TWI593048B - Substrate processing system, substrate holder, substrate holder pair, substrate bonding apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Substrate processing system, substrate holder, substrate holder pair, substrate bonding apparatus, and device manufacturing method Download PDF

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TWI593048B TW099123774A TW99123774A TWI593048B TW I593048 B TWI593048 B TW I593048B TW 099123774 A TW099123774 A TW 099123774A TW 99123774 A TW99123774 A TW 99123774A TW I593048 B TWI593048 B TW I593048B
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Description

基板處理系統、基板保持具、基板保持具對、基板接合裝置及元件之製造方法
本發明係關於基板處理系統、基板保持具、基板保持具對、基板接合裝置及元件之製造方法。
有積層分別形成有元件、電路等之半導體基板而被製造之積層型半導體裝置。於積層半導體基板之場合係將保持於基板保持具之一對半導體基板以半導體電路之線寬精度精密地對齊並積層後將基板全體加熱、加壓以使接合。此時，使用對齊一對半導體基板之對齊裝置、加熱加壓以實現永久接合之加熱加壓裝置。
專利文獻1：日本特開平11-261000號公報
專利文獻2：日本特開2005-251972號公報
專利文獻3：日本特開2007-115978號公報
在積層2片半導體基板之場合，若於互相對向之半導體電路區域間夾入塵埃，即使僅有少量亦會導致電路作動不良。此外，加熱加壓會局部不充分，可能招致接合強度不足。
針對此點，於本發明之1個態樣，以提供可解決上述之課題之「基板處理系統、基板保持具、基板保持具對、基板接合裝置及元件之製造方法」為目的。此目的係由於申請專利範圍中之獨立項記載之特徵之組合達成。此外，附屬項係規定本發明之更有利之具體例。
本發明之第1態樣之基板保持具，具備抑止塵埃往保持基板之區域流入之塵埃流入抑止機構。
本發明之第2態樣之基板保持具，具備具有保持基板之保持面之保持具本體；設於前述保持面之基板保持區域之外周部之結合構件；於前述結合構件之中與被結合構件對向之對向面形成凸部以與前述被結合構件點接觸或線接觸。
本發明之第3態樣之將複數基板重疊而被製造之元件之製造方法，其特徵在於：將前述複數基板重疊之步驟包含將前述複數基板之至少一個基板載置於具有保持基板之保持面之保持具本體及設於前述保持面之基板保持區域之外周部之結合構件且於前述結合構件之中與被結合構件對向之對向面形成凸部以與前述被結合構件點接觸或線接觸之基板保持具之步驟。
本發明之第4態樣之基板處理系統，包含：使保持第1基板之第1基板保持具與保持第2基板之第2基板保持具相對向以夾持前述第1基板與前述第2基板之基板保持具系統、保持前述基板保持具系統之處理裝置，其特徵在於：於前述基板保持具系統及前述處理裝置之至少一方具備抑止塵埃往夾持前述第1基板與前述第2基板之區域流入之塵埃流入抑止機構。
本發明之第5態樣之基板處理系統，包含：使保持第1基板之第1基板保持具與保持第2基板之第2基板保持具相對向以夾持前述第1基板與前述第2基板之基板保持具系統、保持前述基板保持具系統之處理裝置，其特徵在於：具備設於前述第1基板保持具之被結合構件；對向於前述被結合構件設於前述第2基板保持具之結合構件；於前述基板保持具系統保持於前述處理裝置時，前述結合構件與前述被結合構件之接觸面比前述第1基板與前述第2基板之接合面對重力方向位於下方。
本發明之第6態樣之將複數基板重疊而被製造之元件之製造方法，其特徵在於：將前述複數基板重疊之步驟包含於包含使保持第1基板之第1基板保持具與保持第2基板之第2基板保持具相對向以夾持前述第1基板與前述第2基板之基板保持具系統、保持前述基板保持具系統之處理裝置之基板處理系統中，將前述第1基板與前述第2基板保持為於前述基板保持具系統保持於前述處理裝置時，前述結合構件與前述被結合構件之接觸面比前述第1基板與前述第2基板之接合面對重力方向位於下方之步驟。
本發明之第7態樣之基板保持具對，具備載置第1基板之第1基板保持具；載置第2基板之第2基板保持具；前述第1基板保持具與前述第2基板保持具夾持前述第1基板與前述第2基板時，抑止塵埃往前述第1基板與前述第2基板之方向流入之塵埃流入抑止機構。
本發明之第8態樣之基板保持具對，具備具有載置第1基板之第1載置區域與設於前述第1載置區域之外周部之第1結合部之第1基板保持具；具有載置第2基板之第2載置區域與設於前述第2載置區域之外周部之第2結合部之第2基板保持具；在使前述第1載置區域與前述第2載置區域對向，使前述第1結合部與前述第2結合部結合之狀態下抑止塵埃往前述第1載置區域與前述第2載置區域流入之塵埃流入抑止機構；前述塵埃流入抑止機構係設於前述第1基板保持具之前述第1載置區域與前述第1結合部之間及前述第2基板保持具之前述第2載置區域與前述第2結合部之間之至少一方。
本發明之第9態樣之將複數基板重疊而被製造之元件之製造方法，其特徵在於：將前述複數基板重疊之步驟包含於具有載置第1基板之第1載置區域與設於前述第1載置區域之外周部之第1結合部之第1基板保持具載置前述第1基板之步驟；於具有載置第2基板之第2載置區域與設於前述第2載置區域之外周部之第2結合部之第2基板保持具載置前述第2基板之步驟；以設於前述第1基板保持具之前述第1載置區域與前述第1結合部之間及前述第2基板保持具之前述第2載置區域與前述第2結合部之間之至少一方之塵埃流入抑止機構抑止塵埃往前述第1載置區域與前述第2載置區域流入，同時使前述第1結合部與前述第2結合部結合以使前述第1基板保持具與前述第2基板保持具一體化之步驟。
本發明之第10態樣之基板保持具，載置基板並被搬送，其特徵在於具備：於表面具有載置基板之載置區域之保持具本體；設於前述載置區域之外周部並與被結合構件結合之結合構件；埋設於前述保持具本體之前述載置區域與前述結合構件之間之塵埃捕獲區域之使靜電力產生以捕獲塵埃之塵埃捕獲電極。
本發明之第11態樣之基板保持具，載置基板並被搬送，其特徵在於具備：於表面具有載置基板之載置區域之保持具本體；埋設於比前述保持具本體之前述載置區域更偏前述基板保持具之搬送方向側之塵埃捕獲區域之使靜電力產生以捕獲塵埃之塵埃捕獲電極。
本發明之第12態樣之將複數基板重疊而被製造之元件之製造方法，其特徵在於：將前述複數基板重疊之步驟包含於具有載置第1基板之第1載置區域與設於前述第1載置區域之外周部之結合構件之第1基板保持具載置前述第1基板之步驟；於具有載置第2基板之第2載置區域與設於前述第2載置區域之外周部之被結合構件之第2基板保持具載置前述第2基板之步驟；對埋設於前述第1基板保持具之前述第1載置區域與前述結合構件之間及前述第2基板保持具之前述第2載置區域與前述被結合構件之間之至少一方之塵埃捕獲區域之塵埃捕獲電極通電以使靜電力產生，同時使前述結合構件與前述被結合構件結合以使前述第1基板保持具與前述第2基板保持具一體化之步驟。
本發明之第13態樣之以基板之狀態被搬送而被製造之元件之製造方法，其特徵在於：搬送前述基板之步驟包含於具有載置前述基板之載置區域之基板保持具載置前述第1基板之步驟；對埋設於比前述載置區域更偏前述基板保持具之搬送方向側之塵埃捕獲區域之塵埃捕獲電極通電以使靜電力產生，同時將前述基板連同前述基板保持具搬送之步驟。
另外，上述發明內容並非列舉本發明之所有必要特徵者，此等特徵群之次組合亦可成為發明。
以下雖透過發明之實施形態說明本發明之數個態樣，但以下之實施形態並非限定申請專利範圍之發明者，且在實施形態中被說明之特徵之組合之全部亦未必為發明之解決手段所必須。
(第1實施形態)
圖1係概略顯示第1實施形態之基板接合裝置1010之說明圖。基板接合裝置1010具備半導體晶圓即第1基板1016、進行積層於第1基板1016之半導體晶圓即第2基板1017之相對對齊之對準裝置1011。此外，具備將被以對準裝置1011對齊之第1基板1016及第2基板1017互相接合之接合裝置1012。
第1基板1016係保持於第1基板保持具1014，第2基板1017係保持於第2基板保持具1015。在對準裝置1011係第1基板1016與第2基板1017被對齊後，第1基板保持具1014與第2基板保持具1015夾持第1基板1016與第2基板1017而被一體化，形成基板保持具對1018。關於具體之基板保持具對1018之構成後述。
基板接合裝置1010另具備將被以對準裝置1011一體化之基板保持具對1018往接合裝置1012搬送之搬送裝置1013。此外，搬送裝置1013係即使半導體晶圓、基板保持具單體亦可在裝置間搬送。搬送裝置1013具備把持基板保持具對1018等把持物之把持部1019、以旋轉、伸縮動作使把持物往既定之位置移動之臂部1020。
圖2係概略顯示本實施形態之半導體晶圓之俯視圖。
半導體晶圓即第1基板1016、第2基板1017係由由單一之單結晶矽構成之圓形之薄板構件構成，於其一面造有複數電路區域1021。於區劃形成為矩陣狀之電路區域1021形成有電晶體、電阻、電容等電路元件。電路元件係以微影技術為核心，使用薄膜形成技術、蝕刻技術、不純物擴散技術等成形技術而被形成。此外，於個別之電路區域1021之內部設有對準標記。對準標記係用於基板間之對齊之指標。設於第1基板1016及第2基板1017之各自之複數對準標記係其設計座標值個別地被儲存於記憶體並受管理。另外，成為積層之對象之半導體晶圓為已被積層並再被堆積其他半導體晶圓之半導體晶圓亦可。在此場合，已被積層之電路層為經薄化處理而已除去不要之厚度較理想。
圖3係概略顯示保持有第1基板1016之第1基板保持具1014之俯視圖。第1基板保持具1014具有保持具本體1022及吸附單元1030，全體係呈徑比第1基板1016稍大之圓板狀。保持具本體1022係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體1022係於其表面具備保持第1基板1016之區域。此保持區域係被研磨而具有高平坦性。第1基板1016之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體而言係藉由對被埋入保持具本體1022之電極透過設於保持具本體1022之背面之電壓施加端子施加電壓，於第1基板保持具1014與第1基板1016之間使電位差產生，使第1基板保持具1014吸附第1基板1016。另外，第1基板1016之吸附面係與設有電路區域1021之面為相反之面。
吸附單元1030係於保持第1基板1016之表面複數配置於比保持之第1基板1016外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個吸附單元1030。關於具體之構成後述。
圖4係概略顯示保持有第2基板1017之第2基板保持具1015之俯視圖。第2基板保持具1015具有保持具本體1023及磁石單元1031，全體係呈徑比第2基板1017稍大之圓板狀。保持具本體1023係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體1023係於其表面具備保持第2基板1017之區域。此保持區域係被研磨而具有高平坦性。第2基板1017之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體而言係藉由對被埋入保持具本體1023之電極透過設於保持具本體1023之背面之電壓施加端子施加電壓，於第2基板保持具1015與第2基板1017之間使電位差產生，使第2基板保持具1015吸附第2基板1017。另外，第2基板1017之吸附面係與設有電路區域1021之面為相反之面。
磁石單元1031係於保持第2基板1017之表面複數配置於比保持之第2基板1017外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個磁石單元1031。
磁石單元1031係配置為與第1基板保持具1014之吸附單元1030分別對應。且若使保持有第1基板1016之第1基板保持具1014與保持有第2基板1017之第2基板保持具1015互相對向以使吸附單元1030與磁石單元1031作用，可將第1基板1016與第2基板1017在重疊之狀態下夾持固定。如上述被夾持而被固定之狀態為基板保持具對1018。關於具體之構成及吸附之作用等後述。
圖5係於對準裝置1011概略顯示基板保持具對1018即將形成之狀態之剖面圖。具體而言係保持有第1基板1016之第1基板保持具1014被真空吸附固定於對準裝置1011之第1載台1051，保持有第2基板1017之第2基板保持具1015被真空吸附固定於對準裝置1011之第2載台1052之狀態之剖面圖。特別是表示以圖3及圖4顯示之分別沿A-A線之剖面圖。
第1載台1051可於對第2基板1017積層第1基板1016之方向即Z軸方向、分別正交於Z軸之X軸、Y軸方向移動。對準裝置1011係使用配置於對準裝置1011以使可觀察第1基板1016之第1顯微鏡、配置於對準裝置1011以使可觀察第2基板1017之第2顯微鏡來對齊第1基板1016與第2基板1017。
具體而言係藉由以各自之顯微鏡拍攝成為觀察對象之各基板之對準標記並將被拍攝之攝影資料影像處理來檢出對準標記之精確之位置。之後，演算對應之對準標記間之位置偏移量，對應於該位置偏移量使第1載台1051移動，使第1基板1016與第2基板1017對向。藉此，第1基板1016之電路區域1021之各部分對向於第2基板1017之對應之電路區域1021之各部分。另外，位置偏移量之演算係使用例如以統計方式被決定以使於第1基板1016之複數對準標記與第2基板1017之複數對準標記被重疊時相互之位置偏移量成為最小值之全域對準法等而被演算。
於將第1基板1016對第2基板1017進行對齊時，亦即，使第1載台1051在XY平面內移動時係於兩者之間形成若干之間隙以使第1基板1016與第2基板1017不接觸。第2載台1052具備複數結合限制單元1053以使吸附單元1030於此狀態不結合於磁石單元1031。
結合限制單元1053係主要由柱狀之構件即推銷1054與驅動該推銷1054之汽缸部1055構成。推銷1054係於伸長位置通過設於第2基板保持具1015之保持具插通孔1024、被定位為一致於該保持具插通孔1024而配設之設於磁石單元1031之磁石插通孔1032之內部，其前端由磁石插通孔1032突出。於收納位置係其一部分收納於汽缸部1055之內部，從個別之插通孔退避。亦即，推銷1054係在個別之插通孔之內部藉由汽缸部1055之驅動而於Z軸方向進退。
於如於圖5顯示之第1基板1016與第2基板1017可相對地於XY方向被移動時，推銷1054係被控制於伸長位置以接觸吸附單元1030之上面，阻止吸附單元1030之對磁石單元1031之結合。亦即，吸附單元1030雖係由吸附子1033與固定該吸附子1033之板彈簧1034構成，但推銷1054從上方按壓吸附子1033，抑制板彈簧1034之彈性變形，以避免板彈簧1034彈性變形而吸附子1033往磁石單元1031結合。
另外，對準裝置1011對第1基板1016與第2基板1017之對齊係於最終之微調整階段於推銷1054之前端在吸附單元1030之上面滑動之程度之移動量被實行。於其他之階段亦即例如利用顯微鏡之對準標記之觀察階段中，第1基板1016與第2基板1017係成為往XYZ軸方向相對大幅分離之狀態，故吸附單元1030不會往磁石單元1031不預期結合。因此，推銷1054係於磁石單元1031之磁力到達吸附單元1030，且想要限制兩者之結合時被控制於伸長位置，於其餘時間係被控制於收納位置。
圖6係於對準裝置1011概略顯示基板保持具對1018剛形成之狀態之剖面圖。具體而言係顯示從圖5之狀態將第1載台1051往Z軸方向驅動以使第1基板1016之表面與第2基板1017之表面接觸後之狀態，另外，顯示推銷1054被控制於收納位置，吸附單元1030結合於磁石單元1031之狀態。
於從圖5之狀態往圖6之狀態轉變之過程中，第1基板1016與第2基板1017被對齊，結合構件即磁石單元1031與被結合構件即吸附單元1030結合。於是，第1基板保持具1014與第2基板保持具1015被一體化，形成做為基板保持具系統之基板保持具對1018。
對準裝置1011中Z軸方向為重力方向，第1載台1051係位於比第2載台1052下方。於是，對重力方向之各面之關係成為由上往下依序有第2基板保持具1015之第2基板1017之保持面、第2基板1017與第1基板1016之接合面、第1基板保持具1014之第1基板1016之保持面存在。
於從圖5之狀態往圖6之狀態轉變之過程中，伴隨使推銷1054往收納位置移動之動作，板彈簧1034彈性變形，吸附單元1030結合於磁石單元1031。此時，吸附單元1030之吸附子1033係伴隨一定程度之衝擊結合於磁石單元1031。因此，此時之吸附子1033與磁石單元1031之接觸面之重力方向之位置係設定為位於比第2基板1017與第1基板1016之接合面下方。較理想係設定為位於比第1基板保持具1014之第1基板1016之保持面更下方。
若設定為成為此種位置關係，即使吸附單元1030與磁石單元1031之結合衝擊使塵埃產生、飛散，亦可期待塵埃因重力而落下而不進入第1基板1016與第2基板1017之間。亦即，進入基板間之塵埃雖會對電路動作帶來不良影響，進而招致接合強度不足，但藉由採用如上述之位置關係，可期待避免此種問題。
另外，若設定為位於比第1基板保持具1014之第1基板1016之保持面更下方，該面之塵埃之附著亦可抑制。藉此，可將重複使用之第1基板保持具1014保持為乾淨之狀態，在載置其他第1基板1016之場合亦無夾入塵埃之虞。因此，可期待避免接合裝置1012之接合誤差、第1基板1016之傾斜等。
另外，在基板保持具對1018被形成後，基板保持具對1018係在來自第2載台1052之真空吸附被解除，被第1載台1051拉下後，被搬送裝置1013往接合裝置1012搬送。關於搬送裝置1013之搬送機構及接合裝置1012之接合步驟後述。
其次，針對磁石單元1031之構成說明。圖7係概略顯示磁石單元1031之立體圖。磁石單元1031具備磁石1036、收容並支持磁石1036之支持部1035、複數球狀凸體1041。
支持部1035具有收容磁石1036之圓筒狀之收容部，且具有使於第2基板1017固定之螺絲貫通之螺絲孔1037。支持部1035係以例如碳鋼S25C形成。磁石1036係被嵌入支持部1035之收容部之呈圓柱形之永久磁石，具有例如8N程度之大小之磁力。於磁石1036之中心軸設有插通推銷1054之插通孔1038，於支持部1035亦設有插通孔1039以使連接於此插通孔1038。藉由此2個插通孔形成磁石插通孔1032。
支持部1035具有與吸附子1033對向之對向面1040。且於對向面1040埋設有至少3個球狀凸體1041。球狀凸體1041係透過設於對向面1040之例如環狀之黃銅即固定構件1042壓入而被埋設固定。或者，構成為將支持部1035之對向面1040以研削等加工，與支持部1035一體地形成球狀凸體1041亦可。
藉由如上述形成球狀凸體1041，可使磁石單元1031與吸附子1033點接觸。亦即，藉由球狀凸體1041而被假想地形成之面成為與吸附子1033之接觸面，故可大幅減少兩者之接觸面積，因此，亦可極力抑制塵埃之產生。
圖8係概略顯示磁石單元1031之其他例之立體圖。與圖7之磁石單元1031不同，於對向面1040係形成有剖面形狀呈三角形之凸部即線狀凸體1050。線狀凸體1050可將支持部1035之對向面1040以研削等加工而與支持部1035一體地形成，或以其他個體形成後固接於對向面1040。
藉由如上述形成線狀凸體1050，可使磁石單元1031與吸附子1033線接觸。例如，若剖面形狀為三角形，藉由以其頂點為稜之直線而被假想地形成之面成為與吸附子1033之接觸面，故比起面接觸，可大幅減少兩者之接觸面積，因此，亦可極力抑制塵埃之產生。另外，剖面形狀並不限於三角形，只要是可實質上實現線接觸之形狀不論為何種形狀皆可。此外，即使因研削加工等而於接觸部有若干之平面部殘留，只要可實質上視為線接觸即可。
其次，說明吸附單元1030之構成。圖9係概略顯示吸附單元1030之板彈簧1034之俯視圖。
板彈簧1034係於正交於保持第2基板1017之第2基板保持具1015之保持面之方向具有彈性之彈性構件，被以例如SUS 631等高強度析出硬化型不銹鋼形成。此外，板彈簧1034係由中心附近之圓形部1043、突出為耳狀之安裝部1044構成，圓形部1043之直徑為22mm，厚度為0.1mm。
於圓形部1043形成有互相沿同一方向延伸且往正交於伸長方向之方向隔間隔被配置之一對狹縫1046。各狹縫1046係離圓形部1043之中心之距離相等。藉由此2個狹縫1046，於圓形部1043之中心附近形成帶狀部1048。於帶狀部1048設有使吸附子1033固定於成為圓形部1043之中心之位置之貫通孔1047。同樣於安裝部1044具有使將板彈簧1034固定於第2基板保持具1015之螺絲貫通之螺絲孔1045。板彈簧1034係配置於保持具本體1023之外周區域，以使相對於第2基板保持具1015，2個螺絲孔1045沿第2基板保持具1015之周方向，且狹縫1046之伸長方向沿第2基板保持具1015之大致徑方向。
圖10係概略顯示板彈簧1034彈性變形後之狀態之立體圖。具體而言係表示固定於板彈簧1034之吸附子1033被磁石單元1031吸引而結合時之變形狀態。但圖中吸附子1033並未顯示。
板彈簧1034係藉由吸附子1033被磁石單元1031吸引而帶狀部1048浮上為以貫通孔1047為頂點，隨之，圓形部1043之周邊部中與帶狀部1048連接之2個部分以欲互相接近之方式彈性變形。此時，各狹縫1046係使開口形狀變形以容許個別之變形。
圖11係以圖10顯示之板彈簧1034之變形狀態中，包含吸附子1033顯示之立體圖。吸附子1033係透過貫通孔1047以螺絲等鎖緊構件固定於板彈簧1034。
吸附子1033係由強磁性體形成。例如，由碳鋼S25C形成。此外，於吸附子1033係於與磁石單元1031之接觸面固定有緩衝板1049。緩衝板1049之硬度係比形成磁石單元1031之接觸面之構件之硬度小。例如，做為緩衝板1049之材料係矽系材料或樹脂系材料被使用。
此外，緩衝板1049構成為對吸附子1033可交換較理想。緩衝板1049與磁石單元1031之接觸面接觸，特別是在設有如球狀凸體1041、線狀凸體1050之凸部之場合會受到集中應力，故可能因吸收衝擊而產生凹陷、磨削等。針對此問題，每使用一定期間便交換緩衝板1049。緩衝板1049係藉由嵌入或使用接著劑等之貼合而被固定於設於吸附子1033之凹部。
另外，於上述已說明於磁石單元1031之支持部1035設球狀凸體1041等凸部，於對向於此之吸附子1033設緩衝板1049之構成。但由於結合構件即磁石單元1031與被結合構件即吸附單元1030係處於相對之關係，故凸部與緩衝板1049之形成場所為相反亦可。
做為其例，圖12係概略顯示於吸附子1033配設有球狀凸體1041之場合之立體圖。與於磁石單元1031之支持部1035設置之場合同樣地，將至少3個球狀凸體1041透過例如環狀之黃銅即固定構件1042壓入而埋設。或者，構成為以研削等加工，與支持部1035一體地形成球狀凸體1041亦可。在如上述構成之場合係相反地於磁石單元1031之支持部1035設置緩衝板1049。
但即使在使凸部與緩衝板1049之形成場所相反之場合，吸附子1033與磁石單元1031之接觸面之重力方向之位置仍設定為位於比第2基板1017與第1基板1016之接合面下方。較理想係設定為位於比第1基板保持具1014之第1基板1016之保持面更下方。
圖13係顯示磁石單元1031與吸附單元1030之結合作用之剖面圖。特別是表示以圖3及圖4顯示之分別沿B-B線之剖面圖。但第1基板1016、第2基板1017、推銷1054等之記載係省略。圖13係表示吸附子1033往磁石單元1031結合之前之狀態。此外，圖14係表示於與圖13相同之剖面部，吸附子1033往磁石單元1031結合之後之狀態。
如被圖示般，磁石單元1031係透過螺絲固定於第2基板保持具1015之表面。此外，與構成吸附子1033之接觸面之緩衝板1049接觸之平面係由球狀凸體1041之頂點構成之假想之平面，此假想之平面係位於比第1基板保持具1014之第1基板1016之保持面下方。
亦即，於第1基板保持具1014係對應於吸附單元1030被設置之區域設有形成有比第1基板1016之保持面更低之面之凹部1025。此外，由球狀凸體1041之頂點構成之假想之平面於第1基板1016之表面與第2基板1017之表面接觸之狀態係位於此凹部1025之空間內。
於凹部1025設有容許吸附子1033之上下移動之貫通孔1026。此外，從第1基板保持具1014之中之與第1基板1016之保持面為相反之面即背面側係於貫通孔1026之周圍設有凹部1027，且以收容於此凹部之方式配置有板彈簧1034、將板彈簧1034對第1基板保持具1014固定之螺絲。
如從圖13之狀態往圖14之狀態之變化所示，吸附子1033被固定之帶狀部1048係藉由吸附子1033被磁石1036吸引而彈性變形。此時，由於安裝部1044係固定於第1基板保持具1014之狀態，故板彈簧1034係夾持第1基板1016與第2基板1017並將第1基板保持具1014與第2基板保持具1015往互相吸引之方向彈壓而平衡。
圖15係概略顯示結合限制單元1053之縱剖面圖。結合限制單元1053係對應於磁石單元1031複數配置於第2基板保持具1015。於汽缸部1055連接有調整汽缸部1055之內部之氣壓之氣壓泵1056。控制部係藉由控制氣壓泵1056而使推銷1054進退。亦即，控制推銷1054之至少一部分位於汽缸部1055之內部之收納位置、推銷1054之前端1057推緩衝板1049之伸長位置。因此，推銷1054推緩衝板1049之按壓力具有抵抗板彈簧1034之彈性力之大小。
推銷1054之前端1057係被加工為球狀以使與緩衝板1049點接觸。或者，於前端部另設有如球狀凸體1041之球亦可。
圖16係概略顯示搬送裝置1013把持基板保持具對1018之狀態之側面圖。搬送裝置1013具備臂部1020、連接於該臂部1020之把持部1019。把持部1019具有從下方支持基板保持具對1018之支持板1062、從上方按壓之按壓板1063。於支持板1062設有真空吸附固定基板保持具對1018之吸氣孔，藉其作用基板保持具對1018固定於支持板1062。
按壓板1063係設於設於支持板1062之端部之支柱1064，可於將基板保持具對1018夾入之方向進退。藉由按壓板1063使按壓力對固定於支持板1062之基板保持具對1018作用，可以按壓板1063與支持板1062夾持基板保持具對1018。搬送裝置1013係藉由在此狀態下使臂部1020作動而將基板保持具對1018從對準裝置1011往接合裝置1012搬送。
圖17係概略顯示接合裝置1012之要部之側面圖。接合裝置1012具備配置於第1基板保持具1014之下方之下部加壓載台1065、配置於第2基板保持具1015之上方之上部加壓載台1066。上部加壓載台1066係為了與下部加壓載台1065協動加壓基板保持具對1018而可於接近下部加壓載台1065之方向移動。於下部加壓載台1065及上部加壓載台1066之內部內藏有加熱器，不僅對已被載置之基板保持具對1018加壓，亦可進行加熱。藉由基板保持具對1018被加壓、加熱，第1基板1016與第2基板1017之互相接觸之電極彼此溶接。藉此第1基板1016與第2基板1017之各自對應之電路區域1021被接合。
如以上說明，藉由使吸附子1033與磁石單元1031之接觸面積相對較小，塵埃被夾入亦變少。因此，附著於吸附子1033或磁石單元1031之接觸面之塵埃因結合時之夾入而被粉碎、被細分化後飛散之現象受抑制。只要塵埃之細分化、飛散受抑制，此等往基板方向流入之現象亦受抑制。特別是若塵埃被粉碎並被細分化，會有於基板保持具對1018之搬送時、第1基板1016、第2基板1017之裝卸時等動作時產生之風壓使被細分化後之塵埃容易飛揚之問題產生，但於上述之實施形態中，此種問題不易產生。進而，若能使被夾入之塵埃減少，亦可抑制於吸附子1033與磁石單元1031之結合時此等之接觸面被削除之現象。亦利於新塵埃產生之防止。
(第2實施形態)
圖18係概略顯示第2實施形態之基板接合裝置2010之說明圖。基板接合裝置2010具備半導體晶圓即第1基板2016、進行積層於第1基板2016之半導體晶圓即第2基板2017之相對對齊之對準裝置2011。此外，具備將被以對準裝置2011對齊之第1基板2016及第2基板2017互相接合之接合裝置2012。
第1基板2016係保持於第1基板保持具2014，第2基板2017係保持於第2基板保持具2015。在對準裝置2011係第1基板2016與第2基板2017被對齊後，第1基板保持具2014與第2基板保持具2015夾持第1基板2016與第2基板2017而被一體化，形成基板保持具對2018。關於具體之基板保持具對2018之構成後述。
基板接合裝置2010另具備將被以對準裝置2011一體化之基板保持具對2018往接合裝置2012搬送之搬送裝置2013。此外，搬送裝置2013係即使半導體晶圓、基板保持具單體亦可在裝置間搬送。搬送裝置2013具備把持基板保持具對2018等把持物之把持部2019、以旋轉、伸縮動作使把持物往既定之位置移動之臂部2020。
圖19係概略顯示本實施形態之半導體晶圓之俯視圖。半導體晶圓即第1基板2016、第2基板2017係由由單一之單結晶矽構成之圓形之薄板構件構成，於其一面造有複數電路區域2021。於區劃形成為矩陣狀之電路區域2021形成有電晶體、電阻、電容等電路元件。電路元件係以微影技術為核心，使用薄膜形成技術、蝕刻技術、不純物擴散技術等成形技術而被形成。此外，於個別之電路區域2021之內部設有對準標記。對準標記係用於基板間之對齊之指標。設於第1基板2016及第2基板2017之各自之複數對準標記係其設計座標值個別地被儲存於記憶體並受管理。另外，成為積層之對象之半導體晶圓為已被積層並再被堆積其他半導體晶圓之半導體晶圓亦可。在此場合，已被積層之電路層為經薄化處理而已除去不要之厚度較理想。
圖20係概略顯示保持有第1基板2016之第1基板保持具2014之俯視圖。第1基板保持具2014具有保持具本體2022及做為做為結合部之吸附單元2030，全體係呈徑比第1基板2016稍大之圓板狀。保持具本體2022係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體2022係於其表面具備保持第1基板2016之區域。此保持區域係被研磨而具有高平坦性。第1基板2016之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體而言係藉由對被埋入保持具本體2022之電極透過設於保持具本體2022之背面之電壓施加端子施加電壓，於第1基板保持具2014與第1基板2016之間使電位差產生，使第1基板保持具2014吸附第1基板2016。另外，第1基板2016之吸附面係與設有電路區域2021之面為相反之面。
吸附單元2030係於保持第1基板2016之表面複數配置於比保持之第1基板2016外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個吸附單元2030。關於具體之構成後述。
於第1基板保持具2014係於保持第1基板2016之區域與個別之吸附單元2030之間之區域設有貫通保持具本體2022之第1貫通孔2101。第1貫通孔2101在圖之場合雖係於個別之吸附單元2030之組與保持第1基板2016之區域之間分別設有3個，但亦可設置例如吸附單元2030之個數之量，或配合吸附單元2030之組之形狀而設為長孔形狀。
圖21係概略顯示保持有第2基板2017之第2基板保持具2015之俯視圖。第2基板保持具2015具有保持具本體2023及做為結合部之磁石單元2031，全體係呈徑比第2基板2017稍大之圓板狀。保持具本體2023係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體2023係於其表面具備保持第2基板2017之區域。此保持區域係被研磨而具有高平坦性。第2基板2017之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體而言係藉由對被埋入保持具本體2023之電極透過設於保持具本體2023之背面之電壓施加端子施加電壓，於第2基板保持具2015與第2基板2017之間使電位差產生，使第2基板保持具2015吸附第2基板2017。另外，第2基板2017之吸附面係與設有電路區域2021之面為相反之面。
磁石單元2031係於保持第2基板2017之表面複數配置於比保持之第2基板2017外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個磁石單元2031。
磁石單元2031係配置為與第1基板保持具2014之吸附單元2030分別對應。且若使保持有第1基板2016之第1基板保持具2014與保持有第2基板2017之第2基板保持具2015互相對向以使吸附單元2030與磁石單元2031作用，可將第1基板2016與第2基板2017在重疊之狀態下夾持固定。如上述被夾持而被固定之狀態為基板保持具對2018。關於具體之構成及吸附之作用等後述。
於第2基板保持具2015係於保持第2基板2017之區域與個別之磁石單元2031之間之區域設有貫通保持具本體2023之第2貫通孔2102。第2貫通孔2102在圖之場合雖係於個別之磁石單元2031之組與保持第2基板2017之區域之間分別設有3個，但亦可設置例如磁石單元2031之個數之量，或配合磁石單元2031之組之形狀而設為長孔形狀。第1貫通孔2101與第2貫通孔2102構成塵埃流入抑止機構，關於具體之作用後述。
圖22係於對準裝置2011概略顯示基板保持具對2018即將形成之狀態之剖面圖。具體而言係保持有第1基板2016之第1基板保持具2014被真空吸附固定於對準裝置2011之第1載台2051，保持有第2基板2017之第2基板保持具2015被真空吸附固定於對準裝置2011之第2載台2052之狀態之剖面圖。特別是表示以圖20及圖21顯示之分別沿A-A線之剖面圖。
第1基板保持具2014係通過第1載台2051之內部連通於表面之第1吸氣配管2071發揮吸氣裝置2075之吸引力而被真空吸附固定於第1載台2051之表面。第1吸氣配管2071係對第1載台2051之表面分支為複數部分，廣範圍均勻地吸引第1基板保持具2014之背面。吸氣裝置2075之吸引力係被第1閥2073調整，控制第1基板保持具2014之裝卸。
同樣地，第2基板保持具2015係通過第2載台2052之內部連通於表面之第2吸氣配管2072發揮吸氣裝置2075之吸引力而被真空吸附固定於第2載台2052之表面。第2吸氣配管2072係對第2載台2052之表面分支為複數部分，廣範圍均勻地吸引第2基板保持具2015之背面。吸氣裝置2075之吸引力係被第2閥2074調整，控制第2基板保持具2015之裝卸。
第1載台2051可於對第2基板2017積層第1基板2016之方向即Z軸方向、分別正交於Z軸之X軸、Y軸方向移動。對準裝置2011係使用配置於對準裝置2011以使可觀察第1基板2016之第1顯微鏡、配置於對準裝置2011以使可觀察第2基板2017之第2顯微鏡來對齊第1基板2016與第2基板2017。
具體而言係藉由以各自之顯微鏡拍攝成為觀察對象之各基板之對準標記並將被拍攝之攝影資料影像處理來檢出對準標記之精確之位置。之後，演算對應之對準標記間之位置偏移量，對應於該位置偏移量使第1載台2051移動，使第1基板2016與第2基板2017對向。藉此，第1基板2016之電路區域2021之各部分對向於第2基板2017之對應之電路區域2021之各部分。另外，位置偏移量之演算係使用例如以統計方式被決定以使於第1基板2016之複數對準標記與第2基板2017之複數對準標記被重疊時相互之位置偏移量成為最小值之全域對準法等而被演算。
於將第1基板2016對第2基板2017進行對齊時，亦即，使第1載台2051在XY平面內移動時係於兩者之間形成若干之間隙以使第1基板2016與第2基板2017不接觸。第2載台2052具備複數結合限制單元2053以使吸附單元2030於此狀態不結合於磁石單元2031。
結合限制單元2053係主要由柱狀之構件即推銷2054與驅動該推銷2054之汽缸部2055構成。推銷2054係於伸長位置通過設於第2基板保持具2015之保持具插通孔2024、被定位為一致於該保持具插通孔2024而配設之設於磁石單元2031之磁石插通孔2032之內部，其前端由磁石插通孔2032突出。於收納位置係其一部分收納於汽缸部2055之內部，從個別之插通孔退避。亦即，推銷2054係在個別之插通孔之內部藉由汽缸部2055之驅動而於Z軸方向進退。
於如於圖22顯示之第1基板2016與第2基板2017可相對地於XY方向被移動時，推銷2054係被控制於伸長位置以接觸吸附單元2030之上面，阻止吸附單元2030之對磁石單元2031之結合。亦即，吸附單元2030雖係由吸附子2033與固定該吸附子2033之板彈簧2034構成，但推銷2054從上方按壓吸附子2033，抑制板彈簧2034之彈性變形，以避免板彈簧2034彈性變形而吸附子2033往磁石單元2031結合。
另外，對準裝置2011對第1基板2016與第2基板2017之對齊係於最終之微調整階段於推銷2054之前端在吸附單元2030之上面滑動之程度之移動量被實行。於其他之階段亦即例如利用顯微鏡之對準標記之觀察階段中，第1基板2016與第2基板2017係成為往XYZ軸方向相對大幅分離之狀態，故吸附單元2030不會往磁石單元2031不預期結合。因此，推銷2054係於磁石單元2031之磁力到達吸附單元2030，且想要限制兩者之結合時被控制於伸長位置，於其餘時間係被控制於收納位置。
從第1吸氣配管2071分支而連通於第1載台2051之表面之分歧管之一部分係做為第1連通管2111連接於固定於第1載台2051之第1基板保持具2014之第1貫通孔2101。此外，從第2吸氣配管2072分支而連通於第2載台2052之表面之分歧管之一部分係做為第2連通管2112連接於固定於第2載台2052之第2基板保持具2015之第2貫通孔2102。此外，從第1吸氣配管2071分支而連通於第1載台2051之表面之分歧管之另一部分係做為第3連通管2113連接於固定於第1載台2051之第1基板保持具2014之板彈簧2034之背面側之空間。
圖23係於對準裝置2011概略顯示基板保持具對2018剛形成之狀態之剖面圖。具體而言係顯示從圖22之狀態將第1載台2051往Z軸方向驅動以使第1基板2016之表面與第2基板2017之表面接觸後之狀態，另外，顯示推銷2054被控制於收納位置，吸附單元2030結合於磁石單元2031之狀態。
於從圖22之狀態往圖23之狀態轉變之過程中，第1基板2016與第2基板2017被對齊，結合構件即磁石單元2031與被結合構件即吸附單元2030結合。於是，第1基板保持具2014與第2基板保持具2015被一體化，形成做為基板保持具系統之基板保持具對2018。
對準裝置2011中Z軸方向為重力方向，第1載台2051係位於比第2載台2052下方。於是，對重力方向之各面之關係成為由上往下依序有第2基板保持具2015之第2基板2017之保持面、第2基板2017與第1基板2016之接合面、第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面存在。
於從圖22之狀態往圖23之狀態轉變之過程中，伴隨使推銷2054往收納位置移動之動作，板彈簧2034彈性變形，吸附單元2030結合於磁石單元2031。此時，吸附單元2030之吸附子2033係伴隨一定程度之衝擊結合於磁石單元2031。因此，此時之吸附子2033與磁石單元2031之接觸面之重力方向之位置係設定為位於比第2基板2017與第1基板2016之接合面下方。較理想係設定為位於比第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面更下方。
若設定為成為此種位置關係，即使吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊使塵埃產生、飛散，亦可期待塵埃因重力而落下而不進入第1基板2016與第2基板2017之間。在即使如此仍有一部分之塵埃從第1基板保持具2014與第2基板保持具2015之間之空間往第1基板2016及第2基板2017之方向之場合，可期待此等塵埃從第1貫通孔2101或第2貫通孔2102被回收。
具體而言係連接於第1連通管2111之第1貫通孔2101、連接於第2連通管2112之第2貫通孔2102皆因吸氣裝置2075之作用而處於吸氣狀態，將其開口附近之空氣吸入。之後，因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃之一部分欲通過此等之開口附近時，連同周圍之空氣一起被吸入某一開口而被往第1吸氣配管2071或第2吸氣配管2072回收。亦即，可期待產生之塵埃不進入第1基板2016與第2基板2017之間而在進入之前被回收。進入基板間之塵埃雖會對電路動作帶來不良影響，進而招致接合強度不足，但藉由採用如上述之構成，可期待減輕此種問題。
另外，於板彈簧2034之背面側之空間連接有第3連通管2113，由此第3連通管2113亦可期待因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃被回收。亦即，第3連通管2113亦因吸氣裝置2075之作用而處於吸氣狀態，將板彈簧2034之背面側之空間之空氣吸入，故產生之塵埃連同空氣一起被吸引而被往第1吸氣配管2071回收。
另外，僅在吸附單元2030與磁石單元2031結合之時點起既定時間之期間調整第1閥2073與第2閥2074以使第1吸氣配管2071與第2吸氣配管2072之吸引力增強亦可。藉由如上述增強吸引力，可將塵埃以更高機率回收。
在基板保持具對2018被形成後，基板保持具對2018係在來自第2載台2052之真空吸附被解除，被第1載台2051拉下後，被搬送裝置2013往接合裝置2012搬送。關於搬送裝置2013之搬送機構及接合裝置2012之接合步驟後述。
其次，針對磁石單元2031之構成說明。圖24係概略顯示磁石單元2031之立體圖。磁石單元2031具備磁石2036、收容並支持磁石2036之支持部2035。
支持部2035具有收容磁石2036之圓筒狀之收容部，且具有使於第2基板2017固定之螺絲貫通之螺絲孔2037。支持部2035係以例如碳鋼S25C形成。支持部2035具有與吸附子2033對向之對向面2040。磁石2036係被嵌入支持部2035之收容部之呈圓柱形之永久磁石，具有例如8N程度之大小之磁力。於磁石2036之中心軸設有插通推銷2054之插通孔2038，於支持部2035亦設有插通孔2039以使連接於此插通孔2038。藉由此2個插通孔形成磁石插通孔2032。
其次，說明吸附單元2030之構成。圖25係概略顯示吸附單元2030之板彈簧2034之俯視圖。板彈簧2034係於正交於保持第2基板2017之第2基板保持具2015之保持面之方向具有彈性之彈性構件，被以例如SUS 631等高強度析出硬化型不銹鋼形成。此外，板彈簧2034係由中心附近之圓形部2043、突出為耳狀之安裝部2044構成，圓形部2043之直徑為22mm，厚度為0.1mm。
於圓形部2043形成有互相沿同一方向延伸且往正交於伸長方向之方向隔間隔被配置之一對狹縫2046。各狹縫2046係離圓形部2043之中心之距離相等。藉由此2個狹縫2046，於圓形部2043之中心附近形成帶狀部2048。於帶狀部2048設有使吸附子2033固定於成為圓形部2043之中心之位置之貫通孔2047。同樣於安裝部2044具有使將板彈簧2034固定於第2基板保持具2015之螺絲貫通之螺絲孔2045。板彈簧2034係配置於保持具本體2023之周緣部，以使相對於第2基板保持具2015，2個螺絲孔2045沿第2基板保持具2015之周方向，且狹縫2046之伸長方向沿第2基板保持具2015之大致徑方向。
圖26係概略顯示板彈簧2034彈性變形後之狀態之立體圖。具體而言係表現固定於板彈簧2034之吸附子2033被磁石單元2031吸引而結合時之變形狀態。但圖中吸附子2033並未顯示。
板彈簧2034係藉由吸附子2033被磁石單元2031吸引而帶狀部2048浮上為以貫通孔2047為頂點，隨之，圓形部2043之周邊之中被與帶狀部2048連接之2個部分以欲互相接近之方式彈性變形。此時，各狹縫2046係使開口形狀變形以容許個別之變形。
圖27係以圖26顯示之板彈簧2034之變形狀態中，包含吸附子2033顯示之立體圖。吸附子2033係透過貫通孔2047以螺絲等鎖緊構件固定於板彈簧2034。吸附子2033係由強磁性體形成。例如，由碳鋼S25C形成。
圖28係顯示磁石單元2031與吸附單元2030之結合作用之剖面圖。特別是表示以圖20及圖21顯示之分別沿B-B線之剖面圖。但第1基板2016、第2基板2017、推銷2054等之記載係省略。圖28係表示吸附子2033往磁石單元2031結合之前之狀態。此外，圖29係表示於與圖13相同之剖面部，吸附子2033往磁石單元2031結合之後之狀態。
如被圖示般，磁石單元2031係透過螺絲固定於第2基板保持具2015之表面。此外，與吸附子2033對向之對向面2040係位於比第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面下方。亦即，於第1基板保持具2014係對應於吸附單元2030被設置之區域設有形成有比第1基板2016之保持面更低之面之凹部2025。亦即，磁石單元2031與吸附子2033接觸之接觸預定面即對向面2040於第1基板2016之表面與第2基板2017之表面接觸之狀態係位於此凹部2025之空間內。
於凹部2025設有容許吸附子2033之上下移動之貫通孔2026。此外，從第1基板保持具2014之中之與第1基板2016之保持面為相反之面即背面側係於貫通孔2026之周圍設有凹部2027，且以收容於此凹部之方式配置有板彈簧2034、將板彈簧2034對第1基板保持具2014固定之螺絲。
如從圖28之狀態往圖29之狀態之變化所示，吸附子2033被固定之帶狀部2048係藉由吸附子2033被磁石2036吸引而彈性變形。此時，由於安裝部2044係固定於第1基板保持具2014之狀態，故板彈簧2034係夾持第1基板2016與第2基板2017並將第1基板保持具2014與第2基板保持具2015往互相吸引之方向彈壓而平衡。
圖30係概略顯示結合限制單元2053之縱剖面圖。結合限制單元2053係對應於磁石單元2031複數配置於第2基板保持具2015。於汽缸部2055連接有調整汽缸部2055之內部之氣壓之氣壓泵2056。控制部係藉由控制氣壓泵2056而使推銷2054進退。亦即，控制推銷2054之至少一部分位於汽缸部2055之內部之收納位置、推銷2054之前端2057推吸附子2033之伸長位置。因此，推銷2054推吸附子2033之按壓力具有抵抗板彈簧2034之彈性力之大小。另外，推銷2054之前端2057係被加工為球狀以使與吸附子2033點接觸。
圖31係概略顯示搬送裝置2013把持基板保持具對2018之狀態之側面圖。搬送裝置2013具備臂部2020、連接於該臂部2020之把持部2019。把持部2019具有從下方支持基板保持具對2018之支持板2062、從上方按壓之按壓板2063。於支持板2062設有真空吸附固定基板保持具對2018之吸氣孔，藉其作用基板保持具對2018固定於支持板2062。
按壓板2063係設於設於支持板2062之端部之支柱2064，可於將基板保持具對2018夾入之方向進退。藉由按壓板2063使按壓力對固定於支持板2062之基板保持具對2018作用，可以按壓板2063與支持板2062夾持基板保持具對2018。搬送裝置2013係藉由在此狀態下使臂部2020作動而將基板保持具對2018從對準裝置2011往接合裝置2012搬送。
圖32係概略顯示接合裝置2012之要部之側面圖。接合裝置2012具備配置於第1基板保持具2014之下方之下部加壓載台2065、配置於第2基板保持具2015之上方之上部加壓載台2066。上部加壓載台2066係為了與下部加壓載台2065協動加壓基板保持具對2018而可於接近下部加壓載台2065之方向移動。於下部加壓載台2065及上部加壓載台2066之內部內藏有加熱器，不僅對已被載置之基板保持具對2018加壓，亦可進行加熱。藉由基板保持具對2018被加壓、加熱，第1基板2016與第2基板2017之互相接觸之電極彼此溶接。藉此第1基板2016與第2基板2017之各自對應之電路區域2021被接合。
(第2實施形態之變形例1)
圖33係概略顯示做為第2實施形態之第1變形例之具備塵埃流入抑止機構之第1基板保持具2014之俯視圖。已使用圖20說明之第1基板保持具2014係於保持第1基板2016之區域與個別之吸附單元2030之間之區域設有貫通保持具本體2022之第1貫通孔2101。相對於此，於本變形例中，除此等第1貫通孔2101外，另以包圍保持第1基板2016之區域之方式設置複數貫通孔。此等貫通孔全體於保持具本體2022上形成圓環貫通孔2121。
對應於第1基板保持具2014之圓環貫通孔2121，於第2基板保持具2015亦圓環狀地設置複數貫通孔。此外，在如連通於第1貫通孔2101之第1連通管2111、連通於第2貫通孔2102之第2連通管2112般被真空吸附於第1載台2051或第2載台2052時，個別之貫通孔係連接於對應之連通管。連接連通管之貫通孔係藉由吸氣裝置2075之作用而吸引其開口附近之空氣。利用被如此構成之基板保持具對2018，不僅因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃，關於浮游於周邊空氣之塵埃亦可期待不進入第1基板2016與第2基板2017之間而在進入前被回收。
另外，上述之實施形態中係構成為使用使從第1吸氣配管2071或第2吸氣配管2072分支之連通管從貫通孔吸氣。但將與第1基板保持具2014之貫通孔或第2基板保持具2015之貫通孔連接之個別之連通管之至少一方設為與第1吸氣配管2071或第2吸氣配管2072為另外系統亦可。此外，若將一方控制為吸氣，另一方控制為噴氣，可於保持基板之區域之周圍形成氣簾，可期待防止塵埃從此區域之外部侵入。
(第2實施形態之變形例2)
圖34係概略顯示做為第2實施形態之第2變形例之具備塵埃流入抑止機構之第1基板保持具2014之俯視圖。已使用圖20說明之第1基板保持具2014係於保持第1基板2016之區域與個別之吸附單元2030之間之區域設有貫通保持具本體2022之第1貫通孔2101。相對於此，於本變形例中係使從第1基板2016之保持面突出為凸狀而形成第1防塵壁2131來代替第1貫通孔2101。第1防塵壁2131在圖之場合係對應於吸附單元2030之組圓弧狀地設置3個。圓弧之中心角係設定為比相對於一組吸附單元2030於圓周方向佔據之圓弧之中心角大。
圖35係概略顯示做為第2變形例之具備塵埃流入抑止機構之第2基板保持具2015之俯視圖。已使用圖21說明之第2基板保持具2015係於保持第2基板2017之區域與個別之磁石單元2031之間之區域設有貫通保持具本體2023之第2貫通孔2102。相對於此，於本變形例中係使從第2基板2017之保持面突出為凸狀而形成第2防塵壁2132來代替第2貫通孔2102。第2防塵壁2132在圖之場合係對應於磁石單元2031之組圓弧狀地設置3個。圓弧之中心角係設定為比相對於一組磁石單元2031於圓周方向佔據之圓弧之中心角大。
圖36係概略顯示做為第2變形例之基板保持具對2018剛形成之狀態之剖面圖。具體而言係保持有第1基板2016之第1基板保持具2014被真空吸附固定於對準裝置2011之第1載台2051，保持有第2基板2017之第2基板保持具2015被真空吸附固定於對準裝置2011之第2載台2052之狀態之剖面圖。特別是表示以圖34及圖35顯示之分別沿C-C線之剖面圖。
如圖示，第1防塵壁2131與第2防塵壁2132係在將第1基板保持具2014與第2基板保持具2015重疊時形成為套疊狀。第1防塵壁2131之高度係在將第1基板保持具2014與第2基板保持具2015重疊時越過第1基板2016與第2基板2017之接觸面伸至第2基板保持具2015側且不會接觸保持第2基板2017之第2基板保持具2015之保持面之高度。第2防塵壁2132之高度係在將第1基板保持具2014與第2基板保持具2015重疊時越過第1基板2016與第2基板2017之接觸面伸至第1基板保持具2014側且不會接觸保持第1基板2016之第1基板保持具2014之保持面之高度。此外，例如第1防塵壁2131係形成於比第2防塵壁2132外周側，以使個別之防塵壁不會干涉。外周側或內周側之關係可為相反，亦可隨吸附單元2030與磁石單元2031之組合變更。
藉由如上述構成，即使吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊使塵埃產生、飛散，塵埃亦不會直接往第1基板2016與第2基板2017之方向。亦即，可期待在飛散之塵埃到達第1基板2016或第2基板2017之前即被第1防塵壁2131或第2防塵壁2132阻止侵入，附著於該第1防塵壁2131或第2防塵壁2132。
另外，在吸附單元2030與磁石單元2031之接觸面之重力方向之位置設定為位於比第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面更下方之場合，將第1防塵壁2131設於比第2防塵壁2132外周側較理想。藉此，可使成為塵埃更不易往第1基板2016與第2基板2017之方向之路徑。
第1防塵壁2131及第2防塵壁2132之形狀並不限於如上述之圓弧形狀。例如，第1防塵壁2131可於圓弧形狀加上放射形狀之部分，以使包圍吸附單元2030之每一組。對應於此，第2防塵壁2132可於圓弧形狀加上放射形狀之部分，以使包圍磁石單元2031之各組。此外，將第1防塵壁2131形成為圓形狀以使包圍保持第1基板2016之區域之周圍亦可。對應於此，將第2防塵壁2132亦形成為圓形狀以使包圍保持第2基板2017之區域之周圍亦可。即使為如以上之形狀，亦與圓弧形狀同樣地，可使因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃到達第1基板2016及第2基板2017之路徑複雜化，故可期待防塵效果。
(第2實施形態之變形例3)
圖37係做為第2實施形態之第3變形例之具備塵埃流入抑止機構之磁石單元2031之外觀立體圖。本變形例中之磁石單元2031係相對於已使用圖24說明之磁石單元2031另具備屏蔽部2141。屏蔽部2141係嵌合於支持部2035之圓筒外形而被裝設，由裙狀形成以使從外周方向覆蓋對向面2040。
圖38係顯示裝設有屏蔽部2141之磁石單元2031接觸吸附單元2030之狀態之剖面圖。吸附單元2030與磁石單元2031之接觸面之重力方向之位置係設定為位於比第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面更下方。因此，於第1基板保持具2014與第2基板保持具2015被重疊時，凹部2025發揮空間部之功能使屏蔽部2141可侵入比第1基板保持具2014之第1基板2016之保持面下方。
利用具備此種屏蔽部2141之磁石單元2031，可在屏蔽部2141之內部捕獲因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃。因此，可期待使到達第1基板2016與第2基板2017之塵埃為極少。
另外，屏蔽部2141形成為對磁石單元2031可裝卸亦可。若為可裝卸，即使在屏蔽部2141之內部因塵埃而污損之場合亦可替換，維護較容易。反之，將屏蔽部2141與支持部2035一體地形成亦可。若一體地形成，可減少零件數，組裝亦較容易。
如上述，於第2基板保持具2015之保持具本體2023埋入有電極，於第2基板保持具1015與第2基板1017之間使電位差產生，使第2基板保持具1015吸附第2基板1017。在此，構成為將與此電極接觸之帶電部設於屏蔽部2141，使屏蔽部2141帶電亦可。若使屏蔽部2141帶電，可期待使塵埃吸附之效果，故可更提高塵埃捕獲之效率。
此外，上述之變形例中係對磁石單元2031設有屏蔽部2141。但構成為對吸附子2033裝設屏蔽部2141亦可。即使如上述構成，亦可抑制因吸附單元2030與磁石單元2031之結合衝擊而產生之塵埃之飛散。
如以上已說明，於任一實施形態中對基板保持具對2018皆可在使吸附單元2030與磁石單元2031結合之狀態下抑止塵埃往第1基板2016與第2基板2017之載置區域側流入。亦即，可抑止因吸附單元2030與磁石單元2031之結合時之衝擊而從兩者產生之塵埃之流入。此外，亦可期待關於在於結合後做為基板保持具對2018被搬送時，侵入第1基板保持具2014與第2基板保持具2015之間之塵埃之往第1基板2016與第2基板2017之載置區域側之流入。因此，對被使用基板保持具對2018製造之元件可期待因塵埃之侵入而導致之電路不良被抑制之高品質。此外，於製程中亦可期待高產率。
(第3實施形態)
圖39係概略顯示本實施形態之基板接合裝置3010之說明圖。基板接合裝置3010具備半導體晶圓即第1基板3016、進行積層於第1基板3016之半導體晶圓即第2基板3017之相對對齊之對準裝置3011。此外，具備將被以對準裝置3011對齊之第1基板3016及第2基板3017互相接合之接合裝置3012。接合裝置3012係將第1基板3016與第2基板3017加壓或加壓及加熱而實現永久之接合。
第1基板3016係保持於第1基板保持具3014，第2基板3017係保持於第2基板保持具3015。在對準裝置3011係第1基板3016與第2基板3017被對齊後，第1基板保持具3014與第2基板保持具3015夾持第1基板3016與第2基板3017而被一體化，形成基板保持具對3018。關於具體之基板保持具對3018之構成後述。
基板接合裝置3010另具備將被以對準裝置3011一體化之基板保持具對3018往接合裝置3012搬送之搬送裝置3013。此外，搬送裝置3013係即使半導體晶圓、基板保持具單體亦可在裝置間搬送。搬送裝置3013具備把持基板保持具對3018等把持物之把持部3019、以旋轉、伸縮動作使把持物往既定之位置移動之臂部3020。
圖40係概略顯示本實施形態之半導體晶圓之俯視圖。半導體晶圓即第1基板3016、第2基板3017係由由單一之單結晶矽構成之圓形之薄板構件構成，於其一面造有複數電路區域3021。於區劃形成為矩陣狀之電路區域3021形成有電晶體、電阻、電容等電路元件。電路元件係以微影技術為核心，使用薄膜形成技術、蝕刻技術、不純物擴散技術等成形技術而被形成。此外，於個別之電路區域3021之內部設有對準標記。對準標記係用於基板間之對齊之指標。設於第1基板3016及第2基板3017之各自之複數對準標記係其設計座標值被儲存於個別之記憶體並受管理。另外，成為積層之對象之半導體晶圓為已被積層並再被堆積其他半導體晶圓之半導體晶圓亦可。在此場合，已被積層之電路層為經薄化處理而已除去不要之厚度較理想。
圖41係概略顯示保持有第1基板3016之第1基板保持具3014之俯視圖。第1基板保持具3014具有保持具本體3022及做為做為結合部之吸附單元3030，全體係呈徑比第1基板3016稍大之圓板狀。保持具本體3022係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體3022係於其表面具備載置並保持第1基板3016之載置區域。此載置區域係被研磨而具有高平坦性。圖中係大致被第1基板3016之外周包圍之區域相當於載置區域。第1基板3016之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體之構成後述。另外，第1基板3016之吸附面係與設有電路區域3021之面為相反之面。
吸附單元3030係於保持第1基板3016之表面複數配置於比保持之第1基板3016外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個吸附單元3030。關於具體之構成後述。
於第1基板保持具3014係於第1基板3016之載置區域與個別之吸附單元3030之間設有捕獲塵埃之第1塵埃捕獲區域3101。第1塵埃捕獲區域3101在圖之場合雖係分別設於個別之吸附單元3030之組與第1基板3016之載置區域之間，但亦可配合例如吸附單元3030之個數而設。第1塵埃捕獲區域3101係利用靜電力捕獲特別是從吸附單元2030飛散之塵埃之區域。關於具體之構成後述。
圖42係概略顯示保持有第2基板3017之第2基板保持具3015之俯視圖。第2基板保持具3015具有保持具本體3023及做為結合部之磁石單元3031，全體係呈徑比第2基板3017稍大之圓板狀。保持具本體3023係被以陶瓷、金屬等高剛性材料一體成形。
保持具本體3023係於其表面具備載置並保持第2基板3017之載置區域。此載置區域係被研磨而具有高平坦性。圖中係大致被第2基板3017之外周包圍之區域相當於載置區域。第2基板3017之保持係以利用靜電力之吸附來進行。具體之構成後述。另外，第2基板3017之吸附面係與設有電路區域3021之面為相反之面。
磁石單元3031係於保持第2基板3017之表面複數配置於比保持之第2基板3017外側之外周區域。在圖之場合，配置有以2個為一組每120度合計6個磁石單元3031。
磁石單元3031係配置為與第1基板保持具3014之吸附單元3030分別對應。且若使保持有第1基板3016之第1基板保持具3014與保持有第2基板3017之第2基板保持具3015互相對向以使吸附單元3030與磁石單元3031作用，可將第1基板3016與第2基板3017在重疊之狀態下夾持固定。如上述被夾持而被固定之狀態為基板保持具對3018。關於具體之構成及吸附之作用等後述。
於第2基板保持具3015係於第2基板3017之載置區域與個別之磁石單元3031之間設有捕獲塵埃之第2塵埃捕獲區域3102。第2塵埃捕獲區域3102在圖之場合雖係分別設於個別之磁石單元3031之組與第2基板3017之載置區域之間，但亦可配合例如磁石單元3031之個數而設。第2塵埃捕獲區域3102係利用靜電力捕獲特別是從磁石單元3031飛散之塵埃之區域。關於具體之作用後述。
圖43係於對準裝置3011概略顯示基板保持具對3018即將形成之狀態之剖面圖。具體而言係保持有第1基板3016之第1基板保持具3014被真空吸附固定於對準裝置3011之第1載台3051，保持有第2基板3017之第2基板保持具3015被真空吸附固定於對準裝置3011之第2載台3052之狀態之剖面圖。特別是表示以圖41及圖42顯示之分別沿A-A線之剖面圖。
第1基板保持具3014係通過第1載台3051之內部連通於表面之第1吸氣配管3071發揮吸氣裝置3075之吸引力而被真空吸附固定於第1載台3051之表面。第1吸氣配管3071係對第1載台3051之表面分支為複數部分，廣範圍均勻地吸引第1基板保持具3014之背面。吸氣裝置3075之吸引力係被第1閥3073調整，控制第1基板保持具3014之裝卸。
同樣地，第2基板保持具3015係通過第2載台3052之內部連通於表面之第2吸氣配管3072發揮吸氣裝置3075之吸引力而被真空吸附固定於第2載台3052之表面。第2吸氣配管3072係對第1載台3051之表面分支為複數部分，廣範圍均勻地吸引第2基板保持具3015之背面。吸氣裝置3075之吸引力係被第2閥3074調整，控制第2基板保持具3015之裝卸。
第1載台3051可於對第2基板3017積層第1基板3016之方向即Z軸方向、分別正交於Z軸之X軸、Y軸方向移動。對準裝置3011係使用配置於對準裝置3011以使可觀察第1基板3016之第1顯微鏡、配置於對準裝置3011以使可觀察第2基板3017之第2顯微鏡來對齊第1基板3016與第2基板3017。
具體而言係藉由以各自之顯微鏡拍攝成為觀察對象之各基板之對準標記並將被拍攝之攝影資料影像處理來檢出對準標記之精確之位置。之後，演算對應之對準標記間之位置偏移量，對應於該位置偏移量使第1載台3051移動，使第1基板3016與第2基板3017對向。藉此，第1基板3016之電路區域3021之各部分對向於第2基板3017之對應之電路區域3021之各部分。另外，位置偏移量之演算係使用例如以統計方式被決定以使於第1基板3016之複數對準標記與第2基板3017之複數對準標記被重疊時相互之位置偏移量成為最小值之全域對準法等而被演算。
於將第1基板3016對第2基板3017進行對齊時，亦即，使第1載台3051在XY平面內移動時係於兩者之間形成若干之間隙以使第1基板3016與第2基板3017不接觸。第2載台3052具備複數結合限制單元3053以使吸附單元3030於此狀態不結合於磁石單元3031。
結合限制單元3053係主要由柱狀之構件即推銷3054與驅動該推銷3054之汽缸部3055構成。推銷3054係於伸長位置通過設於第2基板保持具3015之保持具插通孔3024、被定位為一致於該保持具插通孔3024而配設之設於磁石單元3031之磁石插通孔3032之內部，其前端由磁石插通孔3032突出。於收納位置係其一部分收納於汽缸部3055之內部，從個別之插通孔退避。亦即，推銷3054係在個別之插通孔之內部藉由汽缸部3055之驅動而於Z軸方向進退。
於如於圖43顯示之第1基板3016與第2基板3017可相對地於XY方向被移動時，推銷3054係被控制於伸長位置以接觸吸附單元3030之上面，阻止吸附單元3030之對磁石單元3031之結合。亦即，吸附單元3030雖係由吸附子3033與固定該吸附子3033之板彈簧3034構成，但推銷3054從上方按壓吸附子3033，抑制板彈簧3034之彈性變形，以避免板彈簧3034彈性變形而吸附子3033往磁石單元3031結合。
另外，對準裝置3011對第1基板3016與第2基板3017之對齊係於最終之微調整階段於推銷3054之前端在吸附單元3030之上面滑動之程度之移動量被實行。於其他之階段亦即例如利用顯微鏡之對準標記之觀察階段中，第1基板3016與第2基板3017係成為往XYZ軸方向相對大幅分離之狀態，故吸附單元3030不會往磁石單元3031不預期結合。因此，推銷3054係於磁石單元3031之磁力到達吸附單元3030，且想要限制兩者之結合時被控制於伸長位置，於其餘時間係被控制於收納位置。
於第1基板保持具3014之保持具本體3022係對應於第1基板3016之載置區域埋入有第1基板電極3116。第1基板電極3116係以第1基板配線3126連接於第1電壓施加端子3121。於第1載台3051係於對應於第1電壓施加端子3121之位置設有第1電壓供給端子3131，第1基板保持具3014被固定於第1載台3051後，第1電壓施加端子3121與第1電壓供給端子3131被連接。對第1電壓供給端子3131係透過通過第1載台3051內被設置之導線從外部電源被供給電壓。從外部電源往第1電壓供給端子3131之電壓供給係受對準裝置3011之控制部控制。藉由此種構成，於第1基板3016與第1基板保持具3014之間有電位差產生，第1基板3016被靜電吸附於第1基板保持具3014之載置區域，維持對第1基板保持具3014之姿勢。
於第2基板保持具3015之保持具本體3023係對應於第2基板3017之載置區域埋入有第2基板電極3117。第2基板電極3117係以第2基板配線3127連接於第2電壓施加端子3122。於第2載台3052於係對應於第2電壓施加端子3122之位置設有第2電壓供給端子3132，第2基板保持具3015被固定於第2載台3052後，第2電壓施加端子3122與第2電壓供給端子3132被連接。對第2電壓供給端子3132係透過通過第2載台3052內被設置之導線從外部電源被供給電壓。從外部電源往第2電壓供給端子3132之電壓供給係受對準裝置3011之控制部控制。藉由此種構成，於第2基板3017與第2基板保持具3015之間有電位差產生，第2基板3017被靜電吸附於第2基板保持具3015之載置區域，維持對第2基板保持具3015之姿勢。
於第1基板保持具3014之保持具本體3022係對應於第1塵埃捕獲區域3101另埋入有第1塵埃捕獲電極3111。第1塵埃捕獲電極3111係以第1塵埃配線3113連接於第1電壓施加端子3121。因此，第1基板保持具3014被固定於第1載台3051後，對第1塵埃捕獲電極3111亦有電壓被供給。於此種構成中，對第1塵埃捕獲電極3111供給電壓後，第1塵埃捕獲區域3101會帶電荷。由於浮游之塵埃多帶負電，故只要對第1塵埃捕獲電極3111供給電壓使第1塵埃捕獲區域3101帶正電，便可將此等塵埃吸向第1塵埃捕獲區域3101並使吸附。
如上述，對第1基板電極3116之電壓供給與對第1塵埃捕獲電極3111之電壓供給係透過共通之第1電壓施加端子3121被進行。然而，使第1基板配線3126與第1塵埃配線3113之配線阻抗分別相異等以於第1基板3016之載置區域中之每單位面積之靜電吸附力與第1塵埃捕獲區域3101中之每單位面積之靜電吸附力設定差異亦可。具體而言係可為了更強力吸引浮游之塵埃而構成為使第1塵埃捕獲區域3101中之每單位面積之靜電吸附力比第1基板3016之載置區域中之每單位面積之靜電吸附力大。
此外，分別將第1塵埃捕獲電極3111與與第1基板電極3116之外形形狀及往保持具本體3022之埋入位置定為往載置第1基板3016之方向投影第1塵埃捕獲電極3111與第1基板電極3116時之形狀不互相重疊。藉此，可將第1基板3016之載置區域與第1塵埃捕獲區域3101分離，故可避免已捕獲之塵埃往第1基板3016移動。
於第2基板保持具3015之保持具本體3023係對應於第2塵埃捕獲區域3102另埋入有第2塵埃捕獲電極3112。第2塵埃捕獲電極3112係以第2塵埃配線3114連接於第2電壓施加端子3122。因此，第2基板保持具3015被固定於第2載台3052後，對第2塵埃捕獲電極3112亦有電壓被供給。於此種構成中，對第2塵埃捕獲電極3112供給電壓後，第2塵埃捕獲區域3102會帶電荷。與第1塵埃捕獲區域3101同樣地，只要對第2塵埃捕獲電極3112供給電壓使第2埃捕獲區域3102亦帶正電，便可將此等塵埃吸向第2塵埃捕獲區域3102並使吸附。
與第1基板保持具3014同樣地，使第2塵埃捕獲區域3102中之每單位面積之靜電吸附力比第2基板3017之載置區域中之每單位面積之靜電吸附力大較理想。此外，分別將第2塵埃捕獲電極3112與與第2基板電極3117之外形形狀及往保持具本體3023之埋入位置定為往載置第2基板3017之方向投影第2塵埃捕獲電極3112與第2基板電極3117時之形狀不互相重疊。
圖44係於對準裝置3011概略顯示基板保持具對3018剛形成之狀態之剖面圖。具體而言係顯示從圖43之狀態將第1載台3051往Z軸方向驅動以使第1基板3016之表面與第2基板3017之表面接觸後之狀態，另外，顯示推銷3054被控制於收納位置，吸附單元3030結合於磁石單元3031之狀態。
於從圖43之狀態往圖44之狀態轉變之過程中，第1基板3016與第2基板3017被對齊，結合構件即磁石單元3031與被結合構件即吸附單元3030結合。於是，第1基板保持具3014與第2基板保持具3015被一體化，形成做為基板保持具系統之基板保持具對3018。
於板彈簧3034彈性變形，吸附單元3030結合於磁石單元3031之過程中，吸附單元3030之吸附子3033係伴隨一定程度之衝擊結合於磁石單元3031。此時，可能因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而使塵埃產生、飛散。若此等塵埃附著於第1基板3016、第2基板3017之基板間及附近，可能於其後之接合裝置3012中之接合步驟中招致不均勻之加熱加壓，引起接合強度不足。此外，於完成之半導體元件中可能因夾入之塵埃而對電路動作帶來不良影響。
針對此種問題於本實施形態中係至少吸附單元3030接觸磁石單元3031後短暫期間控制部對第1塵埃捕獲電極3111與第2塵埃捕獲電極3112施加電壓，以捕獲在第1塵埃捕獲區域3101與第2塵埃捕獲區域3102飛散之塵埃。藉由採用此種構成，可期待產生之塵埃不進入第1基板3016與第2基板3017之間而在進入之前被回收。
在基板保持具對3018被形成後，基板保持具對3018係在來自第2載台3052之真空吸附被解除，被第1載台3051拉下後，被搬送裝置3013往接合裝置3012搬送。關於搬送裝置3013之搬送機構及接合裝置3012之接合步驟後述。
其次，針對磁石單元3031之構成說明。圖45係概略顯示磁石單元3031之立體圖。磁石單元3031具備磁石3036、收容並支持磁石3036之支持部3035。
支持部3035具有收容磁石3036之圓筒狀之收容部，且具有使於第2基板3017固定之螺絲貫通之螺絲孔3037。支持部3035係以例如碳鋼S25C形成。支持部3035具有與吸附子3033對向之對向面3040。磁石3036係被嵌入支持部3035之收容部之呈圓柱形之永久磁石，具有例如8N程度之大小之磁力。於磁石3036之中心軸設有插通推銷3054之插通孔3038，於支持部3035亦設有插通孔3039以使連接於此插通孔3038。藉由此2個插通孔形成磁石插通孔3032。
其次，說明吸附單元3030之構成。圖46係概略顯示吸附單元3030之板彈簧3034之俯視圖。板彈簧3034係於正交於保持第2基板3017之第2基板保持具3015之保持面之方向具有彈性之彈性構件，被以例如SUS 631等高強度析出硬化型不銹鋼形成。此外，板彈簧3034係由中心附近之圓形部3043、突出為耳狀之安裝部3044構成，圓形部3043之直徑為22mm，厚度為0.1mm。
於圓形部3043形成有互相沿同一方向延伸且往正交於伸長方向之方向隔間隔被配置之一對狹縫3046。各狹縫3046係離圓形部3043之中心之距離相等。藉由此2個狹縫3046，於圓形部3043之中心附近形成帶狀部3048。於帶狀部3048設有使吸附子3033固定於成為圓形部3043之中心之位置之貫通孔3047。同樣於安裝部3044具有使將板彈簧3034固定於第2基板保持具3015之螺絲貫通之螺絲孔3045。板彈簧3034係配置於保持具本體3023之周緣部，以使相對於第2基板保持具3015，2個螺絲孔3045沿第2基板保持具3015之周方向，且狹縫3046之伸長方向沿第2基板保持具3015之大致徑方向。
圖47係概略顯示板彈簧3034彈性變形後之狀態之立體圖。具體而言係表現固定於板彈簧3034之吸附子3033被磁石單元3031吸引而結合時之變形狀態。但圖中吸附子3033並未顯示。
板彈簧3034係藉由吸附子3033被磁石單元3031吸引而帶狀部3048浮上為以貫通孔3047為頂點，隨之，圓形部3043之周邊之中被與帶狀部3048連接之2個部分以欲互相接近之方式彈性變形。此時，各狹縫3046係使開口形狀變形以容許個別之變形。
圖48係以圖47顯示之板彈簧3034之變形狀態中，包含吸附子3033顯示之立體圖。吸附子3033係透過貫通孔3047以螺絲等鎖緊構件固定於板彈簧3034。吸附子3033係由強磁性體形成。例如，由碳鋼S25C形成。
圖49係顯示磁石單元3031與吸附單元3030之結合作用之剖面圖。特別是表示以圖41及圖42顯示之分別沿B-B線之剖面圖。但第1基板3016、第2基板3017、推銷3054等之記載係省略。圖49係表示吸附子3033往磁石單元3031結合之前之狀態。此外，圖50係表示於與圖13相同之剖面部，吸附子3033往磁石單元3031結合之後之狀態。
如被圖示般，磁石單元3031係透過螺絲固定於第2基板保持具3015之表面。此外，與吸附子3033對向之對向面3040係位於比第1基板保持具3014之第1基板3016之保持面下方。亦即，於第1基板保持具3014係對應於吸附單元3030被設置之區域設有形成有比第1基板3016之保持面更低之面之凹部3025。亦即，磁石單元3031與吸附子3033接觸之接觸預定面即對向面304030於第1基板3016之表面與第2基板3017之表面接觸之狀態係位於此凹部3025之空間內。
於凹部3025設有容許吸附子3033之上下移動之貫通孔3026。此外，從第1基板保持具3014之中之與第1基板3016之保持面為相反之面即背面側係於貫通孔3026之周圍設有凹部3027，且以收容於此凹部之方式配置有板彈簧3034、將板彈簧3034對第1基板保持具3014固定之螺絲。
如從圖49之狀態往圖50之狀態之變化所示，吸附子3033被固定之帶狀部3048係藉由吸附子3033被磁石3036吸引而彈性變形。此時，由於安裝部3044係固定於第1基板保持具3014之狀態，故板彈簧3034係夾持第1基板3016與第2基板3017並將第1基板保持具3014與第2基板保持具3015往互相吸引之方向彈壓而平衡。
圖51係概略顯示結合限制單元3053之縱剖面圖。結合限制單元3053係對應於磁石單元3031複數配置於第2基板保持具3015。於汽缸部3055連接有調整汽缸部3055之內部之氣壓之氣壓泵3056。控制部係藉由控制氣壓泵3056而使推銷3054進退。亦即，控制推銷3054之至少一部分位於汽缸部3055之內部之收納位置、推銷3054之前端3057推吸附子3033之伸長位置。因此，推銷3054推吸附子3033之按壓力具有抵抗板彈簧3034之彈性力之大小。另外，推銷3054之前端3057係被加工為球狀以使與吸附子3033點接觸。
圖52係概略顯示搬送裝置3013把持基板保持具對3018之狀態之側面圖。搬送裝置3013具備臂部3020、連接於該臂部3020之把持部3019。把持部3019具有從下方支持基板保持具對3018之支持板3062、從上方按壓之按壓板3063。於支持板3062設有真空吸附固定基板保持具對3018之吸氣孔，藉其作用基板保持具對3018固定於支持板3062。
按壓板3063係設於設於支持板3062之端部之支柱3064，可於將基板保持具對3018夾入之方向進退。藉由按壓板3063使按壓力對固定於支持板3062之基板保持具對3018作用，可以按壓板3063與支持板3062夾持基板保持具對3018。搬送裝置3013係藉由在此狀態下使臂部3020作動而將基板保持具對3018從對準裝置3011往接合裝置3012搬送。另外，搬送裝置3013係構成為於搬送中亦可對第1電壓施加端子3121、第2電壓施加端子3122供給電壓。藉此，可使第1基板3016、第2基板3017靜電吸附，即使於搬送中亦無基板與基板保持具相對偏移之虞。
圖53係概略顯示接合裝置3012之要部之側面圖。接合裝置3012具備配置於第1基板保持具3014之下方之下部加壓載台3065、配置於第2基板保持具3015之上方之上部加壓載台3066。上部加壓載台3066係為了與下部加壓載台3065協動加壓基板保持具對3018而可於接近下部加壓載台3065之方向移動。於下部加壓載台3065及上部加壓載台3066之內部內藏有加熱器，不僅對已被載置之基板保持具對3018加壓，亦可進行加熱。藉由基板保持具對3018被加壓、加熱，第1基板3016與第2基板3017之互相接觸之電極彼此溶接。藉此第1基板3016與第2基板3017之各自對應之電路區域3021被接合。
(第3實施形態之變形例1)
圖54係概略顯示做為第3實施形態之第1變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具3014之俯視圖。已使用圖41說明之第1基板保持具3014係於第1基板3016之載置區域與個別之吸附單元3030之間設有捕獲塵埃之第1塵埃捕獲區域3101。相對於此，於本變形例中係連接此等第1塵埃捕獲區域3101，以包圍第1基板3016之載置區域之方式圓環狀地設置塵埃捕獲區域3161。對應於此塵埃捕獲區域3161，塵埃捕獲電極亦形成為圓環狀並埋入保持具本體3022。
對應於第1基板保持具3014之塵埃捕獲區域3161，於第2基板保持具3015亦設置圓環狀之塵埃捕獲區域。利用被如此構成之基板保持具對3018，不僅因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而產生之塵埃，關於浮游於周邊空氣之塵埃亦可期待不進入第1基板3016與第2基板3017之間而在進入前被捕獲。
(第3實施形態之變形例2)
圖55係概略顯示做為第3實施形態之第2變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具3014之俯視圖。已使用圖41說明之第1基板保持具3014係於第1基板3016之載置區域與夾於個別之吸附單元3030之間之區域圓弧狀地設有捕獲塵埃之第1塵埃捕獲區域3101。相對於此，於本變形例中係除此等圓弧狀之區域外，另設定塵埃捕獲區域3171以使包含圍繞吸附單元3030之周圍之區域。對應於此塵埃捕獲區域3171，塵埃捕獲電極亦形成為圍繞吸附單元3030之形狀並埋入保持具本體3022。
對應於第1基板保持具3014之塵埃捕獲區域3171，於第2基板保持具3015亦以圍繞磁石單元3031之方式設置塵埃捕獲區域。利用被如此構成之基板保持具對3018，可更確實捕獲因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而產生之塵埃。
(第3實施形態之變形例3)
圖56係概略顯示做為第3實施形態之第3變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具3014之俯視圖。已使用圖41說明之第1基板保持具3014係於第1基板3016之載置區域與個別之吸附單元3030之間設有捕獲塵埃之第1塵埃捕獲區域3101。相對於此，於本變形例中係對此等第1塵埃捕獲區域3101追加設置搬送時塵埃捕獲區域3181。對應於此搬送時塵埃捕獲區域3181，將搬送時塵埃捕獲電極埋入保持具本體3022。
在第1基板保持具3014被以搬送裝置3013、其他滑動機構等搬送時，對搬送方向之第1基板保持具3014之姿勢大多已被事先決定。因此，於第1基板保持具3014之中搬送方向側之區域設置搬送時塵埃捕獲區域3181，捕獲從搬送方向前方飛來之塵埃，防止往第1基板3016附著。在以搬送裝置3013、其他滑動機構等搬送第1基板保持具3014時，在搬送裝置3013側控制第1基板保持具3014之姿勢以使搬送時塵埃捕獲區域3181位於搬送方向側亦可。
對應於第1基板保持具3014之搬送時塵埃捕獲區域3181，於第2基板保持具3015亦設置搬送時塵埃捕獲區域。利用被如此構成之基板保持具對3018，不僅因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而產生之塵埃，關於搬送時飛來之塵埃亦可期待不進入第1基板3016與第2基板3017之間而在進入前被捕獲。
第1塵埃捕獲區域3101與第2塵埃捕獲區域3102係捕獲因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而產生之塵埃為目的，而搬送時塵埃捕獲區域3181係捕獲於搬送時飛來之塵埃為目的。因此，使各自之區域作用之期間相異亦可。具體而言係第1塵埃捕獲區域3101與第2塵埃捕獲區域3102作用之期間為吸附單元3030與磁石單元3031接觸後短暫之期間，搬送時塵埃捕獲區域3181作用之期間為第1基板保持具3014、第2基板保持具3015單獨被搬送之期間或做為基板保持具對3018被搬送之期間。搬送時塵埃捕獲電極係構配線被分配為可相對於第1塵埃捕獲電極3111及第2塵埃捕獲電極3112獨立施加電壓，控制部可對應於狀況選擇性地使塵埃捕獲區域作用。
若因吸附單元3030與磁石單元3031之結合衝擊而產生之塵埃為不存在或可忽視之程度，則亦可省略第1塵埃捕獲區域3101與第2塵埃捕獲區域3102。在此場合，僅設置搬送時塵埃捕獲區域3181，使捕獲搬送時飛來之塵埃。
以上已說明之實施形態係包含各變形例已假設分別以第1基板電極3116與第2基板電極3117之靜電吸附吸附固定第1基板3016與第2基板3017來說明。但基板之吸附並不限於靜電吸附。構成為於個別之保持具設吸引孔並抽真空，以真空吸附吸附固定亦可。即使為此場合，亦可於各塵埃捕獲區域捕獲浮游之塵埃。
此外，在使用上述之第1基板保持具3014與第2基板保持具2015以基板接合裝置3010製造元件之場合係經過以下之步驟做為第1基板3016與第2基板3017重疊之步驟。亦即，於第1基板保持具3014載置第1基板3016之步驟、於第2基板保持具3015載置第2基板3017之步驟、對第1塵埃捕獲電極3111及第2塵埃捕獲電極3112之至少一方通電使靜電力產生同時使吸附單元3030與磁石單元3031結合以使第1基板保持具3014與第2基板保持具3015一體化之步驟。
此外，做為第1基板3016被以在被晶片化前之基板之狀態搬送之步驟，係經過以下之步驟。亦即，將第1基板3016載置於第1基板保持具3014之步驟、對搬送時塵埃捕獲電極通電以使靜電力產生同時將第1基板3016與第1基板保持具3014一起搬送之步驟。
藉由具備已以以上之各實施形態說明之塵埃流入抑止部，對在基板接合裝置之各處理可能產生之塵埃及從基板保持具本身可能產生之塵埃可期待抑制產生或妨礙往夾持基板之區域之流入、附著之效果。
以上，雖已使用實施形態說明本發明，但本發明之技術範圍並不受限於於上述實施形態記載之範圍。對上述實施形態可施加多樣之變更或改良對具有發明所屬技術領域之通常知識者而言為顯而易見。由申請專利範圍之記載明瞭此種追加變更或改良之形態亦可包含於本發明之技術範圍。
應留意於申請專利範圍、說明書、圖面中顯示之裝置、系統、程式、方法中之動作、順序、步驟、階段等各處理之實行順序只要沒有特別明示「比…早」、「在…之前」等或將在前之處理之輸出在在後之處理使用，可以任意之順序實現。即使關於申請專利範圍、說明書、圖面中之動作流程圖為了方便而使用「首先」、「其次」等來說明，亦非表示以此順序實施為必要。
1010．．．基板接合裝置
1011．．．對準裝置
1012．．．接合裝置
1013．．．搬送裝置
1014．．．第1基板保持具
1015．．．第2基板保持具
1016．．．第1基板
1017．．．第2基板
1018．．．基板保持具對
1019．．．把持部
1020．．．臂部
1021．．．電路區域
1022、1023．．．保持具本體
1024．．．保持具插通孔
1025．．．凹部
1026．．．貫通孔
1027．．．凹部
1030．．．吸附單元
1031．．．磁石單元
1032．．．磁石插通孔
1033．．．吸附子
1034．．．板彈簧
1035．．．支持部
1036．．．磁石
1037．．．螺絲孔
1038、1039．．．插通孔
1040．．．對向面
1041．．．球狀凸體
1042．．．固定構件
1043．．．圓形部
1044．．．安裝部
1045．．．螺絲孔
1046．．．狹縫
1047．．．貫通穴
1048．．．帶狀部
1049．．．緩衝板
1050．．．線狀凸體
1051．．．第1載台
1052．．．第2載台
1053．．．結合限制單元
1054．．．推銷
1055．．．汽缸部
1056．．．空氣泵
1057．．．前端
1062．．．支持板
1063．．．按壓板
1064．．．支柱
1065．．．下部加壓載台
1066．．．上部加壓載台
2010．．．基板接合裝置
2011．．．對準裝置
2012．．．接合裝置
2013．．．搬送裝置
2014．．．第1基板保持具
2015．．．第2基板保持具
2016．．．第1基板
2017．．．第2基板
2018．．．基板保持具對
2019．．．把持部
2020．．．臂部
2021．．．電路區域
2022、2023．．．保持具本體
2024．．．保持具插通孔
2025．．．凹部
2026．．．貫通孔
2027．．．凹部
2030．．．吸附單元
2031．．．磁石單元
2032．．．磁石插通孔
2033．．．吸附子
2034．．．板彈簧
2035．．．支持部
2036．．．磁石
2037．．．螺絲孔
2038、2039．．．插通孔
2040．．．對向面
2043．．．圓形部
2044．．．安裝部
2045．．．螺絲孔
2046．．．狹縫
2047．．．貫通穴
2048．．．帶狀部
2051．．．第1載台
2052．．．第2載台
2053．．．結合限制單元
2054．．．推銷
2055．．．汽缸部
2056．．．空氣泵
2057．．．前端
2062．．．支持板
2063．．．按壓板
2064．．．支柱
2065．．．下部加壓載台
2066．．．上部加壓載台
2071．．．第1吸氣配管
2202．．．第2吸氣配管
2073．．．第1閥
2074．．．第2閥
2075．．．吸氣裝置
2101．．．第1貫通孔
2102．．．第2貫通孔
2111．．．第1連通管
2112．．．第2連通管
2113．．．第3連通管
2121．．．圓環貫通孔
2131．．．第1防塵壁
2132．．．第2防塵壁
2141．．．屏蔽部
3010．．．基板接合裝置
3011．．．對準裝置
3012．．．接合裝置
3013．．．搬送裝置
3014．．．第1基板保持具
3015．．．第2基板保持具
3016．．．第1基板
3017．．．第2基板
3018．．．基板保持具對
3019．．．把持部
3020．．．臂部
3021．．．電路區域
3022、3023．．．保持具本體
3024．．．保持具插通孔
3025．．．凹部
3026．．．貫通孔
3027．．．凹部
3030．．．吸附單元
3031．．．磁石單元
3032．．．磁石插通孔
3033．．．吸附子
3034．．．板彈簧
3035．．．支持部
3036．．．磁石
3037．．．螺絲孔
3038、3039．．．插通孔
3040．．．對向面
3043．．．圓形部
3044．．．安裝部
3045．．．螺絲孔
3046．．．狹縫
3047．．．貫通穴
3048．．．帶狀部
3051．．．第1載台
3052．．．第2載台
3053．．．結合限制單元
3054．．．推銷
3055．．．汽缸部
3056．．．空氣泵
3057．．．前端
3062．．．支持板
3063．．．按壓板
3064．．．支柱
3065．．．下部加壓載台
3066．．．上部加壓載台
3071．．．第1吸氣配管
3072．．．第2吸氣配管
3073．．．第1閥
3074．．．第2閥
3075．．．吸氣裝置
3101．．．第1塵埃捕獲區域
3102．．．第2塵埃捕獲區域
3111．．．第1塵埃捕獲電極
3112．．．第2塵埃捕獲電極
3113．．．第1塵埃配線
3114．．．第2塵埃配線
3116．．．第1基板電極
3117．．．第2基板電極
3121．．．第1電壓施加端子
3122．．．第2電壓施加端子
3126．．．第1基板配線
3127．．．第2基板配線
3131．．．第1電壓供給端子
3132．．．第2電壓供給端子
3161．．．塵埃捕獲區域
3171．．．塵埃捕獲區域
3181．．．搬送時塵埃捕獲區域
圖1係概略顯示基板接合裝置之說明圖。
圖2係概略顯示半導體晶圓之俯視圖。
圖3係概略顯示保持有第1基板之第1基板保持具之俯視圖。
圖4係概略顯示保持有第2基板之第2基板保持具之俯視圖。
圖5係概略顯示基板保持具對即將形成之狀態之剖面圖。
圖6係概略顯示基板保持具對剛形成之狀態之剖面圖。
圖7係概略顯示磁石單元之立體圖。
圖8係概略顯示磁石單元之其他例之立體圖。
圖9係概略顯示吸附單元之板彈簧之俯視圖。
圖10係概略顯示板彈簧彈性變形後之狀態之立體圖。
圖11係以圖10顯示之板彈簧之變形狀態中，包含吸附子顯示之立體圖。
圖12係概略顯示於吸附子配設有球狀凸體之例之立體圖。
圖13係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖14係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖15係概略顯示結合限制單元之縱剖面圖。
圖16係概略顯示搬送裝置把持基板保持具對之狀態之側面圖。
圖17係概略顯示接合裝置之要部之側面圖。
圖18係概略顯示基板接合裝置之說明圖。
圖19係概略顯示半導體晶圓之俯視圖。
圖20係概略顯示保持有第1基板之第1基板保持具之俯視圖。
圖21係概略顯示保持有第2基板之第2基板保持具之俯視圖。
圖22係概略顯示基板保持具對即將形成之狀態之剖面圖。
圖23係概略顯示基板保持具對剛形成之狀態之剖面圖。
圖24係概略顯示磁石單元之立體圖。
圖25係概略顯示吸附單元之板彈簧之俯視圖。
圖26係概略顯示板彈簧彈性變形後之狀態之立體圖。
圖27係以圖26顯示之板彈簧之變形狀態中，包含吸附子顯示之立體圖。
圖28係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖29係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖30係概略顯示結合限制單元之縱剖面圖。
圖31係概略顯示搬送裝置把持基板保持具對之狀態之側面圖。
圖32係概略顯示接合裝置之要部之側面圖。
圖33係概略顯示做為第1變形例之具備塵埃流入抑止機構之第1基板保持具之俯視圖。
圖34係概略顯示做為第2變形例之具備塵埃流入抑止機構之第1基板保持具之俯視圖。
圖35係概略顯示做為第2變形例之具備塵埃流入抑止機構之第2基板保持具之俯視圖。
圖36係概略顯示做為第2變形例之基板保持具對剛形成之狀態之剖面圖。
圖37係做為第3變形例之具備塵埃流入抑止機構之磁石單元之外觀立體圖。
圖38係顯示裝設有屏蔽部之磁石單元接觸吸附單元之狀態之剖面圖。
圖39係概略顯示基板接合裝置之說明圖。
圖40係概略顯示半導體晶圓之俯視圖。
圖41係概略顯示保持有第1基板之第1基板保持具之俯視圖。
圖42係概略顯示保持有第2基板之第2基板保持具之俯視圖。
圖43係概略顯示基板保持具對即將形成之狀態之剖面圖。
圖44係概略顯示基板保持具對剛形成之狀態之剖面圖。
圖45係概略顯示磁石單元之立體圖。
圖46係概略顯示吸附單元之板彈簧之俯視圖。
圖47係概略顯示板彈簧彈性變形後之狀態之立體圖。
圖48係以圖47顯示之板彈簧之變形狀態中，包含吸附子顯示之立體圖。
圖49係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖50係顯示磁石單元與吸附單元之結合作用之剖面圖。
圖51係概略顯示結合限制單元之縱剖面圖。
圖52係概略顯示搬送裝置把持基板保持具對之狀態之側面圖。
圖53係概略顯示接合裝置之要部之側面圖。
圖54係概略顯示做為第1變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具之俯視圖。
圖55係概略顯示做為第2變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具之俯視圖。
圖56係概略顯示做為第3變形例之具備塵埃捕獲區域之第1基板保持具之俯視圖。
1031．．．磁石單元
1032．．．磁石插通孔
1035．．．支持部
1036．．．磁石
1037．．．螺絲孔
1038、1039．．．插通孔
1040．．．對向面
1041．．．球狀凸體
1042．．．固定構件

Claims (19)

  1. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部係設於前述保持區域與前述固定構件之間，具有連接於吸引管之貫通孔，經過前述貫通孔吸引塵埃。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板保持具，其中，前述塵埃抑止部具有形成於為前述保持區域之外側且與前述固定構件之間以外之位置之第2貫通孔，前述第2貫通孔係連接於吸引管。
  3. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部係設於前述保持區域與前述固定構件之間，具有使靜電力發生來捕獲前述塵埃之塵埃捕獲電極。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板保持具，其中，前述塵埃捕獲電極係配置為包圍前述固定構件。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之基板保持具，其中，前述塵埃捕獲電極配置於比前述保持區域更偏前述基板保持具之搬送方向側之區域。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板保持具，其中，具備往前述基板電極與前述塵埃捕獲電極共通供給電力之電力供給端子。
  7. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部具有將前述保持區域之外側之區域之氣壓比前述保持區域上之氣壓更加減壓之減壓手段。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板保持具，其中，前述減壓手段係設於前述保持區域與前述固定構件之間，具有連接於吸引管之貫通孔。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板保持具，其中，前述減壓手段係設於前述保持區域與前述固定構件之間，具有連接於噴氣管之貫通孔。
  10. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、 抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部係於前述保持具本體在前述保持區域與前述固定構件之間配置，具有從前述保持具本體豎起之壁部。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板保持具，其中，前述壁部之離前述保持具本體之高度係比從前述保持具本體至前述基板之表面之高度高。
  12. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部具有設置為將前述固定構件與被固定構件之接觸面從其周圍覆蓋之屏蔽部。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板保持具，其中，前述屏蔽部係與前述固定構件一體形成。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之基板保持具，其中，具備使前述屏蔽部帶電之帶電部。
  15. 一種基板保持具，具備 具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述塵埃抑止部具有設於與被固定構件對向之前述固定構件之對向面並與前述被固定構件點接觸或線接觸之凸部。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板保持具，其中，前述凸部與前述固定構件係以不同構件形成。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之基板保持具，其中，前述凸部係至少3個之球構件埋設於前述對向面而形成。
  18. 一種基板保持具，具備具有保持基板之保持區域之保持具本體、設於前述保持區域之外側且將前述基板與其他基板在互相重疊之狀態下固定之固定構件、抑止因前述固定構件之固定而產生之塵埃進入前述保持區域之塵埃抑止部；前述固定構件與被固定構件之接觸面比前述基板與前述其他基板之接合面相對於重力方向位於下方。
  19. 一種基板接合裝置，具備如申請專利範圍第1至18項中任一項之基板保持具。
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