DE69935994T2

DE69935994T2 - Plasmareaktor

Info

Publication number: DE69935994T2
Application number: DE69935994T
Authority: DE
Inventors: Shinsuke Sagamihara-shi OKA; Risa Sagamihara-shi NAKASE; Takashi Hachioji-shi AKAHORI; Satoru Sagamihara-shi KAWAKAMI
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-09-14
Filing date: 1999-09-13
Publication date: 2008-01-10
Anticipated expiration: 2019-09-14
Also published as: JP2000091247A; DE69935994D1; EP1119030A1; TW421820B; KR20010079817A; WO2000016385A1; EP1119030B1; EP1119030A4

Description

TECHNISCHER BEREICH
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf ein Plasmaverarbeitungsverfahren zum Verarbeiten von Substraten, wie zum Beispiel Halbleiterwafer, mit Plasma.
HINTERGRUND DES STANDS DER TECHNIK
Ein typischer Prozeß zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfaßt einen Dünnfilm-Abscheideprozeß und/oder einen Ätzprozeß für Halbleiterwafer (die hinfort als „Wafer" bezeichnet werden) unter Verwendung von Plasma. Dieser Prozeß wird durch Einführung eines Prozeßgases in ein Vakuumgefäß, das einen Wafer-Auflagetisch hat, und durch Zuführen z. B. von elektromagnetischer Energie zu dem Prozeßgas durchgeführt, um Plasma zu erzeugen.
Als Techniken zur Erzeugung des Plasmas durch elektromagnetische Energie ist ein Verfahren bekannt, welches ECR (Elektron-Zyklotron-Resonanz) verwendet, das die Wechselwirkung zwischen Mikrowellen und Magnetfeldern zum Inhalt hat, sowie ICP (Induktiv-gekoppeltes-Plasma), das Induktionsfelder verwendet, die durch ein Hochfrequenz-Induktionfeld hergestellt werden.
In Bezugnahme auf 13, als ein Beispiel für ein konventionelles Plasmaverarbeitungssystem für die Plasmaverarbeitung durch ECR, wird im folgenden ein Beispiel eines Dünnfilm-Abscheideprozeßes beschrieben.
In 13 wird eine Mikrowelle von z. B. 2,45 GHz in eine Plasmaherstellungskammer 1A mit Hilfe eines Wellenleiters 11 zugeführt. Gleichzeitig wird ein magnetisches Feld über eine elektromagnetische Spule angelegt, so daß die Intensität des magnetischen Feldes z. B. 875 Gauß ist, auf der gestrichelten Linie in 3. Durch die Wechselwirkung (Resonanz) zwischen der Mikrowelle und dem magnetischen Feld wird das Plasma mit hoher Dichte von Plasmaerzeugenden Gasen, z. B. Ar und O₂ Gasen, erzeugt. Dieses Plasma aktiviert ein reaktives Gas, z. B. SiH₄ Gas, das in eine Abscheidekammer 1B eingeführt wurde, um eine aktive Spezies (Radikale) zu bilden. Diese aktive Spezies führt gleichzeitig das Sprühätzen (Sputter-Ätzen) und die Abscheidung auf einem Wafer W auf einem Auflagetisch 13 aus.
Obgleich das Plasma mit hoher Dichte in einer Gegend entsteht, die dem Wafer W gegenüber liegt, existiert ein Plasma mit niedriger Dichte in dem ganzen Vakuumgefäß. Dieses Plasma mit niedriger Dichte zerstört manchmal einen O-Ring, der ein Dichtungselement für das Vakuumgefäß ist, oder Ähnliches, oder verursacht, daß ein Film, der sich durch die Reaktion der Prozeßgase an die Wand des Gefäßes angehaftet hat, gelöst wird. Daher ist es unmöglich, die Erzeugung von Partikeln in dem Vakuumsgefäß zu vermeiden.
Während das Plasma erzeugt wird, sind die Partikel in dem Plasma enthalten, da das Plasma leitend ist. Wenn jedoch die Erzeugung von Plasma gestoppt wird, sinken die Partikel in dem Plasma ab, um sich an den Wafer W anzuhaften, wie in 14 gezeigt ist. Insbesondere, wenn der Auflagetisch mit einer elektrostatischen Halterung für das Halten des Wafers W versehen ist, wird der Wafer W leicht geladen, so daß die Partikel an den Wafer W angezogen werden. Solch eine Adhäsion von Partikeln an den Wafer muss jedoch so gut wie möglich verhindert werden, da die Verkleinerung von Schaltungsstrukturen in der Zukunft weiter fortschreiten wird.
WO 96/15545 offenbart ein Plasmaverarbeitungssystem, das ein Vakuumgefäß und einen Auflagetisch, der in dem Vakuumgefäß vorgesehen ist, umfaßt. Ein Prozeßgas wird dem Vakuumgefäß zugeführt, um ein Plasma herzustellen; eine Partikel-Ansaugelektrode wird in dem Vakuumgefäß vorgesehen; und ein Mittel für die Spannungsversorgung zum Anlegen einer Spannung an die Elektrode ist auch vorgesehen. Ein ähnlicher Stand der Technik wird in JP 63 143273 A und JP 07 099160 A gezeigt.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung ist unter den oben beschriebenen Umständen entstanden, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Plasmaverarbeitungsverfahren bereitzustellen, das fähig ist, die Adhäsion der Partikel an ein Substrat zu verhindern und die Ausbeute zu verbessern.
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Verarbeiten eines Substrates nach Anspruch 1 zur Verfügung. Die bevorzugten Ausführungsformen des Verfahrens werden in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 7 definiert.
Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wird in einem Plasmaverarbeitungssystem durchgeführt, das ein Vakuumgefäß und einen Auflagetisch, der in dem Vakuumgefäß vorgesehen ist, zum Halten des Substrats darauf umfaßt, wobei ein Prozeßgas in das Vakuumgefäß eingeleitet wird, um ein Plasma des Prozeßgases zu erzeugen, um einen Prozeß in bezug auf das Substrat, das von dem Auflagetisch getragen wird, mit dem Plasma des Prozeßgases auszuführen, wobei das Plasmaverarbeitungssystem weiterhin umfaßt: eine Partikel-Ansaugelektrode, die in dem Vakuumgefäß vorgesehen ist; und Mittel zum Anlegen einer Spannung, um eine Spannung an die Elektrode anzulegen, wobei die Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode mit Hilfe der Mittel zum Anlegen einer Spannung angelegt wird, wenn die Erzeugung des Plasmas beendet wird.
Entsprechend des Plasmaverarbeitungsverfahrens können geladene Partikel an die Partikel-Ansaugelektrode durch Anlegen einer Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode mit Hilfe der Mittel zum Anlegen einer Spannung angesaugt werden, wenn die Erzeugung des Plasmas beendet wird. Wenn der Plasmaprozeß daher mit Bezug auf das Substrat durchgeführt worden ist, ist es möglich, die Partikel daran zu hindern, an das Substrat anzuhaften, so daß es möglich ist, die Ausbeute zu verbessern.
Das verwendete Plasmaverarbeitungssystem kann weiterhin einen den Auflagetisch umgebenden Körper umfassen, der so vorgesehen ist, daß er den Auflagetisch umgibt. Dieser umgebende Körper hat eine Oberfläche, die um eine Auflagefläche des Auflagetisches herum arrangiert ist, und die Partikel-Ansaugelektrode ist in der Nähe der Oberfläche des umgebenden Körpers vorgesehen.
Entsprechend dieses Plasmaverarbeitungsverfahrens ist es möglich, die Partikel um den Auflagetisch herum anzusaugen. Es ist auch möglich, die Adhäsion eines Reaktionsproduktes, das die Herstellung der Partikel verursacht, um den Auflagetisch herum zu verhindern, so daß es möglich ist, die Reinigungseffizienz bei der Entfernung des Reaktionsproduktes zu verbessern.
In den oben beschriebenen Plasmaverarbeitungssystemen kann mit dem Anlegen der Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode begonnen werden, unmittelbar bevor die Erzeugung des Plasmas beendet wird. Daher ist es möglich, Partikel, die herabsinken, wenn das Plasma verschwindet, effizient an die Partikel-Ansaugelektrode anzusaugen.
Die Mittel zum Anlegen einer Spannung können eine positive Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode anlegen. Daher ist das möglich, negativ geladene Partikel an die Partikel-Ansaugelektrode anzuziehen.
Das Verfahren das mit dem Plasma in bezug auf das Substrat ausgeführt wird, kann ein Dünnfilm-Abscheideprozeß sein oder ein Ätzprozeß.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung sollte ein Plasmaverarbeitungssystem zur Verfügung gestellt werden, das umfaßt: ein Vakuumgefäß, das eine erste Vakuumkammer zum Erzeugen eines Plasma darin unter Verwendung einer Hochfrequenz aufweist, und eine zweite Vakuumkammer, die mit der ersten Vakuumkammer, in Verbindung steht; Mittel zur Zuführung einer Hochfrequenz, um die Hochfrequenz zu der ersten Vakuumkammer zuzuführen; Mittel zur Zuführung eines Prozeßgases, um ein Prozeßgas zu der zweiten Vakuumkammer zuzuführen; und ein Auflagetisch, der in der zweiten Vakuumkammer vorgesehen ist, zum Halten eines Substrats darauf, wobei das Plasma des Prozeßgases in der zweiten Vakuumkammer erzeugt wird, um in bezug auf das Substrat auf dem Auflagetisch mit dem Plasma des Prozeßgases einen Prozeß auszuführen, und das Plasmaverarbeitungssystem weiterhin umfaßt: eine Partikel-Ansaugelektrode, die in der zweiten Vakuumkammer vorgesehen ist; und Mittel zum Anlegen einer Spannung, um eine Spannung an die Elektrode anzulegen, wobei die Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode mit Hilfe der Mittel zum Anlegen einer Spannung angelegt wird, wenn die Erzeugung des Plasmas beendet wird.
Bei dieser Plasmaerzeugung können die Mittel zum Zuführen des Prozeßgases eine Gasöffnung haben, um das Prozeßgas in die zweite Vakuumkammer einzuspritzen, und die Partikel-Ansaugelektrode kann in der Nähe der Gasöffnung vorgesehen sein.
Das verwendete Plasmaverarbeitungssystem kann weiterhin einen den Auflagetisch umgebenden Körper umfassen, der so vorgesehen ist, daß er den Auflagetisch umgibt. Dieser umgebende Körper hat eine Oberfläche, die um die Auflagefläche des Auflagetisches herum angeordnet ist, und die Partikel-Ansaugelektrode ist in der Nähe der Oberfläche des umgebenden Körpers vorgesehen.
In diesem Plasmaverarbeitungsverfahren kann das Anlegen der Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode begonnen werden, unmittelbar bevor die Zuführung der Hochfrequenz mit Hilfe der Mittel zur Zuführung der Hochfrequenz beendet wird oder wenn die Zuführung des Prozeßgases gestoppt wird. Daher ist möglich, die Partikel, die herabsinken, wenn das Plasma verschwindet, effizient an die Partikel-Ansaugelektrode anzusaugen.
Auch in diesem Fall legen die Mittel zum Anlegen einer Spannung eine positive Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode an. Daher ist es möglich, die negativ geladenen Partikel in die Partikel-Ansaugelektrode anzusaugen.
1 ist ein Längsschnitt, der die gesamte Konstruktion eines bevorzugten Plasmaverarbeitungssystems zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 ist ein schematisches Diagramm, das einen Hauptteil des Plasmaverarbeitungssystems von 1 zeigt;
3 ist ein Flußdiagramm, das den Ablauf eines Prozesses in dem Plasmaverarbeitungssystem von 1 zeigt;
4 ist eine Darstellung, die den Zustand zeigt, wenn Partikel, die im Plasma enthalten sind, von einer Elektrode angezogen werden;
5 ist eine Darstellung, die zeigt, daß ein ringförmiger Körper einen dünnen Film daran hindert, an die Peripherie eines Auflagetisches anzuhaften;
6 ist eine Schnittansicht von einem anderen Beispiel eines Auflagetisches;
7 ist ein weiteres Beispiel eines Auflagetisches;
8 ist ein Grundriß des Auflagetisches von 7;
9 ist ein Schaubild, das die Beziehung zwischen den Spannungen, die zwischen den Elektroden einer elektrostatischen Halterung angelegt wurden, und den Wafer-Temperaturen zeigt;
10 ist ein Schaubild, daß die Variation in der Dickeverteilung in bezug auf die Wafer-Temperaturen zeigt;
11 ist ein Grundriss von einem anderen Beispiel eines Auflagetisches;
12 ist ein Grundriss von einem Teil eines weiteren Beispiels eines Auflagetisches;
13 ist ein Längsschnitt von einem konventionellen Plasmaverarbeitungssystem; und
14 ist eine Darstellung, die den Zustand zeigt, wenn Partikel, die in dem Plasma enthalten sind, an einen Wafer in dem konventionellen Plasmaverarbeitungssystem anhaften.
1 zeigt schematisch ein bevorzugtes Plasmaverarbeitungssystem zur Verwendung bei der vorliegenden Erfindung. Wie in dieser Abbildung gezeigt, hat dieses Plasmaverarbeitungssystem ein Vakuumgefäß 2 aus z. B. Aluminium. Das Vakuumgefäß 2 umfaßt eine erste zylindrische Vakuumkammer 21, die in seinem oberen Teil angeordnet ist, zum Erzeugen von Plasma und eine zweite zylindrische Vakuumkammer 22, die mit dem Boden der ersten Vakuumkammer 21 in Verbindung steht. Das Vakuumgefäß 2 ist geerdet, um ein Nullpotential zu haben.
Das obere Ende der ersten Vakuumkammer 21 des Vakuumgefäßes 2 ist offen. Ein Transmissionsfenster 23 aus einem Mikrowellen-durchlässigem Material, z. B. Quarz, ist in dem oberen Ende derart luftdicht vorgesehen, daß es ein Vakuum in dem Vakuumgefäß 2 hält. Außerhalb des Transmissionsfensters 23 ist ein Wellenleiter 25 vorgesehen. Der Wellenleiter 25 ist mit einer Hochfrequenz-Stromversorgungseinheit 24 von z. B. 2,45 GHz verbunden, die als ein Mittel für die Zuführung von Hochfrequenz für die Plasmaerzeugung dient. Der Wellenleiter 25 ist dazu bestimmt, eine Mikrowelle zu leiten, die von der Hochfrequenz-Stromversorgungseinheit 24 in z. B. einem TE Modus erzeugt wurde oder um eine Mikrowelle, die in dem TE Modus geführt wurde, in einen TM Modus zu konvertieren, um die Mikrowelle von dem Transmissionsfenster 23 in die erste Vakuumkammer 21 hinein zu führen.
In der Seitenwand, welche die erste Vakuumkammer 21 abgrenzt, sind Gasdüsen 31 in regulären Intervallen entlang z. B. der Peripherie derselben angeordnet. Die Gasdüsen 31 sind mit Gasquellen (nicht gezeigt), z.B. einer Ar Gasquelle oder einer O₂ Gasquelle, verbunden, so daß Ar Gas und O₂ Gas gleichmäßig zu dem oberen Teil in der ersten Vakuumkammer 21 zugeführt werden kann.
In der zweiten Vakuumkammer 22 ist ein Auflagetisch 4 derart bereit gestellt, daß er der ersten Vakuumkammer 21 gegenübersteht. Wie in 2 gezeigt, umfaßt der Auflagetisch 4 einen Körper 41 aus z.B. Aluminium und eine elektrostatische Halterung (Chuck) 42, die auf dem Körper 41 vorgesehen ist. Die elektrostatische Halterung 42 umfaßt eine Platte eines Dielektrikums, z. B. AlN (Aluminiumnitrid), Elektroden 43, die darauf vorgesehen sind, und eine Heizvorrichtung (nicht gezeigt), die in der Platte des Dielektrikums vorgesehen ist. Die Elektroden sind mit einer Hochfrequenz-Stromversorgungseinheit 44 verbunden, um eine Vorspannung zum Ansaugen der Ionen an einen Wafer W anzulegen, sowie mit einer Gleichstromquelle 45, um den Wafer W elektrostatisch zu absorbieren.
Um den Auflagetisch 4 herum ist ein ringförmiger Körper 5 vorgesehen, der als ein den Auflagetisch umschließender Körper zum Umschließen des Auflagetisches 4 dient. Der ringförmige Körper 5 wird auf ein Auflagebein 51 aufgelegt, so daß die obere Fläche des ringförmigen Körpers 5 um die Auflagefläche des Auflagetisches 4 angeordnet ist. Der ringförmige Körper 5 ist dafür vorgesehen, einen Dünnfilm daran zu hindern, daß er auf einer Region unter der Auflagefläche des Auflagetisches 4, d. h. auf der Peripherie und dem unteren Teil des Auflagetisches 4, abgelegt wird. Die innere Kante des ringförmigen Körpers 5 ist derart positioniert, daß ein schmaler Spalt zwischen dem ringförmigen Körper 5 und dem Auflagetisch 5 eingegrenzt wird, und die äußere Kante des ringförmigen Körpers 5 ist derart positioniert, daß sie sich leicht außerhalb einer Plasma-Anstiegs-Region befindet und daß sie verhindert, daß Gas in dem Vakuumgefäß 2 aufgebraucht wird.
Der ringförmige Körper 5 ist aus einem Material gemacht, das schlecht geätzt werden kann, z.B. Al (Aluminium), AlN (Aluminiumnitrid) oder Al₂O₃. Aluminiumnitrid ist als ein Material, das besonders schlecht geätzt werden kann, besonders bevorzugt. In diesem Fall kann der gesamte ringförmige Körper 5 aus Aluminiumnitrid hergestellt sein, oder nur sein Oberflächenabschnitt kann aus Aluminiumnitrid hergestellt sein. In diesem Beispiel ist der ringförmige Körper 5 aus Aluminiumnitrid hergestellt, und eine Partikel-Ansaugelektrode 52 aus einer metallischen Folie ist in der Nähe der Oberfläche des ringförmigen Körpers 5, z. B. in einer Tiefe von 0,3 mm von der Oberfläche des ringförmigen Körpers 5, eingebettet. Die Elektrode 52 hat eine ringförmige Gestalt, um so den Auflagetisch 4 zu umgeben. Die Elektrode 52 ist an den positiven Potentialanschluß einer Gleichstromversorgungsquelle 54, die als ein Mittel zum Anlegen einer Spannung dient, oder an die Erde mit Hilfe eines Schalterteils 53 angeschlossen.
Andererseits, wie in 1 gezeigt, ist in dem oberen Teil der zweiten Vakuumkammer 22, d. h. in einem Teil der zweiten Vakuumkammer 22, der mit der ersten Vakuumkammer 21 verbunden ist, ein ringförmiges Abscheidegas-Zuführungsteil 6 vorgesehen. Das Abscheidegas-Zuführungsteil 6 ist derart ausgebildet, daß ein Abscheidegas in eine ringförmige Gaskammer 61 aus einer Gaszuführungsleitung (nicht gezeigt) eintritt, um in die zweite Vakuumkammer 22 über einen Gaseinlass 62 auf der Innenumfangsseite eingespritzt zu werden. Wie in 2 gezeigt ist, sind in der Innenumfangswand des Abscheidegas-Zuführungsteils 6 ringförmige Partikel-Ansaugelektroden 63 derart vorgesehen, daß sie mit der Vakuumkammer 22 in Kontakt gebracht werden. In diesem Fall werden die Partikel-Ansaugelektroden 63 in den oberen und unteren Stufen so zur Verfügung gestellt, daß sie auf beiden Seiten des Gaseinlasses 62 angeordnet sind. Die Elektroden 63 sind an den positiven Potentialanschluß einer Gleichstromstromversorgung, die als ein Mittel zur Spannungsversorgung dient, über ein Schalterteil 64 angeschlossen.
Wie in 1 gezeigt, ist in der Nähe des Außenumfangs der Seitenwand, die die erste Vakuumkammer 21 aufweist, ein Magnetfeld bildendes Mittel, z. B. eine ringförmige elektromagnetische Hauptspule 26, angeordnet. Unterhalb der zweiten Vakuumkammer 22 ist eine ringförmige elektromagnetische Hilfsspule 27 angeordnet. An dem Boden der zweiten Vakuumkammer 22 sind Auslaßleitungen 28 angeschlossen z. B. bei zwei Positionen, die symmetrisch in bezug auf die zentrale Achse der Vakuumkammer 22 sind.
Mit Bezug auf die Blockdiagramme der 1 und 2 und das Flußdiagramm der 3 wird im folgenden ein Verfahren zur Bildung einer Zwischenschicht eines dielektrischen Films (ein Dünnfilm) aus z. B. einem SiO₂-Film auf einem Wafer W, der als ein Substrat dient, auf dem z. B. eine Aluminiumverdrahtung mit Hilfe des Bearbeitungssystems mit dem oben beschriebenen Aufbau gebildet wurde, beschrieben.
Zuerst ist ein Einlassventil (nicht gezeigt), das in der Seitenwand des Vakuumgefäßes 2 vorgesehen ist, offen, und der Wafer W wird von einer Einlaß-Verschlußkammer (nicht gezeigt) mit Hilfe eines Transferarms (nicht gezeigt) eingeführt, um auf den Auflagetisch 4 (Schritt S1 von 3) montiert zu werden.
Dann werden eine Mikrowelle, eine Vorspannung, eine elektrostatische Haltespannung und Gase bereitgestellt, um Plasma herzustellen, um einen Dünnfilm-Abscheideprozeß auf dem Wafer W (Schritt S2 der 3) durchzuführen. Insbesondere wird eine Gleichspannung zwischen den Elektroden 43 der elektrostatischen Halterung 42 des Auflagetisches 4 angelegt, um zu bewirken, daß die Halterung 42 den Wafer W elektrostatisch hält. Anschließend, nachdem das Einlaßventil geschlossen ist, um das Vakuumgefäß 2 abzudichten, wird die innere Atmosphäre über die Auslaßleitungen 28 abgeführt, um das Innere des Vakuumgefäßes 2 auf einen vorbestimmten Grad an Vakuum abzupumpen. Dann werden plasmaerzeugende Gase, z. B. Ar und O₂ Gase, von den Gasdüsen 31 in die erste Vakuumkammer 21 bei Strömungsraten von jeweils Z. B. 103 sccm und 200 sccm eingeführt. Zusätzlich wird ein Abscheidegas, z. B. SiH₄ Gas, von dem Abscheidegas-Zuführungsteil 6 in die zweite Vakuumkammer 22 bei einer Strömungsrate von z. B. 72 sccm eingeführt. Dann wird das Innere des Vakuumgefäßes 2 bei einem vorbestimmten Prozeßdruck gehalten. Die Oberflächentemperatur des Auflagetisches 4 ist auf etwa 300 °C eingestellt.
Eine Mikrowelle von 2,45 GHz und 2,0 kW von der Hochfrequenz-Stromversorgungseinheit 24 geht durch den Wellenleiter 25, um die Decke des Vakuumgefäßes 2 zu erreichen, und geht durch das Transmissionsfenster 23, um in die erste Vakuumkammer 21 eingeführt zu werden. Durch die elektromagnetischen Spulen 26 und 27 wird ein Magnetfeld gebildet, das sich von dem oberen Teil der ersten Vakuumkammer 21 in Richtung des unteren Teils der zweiten Vakuumkammer 22 erstreckt. In diesem Fall ist die Intensität des Magnetfeldes z. B. 875 Gauß in der Nähe des unteren Teils der ersten Vakuumkammer 21. So wird durch die Wechselwirkung zwischen dem Magnetfeld und der Mikrowelle die Elektron-Zyklotronresonanz verursacht, so daß Ar und O₂ Gase als Plasma aktiviert und verstärkt werden. Bei der Verwendung von Ar Gas wird das Plasma stabilisiert.
Das Plasma, das aus der ersten Vakuumkammer 21 in die zweite Vakuumkammer 22 fließt, aktiviert SiH₄ Gas, das dort hinein zugeführt wurde, um aktive Spezies zu bilden. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Vorspannung von 13,56 MHz und 1,5 kW an den Auflagetisch 4 mit Hilfe der Hochfrequenz-Stromversorgungseinheit 44 angelegt. Durch diese Vorspannung werden Ionen an den Wafer W angezogen, um mit den aktiven Spezies und dem Plasma aus O₂ Gas zu reagieren und einen SiO₂ Film auf den Wafer W abzuscheiden.
Während die Abscheidung so ausgeführt wird, werden die Schalterteile 53 und 64 zur Erde geschaltet, so daß keine Spannung an den Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 anliegt. Unmittelbar bevor die Abscheidung beendet ist, z. B. 1 bis 2 Sekunden bevor die Abscheidung beendet ist, werden die Schalterteile 53 und 64 jeweils an die Gleichstromquellen 54 und 65 geschaltet, so daß eine positive Spannung an den Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 (Schritt S3 von 3), anliegt. Da die Geschwindigkeit von Elektronen im Plasma höher ist als die von Ionen darin, ist die Anzahl der Elektronen, die in ein Material im Plasma eindringen, größer als die von Ionen. Aus diesem Grund sind Partikel im Plasma negativ geladen. Daher werden die negativ geladenen Partikel, wie in 4 gezeigt, an die Elektroden 52 und 63, an die die positive Spannung angelegt worden ist, gesaugt.
Wenn die positive Spannung an die Elektrode 52, die in dem ringförmigen Körper 5 eingebettet ist, angelegt worden ist, dient das Dielektrikum (in diesem Beispiel Aluminiumnitrid), das auf der Elektrode 52 gebildet wurde, sozusagen als ein Kondensator. Daher werden die negativ geladenen Partikel, unmittelbar nachdem die positive Spannung an die Elektrode 52 angelegt wurde, an den Kondensator gesaugt. Daher wirkt die partikelansaugende Funktion der Elektrode 52 nur für eine kurze Zeit. Deshalb liegt der Zeitpunkt zum Anlegen der positiven Spannung an die Elektrode 52 bevorzugt unmittelbar bevor die Erzeugung von Plasma gestoppt wurde, insbesondere 1 bis 2 Sekunden bevor die Zuführung des Abscheidegases gestoppt wurde oder bevor die Zuführung der Mikrowelle gestoppt wurde. Obgleich die Partikel, die im Plasma enthalten sind, absinken, wenn das Plasma verschwindet, werden die Partikel im Hinblick auf die möglichst weitgehende Verhinderung des Absinkens der Partikel zu dem Wafer W bevorzugt angesaugt, wenn sie herabsinken.
Da die Elektroden 63, die in dem Abscheidegas-Zuführungsteil 6 vorgesehen sind, zu Beginn frei liegen, haben die Elektroden 63 immer die Partikel-Ansaugfunktion, sobald die positive Spannung daran angelegt wird. Nachdem jedoch der Abscheideprozeß wiederholt wurde, wird auch ein Dünnfilm von SiO₂ auf die Oberfläche der Elektroden 63 abgeschieden. Da dieser Dünnfilm dielektrisch ist, wirkt er als ein Kondensator. Daher liegt der Zeitpunkt des Anlegens der positiven Spannung unmittelbar bevor die Erzeugung von Plasma gestoppt wird.
Dann werden die Hochfrequenz-Stromversorgungseinheiten 24, 44 und die Gleichstromquelle 45 ausgeschaltet, um die Erzeugung von Mikrowellen und das Anlegen der Vorspannung und der elektrostatischen Haltespannungen zu stoppen und die Zuführung von Ar, O₂ und SiH₄ Gasen wird gestoppt, um die Abscheidung (Schritt S4 von 3) zu beenden. Nachdem die Abscheidung beendet ist, werden die Schalterteile 53 und 64 zu einem geeigneten Zeitpunkt geschaltet, um die Elektroden 52 und 63 mit der Erde zu verbinden, damit die Kondensatoren der Elektroden 52 und 63 (Schritt S5 von 3) entladen werden.
Danach wird der Wafer W von der zweiten Vakuumkammer 22 zu der Lade-Verschlußkammer (nicht gezeigt) (Schritt S6 von 3) überführt. Zu diesem Zeitpunkt, wenn die Anzahl der verarbeiteten Wafer nicht eine vorgegebene Anzahl erreicht (Schritt S7 von 3), wird ein Abscheideprozeß auf den nächsten Wafer W in der gleichen Art (Schritte S1 bis S6 von 3) ausgeführt. Wenn andererseits die Anzahl der verarbeiteten Wafer die vorgegebene Anzahl erreicht (Schritt S7 von 3), wird das Innere des Vakuumgefäßes 2 gereinigt (Schritt S8 von 3). Weil es erforderlich ist, durch Entfernen des Films die Erzeugung von Partikeln zu verhindern, da der Film auf der Oberfläche des Wafer W sowie auf der inneren Wand des Vakuumgefäßes 2 und der Oberfläche des ringförmigen Körpers 5 abgeschieden wird, wenn der Film auf dem Wafer W abgeschieden wird. Insbesondere wird Plasma unter Verwendung von z. B. N₂ und NF₃ Gasen hergestellt, um den Dünnfilm in dem Vakuumgefäß 2 zu ätzen und zu entfernen.
Sobald die Reinigung (Batch-Reinigung) ausgeführt worden ist, wenn die Anzahl der Prozesse die vorgegebene Anzahl überschritten hat, kann eine Reinigung jedes Wafers ausgeführt werden, d. h. eine Reinigung kann zu jedem Zeitpunkt, zu dem ein beschichteter Wafer aus dem Gefäß 2 herausgenommen worden ist, sequentiell ausgeführt werden. In dem letzteren Fall ist es nicht erforderlich, den Schritt der Bestimmung, ob die Anzahl der Prozesse die vorgegebene Anzahl überschreitet (Schritt S7 von 3), auszuführen.
In einem konventionellen Plasmaverarbeitungssystem, das keinen ringförmigen Körper 5 hat, wird ein Dünnfilm (Reaktionsprodukt) in den Gegenden abgeschieden, die den Auflagetisch 4 umgeben und unter ihm sind, wie durch die gepunkteten Linien von 5 gezeigt wird. Da jedoch in diesem bevorzugten System der ringförmige Körper (der den Auflagetisch umgebende Körper) 5, der den Auflagetisch umgibt, vorgesehen wird, wird die Abscheidung auf der Gegend, die durch die gepunkteten Linien von 5 gezeigt wird, verhindert, so daß die Abscheidung hauptsächlich auf der Oberfläche des ringförmigen Körpers 5 ausgeführt wird. Obgleich das Plasma Schwierigkeiten hat, die Gegenden, die den Auflagetisch 4 umgeben und darunter sind, zu erreichen, um den Dünnfilm zu entfernen, kontaktiert die Oberfläche des ringförmigen Körpers 5 das Plasma ausreichend, so daß der Dünnfilm leicht entfernt wird. Da der ringförmige Körper 5 aus Aluminiumnitrid hergestellt ist, ist er schwer ätzbar und hat eine lange Lebensdauer.
Die obere Fläche des ringförmigen Körpers 5 ist derart geformt daß sie eine horizontale Ebene bildet, um Plasma zu stabilisieren. Der Grund hierfür ist, daß dann, wenn die Oberseite des ringförmigen Körpers 5 geneigt ist, so daß sie z. B. in Richtung des inneren oder äußeren Umfangs ansteigt, das obere Ende auf der ansteigenden Seite scharfkantig ist, so daß dort die Möglichkeit besteht, daß Plasma darauf konzentriert wird, um eine abnormale Entladung zu verursachen.
Obgleich die Partikel, die sich in dem leitenden Plasma befinden, freigesetzt werden, wenn die Herstellung von Plasma beendet ist, können die freigesetzten Partikel an die Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 angesaugt werden, wie oben beschrieben, entsprechend dem bevorzugten System zur Ausführung des Verfahrens mit dem oben beschriebenen Aufbau. Somit ist es möglich, die Anzahl der Partikel zu senken, die zu dem Wafer W absinken und/oder an den Wafer W angezogen werden. Wenn der Wafer W mit dem Plasma verarbeitet wird, ist es daher möglich, die Partikel am Anhaften an den Wafer W zu hindern, um die Ausbeute zu verbessern. Da der Dünnfilm (Reaktionsprodukt) am Anhaften an die Umgebung des Auflagetisches 4 gehindert wird, wird die Reinigungszeit, die erforderlich ist, um den Dünnfilm zu entfernen, verkürzt, so daß die Reinigungseffizienz verbessert wird.
[Versuchsergebnisse]
Die Ergebnisse eines vergleichenden Experimentes, das ausgeführt wurde, um die Effekte der vorliegenden Erfindung zu untersuchen, wird unten beschrieben werden.
In diesem Experiment wurde ein SiO₂ Film auf einem Wafer, der eine Größe von ungefähr 20 cm (8 Inch) hat, anhand der oben beschriebenen Prozeßbedingungen gebildet, und die Anzahl der Partikel, die mit den Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 an der Oberfläche des Wafers anhaften, wurden mit derjenigen ohne die Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 verglichen. Die Partikel mit einer Größe von 0,2 μm oder mehr wurden gezählt.
Insbesondere, wenn die Erzeugung des Plasmas beendet wurde, während die Elektroden 52 und 63 mit der Erde verbunden waren, d. h. ohne Verwendung der Elektroden 52 und 63, und wenn eine Sekunde, bevor die Erzeugung des Plasmas beendet war, eine positive Ladung an die Elektroden 52 und 63 angelegt war, wurden die Experimente ausgeführt. Wenn eine positive Ladung an die Elektroden 52 und 63 angelegt war, wurden die Experimente in bezug auf zwei Arten von Spannungen von 0,6 kV und 1,0 kV ausgeführt.
Wenn die Partikel-Ansaugelektroden 52 und 63 nicht verwendet wurden, überschritt als ein Resultat die Anzahl der Partikel die 50. Wenn andererseits eine positive Spannung von 0,6 kV oder 1,0 kV angelegt war, war die Anzahl der Partikel 10 oder weniger. So wurde es bestätigt, daß die Partikel vom Anhaften an den Wafer gehindert wurden, entsprechend der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung können die Partikel-Ansaugelektroden auf der inneren Wand des Vakuumgefäßes 2 vorgesehen sein, oder sie können der Oberfläche des ringförmigen Körpers 5 ausgesetzt sein, ohne eingebettet zu sein. Obwohl der ringförmige Körper 5 als der den Auflagetisch umgebende Körper verwendet wurde, kann ein Element, das eine andere Form hat, verwendet werden, so lange es den Auflagetisch 4 umgibt.
Das Plasmaverarbeitungssystem, das für den Prozeß verwendet wird, sollte nicht auf die oben beschriebene ECR begrenzt werden. Der Prozeß sollte nicht auf den oben beschriebenen Dünnfilm-Abscheideprozeß begrenzt werden. Zum Beispiel kann der Plasmaprozeß auf das Ätzen oder ähnliches angewendet werden. Wenn zum Beispiel geätzt wird, selbst wenn die Partikel-Ansaugelektroden in dem Vakuumgefäß exponiert sind, erfolgt keine Abscheidung auf ihrer Oberfläche. Daher muß die positive Spannung an die Partikel-Ansaugelektroden angelegt werden, unmittelbar bevor die Erzeugung des Plasmas beendet wird.
[Bevorzugte Konstruktion des Auflagetisches zur Verwendung in einem anspruchsgemäßen Verfahren]
Eine bevorzugte Struktur des Auflagetisches 4 wird unten beschrieben.
Der Körper 41 des Auflagetisches 4, der in 6 gezeigt ist, bildet einen Kühlmantel, in dem eine Kühlmittelpassage (nicht gezeigt) gebildet ist. Obgleich der Wafer W geheizt wird, wenn das Plasma erzeugt wird, wird deshalb diese Wärme auf den Körper 41 mit Hilfe der elektrostatischen Halterung 42 abgestrahlt. Da der Wafer W in eine Vakuumatmosphäre eingebracht wird, wird der Grad der Strahlung durch den Grad des Kontaktes des Wafers W mit der Oberfläche der elektrostatischen Halterung 42 gesteuert. Daher kann die Temperatur des Wafers W z. B. durch Einstellen der Haltekraft der elektrostatischen Halterung 42 gesteuert werden.
In dem Beispiel von 6 umfaßt die elektrostatische Halteelektrode 43 eine ringförmige Elektrode 43A, die im Inneren angeordnet ist, und eine ringförmige Elektrode 43B, die konzentrisch außerhalb der Elektrode 43A angeordnet ist. Eine Gleichstromspannung wird zwischen den Elektroden 43A und 43B mit Hilfe der Gleichstromquelle 45 (Schaltkreisteile sind einfach gezeigt) angelegt. Die äußere Kante der äußeren Elektrode 43B ist außerhalb der äußeren Kante des Wafers W mit einem Abstand von 2 mm oder mehr, z. B. 3 mm, angeordnet. Mit anderen Worten, der äußere Durchmesser der äußeren Elektrode 43B ist um 4 mm oder mehr größer als der Durchmesser des Wafers W. Das heißt, die Abmessung M in 6 beträgt 2 mm oder mehr.
Wenn der Auflagetisch 4 so konstruiert wird, ergeben sich die folgenden Vorteile. Um die elektrostatische Halterung zu bilden, ist die Außenseite der Oberfläche des Dielektrikums 40 aufgrund des Konstruktionsprozesses etwas niedriger. Daher ist die äußere Kante der Elektrode 43 (die äußere Kante der äußeren Elektrode 43B in dem oben beschriebenen Beispiel) außerhalb des Wafers W angeordnet, so daß eine ausreichende Haltekraft auch an der äußeren Kante des Wafers W anliegt. So wird das Festhalten zwischen dem Wafer W und der elektrostatischen Halterung 42 gleichförmig über die gesamte Oberfläche des Wafers W ausgeführt, so daß die Wärme der gesamten Oberfläche des Wafers W gleichförmig abgestrahlt wird. Daher ist es möglich, wenn es mit einem Fall verglichen wird, wo die äußere Kante der Elektrode 43 innerhalb des Wafers W angeordnet ist, eine hohe Gleichförmigkeit der Temperatur auf gleicher Ebene bis zu der äußeren Kante des Wafers W zu garantieren. Selbst wenn daher ein für Bauteile vorgesehenes Gebiet auf dem Wafer sich nach außen erstreckt, können die Strukturen geeignet eingebettet werden.
In bezug auf einen Wafer W, der eine Größe von etwa 20 cm (8 Inch) hat, wurden Experimente zum Füllen einer Rille, die eine Weite von 0,8 μm hat, durch Variieren des äußeren Durchmessers der Elektrode 43 ausgeführt. Wenn die Extrusionsabmessung M (6) der Elektrode 43 in bezug auf den Wafer W –3 mm (die äußere Kante der Elektrode 43 war innerhalb der äußeren Kante des Wafers W angeordnet) und 0 mm war, hatten die Rillen, die gefüllt werden konnten, als Resultat Seitenverhältnisse von jeweils 1 und 2. Andererseits, wenn die Abmessung M 3 mm oder mehr war, hatte eine Rille, die gefüllt werden konnte, Seitenverhältnisse von 3.
Es gilt, daß dieses Resultat auf der Tatsache beruht, daß dann, wenn der äußere Durchmesser der Elektrode 43 gleich dem des Wafers W oder kleiner ist, die elektrostatische Haltekraft des äußeren Kantenabschnitts des Wafers W geschwächt ist, so daß sich Wärmeabstrahlung des Wafers W verschlechtert, so daß sich die Einbettungscharakteristika der Strukturen verschlechtern.
Die äußere Kante des Dielektrikums 40 ist vorzugsweise außerhalb der äußeren Kante der Elektrode 43 angeordnet und ihre Extrusionsabmessung L (6) ist vorzugsweise 30 mm oder mehr. Der Grund hierfür ist, daß die elektrischen Felder auf die Ecken der äußeren Kante der oberen Fläche des Dielektrikums 40 konzentriert sind, um eine abnormale Entladung zu verursachten, um die Erzeugung der Partikel zu bewirken, da ein Teil des Dielektrikums 40 außerhalb der Elektrode 43 als ein Kondensator wirkt. Das bedeutet, daß die äußere Kante des Dielektrikums 40 von der Elektrode 43 entfernt ist, um die Konzentration der elektrischen Felder abzuschwächen, so daß es schwierig ist, eine abnormale Entladung zu verursachen.
7 und 8 zeigen ein anderes Beispiel eines Auflagetisches 4. In diesem Beispiel werden Irregularitäten in dem zentralen Bereich der Oberfläche des Dielektrikums 40 gebildet und keine Irregularitäten auf dem Umfangsabschnitt der Oberfläche des Dielektrikums 40, so daß die gesamte Oberfläche des Wafers W das Dielektrikum kontaktiert. In 7 ist die Tiefe der Rille in der Abbildung aus praktischen Gründen größer dargestellt, obgleich die tatsächliche Tiefe eines vertieften Teiles (Rille) so eingestellt ist, daß sie z. B. ungefähr 50 mm beträgt. In 8 korrespondiert ein kreisförmiger Bereich (Bezugszeichen 7), der in dem zentralen Bereich als Gitter dargestellt wird, mit einem Bereich, auf dem die Irregularitäten von 7 gebildet sind. Unter der Annahme, daß dieser Bereich als Irregularitätsbereich 7 bezeichnet wird, ist in dem Fall eines Auflagetisches für einen 8-Inch (ungefähr 20 cm) Wafer der Durchmesser des Dielektrikums 40 205 mm, und der Durchmesser des Irregularitätsbereichs 7 ist 150 mm.
Wenn der Auflagetisch 4 derart aufgebaut ist, werden die unten beschriebenen Vorteile erreicht.
Um zum Beispiel die Qualität eines dielektrischen Zwischenschichtfilms zu verbessern, ist es beobachtet worden, daß ein SiOF-Film anstelle eines SiO₂-Films eingesetzt wurde. Wenn ein SiOF-Film durch ein ECR-System unter Verwendung von SiF₄ und O₂ Gasen abgeschieden wurde, ist eine Prozeßtemperatur zum Beispiel 350 °C, was höher ist als die Prozeßtemperatur (z. B. 250 °C), wenn ein SiO₂-Film abgeschieden wird. Wie oben beschrieben, wird die Temperatur des Wafers W z. B. durch Einstellen der Haltekraft der elektrostatischen Halterung 42 gesteuert. Die Erhöhung der Temperatur des Wafers W dient dazu, die Haltekraft der elektrostatischen Halterung 42 abzuschwächen, d. h. um die Spannung, die zwischen den Elektroden 43 und 43 angelegt ist, zu senken. 9 zeigt schematisch ein Beispiel der Beziehung zwischen der elektrostatischen Haltespannung, d. h. der Spannung, die zwischen den Elektroden 43 und 43 angelegt ist, und der Temperatur des Wafers W. In dem Beispiel, das in 9 gezeigt ist, wird die Spannung von 1,6 kV auf 0,5 kV gesenkt, um die Wafertemperatur von 250 °C auf 350 °C zu erhöhen.
Wie oben beschrieben, tendiert die Höhe des Umfangs des Dielektrikums 40 zum Absenken und der Wafer W ist leicht gekrümmt. Wenn daher die Haltekraft der gesamten elektrostatischen Halterung 42 geschwächt ist, verringert sich besonders der Grad des Flächenkontaktes in dem Umfangsbereich des Wafers W. Aus diesem Grund ist die Temperatur des Unfangsbereichs des Wafers W höher als jene des zentralen Teils desselben, so daß sich auf gleicher Ebene die Gleichmäßigkeit der Dicke des Films verschlechtert.
10 zeigt die untersuchten Resultate der Beziehung zwischen der Position eines SiO₂-Films auf einem Wafer (die Entfernung von dem Zentrum) und der Dicke des Films, wenn der SiO₂-Film auf einem üblichen Auflagetisch bei Prozeßtemperaturen von (a) 264 °C und (b) 360 °C abgeschieden wurde. Aus den Resultaten kann man erkennen, daß in dem Fall (b) der höheren Prozeßtemperatur die Dicke des Umfangsbereichs des Wafers geringer ist als die seines zentralen Teils, und die Temperatur des Umfangsbereichs ist höher (weil die Abscheiderate und die Dicke abnehmen, wenn sich die Temperatur in diesem Dünnfilm-Abscheideprozeß erhöht).
Wenn daher die Kontaktfläche des Umfangsbereichs des Wafers W mit dem Auflagetisch 4 größer ist als jene des zentralen Teils, wie bei diesem Beispiel, können die Grade des Kontakts des Unfangsbereichs und des zentralen Teils des Wafers W mit Hinsicht auf die Oberfläche des Auflagetisches 4 (das Dielektrikum 42) gleich sein. Als ein Resultat kann eine gleichmäßige Wärmeübertragung auf der gesamten Oberfläche des Wafers W erreicht werden. Daher kann die Gleichmäßigkeit der Temperatur innerhalb der Ebene des Wafers W verbessert werden, so daß die Gleichmäßigkeit der Filmdicke innerhalb der Ebene des Wafers W verbessert werden kann.
Als ein Beispiel von solch einem Auflagetisch 4 können radiale Rillen 71, die sich von dem zentralen Teil des Auflagetisches 4 (das Dielektrikum 42) zu seinem Umfang erstrecken, wie in 11 gezeigt, gebildet werden, so daß die Kontaktfläche des Umfangsbereichs größer ist als jene des zentralen Teils. In Übereinstimmung mit den Verhältnissen kann die Kontaktfläche des Umfangsbereichs des Wafers W geringer sein als jene des zentralen Teils desselben, im Gegensatz zu dem oben beschriebenen Beispiel.
Wenn auf der Oberfläche des Wafers W sich Irregularitäten gebildet haben, besteht ein Vorteil darin, daß der Wafer W leicht von der elektrostatischen Halterung 42 gelöst werden kann, zusätzlich zu dem Vorteil, daß die Kontaktfläche gesteuert werden kann, wie oben beschrieben. Daher können in Hinsicht auf den vorigen Vorteil Irregularitäten auf der Oberfläche des Auflagetisches 4 gebildet werden, so daß die Kontaktfläche einheitlich auf der Oberfläche des Wafers W ist. In diesem Falle können zum Beispiel quadratische Vorsprünge 73 als Inseln gebildet werden, dadurch, daß gitterähnliche Rillen 72, wie in 12 gezeigt, gebildet werden. Die Länge P von einer Seite der quadratischen Vorsprünge 73 ist 1,8 mm, die Breite Q der Rille 72 ist 1,2 mm und die Tiefe der Rille 72 ist 0,5 mm, als ein Beispiel.

Claims

Verfahren zum Verarbeiten eines Substrats in einem Plasmaverarbeitungssystem mit einem Vakuumgefäß und einer Auflagetisch (4), der in dem Vakuumgefäß (2) vorgesehen ist, zum Halten des Substrats (W) darauf und einer Partikel-Ansaugelektrode (52), die in dem Vakuumgefäß (2) vorgesehen ist, wobei ein Prozeßgas in das Vakuumgefäß eingeleitet wird, um ein Plasma des Prozeßgases zu erzeugen, um ein Prozeß in Bezug auf das Substrat, das von dem Auflagetisch (4) getragen wird, mit dem Plasma des Prozeßgases auszuführen, und eine positive Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode (52) angelegt wird, wenn die Erzeugung des Plasmas beendet wird, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Anlegen der Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode begonnen wird, unmittelbar bevor die Erzeugung des Plasmas beendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Prozeß, der mit dem Plasma in Bezug auf das Substrat (W) ausgeführt wird, ein Dünnfilm-Abscheideprozeß ist.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Prozeß, der mit dem Plasma in Bezug auf das Substrat (W) ausgeführt wird, ein Ätzprozeß ist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei mit dem Anlegen der Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode begonnen wird, wenn die Zuführung des Prozeßgases gestoppt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Vakuumgefäß (2) eine erste Vakuumkammer (21) zum Erzeugen eines Plasma darin unter Verwendung einer Hochfrequenz und eine zweite Vakuumkammer (22), die mit der ersten Vakuumkammer (21) in Verbindung steht, aufweist, mit den weiteren Verfahrensschritten: Zuführen der Hochfrequenz zu der ersten Vakuumkammer (21); Zuführen des Prozeßgases zu der zweiten Vakuumkammer (22); und Halten eines Substrats (W) in der zweiten Vakuumkammer (22), wobei das Plasma des Prozeßgases in der zweiten Vakuumkammer (22) erzeugt wird, um in Bezug auf das Substrat (W) auf dem Auflagetisch (2) mit dem Plasma des Prozeßgases ein Prozeß auszuführen.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Prozeßgas in die zweite Vakuumkammer (22) eingespritzt wird.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei mit dem Anlegen der Spannung an die Partikel-Ansaugelektrode (52) begonnen wird, unmittelbar bevor die Zuführung der Hochfrequenz gestoppt wird.