
不要で穏やかな活性種が必要であり、上述のようにオフ
時間Ｔ２或いは電力の弱い時間を設けることによりプラ
ズマを冷まして過度のイオンの発生を防ぐと同時に多量
の活性種を発生させ、一層アッシング効率を高めること
が可能となる。高周波電力のオン時間Ｔ１とオフ時間Ｔ
２との関係は、プラズマを冷ます程にオフ時間Ｔ２を十
分にとれば良く、上記した数値例に限定されない。

【００３４】また、アッシング処理中においてグリッド
９４を継続的に接地してこれを零電位にしてもよいが、
これに替えて、図６に示すようにアンテナ部材８２に印
加する高周波電圧の変調と同期させてグリッド９４のバ
イアス電圧を変えるようにしてもよい。図６（Ａ）はア
ンテナ部材８２へ印加する高周波電圧の変調の一例を示
し、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）はそれぞれバイアス電圧
の変調例を示す。図６（Ｂ）に示す場合は、アンテナ部
材８２に電力を供給しているオンの期間Ｔ１の間は、グ
リッド９４を零電位とし、アンテナ部材に電力を供給し
ていないオフの期間Ｔ２は、グリッド９４を例えば−数
１０ボルトのマイナス電位にしている状態を示す。ま
た、図６（Ｃ）に示す場合は、図６（Ｂ）に示す変調と
略同じであるが、アンテナ部材８２への電力の供給を停
止する時だけ、僅かな時間Δｔだけ遅延をかけてグリッ
ド９４の電位をマイナス電位にしている点が異なる。

【００３５】このように、アンテナ部材８２に電力を供
給していない時或いは僅かしか供給していない時にグリ
ッドをマイナス電位に設定することにより、グリッド９
４を通過してウエハＷ側に接近したプラスイオンをグリ
ッド９４側に引き戻してトラップすることが可能とな
り、従って、その分、ウエハ表面にイオンが衝突するこ
とを防止できるのでウエハダメージの発生を一層抑制す
ることが可能となる。グリッドのバイアス電位の変調
は、上記したものに限定されず、例えばアンテナ部材へ
の供給電圧の変調に同期させて、グリッドをプラス電位
に設定するように変調しても良く、種々の変調態様を取
ることができる。

【００３６】尚、上記した実施例にあっては、例えばシ
リコン表面のダメージの少ないゲート等を作るためにア
ッシングとライトエッチングを同時に施す場合について
説明したが、これに限定されず、アッシングのみを単独
で実施する場合についても適用し得るのは勿論である。

【００３７】また、上記実施例ではアンテナ部材８２を
処理容器４２の外側へ配置する場合について説明した
が、これに限定されず、例えばアンテナ部材８２を絶縁
材で被覆した状態で天井板７８の内面側に設けるように
してもよい。更には、プラズマ発生方式としては誘導結
合型とヘリコン方式を併用したもの、誘導結合型とヘリ
カル共鳴方式を併用したもの、誘導結合型とＥＣＲ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎ
ｃｅ）方式を併用したもの等も用いることができる。ま
た更には、被処理体としては半導体ウエハに限定され
ず、プラズマアッシングを行う全ての被処理体、例えば
ＬＣＤ基板等も適用することができる。また、アッシン
グガスとしては前述したものに限定されず、ＳｉＨ₄ 、
ＡｓＨ₃ 、ＰＨ₃ 、Ｂ₂ Ｈ₆ 、ＣＦ₄ 、ＳＦ₆ 、Ｎ₂ Ｏ
等を用いることがき、これらをプラズマ化して例えばＳ
ｉＯ₂ 膜に形成されたレジストの残りをアッシングする
ことができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
アッシング装置によれば次のように優れた作用効果を発
揮することができる。アンテナ部材より放射される電磁
波の誘導作用によりアッシング用プラズマを発生させる
ようにしたので、例えば従来の平行平板形方式の場合と
比較して密度の高いプラズマを発生させることができ、
アッシング効率を大幅に向上させることができる。ま
た、アンテナ部材に供給する高周波電圧を変調すること
により、被処理体にダメージを与えるイオンの発生を抑
制しつつアッシングに寄与する活性種を多量に生成する
ことができ、その分、ダメージの発生を抑制しつつアッ
シング効率を一層高めることができる。更に、アンテナ
部材と載置台との間にグリッドを設けることにより、被
処理体にダメージを与えるイオンをトラップすることが
でき、アッシング効率を高く維持した状態でダメージの
発生を抑制することができる。また更に、グリッドに、
アンテナ部材への印加高周波電圧に同期させてバイアス
電圧を変化させて供給することにより、イオンのトラッ
プ効率を一層高めることができ、ダメージの発生を抑制
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマアッシング装置の一例を示す
断面図である。

【図２】図１に示すアッシング装置を備えたクラスタ装
置を示す概略構成図である。

【図３】アンテナ部材を示す平面図である。

【図４】エッチング工程からアッシング工程までの操作
を説明するための被処理体の断面図である。

【図５】アンテナ部材に印加する高周波電圧の変調の態
様を示す図である。

【図６】アンテナ部材の印加電圧とグリッドの印加電圧
との関係を示す図である。

【図７】従来のプラズマアッシング装置の一例を示す断
面図である。

【符号の説明】

３０クラスタ装置３２共通搬送室３４プラズマエッチング装置３６Ａ第１のプラズマアッシング装置３６Ｂ第２のプラズマアッシング装置４０多関節アーム機構４２処理容器４４載置台４８高圧直流源５４セラミックヒータ７０酸素源７２酸素供給系７４アッシングガス源７６アッシングガス供給系７８天井板８２アンテナ部材８４高周波電源９０変調部９４グリッド９８変調回路１００バイアス手段１０４ＳｉＯ₂ 膜１０６レジスト膜Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/3065

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器の載置台に載置された被処理体
の表面に形成されているレジスト膜をプラズマによりア
ッシングするプラズマアッシング装置において、前記プ
ラズマの発生エネルギを供給するために前記載置台に対
向する位置に高周波電源に接続されたアンテナ部材を設
けたことを特徴とするプラズマアッシング装置。
【請求項２】前記載置台は、接地されていることを特
徴とする請求項１記載のプラズマアッシング装置。
【請求項３】前記アンテナ部材には、これに供給され
ている高周波電圧を変調するための変調部が接続されて
いることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ
アッシング装置。
【請求項４】前記変調部は、出力高周波電圧が所定の
間隔でオンオフまたは強弱に変化するように変調するこ
とを特徴とする請求項３記載のプラズマアッシング装
置。
【請求項５】前記載置台と前記アンテナ部材との間に
は、前記処理容器内に発生したイオンをトラップするた
めのグリッドが設けられたことを特徴とする請求項１乃
至４記載のプラズマアッシング装置。
【請求項６】前記グリッドは接地されることを特徴と
する請求項５記載のプラズマアッシング装置。
【請求項７】前記グリッドは、前記アンテナ部材への
印加高周波電圧に同期させて変動するバイアス手段に接
続されることを特徴とする請求項５記載のプラズマアッ
シング装置。