CN102576689A - 基板处理系统、基板支架、基板支架对、基板接合装置及器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种能在用一对基板支架层叠半导体基板时，抑制尘埃流入载置半导体基板的区域的基板处理系统。该基板处理系统具有使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向来夹持第1基板和第2基板的基板支架系统、和保持基板支架系统的处理装置，在基板支架系统及处理装置的至少一方具有抑制尘埃向夹持第1基板和第2基板的区域流入的尘埃流入抑制机构。基板支架系统可以在任一基板支架上设置抑制尘埃向保持基板的区域流入的尘埃流入抑制机构。

Description

基板处理系统、基板支架、基板支架对、基板接合装置及器件的制造方法

技术领域

本发明涉及基板处理系统、基板支架、基板支架对、基板接合装置及器件的制造方法。

背景技术

有将分别形成有元件、电路等的半导体基板进行层叠而制造的层叠型半导体装置。在层叠半导体基板的情况下，将被基板支架保持的一对半导体基板以半导体电路的线宽精度进行精密定位并层叠之后，将基板整体加热、加压进行接合。此时，使用定位装置对一对半导体基板进行定位、以及使用加热加压装置进行加热加压来实现永久接合。

专利文献1：日本特开平11-261000号公报

专利文献2：日本特开2005-251972号公报

专利文献3：日本特开2007-115978号公报

在层叠2张半导体基板的情况下，如果尘埃夹入相互对置的半导体电路区域之间时，即使很少也会引起电路动作不良。另外，局部的加热加压不充分，有时还会导致接合强度不足。

发明内容

因此，在本发明的一个侧面中，以提供能够解决上述的课题的“基板处理系统、基板支架、基板支架对、基板接合装置及器件的制造方法”为目的。该目的通过权利要求中的独立项所述的特征的组合来达成。另外从属权利要求规定了本发明的更有利的具体例。

根据本发明的第1方式的基板支架，具有尘埃流入抑制机构，其抑制尘埃流入保持基板的区域。

此外，根据本发明的第2方式的基板支架具有：支架主体，其具有用于保持基板的保持面；和结合部件，其被设置在保持面的基板保持区域的外周部；在结合部件中的与被结合部件对置的对置面上形成有凸部以与被结合部件点接触或线接触。

此外，本发明的第3方式的器件的制造方法，是重合多个基板而制造的器件制造方法，其中，重合多个基板的工序包括在基板支架上载置多个基板中的至少一个基板的步骤，该基板支架具有被设置在保持基板的保持面上的基板保持区域的外周部的结合部件，并且在结合部件中与被结合部件对置的对置面上形成有凸部以与被结合部件点接触或线接触。

本发明的第4方式中的基板处理系统，是包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向来夹持第1基板和第2基板的基板支架系统、和保持基板支架系统的处理装置的基板处理系统，其中，在基板支架系统及处理装置的至少一方具有抑制尘埃向夹持第1基板和第2基板的区域流入的尘埃流入抑制机构。

此外，本发明的第5方式中的基板处理系统，是包括使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向来夹持第1基板和第2基板的基板支架系统、和保持基板支架系统的处理装置的基板处理系统，具有：被设置在第1基板支架上的被结合部件、以及与被结合部件对置地被设置在第2基板支架上的结合部件，在基板支架系统被保持于处理装置时，结合部件和被结合部件的接触面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。

此外，本发明的第6方式的器件的制造方法，是重合多个基板来制造的器件的制造方法，其中，重合多个基板的工序中包括保持第1基板和第2基板的步骤，以在包括使保持多个基板中的第1基板的第1基板支架和保持多个基板中的第2基板的第2基板支架相向来夹持第1基板和第2基板的基板支架系统、和保持基板支架系统的处理装置的基板处理系统中，在基板支架系统被保持于处理装置时，被设置在第2基板支架上的结合部件和被设置在第1基板支架上的被结合部件的接触面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。

此外，在本发明的第7方式的基板支架对具有：载置第1基板的第1基板支架、载置第2基板的第2基板支架、在第1基板支架和第2基板支架夹持了第1基板和第2基板时，抑制尘埃向第1基板和第2基板的方向流入的尘埃流入抑制机构。

此外，本发明的第8方式的基板支架对，包括：第1基板支架，具有载置第1基板的第1载置区域、和被设在第1载置区域的外周部的第1结合部；第2基板支架，其具有载置第2基板的第2载置区域、和被设在第2载置区域的外周部的第2结合部；尘埃流入抑制机构，在使第1载置区域和第2载置区域对置，且结合第1结合部和第2结合部的状态下，抑制尘埃向第1载置区域及第2载置区域流入；尘埃流入抑制机构被设置在第1基板支架的第1载置区域和第1结合部之间、以及第2基板支架的第2载置区域和第2结合部之间的至少一方。

此外，在本发明的第9方式的器件的制造方法，是重合多个基板来制造的器件的制造方法，重合多个基板的工序包括：在具有载置第1基板的第1载置区域和、被设在第1载置区域的外周部的第1结合部的第1基板支架上，载置第1基板的步骤；在具有载置第2基板的第2载置区域、和被设在第2载置区域的外周部的第2结合部的第2基板支架上，载置第2基板的步骤；以及一边利用尘埃流入抑制机构抑制尘埃向第1载置区域及第2载置区域的流入，一边结合第1结合部和第2结合部来进行第1基板支架和第2基板支架的一体化的步骤，其中，尘埃流入抑制机构设在第1基板支架的第1载置区域和第1结合部之间、以及第2基板支架的第2载置区域和第2结合部之间的至少一方。

此外，本发明的第10方式的基板支架，是载置基板并被搬送的基板支架具有：在表面具有载置基板的载置区域的支架主体；被设置在载置区域的外周部且与被结合部件结合的结合部件；被埋设在支架主体中的载置区域和结合部件之间的尘埃捕获区域中的、且发生静电力来捕获尘埃的尘埃捕获电极。

此外，本发明的第11方式的基板支架，是载置基板并被搬送的基板支架，包括：在表面具有载置基板的载置区域的支架主体；被埋设在比支架主体中的载置区域靠近基板支架的搬送方向侧的尘埃捕获区域中的、且发生静电力来捕获尘埃的尘埃捕获电极。

此外，在本发明的第12方式的器件的制造方法，是重合多个基板来制造的器件的制造方法，重合多个基板的工序包括：在具有载置第1基板的第1载置区域、和被设在第1载置区域的外周部的结合部件的第1基板支架上，载置第1基板的步骤；在具有载置第2基板的第2载置区域、和被设在第2载置区域的外周部的被结合部件的第2基板支架上，载置第2基板的步骤；一边对尘埃捕获电极通电使之发生静电力，一边结合结合部件和被结合部件来进行第1基板支架和第2基板支架的一体化的步骤，尘埃捕获电极埋设在第1基板支架的第1载置区域和结合部件之间、以及第2基板支架的第2载置区域和被结合部件之间的至少一方。

此外，本发明的第13方式的器件的制造方法，是以基板的状态搬送而被制造的器件的制造方法，其中，搬送基板的工序包括：在具有载置基板的载置区域的基板支架上载置基板的步骤；一边对尘埃捕获电极通电使之发生静电力，一边连带基板支架一起搬送基板的步骤，其中尘埃捕获电极被埋设在比载置区域靠基板支架的搬送方向侧的尘埃捕获区域。

此外，本发明的第14方式的器件的制造方法，是重合多个基板制造的器件的制造方法，重合多个基板的工序包括在具有抑制尘埃向保持基板的区域流入的尘埃流入抑制机构的基板支架上载置多个基板的至少一个基板的步骤。

此外，本发明的第15方式的器件的制造方法，是重合多个基板制造的器件的制造方法，其中，重合多个基板的工序包括：在第1基板支架上载置第1基板的步骤；在第2基板支架上载置第2基板的步骤；一边通过尘埃流入抑制机构抑制尘埃向第1基板和第2基板的方向流入，一边将第1基板和第2基板夹持在第1基板支架和第2基板支架上的步骤。

另外，上述发明的概要，并未列举出本发明的必要的技术特征的全部，这些的特征群的辅助结合也能构成本发明。

附图说明

图1是概略性地表示基板接合装置的说明图。

图2是概略性地表示半导体晶片的平面图。

图3是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面图。

图4是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面图。

图5是概略性地表示基板支架对即将形成之前的状态的剖面图。

图6是概略性地表示基板支架对刚形成之后的状态的剖面图。

图7是概略性地表示磁铁单元的立体图。

图8是概略性地表示磁铁单元另外的例子的立体图。

图9是概略性地表示吸附单元的板弹簧的平面图。

图10是概略性地表示板弹簧弹性变形的状态的立体图。

图11是在图10表示的板弹簧的变形状态中包含吸附部件表示的立体图。

图12是概略性地表示在吸附部件上配设了球状凸体的例子的立体图。

图13是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图14是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图15是概略性地表示结合限制单元的纵截面图。

图16是概略性地表示搬送装置把持基板支架对的状态的侧视图。

图17是概略性地表示接合装置的主要部分的侧视图。

图18是概略性地表示基板接合装置的说明图。

图19是概略性地表示半导体晶片的平面图。

图20是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面图。

图21是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面图。

图22是概略性地表示基板支架对即将形成之前的状态的剖面图。

图23是概略性地表示基板支架对刚形成之后的状态的剖面图。

图24是概略性地表示磁铁单元的立体图。

图25是概略性地表示吸附单元的板弹簧的平面图。

图26是概略性地表示板弹簧弹性变形的状态的立体图。

图27是在图10表示的板弹簧的变形状态中包含吸附部件表示的立体图。

图28是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图29是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图30是概略性地表示结合限制单元的纵截面图。

图31是概略性地表示搬送装置把持基板支架对的状态的侧视图。

图32是概略性地表示接合装置的主要部分的侧视图。

图33是概略性地表示具有作为第1变形例的尘埃流入抑制机构的第1基板支架的平面图。

图34是概略性地表示具有作为第2变形例的尘埃流入抑制机构的第1基板支架的平面图。

图35是概略性地表示具有作为第2变形例的尘埃流入抑制机构的第2基板支架的平面图。

图36是概略性地表示作为第2变形例的基板支架对刚形成之后的状态的剖面图。

图37是具有作为第3变形例的尘埃流入机构的磁铁单元的外观立体图。

图38是表示安装有屏蔽部的磁铁单元与吸附单元接触的状态的剖面图。

图39是概略性地表示基板接合装置的说明图。

图40是概略性地表示半导体晶片的平面图。

图41是概略性地表示保持了第1基板的第1基板支架的平面图。

图42是概略性地表示保持了第2基板的第2基板支架的平面图。

图43是概略性地表示基板支架对即将形成之前的状态的剖面图。

图44是概略性地表示基板支架对刚形成之后的状态的剖面图。

图45是概略性地表示磁铁单元的立体图。

图46是概略性地表示吸附单元的板弹簧的平面图。

图47是概略性地表示板弹簧弹性变形的状态的立体图。

图48是在图10表示的板弹簧的变形状态中包含吸附部件表示的立体图。

图49是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图50是表示磁铁单元和吸附单元的结合作用的剖面图。

图51是概略性地表示结合限制单元的纵截面图。

图52是概略性地表示搬送装置把持基板支架对的状态的侧视图。

图53是概略性地表示接合装置的枢轴部的侧视图。

图54是概略性地表示具有作为第1变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架的平面图。

图55是概略性地表示具有作为第2变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架的平面图。

图56是概略性地表示具有作为第3变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架的平面图。

具体实施方式

以下，通过发明的实施的方式说明本发明的几个侧面，不过，以下的实施方式并不限定权利要求范围所涉及的发明，另外，在实施方式中说明的特征组合并非全部都是发明的解决手段所必须的。

(第1实施方式)

图1是概略性地表示第1实施方式涉及的基板接合装置1010的说明图。基板接合装置1010具有对作为半导体晶片的第1基板1016、和层叠在其上的作为半导体晶片的第2基板1017的相对位置进行对准的对准装置1011。此外，具有将被对准装置1011对准后的第1基板1016及第2基板1017互相接合的接合装置1012。

第1基板1016被第1基板支架1014保持，第2基板1017被第2基板支架1015保持。在对准装置1011中，当第1基板1016和第2基板1017被对准时，第1基板支架1014和第2基板支架1015把它们夹持起来实施一体化，来形成基板支架对1018。关于具体的基板支架对1018的构成将后述。

基板接合装置1010还具有向接合装置1012搬送被对准装置1011一体化的基板支架对1018的搬送装置1013。此外，搬送装置1013还能够在装置间搬送半导体晶片、基板支架单体。搬送装置1013具有把持基板支架对1018等的把持物的把持部1019、和通过旋转、伸缩动作使把持物移动到预定的位置的臂部1020。

图2是概略性地表示本实施方式涉及的半导体晶片的平面图。作为半导体晶片的第1基板1016、第2基板1017，由单一的单结晶硅组成的圆形的薄板部件构成，在其一面设置多个电路区域1021。在分割形成为矩阵状的电路区域1021中，形成晶体管、电阻及电容等的电路元件。电路元件以光刻技术为核心，采用薄膜形成技术、蚀刻技术及杂质扩散技术等的成形技术形成。此外，在各电路区域1021的内部设置对准记号。对准记号是作为基板彼此对准所使用的指标。在分别设置于第1基板1016及第2基板1017的多个对准记号，其设计坐标值被单独保存到存储器，并管理。另外，成为层叠对象的半导体晶片，可以是已经被层叠且还进一步堆叠其他半导体晶片的半导体晶片。此时，已经被层叠的电路层优选经过薄化工序而除去无用的厚度。

图3是概略性地表示保持了第1基板1016的第1基板支架1014的平面图。

第1基板支架1014具有支架主体1022及吸附单元1030，整体形成比第1基板1016的直径大一圈的圆板状。支架主体1022由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体1022在其表面具有用于保持第1基板1016的区域。该保持区域被研磨而具有高度的平坦性。第1基板1016的保持利用了静电力的吸附。具体而言，借助被设置在支架主体1022里面的电压施加端子，对被填埋在支架主体1022中的电极施加电压，使第1基板支架1014和第1基板1016之间产生电位差，从而将第1基板1016吸附在第1基板支架1014上。另外，第1基板1016的吸附面，是与被设置了电路区域1021的面相反的面。

在保持第1基板1016的表面中，将多个吸附单元1030配置在比保持的第1基板1016还靠外侧的外周区域上。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个吸附单元1030。关于具体的构成后述。

图4是概略性地表示保持了第2基板1017的第2基板支架1015的平面图。第2基板支架1015具有支架主体1023及磁铁单元1031，整体形成为比第2基板1017的直径大一圈的圆板状。支架主体1023由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体1023在其表面具有保持第2基板1017的区域。该保持区域被研磨而具有高度的平坦性。第2基板1017的保持利用了静电力的吸附。具体而言，借助被设置在支架主体1023里面的电压施加端子，对被填埋在支架主体1023中的电极施加电压，使第2基板支架1015和第2基板1017之间产生电位差，从而将第2基板1017吸附在第2基板支架1015上。另外，第2基板1017的吸附面是与被设置了电路区域1021的面相反的面。

在保持第2基板1017的表面中，比所保持的第2基板1017靠外侧的外周区域配置多个磁铁单元1031。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个磁铁单元1031。

磁铁单元1031被配置成与第1基板支架1014的吸附单元1030分别对应。并且，如果使保持了第1基板1016的第1基板支架1014与保持了第2基板1017的第2基板支架1015互相相对，使吸附单元1030和磁铁单元1031发生作用，则能够将第1基板1016和第2基板1017以重合的状态进行夹持固定。这样被夹持固定的状态就是基板支架对1018。关于具体的构成及吸附的作用等后述。

图5是概略性地表示在对准装置1011中基板支架对1018即将形成之前的状态的剖面图。具体而言，是保持了第1基板1016的第1基板支架1014被真空吸附固定于对准装置1011的第1台1051，保持了第2基板1017的第2基板支架1015被真空吸附固定于对准装置1011的第2台1052的状态的剖面图。特别是表示沿着图3及图4所示的各A-A线剖开的剖面图。

第1台1051能够向对第2基板1017层叠第1基板1016的方向即Z轴方向、和与Z轴分别正交的X轴、Y轴方向移动。对准装置1011使用为了能够观察第1基板1016而配置在对准装置1011上的第1显微镜、和为了能够观察第2基板1017而配置在对准装置1011上的第2显微镜，进行第1基板1016和第2基板1017的对准。

具体而言，用各显微镜对成为观察对象的各基板的对准记号进行撮像，通过对所撮像的数据进行图像处理，而检测出对准记号的精确位置。并且，计算所对应的对准记号彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1台1051移动，从而使第1基板1016和第2基板1017对置。由此，第1基板1016的各电路区域1021分别与第2基板1017的对应的各电路区域1021对置。另外，位置偏差量的计算，例如采用全局对准法等计算，统计性地决定为在第1基板1016的多个对准记号和第2基板1017的多个对准记号重合的时候，使互相的位置偏差量最小。

将第1基板1016相对于第2基板1017进行对准的时候，即，使第1台1051在XY平面内移动的时候，两者之间形成若干的间隙，以使第1基板1016和第2基板1017不接触。第2台1052具有多个结合限制单元1053，以使吸附单元1030在上述状态下不与磁铁单元1031结合。

结合限制单元1053主要由作为柱状部件的按压销1054、和用于驱动它的气缸部1055构成。按压销1054在处于伸长位置时穿过支架插通孔1024和磁铁插通孔1032的内部，其前端从磁铁插通孔1032突出，其中，上述支架插通孔1024设置在第2基板支架1015上，上述磁铁插通孔1032设置在以与上述支架插通孔1024一致的方式对准配设的磁铁单元1031上。在处于收纳位置时，其一部分被收纳到气缸部1055的内部，从各个插通孔退回。也就是，按压销1054在各个插通孔的内部，通过气缸部1055的驱动而在Z轴方向进退。

如图5所示，当第1基板1016和第2基板1017能相对地向XY方向移动的时候，按压销1054被控制在伸长位置以接触吸附单元1030的上表面，阻止吸附单元1030向磁铁单元1031的结合。即，吸附单元1030由吸附部件1033和固定它的板弹簧1034构成，不过，为了不使板弹簧1034弹性变形后吸附部件1033向磁铁单元1031结合，而按压销1054从上方按住吸附部件1033，抑制板弹簧1034的弹性变形。

另外，由对准装置1011进行的第1基板1016和第2基板1017的对准，是在最终的微调整步骤中，用按压销1054的前端能够在吸附单元1030的上表面滑动的程度的移动量来执行。在上述步骤以外的步骤，例如在用显微镜观察对准记号的步骤中，由于第1基板1016和第2基板1017处于向XYZ轴方向相对较大地离开的状态，所以吸附单元1030不会意外地向磁铁单元1031进行结合。因此，按压销1054在磁铁单元1031的磁力到达吸附单元1030，且要限制两者的结合的时候，被控制在伸长位置，除此之外的情况下被控制在收纳位置。

图6是概略性地表示在对准装置1011中在基板支架对1018刚形成之后的状态的截面图。具体而言，表示从图5的状态将第1台1051向Z轴方向进行驱动以使第1基板1016的表面与第2基板1017的表面接触的状态，而且表示按压销1054被控制在收纳位置而吸附单元1030与磁铁单元1031结合后的状态。

在从图5的状态向图6的状态过渡的过程中，第1基板1016与第2基板1017被对准，作为结合部件的磁铁单元1031与作为被结合部件的吸附单元1030进行结合。并且，第1基板支架1014与第2基板支架1015被一体化，形成作为基板支架系统的基板支架对1018。

在对准装置1011中，Z轴方向是重力方向，第1台1051位于第2台1052的下方。那么，各面相对于重力方向的关系，从上向下依次为第2基板支架1015的第2基板1017的保持面、第2基板1017与第1基板1016的接合面、第1基板支架1014的第1基板1016的保持面。

在从图5的状态向图6的状态过渡的过程中，随着使按压销1054移动到收纳位置的动作，板弹簧1034发生弹性变形，吸附单元1030与磁铁单元1031结合。此时，吸附单元1030的吸附部件1033伴随着某种程度的冲击而与磁铁单元1031结合。因此，此时的吸附部件1033与磁铁单元1031的接触面的重力方向的位置，设定成位于第2基板1017与第1基板1016的接合面的下方。优选是，设定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更靠下方。

如果设定成这种位置关系，则能够期待：即使由于吸附单元1030与磁铁单元1031的结合冲击而产生尘埃并飞散，尘埃也因重力而落下，不会进入第1基板1016与第2基板1017之间。即，进入基板间的尘埃对电路动作带来不良，而且还导致接合强度不足，但是通过采用如上所述的位置关系，就能够期待避免这种不良。

而且，如果设定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更下方，则还能够抑制该面中的尘埃的附着。由此，能够将重复使用的第1基板支架1014保持为清洁的状态，在载置其它第1基板1016的情况下也没有夹入尘埃的担忧。因而，能够期待避免接合装置1012中的接合不均匀、第1基板1016的倾斜等。

此外，形成了基板支架对1018之后，基板支架对1018解除来自第2台1052的真空吸附，通过第1台1051拉下该基板支架对1018并通过搬送装置1013搬送到接合装置1012。关于搬送装置1013的搬送机构以及接合装置1012的接合工序将后述。

接着，说明磁铁单元1031的结构。图7是概略性地表示磁铁单元1031的立体图。磁铁单元1031具备磁铁1036、收容并支撑磁铁1036的支撑部1035、以及多个球状凸体1041。

支撑部1035具有收容磁铁1036的圆筒状的收容部，另外具有使固定在第2基板1017的螺丝贯通的螺孔1037。支撑部1035例如由碳素钢S25C形成。磁铁1036是构成嵌入在支撑部1035的收容部的圆柱形的永磁铁，例如具有8N左右大小的磁力。在磁铁1036的中心轴设置有插通按压销1054的插通孔1038，为了连接该插通孔1038，在支撑部1035上也设置有插通孔1039。通过这2个插通孔来形成磁铁插通孔1032。

支撑部1035具有与吸附部件1033相对置的对置面1040。并且在对置面1040中埋设有至少3个球状凸体1041。球状凸体1041是经由设置在对置面1040的例如作为环状的黄铜的固定部件1042通过压入来埋设、固定的。或者也可以构成为：通过打磨来加工支撑部1035的对置面1040，与支撑部1035一体地形成球状凸体1041。

通过这样形成球状凸体1041，能够使磁铁单元1031与吸附部件1033进行点接触。即，通过球状凸体1041而假想地形成的面成为与吸附部件1033的接触面，因此能够大幅度地降低两者的接触面积，由此能够极力地抑制尘埃的产生。

图8是概略性地表示磁铁单元1031的其它例子的立体图。与图7的磁铁单元1031不同，在对置面1040形成了作为截面形状构成三角形的凸部的线状凸体1050。线状凸体1050也可以构成为如下：通过打磨等来加工支撑部1035的对置面1040并与支撑部1035一体地形成、或分开形成来固定在对置面1040。

通过这样形成线状凸体1050，能够使磁铁单元1031与吸附部件1033进行线接触。例如，如果截面形状为三角形，则通过以其顶点为棱的直线来假想地形成的面成为与吸附部件1033的接触面，因此与面接触相比，能够大幅度地降低两者的接触面积，由此能够极力地抑制尘埃的产生。此外，截面形状不限于三角形，只要实质上能够实现线接触的形状则可以是任意形状。另外，即使通过打磨加工等在接触部残留若干的平面部，也只要实质上视作线接触即可。

接着，说明吸附单元1030的结构。图9是概略性地表示吸附单元1030的板弹簧1034的俯视图。

板弹簧1034是在与保持第2基板1017的第2基板支架1015的保持面正交的方向具有弹性的弹性部件，例如由SUS631等的高强度析出硬化型不锈钢形成。另外，板弹簧1034由中心附近的圆形部1043和突出成耳状的安装部1044构成，圆形部43的直径为22mm，厚度为0.1mm。

在圆形部1043中形成有相互沿着相同方向延伸、且向与伸长方向正交的方向隔着间隔配置的一对微缝1046。各微缝46离圆形部1043的中心的距离相等。通过这2个微缝1046，在圆形部1043的中心附近形成带状部1048。在带状部1048中，在成为圆形部1043的中心的位置设置有固定吸附部件1033的通孔1047。相同地，在安装部1044中具有使将板弹簧1034固定在第2基板支架1015的螺丝贯通的螺孔1045。板弹簧1034相对于第2基板支架1015以2个螺孔1045沿着第2基板支架1015的周方向、且微缝1046的伸长方向沿着第2基板支架1015的大致径向的方式，配置在支架主体1023的外周区域。

图10是概略性地表示板弹簧1034弹性变形的状态的立体图。具体地说，表示固定在板弹簧1034的吸附部件33被磁铁单元1031吸引而进行结合时的变形状态。但是在图中没有示出吸附部件1033。

板弹簧1034弹性变形成，通过吸附部件1033被磁铁单元1031的吸引，带状部1048以通孔1047成为顶点的方式浮起，并且伴随于此，圆形部1043的周边部中与带状部1048连接的2个部分相互靠近。此时，各微缝1046使开口形状变形以允许各个变形。

图11是在图10所示的板弹簧1034的变形状态中包含吸附部件1033而表示的立体图。吸附部件1033经由通孔1047通过螺丝等的紧固部件来固定在板弹簧1034。

吸附部件1033由铁磁体形成。例如，由碳素钢S25C形成。并且，在吸附部件1033中与磁铁单元1031的接触面固定有缓冲板1049。缓冲板1049的硬度比形成磁铁单元1031的接触面的部件的硬度还小。例如，作为缓冲板的材料使用Si系材料或者树脂系材料。

另外，缓冲板1049优选是能够对吸附部件1033进行更换的结构。缓冲板1049与磁铁单元1031的接触面接触、特别是设置有如球状凸体1041、线状凸体1050那样的凸部的情况下将受到集中的应力，因此由于吸收冲击有时可能产生凹陷、削落等。因此，每次使用一定期间之后即更换缓冲板1049。缓冲板1049通过嵌入或是使用粘接剂等的粘贴而固定在吸附部件1033上设置的凹部中。

另外，以上说明了：在磁铁单元1031的支撑部1035设置球状凸体1041等的凸部，在与其对置的吸附部件1033上设置缓冲板1049的构成。可是，作为结合部件的磁铁单元1031和作为被结合部件的吸附单元1030是相对的关系，所以凸部和缓冲板1049的形成场所也可以是相反的。

作为其例子，在图12中表示在吸附部件1033配设了球状凸体1041的情况的立体图。与设置在磁铁单元1031的支撑部1035的情况相同地，将至少3个球状凸体1041经由例如作为环状的黄铜的固定部件1042通过压入进行埋设。或者也可以构成为如下：通过打磨等加工，与吸附部件1033一体地形成球状凸体1041。在这样构成的情况下，相反，在磁铁单元1031的支撑部35设置缓冲板1049。

但是，即便在使凸部和缓冲板1049的形成位置逆转的情况下，也将吸附部件1033与磁铁单元1031的接触面的重力方向的位置，设定成位于第2基板1017与第1基板1016的接合面的下方。优选是，设定成位于比第1基板支架1014的第1基板1016的保持面更靠下方。

图13表示磁铁单元1031与吸附单元1030的结合作用的截面图。特别是，表示沿着图3以及图4中所示的各B-B线剖开的截面图。但是省略了第1基板1016、第2基板1017以及按压销1054等的记载。图13表示吸附部件1033与磁铁单元1031结合前的状态。另外，图14表示在与图13相同的剖面部中吸附部件33与磁铁单元1031结合后的状态。

如图所示，磁铁单元1031经由螺丝被固定在第2基板支架1015的表面。另外，与构成吸附部件1033的接触面的缓冲板1049接触的平面是由球状凸体1041的顶点构成的假想的平面，该假想的平面位于第1基板支架14的第1基板1016的保持面的下方。

即，在第1基板支架1014中，与设置吸附单元1030的区域对应地，设置有形成了比第1基板1016的保持面还低一层的面的凹部1025。并且，由球状凸体1041的顶点构成的假想的平面，在第1基板1016的表面与第2基板1017的表面接触的状态下，位于该凹部1025的空间内。

在凹部1025中设置有允许吸附部件1033的上下移动的通孔1026。另外，从第1基板支架1014中与第1基板1016的保持面相反的面亦即背面侧，将凹部1027设置在通孔1026的周围，以收纳在该凹部中的方式配置板弹簧1034、以及将板弹簧1034相对于第1基板支架1014进行固定的螺丝。

如从图13的状态向图14的状态的变化所示，固定吸附部件1033的带状部1048由于吸附部件1033被磁铁1036吸引而进行弹性变形。此时，由于安装部1044处于被固定在第1基板支架1014的状态，因此板弹簧1034向夹持第1基板1016和第2基板1017使第1基板支架1014和第2基板支架1015相互拉近的方向施力来保持平衡。

图15是概略性地表示结合限制单元1053的纵截面图。结合限制单元1053与磁铁单元1031对应地在第2基板支架1015上被配置多个。在气缸部1055连接调整气缸部1055内部的气压的气泵1056。控制部通过控制气泵1056使按压销1054进退。也就是，控制按压销1054的至少一部分位于气缸部1055的内部的收纳位置、和按压销1054的前端1057按压缓冲板1049的伸长位置。因而，按压销1054按压缓冲板1049的按压力具有抵抗板弹簧1034的弹力的大小。

按压销1054的前端1057被加工成球状以与缓冲板1049进行点接触。或者，也可以在前端部分体设置像球状凸体1041那样的球。

图16是概略性地表示搬送装置1013把持基板支架对1018的状态的侧视图。搬送装置1013具备臂部1020、以及与该臂部1020连接的把持部1019。把持部1019具有将基板支架对1018从下方进行支撑的支撑板1062、以及从上方按压的压板1063。在支撑板1062中设置有对基板支架对1018进行真空吸附固定的吸气孔，基板支架对1018通过该作用而固定在支撑板1062上。

压板1063被设置在支撑板3062的端部设置的支柱1064上，能在夹住基板支架对1018的方向进退。压板1063通过对固定于支撑板1062的基板支架对1018作用推压力，从而能用压板1063和支撑板1062夹持基板支架对1018。搬送装置1013通过以该状态使臂部1020工作，将基板支架对1018从对准装置1011搬送到接合装置1012。

图17是概略性地表示接合装置1012要部的侧视图。接合装置1012具有被配置在第1基板支架1014下方的下部加压台1065、和被配置在第2基板支架1015上方的上部加压台1066。上部加压台1066为了与下部加压台1065协作来对基板支架对1018加压，能够向接近下部加压台1065的方向移动。下部加压台1065及上部加压台1066的内部设置加热器，不仅能对载置的基板支架对1018加压，还能进行加热。通过基板支架对1018被加压、被加热，第1基板1016和第2基板1017的互相接触的电极彼此熔接。由此，第1基板1016和第2基板1017的分别对应的电路区域1021被接合。

如以上说明，通过相对地减少吸附部件1033和磁铁单元1031的接触面积，而减少尘埃被夹入的机会。因而，抑制了吸附部件1033或磁铁单元1031的接触面所附着的尘埃由于结合时的夹入而被粉碎、被细化而飞散。只要尘埃的细化和飞散被抑制，也就抑制了这些尘埃向基板方向流入。特别是如果尘埃被粉碎而细化，则存在因为在基板支架对1018搬送的时候、装卸第1基板1016、第2基板1017的时候等的动作时所产生的风压而容易使被细化的尘埃飞舞的问题，不过，在上述的实施方式中，不易产生这样的问题。并且，只要能使被夹入的尘埃减少的话，也能抑制在吸附部件1033和磁铁单元1031的结合时这些接触面被削减。因此，也有利于防止新的尘埃发生。

(第2实施方式)

图18是概略性地表示第2实施方式涉及的基板接合装置2010的说明图。基板接合装置2010具有对作为半导体晶片的第1基板2016、和层叠在其上的作为半导体晶片的第2基板2017的相对的位置进行对准的对准装置2011。此外，具有将被对准装置2011对准后的第1基板2016及第2基板2017互相接合的接合装置2012。

第1基板2016被第1基板支架2014保持，第2基板2017被第2基板支架2015保持。在对准装置2011中，当第1基板2016和第2基板2017一被对准时，第1基板支架2014和第2基板支架2015把它们夹持起来实施一体化，来形成基板支架对2018。关于具体的基板支架对2018的构成将后述。

基板接合装置2010还具有向接合装置2012搬送被对准装置2011一体化的基板支架对2018的搬送装置2013。此外，搬送装置2013还能够在装置间搬送半导体晶片、基板支架单体。搬送装置2013具有把持基板支架对2018等的把持物的把持部2019、和通过旋转、伸缩动作使把持物移动到预定的位置的的臂部2020。

图19是概略性地表示本实施方式涉及的半导体晶片的平面图。作为半导体晶片的第1基板2016、第2基板2017，由单一的单结晶硅组成的圆形的薄板部件组成，在其一面设置多个电路区域2021，在分割形成为矩阵状的电路区域2021中，形成晶体管、电阻及电容等的电路元件。电路元件以光刻技术为核心，采用薄膜形成技术、蚀刻技术及杂质扩散技术等的成形技术形成。此外，在各电路区域2021的内部设置对准记号。对准记号是作为基板彼此对准所使用的指标。在分别设置于第1基板2016及第2基板2017的多个对准记号，其设计坐标值被单独保存到存储器，并管理。另外，成为层叠对象的半导体晶片，可以是已经被层叠且还进一步堆叠其他半导体晶片的半导体晶片。此时，已经被层叠的电路层优选经过薄化工序而除去无用的厚度。

图20是概略性地表示保持了第1基板2016的第1基板支架2014的平面图。第1基板支架2014具有支架主体2022及作为结合部的吸附单元2030，整体为比第1基板2016的直径大一圈的圆板状。支架主体2022由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体2022在其表面具有用于保持第1基板2016的区域。该保持区域被研磨而具有高度的平坦性。第1基板2016的保持利用了静电力的吸附。具体而言，借助被设置在支架主体2022里面的电压施加端子，对被填埋在支架主体2022中的电极施加电压，使第1基板支架2014和第1基板2016之间产生电位差，从而将第1基板2016吸附在第1基板支架2014上。另外，第1基板2016的吸附面，是与被设置了电路区域2021的面相反的面。

在保持第1基板2016的表面中，将多个吸附单元2030配置在比保持的第1基板2016还靠外侧的外周区域上。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个吸附单元2030。关于具体的构成后述。

在第1基板支架2014中，在保持第1基板2016的区域和各吸附单元2030之间的区域，设置贯通支架主体2022的第1通孔2101。第1通孔2101，如图所示，在各吸附单元2030的组和保持第1基板2016的区域之间分别各设置3个，不过，例如，也可以按照吸附单元2030的个数设置，可以配合吸附单元2030的组的形状而设置成长孔形状。

图21是概略性地表示保持了第2基板2017的第2基板支架2015的平面图。第2基板支架2015具有支架主体2023及作为结合部的磁铁单元2031，整体形成为比第2基板2017的直径大一圈的圆板状。支架主体2023由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体2023在其表面具有保持第2基板2017的区域。该保持区域被研磨而具有高度的平坦性。第2基板2017的保持利用了静电力的吸附。具体而言，借助被设置在支架主体2023里面的电压施加端子，对被填埋在支架主体2023中的电极施加电压，使第2基板支架2015和第2基板2017之间产生电位差，从而将第2基板2017吸附在第2基板支架2015上。另外，第2基板2017的吸附面是与被设置了电路区域2021的面相反的面。

在保持第2基板2017的表面中，比所保持的第2基板2017靠外侧的外周区域配置多个磁铁单元2031。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个磁铁单元2031。

磁铁单元2031被配置成与第1基板支架2014的吸附单元2030分别对应。并且，如果使保持了第1基板2016的第1基板支架2014和保持了第2基板2017的第2基板支架2015互相相对，使吸附单元2030和磁铁单元2031发生作用，则能够将第1基板2016和第2基板2017以重合的状态进行夹持固定。这样被夹持固定的状态就是基板支架对2018。关于具体的构成及吸附的作用等后述。

在第2基板支架2015中，在保持第2基板2017的区域和各个磁铁单元2031之间的区域，设置贯通支架主体2023的第2通孔2102。第2通孔2102如图所示，在各磁铁单元2031的组和保持第2基板2017的区域之间分别各设置3个，不过，例如，也可以按照磁铁单元2031的个数设置，还可以配合磁铁单元2031的组的形状设置成长孔形状。第1通孔2101和第2通孔2102构成尘埃流入抑制机构，不过，关于具体的作用将后述。

图22是概略性地表示在对准装置2011中基板支架对2018即将形成之前的状态的剖面图。具体而言，是保持了第1基板2016的第1基板支架2014被真空吸附固定于对准装置2011的第1台2051，保持了第2基板2017的第2基板支架2015被真空吸附固定于对准装置2011的第2台2052的状态的剖面图。特别是表示沿着图20及图21所示的各A-A线剖开的剖面图。

在第1台2051的内部通过并且与表面连通的第1吸气配管2071，发挥基于吸气装置2075的吸引力，而将第1基板支架2014真空吸附固定在第1台2051的表面。第1吸气配管2071相对于第1台2051的表面被分成多支，广泛均匀地吸引第1基板支架2014的背面。通过第1阀2073调整吸气装置2075的吸引力，来控制第1基板支架14的装拆。

同样，在第2台2052的内部通过并且与表面连通的第2吸气配管2072，发挥基于吸气装置2075的吸引力，而将第2基板支架2015真空吸附固定在第2台2052的表面。第2吸气配管2072相对于第2台2052的表面被分成多支，广泛均匀地吸引第2基板支架2015的背面。通过第2阀2074调整吸气装置2075的吸引力，来控制第2基板支架的15的装拆。

第1台2051能够向对第2基板2017层叠第1基板2016的方向亦即Z轴方向、与Z轴分别正交的X轴、Y轴方向移动。对准装置2011使用为了能够观察第1基板2016而配置在对准装置2011上的第1显微镜、和为了能够观察第2基板2017而被配置在对准装置2011上的第2显微镜，进行第1基板2016和第2基板2017的对准。

具体而言，用各显微镜对成为观察对象的各基板的对准记号进行撮像，通过对所撮像的数据进行图像处理，而检测出对准记号的精确位置。并且，计算所对应的对准记号彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1台2051移动，从而使第1基板2016和第2基板2017对置。由此，第1基板2016的各电路区域2021分别与第2基板2017的对应的各电路区域2021对置。另外，位置偏差量的计算，例如采用全局对准法等计算，统计性地决定为在第1基板2016的多个对准记号和第2基板2017的多个对准记号重合的时候，使互相的位置偏差量最小。

将第1基板2016相对于第2基板2017进行对准的时候，即，使第1台2051在XY平面内移动的时候，两者之间形成若干的间隙，以使第1基板2016和第2基板2017不接触，第2台2052具有多个结合限制单元1053，以使吸附单元2030在上述状态下不与磁铁单元2031结合。

结合限制单元2053主要由作为柱状部件的按压销2054、和用于驱动它的气缸部2055构成。按压销2054在处于伸长位置时穿过支架插通孔2024和磁铁插通孔1032的内部，其前端从磁铁插通孔2032突出，其中，上述支架插通孔2024设置在第2基板支架1015上，上述磁铁插通孔2032设置在以与上述支架插通孔1024一致的方式对准配设的磁铁单元1031上。在处于收纳位置时，其一部分被收纳到气缸部1055的内部，从各个插通孔退回。也就是，按压销2054在各个插通孔的内部，通过气缸部2055的驱动而在Z轴方向进退。

如图22所示，当第1基板2016和第2基板2017能相对地在XY方向移动的时候，按压销2054被控制在伸长位置以接触吸附单元2030的上表面，阻止吸附单元2030向磁铁单元2031的结合。即，吸附单元2030由吸附部件2033和固定它的板弹簧2034构成，不过，为了不使板弹簧2034弹性变形后吸附部件2033向磁铁单元2031结合，而按压销2054从上方按压吸附部件2033，抑制板弹簧2034的弹性变形。

另外，由对准装置2011进行的第1基板2016和第2基板2017的对准，是在最终的微调整步骤中，用按压销2054的前端能够在吸附单元2030的上表面滑动的程度的移动量来执行。在上述步骤以外的步骤，例如在用显微镜观察对准记号的步骤中，由于第1基板2016和第2基板2017处于向XYZ轴方向相对较大地离开的状态，所以吸附单元2030不会意外地向磁铁单元2031进行结合。因此，按压销2054在磁铁单元2031的磁力到达吸附单元2030，且要限制两者的结合的时候，被控制在伸长位置，除此之外的情况下被控制在收纳位置。

从第1吸气配管2071分支并与第1台2051的表面连通的分歧管的一部分，作为第1连通管2111，与被固定在第1台2051上的第1基板支架2014的第1通孔2101连接。此外，从第2吸气配管2072分支并与第2台2052的表面连通的分歧管的一部分，作为第2连通管2112，与被固定在第2台2052上的第2基板支架2015的第2通孔2102连接。此外，从第1吸气配管2071分支并与第1台2051的表面连通的分歧管的其他部分，作为第3连通管2113，与被固定在第1台2051上的第1基板支架2014的板弹簧2034的背面侧的空间连接。

图23是概略性地表示在对对准装置2011中基板支架对2018刚形成之后的状态的剖面图。具体而言，表示从图22状态将第1台2051向Z轴方向进行驱动以使第1基板2016的表面与第2基板2017的表面接触的状态，并且表示按压销2054被控制在收纳位置而吸附单元2030结合于磁铁单元2031的状态。

在从图22状态向图23的状态过渡的过程中，第1基板2016和第2基板2017被对准，作为结合部件的磁铁单元2031和作为被结合部件的吸附单元2030进行结合。并且，第1基板支架2014和第2基板支架2015被一体化，形成作为基板支架系统的基板支架对2018。

在对准装置2011中，Z轴方向是重力方向，第1台2051位于第2台2052的下方。那么，各面相对于重力方向的关系，从上向下依次为第2基板支架2015的第2基板2017的保持面、第2基板2017和第1基板2016的接合面、第1基板支架2014的第1基板2016的保持面。

在从图22的状态向图23过渡的过程中，随着使按压销2054移动到收纳位置的动作，板弹簧2034发生弹性变形，吸附单元2030与磁铁单元2031结合。此时，吸附单元2030的吸附部件2033随着某种程度的冲击而与磁铁单元2031结合。因此，此时的吸附部件2033与磁铁单元2031的接触面的重力方向的位置，设定成位于第2基板2017与第1基板2016的接合面的下方。优选是，设定成位于比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更下方。

如果设定成这种位置关系，则能够期待：即使由于吸附单元2030与磁铁单元2031的结合冲击而产生尘埃并飞散，尘埃也会因为重力而落下，不会进入第1基板2016与第2基板2017之间。尽管如此如果还有一部分尘埃从第1基板支架2014与第2基板支架2015间的空间朝向第1基板2016及第2基板2017的方向的情况下，也能期待这些尘埃被第1通孔2101或第2通孔2102回收。

具体而言，与第1连通管2111连接的第1通孔2101、以及与第2连通管2112连接的第2通孔2102，均由于吸气装置2075的作用而呈吸气状态，吸入其开口附近的环境气体。并且，当由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而产生的尘埃的一部分试图通过这些开口附近的时候，连带周围的环境气体一起都被吸入到任一开口，从而被回收到第1吸气配管2071或第2吸气配管2072。也就是，可以期待将所发生的尘埃在其跟前进行回收，而防止其进入第1基板2016和第2基板2017之间。进入基板间的尘埃对电路动作带来不良，而且还导致接合强度不足，但通过采用如上所述的构成，能减少这样的不良。

进一步，在板弹簧2034的背面侧的空间连接有第3连通管2113，也能期待从第3连通管2113回收由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而发生的尘埃。也就是，因为第3连通管2113也因吸气装置2075的作用而处于吸气状态，吸入板弹簧2034背面侧的空间的环境气体，因此所发生的尘埃与环境气体一起被吸引，被回收到第1吸气配管2071。

另外，也可以从吸附单元2030和磁铁单元2031结合的时刻开始所经过的预定的时间段，调整第1阀2073及第2阀2074而加强第1吸气配管2071和第2吸气配管2072的吸引力。通过这样加强吸引力能以更高的概率回收尘埃。

形成了基板支架对2018之后，基板支架对2018解除来自第2台2052的真空吸附，通过第1台2051拉下该基板支架对2018并通过搬送装置2013搬送到接合装置2012。关于搬送装置2013的搬送机构及接合装置2012的接合工序将后述。

接着，说明磁铁单元2031的构成。图24是概略性地表示磁铁单元2031的立体图。磁铁单元2031具有磁铁2036、和收容并支撑磁铁2036的支撑部2035。

支撑部2035具有收容磁铁2036的圆筒状的收容部，另外具有使固定在第2基板支架2015上的螺丝贯通的螺孔2037。支撑部2035例如由碳素钢S25C形成。支撑部2035具有与吸附部件2033对置的对置面2040。磁铁2036是嵌入支撑部2035的收容部的圆柱形的永磁铁，例如具有8N左右大小的磁力。在磁铁2036的中心轴设置有插通按压销2054的插通孔2038，为了连接该插通孔2038，在支撑部2035上也设置有插通孔2039。通过这2个插通孔，形成磁铁插通孔2032。

接着，说明吸附单元2030的构成。图25是概略性地表示吸附单元2030的板弹簧2034的平面图。板弹簧2034是在与保持第2基板2017的第2基板支架2015的保持面正交的方向具有弹性的弹性部件，例如由SUS631等高强度析出硬化型不锈钢形成。此外，板弹簧2034由中心附近的圆形部43和突出成耳状的安装部2044构成，中心部的直径是22mm，厚度是0.1mm。

在圆形部43中形成有相互沿着相同方向延伸、且向与伸长方向正交的方向隔着间隔配置的一对微缝2046。各微缝2046距圆形部43中心的距离相等。通过这2个微缝2046在圆形部43的中心附近形成带状部2048。在带状部2048上，在成为圆形部43的中心的位置设置有固定吸附部件2033的通孔2047。同样，在安装部2044上，具有使将板弹簧2034固定于第2基板支架2015的螺丝贯通的螺孔2045。板弹簧2034相对于第2基板支架2015以2个螺孔2045沿着第2基板支架2015的周方向、且微缝2046的伸长方向沿着第2基板支架2015的大致径向的方式，配置在支架主体2023的周缘部。

图26是概略性地表示板弹簧2034弹性变形的状态的立体图。具体而言，表示固定在板弹簧2034的吸附部件2033被磁铁单元2031吸引而进行结合时的变形状态。但是在图中没有示出吸附部件2033。

板弹簧2034弹性变形成，通过吸附部件2033被磁铁单元2031的吸引，带状部2048以通孔2047成为顶点的方式浮起，并且伴随于此，圆形部43的周边部中与带状部2048连接的2个部分为相互靠近。此时，各微缝2046使开口形状变形以容许各个变形。

图27是在图26所示的板弹簧2034的变形状态中包含吸附部件2033而表示的立体图。吸附部件2033借助通孔2047，被螺丝等的紧固部件固定在板弹簧2034上的吸附部件2033由铁磁体形成。例如，由碳素钢S25C形成。

图28是表示磁铁单元2031和吸附单元2030的结合作用的剖面图。特别是表示沿着图20及图21所示的各B-B线剖开的剖面图。但省略了第1基板2016、第2基板2017及按压销2054等记载。图28表示吸附部件2033与磁铁单元2031结合前的状态。此外，图29表示在与图28相同的剖面部中吸附部件2033与磁铁单元2031结合后的状态。

如图所示，磁铁单元2031经由螺丝被固定在第2基板支架2015的表面。并且，与吸附部件2033对置的对置面2040，位于第1基板支架2014的第1基板2016保持面的下方。即，在第1基板支架2014，与设置吸附单元2030的区域对应地，设置形成了比第1基板2016的保持面低一层的面的凹部2025。也就是，磁铁单元2031接触吸附部件2033的接触预定面亦即对置面2040，在第1基板2016的表面和第2基板2017的表面接触的状态下，位于这个凹部2025的空间内。

在凹部2025设置容许吸附部件2033上下移动的通孔2026。此外，从第1基板支架2014中与第1基板2016的保持面相反的面亦即背面侧，将凹部2027设置在通孔2026的周围，以收纳在该凹部中的方式配置板弹簧2034、以及将板弹簧2034相对于第1基板支架2014进行固定的螺丝。

如从图28的状态向图29的状态变化所示，固定吸附部件2033的带状部2048由于吸附部件2033被磁铁2036吸引而进行弹性变形。此时，因为安装部2044处于被固定在第1基板支架2014的状态，所以板弹簧2034向夹持第1基板2016和第2基板2017使第1基板支架2014和第2基板支架2015相互拉近的方向施力来保持平衡。

图30是概略性地表示结合限制单元2053的纵截面图。结合限制单元2053与磁铁单元2031对应地在第2基板支架2015上被配置多个。在气缸部2055连接调整气缸部2055内部的气压的气泵2056。控制部通过控制气泵2056使按压销2054进退。也就是，控制按压销2054的至少一部分位于气缸部2055的内部的收纳位置、和按压销2054的前端2057按压吸附部件2033的伸长位置。因此，按压销2054按压吸附部件2033的按压力，具有抵抗板弹簧2034的弹力的大小。另外，按压销2054的前端2057被加工成球状，以与吸附部件2033点接触。

图31是概略性地表示搬送装置2013把持基板支架对2018的状态的侧视图。搬送装置2013具有臂部2020、和与该臂部2020连接的把持部2019。把持部2019具有将基板支架对2018从下方进行支撑的支撑板2062、和从上方按压的压板2063。在支撑板2062上设置有对基板支架对2018进行真空吸附固定的吸气孔，基板支架对2018通过该作用而固定在支撑板2062上。

压板2063被设置在支撑板2062的端部设置的支柱2064上，能在夹住基板支架对2018的方向进退。压板2063通过对固定于支撑板2062的基板支架对2018作用推压力，从而能用压板2063和支撑板2062夹持基板支架对2018。搬送装置2013通过以该状态使臂部2020工作，将基板支架对2018从对准装置2011搬送到接合装置2012。

图32是概略性地表示接合装置2012要部的侧视图。接合装置2012具有被配置在第1基板支架2014下方的下部加压台2065、和被配置在第2基板支架2015上方的上部加压台2066。上部加压台2066为了与下部加压台2065协作来对基板支架对2018加压，能够向接近下部加压台2065的方向移动。下部加压台2065及上部加压台2066内部设置加热器，不仅能对载置的基板支架对2018加压，还能进行加热。通过基板支架对2018被加压、被加热，第1基板2016和第2基板2017的互相接触的电极彼此熔接。由此，第1基板2016和第2基板2017的分别对应的电路区域2021被接合。

(第2实施方式的变形例1)

图33是概略性地表示具有作为第2实施方式的第1变形例的尘埃流入抑制机构的第1基板支架2014的平面图。用图20说明的第1基板支架2014，在保持第1基板2016的区域和各个吸附单元2030之间的区域，设置有贯通支架主体2022的第1通孔2101。与此相对，在本变形例中，除这些第1通孔2101之外，还以对保持第1基板2016的区域进行包围的方式设置多个通孔。作为这些通孔全体，在支架主体2022上形成圆环通孔2121。

与第1基板支架2014的圆环通孔2121对应地，在第2基板支架2015也呈圆环状地设置多个通孔。并且，如与第1通孔2101连接的第1连通管2111、与第2通孔2102连接的第2连通管2112那样，在被真空吸附于第1台2051或第2台2052的时候，各个通孔与对应的连通管连接。与连通管连接的通孔，通过吸气装置2075的作用，吸收其开口附近的环境气体。根据这样构成的基板支架对2018，可以期待在其跟前不仅回收由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而发生的尘埃，还回收周边环境气体中浮游的尘埃，防止它们进入第1基板2016和第2基板2017间。

另外，在上述的实施方式中，构成为使用从第1吸气配管2071或第2吸气配管2072分支的连通管来从通孔吸气。可是，可以将与第1基板支架2014的通孔或第2基板支架的通孔连接的各连通管的至少一方，作为与第1吸气配管2071或第2吸气配管2072不同的系统设置。并且，如果能控制成一方吸气、另一方喷气的话，能在保持基板的区域的周围形成气帘，从而能够期待防止尘埃从这个区域的外部侵入。

(第2实施方式的变形例2)

图34是概略性地表示具有作为第2实施方式的第2变形例的尘埃流入抑制机构的第1基板支架2014的平面图。用图20说明的第1基板支架2014，在保持第1基板2016的区域和各吸附单元2030之间的区域，设置贯通支架主体2022的第1通孔2101。相对于此，在本变形例中，替换第1通孔2101，形成从第1基板2016保持面呈凸状地突出的第1防尘壁2131。第1防尘壁2131在图示的情况下与吸附单元2030的组对应地呈圆弧状地设置3个。圆弧的圆心角被设定成，比一组吸附单元2030在圆周方向上所占的圆弧的圆心角还大。

图35是概略性地表示具有作为第2变形例的尘埃流入抑制机构的第2基板支架2015的平面图。使用图21说明的第2基板支架2015，在保持第2基板2017的区域和各磁铁单元2031之间的区域，设置有贯通支架主体2023的第2通孔2102。与此相对，在本变形例中，代替第2通孔2102，从第2基板2017的保持面突出成凸状地形成第2防尘壁2132。在图示的情况下，第2防尘壁2132与磁铁单元2031的组对应地呈圆弧状地设置3个。圆弧的圆心角被设定成，比一组磁铁单元2031在圆周方向上所占的圆弧的圆心角还大。

图36是概略性地表示作为第2变形例的基板支架对2018刚形成之后的状态的剖面图。具体而言，是保持了第1基板2016的第1基板支架2014，被对准装置2011的第1台2051真空吸附固定，保持了第2基板2017的第2基板支架2015，被对准装置2011的第2台2052真空吸附固定的状态的剖面图。特别是表示沿着图34及图35所示的各C-C线剖开的剖面图。

如图所示，第1防尘壁2131和第2防尘壁2132在使第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的时候，形成为嵌套状。第1防尘壁2131的高度是如下高度：在第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的时候，越过第1基板2016与第2基板2017的接触面而延伸到第2基板支架2015侧，并且与保持第2基板2017的第2基板支架2015的保持面不接触的高度。第2防尘壁2132的高度是如下高度：在第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的时候，越过第1基板2016与第2基板2017的接触面而延伸到第1基板支架2014侧，并且与保持第1基板2016的第1基板支架2014的保持面不接触的高度。并且，为了防尘壁彼此不干涉，例如第1防尘壁2131形成在比第2防尘壁2132更靠外周侧。外周侧或内周侧的关系，可以是相反的，可以根据每个吸附单元2030与磁铁单元2031的组合进行变更。

根据这样构成，即使由于吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而发生尘埃，并飞散，尘埃也不会直接地飞向第1基板2016及第2基板2017方向。即，可以期待飞散的尘埃在到达第1基板2016或第2基板2017之前，侵入被第1防尘壁2131或第2防尘壁2132阻止，附着在这些上。

另外，在将吸附单元2030和磁铁单元203的接触面的重力方向的位置，设定在比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面还靠下方的位置时，优选将第1防尘壁2131设置在比第2防尘壁2132更靠外周侧。由此，能够形成尘埃更难朝向第1基板2016及第2基板2017方向的路径。

第1防尘壁2131及第2防尘壁2132的形状不限定于上述的圆弧形状。例如，第1防尘壁2131也可以是以包围每个吸附单元2030的组的方式，在圆弧形状上附加形成放射形状的部分。与其对应，第2防尘壁2132也可以对磁铁单元2031以包围每个组的方式，在圆弧形状上附加形成放射形状的部分。此外，也可以将第1防尘壁2131以对保持第1基板2016的区域的周围进行包围的方式形成圆形状。与其对应，也可以将第2防尘壁2132以对保持第2基板2017的区域的周围进行包围的方式形成圆形状。由于能够使由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击所发生的尘埃到达第1基板2016及第2基板2017的路径变得复杂，所以即使是以上所述的形状，也能期待获得和圆弧形状同样的防尘效果。

(第2实施方式的变形例3)

图37是具有作为第2实施方式的第3变形例的尘埃流入机构的磁铁单元2031的外观立体图。在本变形例中的磁铁单元，相对于使用图24说明的磁铁单元2031还具有屏蔽部2141。屏蔽部2141嵌合安装在支撑部2035的圆筒外周上，形成如同从外周方向盖住对置面2040的裙子形状。

图38是表示安装了屏蔽部2141的磁铁单元2031与吸附单元2030接触的状态的剖面图。吸附单元2030和磁铁单元2031的接触面的重力方向的位置，设定在比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更靠下方的位置。因此，当第1基板支架2014和第2基板支架2015重合的时候，凹部2025担负作为避让部的作用，以使屏蔽部2141能够侵入比第1基板支架2014的第1基板2016的保持面更靠下方的位置。

根据具有这样的屏蔽部2141的磁铁单元2031，能在屏蔽部2141的内部捕获由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而发生的尘埃。因此，能期待使到达第1基板2016及第2基板2017的尘埃极少。

另外，屏蔽部2141可以形成为相对磁铁单元2031自由装拆。如果能自由装拆，即使在屏蔽部2141内部被尘埃污染也可以更换，保养容易。反过来，也可以和支撑部2035一体性地形成屏蔽部2141。如果一体性地形成，能削减零部件个数，组装也变的容易。

如上所述，在第2基板支架2015的支架主体2023中埋入电极，使第2基板支架2015和第2基板2017之间产生电位差，从而使第2基板支架2015吸附第2基板2017。因此，也可以在屏蔽部2141设置与该电极连接的带电部，使屏蔽部2141带电的构成。因为如果使屏蔽部2141带电的话，能期待使之吸附尘埃的效果，因此能进一步提高尘埃捕获的效率。

此外，在上述的变形例中，对磁铁单元2031设置了屏蔽部。可是，也可以是对吸附部件2033安装屏蔽部2141的构成。即使这样构成，也能抑制由吸附单元2030和磁铁单元2031的结合冲击而发生的尘埃的飞散。

如以上说明，在任何实施方式中基板支架对2018都能够在结合了吸附单元2030和磁铁单元2031的状态下，抑制尘埃向第1基板2016及第2基板2017的载置区域侧的流入。即，能抑制由于吸附单元2030和磁铁单元2031的结合的时候的冲击而从两者发生的尘埃的流入。此外，还能够期待抑制结合后作为基板支架对2018被搬送的时候，侵入第1基板支架2014及第2基板支架2015间的尘埃向第1基板2016及第2基板2017的载置区域侧的流入。因此，对于用基板支架对2018而制造的器件，能够期待由尘埃的侵入造成的电路不良被抑制的高质量。此外，在制造工序中也能期待高成品率。

(第3实施方式)

图39是概略性地表示本实施方式涉及的基板接合装置3010的说明图。基板接合装置3010具有对作为半导体晶片的第1基板3016、和层叠在其上的作为半导体晶片的第2基板3017的相对位置进行对准的对准装置3011。此外，具有将被对准装置3011对准后的第1基板3016及第2基板3017互相接合的接合装置3012。接合装置3012将第1基板3016和第2基板3017加压、或加压及加热实现恒久性的接合。

第1基板3016被第1基板支架3014保持，第2基板3017被第2基板支架3015保持。在对准装置3011中，当第1基板3016和第2基板3017被对准时，第1基板支架3014和第2基板支架3015把它们夹持起来实施一体化，来形成基板支架对3018。关于具体的基板支架对3018的构成后述。

基板接合装置3010还具有向接合装置3012搬送被对准装置3011一体化的基板支架对3018的搬送装置3013。此外，搬送装置3013还能够在装置间搬送半导体晶片、基板支架单体。搬送装置3013具有把持基板支架对3018等的把持物的把持部3019、和通过旋转、伸缩动作使把持物移动到预定的位置的臂部3020。

图40是概略性地表示本实施方式涉及的半导体晶片的平面图。作为半导体晶片的第1基板3016、第2基板3017，由单一的单结晶硅组成的圆形的薄板部件构成，在其一面设置多个电路区域3021。在分割形成为矩阵状的电路区域3021中，形成晶体管、电阻及电容等的电路元件。电路元件以光刻技术作为核心，采用薄膜形成技术、蚀刻技术及杂质扩散技术等的成形技术形成。此外，在各电路区域3021的内部设置对准记号。对准记号是作为基板彼此对准所使用的指标。在分别设置于第1基板3016及第2基板3017的多个对准记号，其设计坐标值被单独保存到存储器，并管理。另外，成为层叠对象的半导体晶片，可以是已经被层叠且还进一步堆叠其他半导体晶片的半导体晶片。此时，已经被层叠的电路层优选经过薄化工序而除去无用的厚度。

图41是概略性地表示保持了第1基板3016的第1基板支架3014的平面图。第1基板支架3014具有支架主体3022及作为结合部的吸附单元3030，整体形成比第1基板3016的直径大一圈的圆板状。支架主体3022由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体3022在其表面具有用于载置保持第1基板3016的载置区域。该载置区域被研磨而具有高度的平坦性。在图中，大体上被第1基板3016的外周包围的区域相当于载置区域。第1基板3016的保持利用了静电力的吸附而进行。具体的构成后述。另外，第1基板3016的吸附面是与被设置了电路区域1021的面相反的面。

在保持第1基板3016的表面中，将多个吸附单元3030配置在比第1基板3016的载置区域还靠外侧的外周区域。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个吸附单元3030。关于具体的构成后述。

在第1基板支架3014中，在第1基板3016的载置区域和各吸附单元3030之间，设置捕获尘埃的第1尘埃捕获区域3101。在图示的情况下，第1尘埃捕获区域3101被分别设置在各吸附单元3030的组和第1基板3016的载置区域之间，不过，例如也能根据吸附单元3030的个数设置。第1尘埃捕获区域3101是利用静电捕获特别是从吸附单元3030飞散过来的尘埃的区域。关于具体的构成后述。

图42是概略性地表示保持了第2基板3017的第2基板支架3015的平面图。第2基板支架3015具有支架主体3023及作为结合部的磁铁单元3031，整体形成为比第2基板3017的直径大一圈的圆板状。支架主体3023由陶瓷、金属等的高刚性材料一体成形。

支架主体3023在其表面具有载置保持第2基板3017的载置区域。该保持区域被研磨而具有高度的平坦性。在图中，被第2基板3017的外周包围的区域大体上相当于载置区域。第2基板3017的保持利用了静电力的吸附而进行。具体的构成后述。另外，第2基板3017的吸附面是与被设置了电路区域3021的面相反的面。

在保持第2基板3017的表面中，将多个磁铁单元3031配置在比第2基板3017的载置区域还靠外侧的外周区域。图示的情况是2个为一组且每隔120度共计配置6个磁铁单元3031。

磁铁单元3031被配置成与第1基板支架3014的吸附单元3030分别对应。并且，如果使保持了第1基板3016的第1基板支架3014与保持了第2基板3017的第2基板支架3015互相相对，使吸附单元3030和磁铁单元3031发生作用，则能够将第1基板3016和第2基板3017以重合的状态进行夹持固定。这样被夹持固定的状态就是基板支架对3018。关于具体的构成及吸附的作用等后述。

在第2基板支架3015中，在第2基板3017的载置区域和各磁铁单元3031之间，设置捕获尘埃的第2尘埃捕获区域3102。第2尘埃捕获区域3102，在图示的情况下，分别被设置在各个磁铁单元3031的组和第2基板3017的载置区域之间，不过，例如，也可以按照磁铁单元3031的个数设置。第2尘埃捕获区域3102是利用静电力捕获特别是从磁铁单元3031飞散的尘埃的区域。关于具体的构成将后述。

图43是概略性地表示在对准装置3011中基板支架对3018即将形成之前的状态的剖面图。具体而言，是保持了第1基板3016的第1基板支架3014被真空吸附固定在对准装置3011的第1台3051，保持了第2基板3017的第2基板支架3015被真空吸附固定在对准装置3011第2台3052的状态。特别是表示沿着图41及图42所示的各A-A线剖开的剖面图。

在第1台3051的内部通过且与表面连通的第1吸气配管3071发挥基于吸气装置3075的吸引力，来将第1基板支架3014真空吸附固定在第1台3051的表面。第1吸气配管3071相对于第1台3051的表面被分成多支，广泛均匀地吸引第1基板支架3014的背面。通过第1阀3073调整吸气装置3075的吸引力，来控制第1基板支架的14装卸。

同样，在第2台3052的内部通过且与表面连通的第2吸气配管3072发挥基于吸气装置3075的吸引力，来将第2基板支架3015真空吸附固定在第2台3052的表面。第2吸气配管3072相对于第2台3052的表面被分成多支，广泛均匀地吸引第2基板支架3015的背面。通过第2阀3074调整吸气装置3075的吸引力，来控制第2基板支架的15的装卸。

第1台3051能够向对第2基板3017层叠第1基板3016的方向亦即Z轴方向、与Z轴分别正交的X轴、Y轴方向移动。对准装置3011使用为了能观察第1基板3016而配置在对准装置3011上的第1显微镜、和为了能够观察第2基板3017而配置在对准装置3011上的第2显微镜，进行第1基板3016和第2基板3017的对准。

具体而言，用各显微镜对成为观察对象的各基板的对准记号进行撮像，通过对所撮像的数据进行图像处理，而检测出对准记号的精确位置。并且，计算所对应的对准记号彼此的位置偏差量，按照其位置偏差量使第1台3051移动，从而使第1基板3016和第2基板3017对置。由此，第1基板3016的各电路区域3021分别与第2基板3017的对应的各电路区域3021对置。另外，位置偏差量的计算，例如采用全局对准法等计算，统计性地决定为在第1基板3016的多个对准记号和第2基板3017的多个对准记号重合的时候，使互相的位置偏差量最小。

将第1基板3016相对于第2基板3017进行对准的时候，即，使第1台3051在XY平面内移动的时候，两者之间形成若干的间隙，以使第1基板3016和第2基板3017不接触。第2台3052具有多个结合限制单元3053，以使吸附单元3030在上述状态下不与磁铁单元3031结合。

结合限制单元3053主要由作为柱状部件的按压销3054、和用于驱动它的气缸部3055构成。按压销3054在处于伸长位置时穿过支架插通孔3024和磁铁插通孔3032的内部，其前端从磁铁插通孔3032突出，其中，上述支架插通孔3024设置在第2基板支架3015上，上述磁铁插通孔3032设置在以与上述支架插通孔3024一致的方式对准配设的磁铁单元3031上。在处于收纳位置时，其一部分被收纳到气缸部3055的内部，从各个插通孔退回。也就是，按压销3054在各个插通孔的内部，通过气缸部3055的驱动而在Z轴方向进退。

如图43所示，当第1基板3016和第2基板3017能相对地在XY方向移动的时候，按压销3054被控制在伸长位置以接触吸附单元3030的上表面，阻止吸附单元3030向磁铁单元3031的结合。也就是，吸附单元3030由吸附部件3033和固定它的板弹簧3034构成，不过，为了不使板弹簧3034弹性变形后吸附部件3033向磁铁单元1031结合，按压销3054从上方按压住吸附部件3033，抑制板弹簧3034的弹性变形。

另外，由对准装置3011进行的第1基板3016和第2基板3017的对准，是在最终的微调整步骤中，用按压销3054的前端能够在吸附单元3030的上表面滑动的程度的移动量来执行。在上述步骤以外的步骤，例如在用显微镜观察对准记号的步骤中，由于第1基板3016和第2基板3017处于向XYZ轴方向相对较大地离开的状态，所以吸附单元3030不会意外地向磁铁单元3031结合。因此，按压销3054在磁铁单元3031的磁力到达吸附单元3030，且要限制两者的结合的时候，被控制在伸长位置，除此之外的情况下被控制在收纳位置。

在第1基板支架3014的支架主体3022中，与第1基板3016的载置区域对应地，埋入第1基板电极3116。第1基板电极3116通过第1基板线路3126与第1电压施加端子3121连接。在第1台3051上在与第1电压施加端子3121对应的位置设置第1电压供给端子3131，当第1基板支架3014被固定于第1台3051时，将第1电压施加端子3121和第1电压供给端子3131连接。借助穿设于第1台3051内的导线，从外部电源向第1电压供给端子3131供给电压。从外部电源向第1电压供给端子3131的电压供给被对准装置3011的控制部控制。根据这样的构成，第1基板3016和第1基板支架3014之间发生电位差，第1基板3016被静电吸附在第1基板支架3014的载置区域，维持相对第1基板支架3014的姿势。

第2基板支架3015的支架主体3023中，与第2基板3017的载置区域对应地，埋入第2基板电极3117。第2基板电极3117通过第2基板线路3127与第2电压施加端子3122连接。第2台3052在与第2电压施加端子3122对应的位置设置第2电压供给端子3132，当第2基板支架3015被固定于第2台3052时，将第2电压施加端子3122和第2电压供给端子3132连接。借助穿设于第2台3052内的导线，从外部电源向第2电压供给端子3132供给电压。从外部电源向第2电压供给端子3132的电压供给，被对准装置3011的控制部控制。根据这样的构成，在第2基板3017和第2基板支架3015之间发生电位差，第2基板3017被静电吸附在第2基板支架3015载置区域，维持相对第2基板支架3015的姿势。

在第1基板支架3014的支架主体3022上，还与第1尘埃捕获区域3101对应地，埋入第1尘埃捕获电极3111。第1尘埃捕获电极3111通过第1尘埃线路3113与第1电压施加端子3121连接。因此，当第1基板支架3014被固定在第1台3051时，第1尘埃捕获电极3111也被供给电压。在这样的构成中，如果对第1尘埃捕获电极3111供给电压，第1尘埃捕获区域3101带有电荷。浮游的尘埃大多数情况下带负电，所以只要以使第1尘埃捕获区域3101带正电的方式对第1尘埃捕获电极3111供给电压，则能够使这些尘埃向第1尘埃捕获区域3101靠近、吸附。

如上所述，对第1基板电极3116的供给电压和对第1尘埃捕获电极3111的供给电压，通过共通的第1电压施加端子3121来进行。然而，可以使第1基板线路3126和第1尘埃线路3113的线路电阻分别不同等，来对第1基板3016的载置区域的每单位面积的静电吸附力、和第1尘埃捕获区域3101的每单位面积的静电吸附力设置差值。具体而言，为了更强有力地吸引浮游的尘埃，优选构成为第1尘埃捕获区域3101的每单位面积的静电吸附力比第1基板3016的载置区域的每单位面积的静电吸附力大。

另外，以将第1尘埃捕获电极3111和第1基板电极3116向载置第1基板3016的方向投影的时候的形状互相不重合的方式，分别决定第1尘埃捕获电极3111和第1基板电极3116的外形形状及向支架主体3022的埋入位置。由此，能分离第1基板3016的载置区域和第1尘埃捕获区域3101，所以能回避所捕获的尘埃移动到第1基板3016。

在第2基板支架3015的支架主体3023上，还与第2尘埃捕获区域3102对应地，埋入第2尘埃捕获电极3112。第2尘埃捕获电极3112通过第2尘埃线路3114与第2电压施加端子3122连接。因此，当第2基板支架3015被固定于第2台3052时，第2尘埃捕获电极3112也被供给电压。在这样的构成中，如果对第2尘埃捕获电极3112供给电压，第2尘埃捕获区域3102带有电荷。和第1尘埃捕获区域3101同样，以使第2尘埃捕获区域3102也带正电的方式对第2尘埃捕获电极3112供给电压，能够使这些尘埃向第2尘埃捕获区域3102吸引、吸附。

和第1基板支架3014同样，优选构成为第2尘埃捕获区域3102的每单位面积的静电吸附力比第2基板3017的载置区域的每单位面积的静电吸附力大。另外，以将第2尘埃捕获电极3112和第2基板电极3117向载置第2基板3017的方向投影的时候的形状互相不重合的方式，分别决定第2尘埃捕获电极3112和第2基板电极3117的外形形状及向支架主体3023的埋入位置。

图44是概略性地表示在对准装置3011中基板支架对3018刚形成之后的状态的剖面图。具体而言，表示从图43的状态向Z轴方向驱动第1台3051以使第1基板3016的表面和第2基板3017的表面接触的状态，而且表示按压销3054被控制在收纳位置而吸附单元3030与磁铁单元3031结合后的状态。

在从图43状态向图44状态过渡的过程中，第1基板3016和第2基板3017被对准，作为结合部件的磁铁单元3031和作为被结合部件的吸附单元3030进行结合。并且，第1基板支架3014和第2基板支架3015被一体化，形成作为基板支架系统的基板支架对3018。

在板弹簧3034弹性变形，吸附单元3030结合到磁铁单元3031上的过程中，吸附单元3030的吸附部件3033，伴随某种程度的冲击与磁铁单元3031结合。这个时候，有时因为吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击而发生尘埃的飞散。这些尘埃如果附着在第1基板3016、第2基板3017的基板间及近旁，则在此后的接合装置3012的接合工序中，将导致不均匀的加热加压，引起接合强度不足。此外，在完成的半导体器件中也有因为夹入的尘埃而引起电路动作不良的问题。

对于这样的问题，在本实施方式中，至少在吸附单元3030接触磁铁单元3031之后的若干时间内，控制部对第1尘埃捕获电极3111和第2尘埃捕获电极3112施加电压，用第1尘埃捕获区域3101及第2尘埃捕获区域3102捕获飞散的尘埃。通过采用这样的构成，能期待将所发生的尘埃在其跟前进行回收，而不进入第1基板3016和第2基板3017间。

形成基板支架对3018之后，基板支架对3018解除来自第2台3052的真空吸附，通过第1台3051拉下该基板支架对1018并通过搬送装置3013搬送到接合装置3012。搬送装置3013的搬送机构及接合装置3012连接工序将后述。

接着，说明磁铁单元3031的构成。图45是概略性地表示磁铁单元3031的立体图。磁铁单元3031具有磁铁3036、收容并支撑磁铁3036的支撑部3035。

支撑部3035具有收容磁铁3036的圆筒状的收容部，另外具有使固定于第2基板支架3015的螺丝贯通的螺孔3037。支撑部3035例如由碳素钢S25C形成。支撑部3035具有与吸附部件3033对置的对置面3040。磁铁3036是构成嵌入在支撑部3035的收容部的圆柱形的永磁铁，例如具有8N左右大小的磁力。在磁铁3036的中心轴，设置插通按压销3054的插通孔3038，为了连接该插通孔3038，在支撑部3035上也设置插通孔3039。通过这2个插通孔，来形成磁铁插通孔3032。

接着，说明吸附单元3030的构成。图46是概略性地表示吸附单元3030的板弹簧3034的平面图。板弹簧3034是在与保持第2基板3017的第2基板支架3015的保持面正交的方向具有弹性的弹性部件，例如，由SUS631等高强度析出硬化型不锈钢形成。另外，板弹簧3034由中心附近的圆形部43和突出成耳状的安装部3044组成，中心部的直径是22mm，厚度是0.1mm。

在圆形部43上形成有相互沿着相同方向延伸、且向与伸长方向正交的方向隔着间隔配置的一对微缝3046。各微缝3046自圆形部43的中心的距离相等。通过这2个微缝3046在圆形部43的中心附近形成带状部3048。在带状部3048中，在成为圆形部43的中心的位置，设置固定吸附部件3033的通孔3047。同样，在安装部3044中，具有使将板弹簧3034固定在第2基板支架3015上的螺丝贯通的螺孔3045。板弹簧3034相对于第2基板支架3015，以2个螺孔3045沿着第2基板支架3015的周方向、且微缝3046的伸长方向沿着第2基板支架3015的大致径向的方式，配置在支架主体3023的周缘部上。

图47是概略性地表示板弹簧3034弹性变形的状态的立体图。具体而言，表示固定在板弹簧3034的吸附部件3033被磁铁单元3031吸引而进行结合时的变形状态。但是在图中没示出吸附部件3033。

板弹簧3034弹性变形成，通过吸附部件3033被磁铁单元3031的吸引，带状部3048以通孔3047成为顶点的方式浮起，并且伴随于此，圆形部43的周边部中与带状部3048连接的2个部分互相接近。这时，各微缝3046使开口形状变形以容许各个变形。

图48是在图47所表示的板弹簧3034的变形状态中包含吸附部件3033而表示的立体图。吸附部件3033借助通孔3047，通过螺丝等的紧固部件被固定在板弹簧3034上的吸附部件3033由铁磁体形成。例如，由碳素钢S25C形成。

图49是表示磁铁单元3031和吸附单元3030的结合作用的剖面图。特别是表示沿着图41及图42所示的各B-B线剖开的剖面图。但省略了第1基板3016、第2基板3017及按压销3054等的记载。图49表示吸附部件3033与磁铁单元3031结合前的状态。此外，图50表示在与图49相同的剖面部中，吸附部件3033与磁铁单元3031结合后的状态。

如图所示，磁铁单元3031通过螺丝被固定在第2基板支架3015的表面。并且，与吸附部件3033对置的对置面3040位于第1基板支架3014的第1基板3016的保持面的下方。即，在第1基板支架3014上与设置吸附单元3030的区域对应地，设置形成了比第1基板3016的保持面低一层的面的凹部3025。也就是，磁铁单元3031与吸附部件3033接触的接触预定面亦即对置面3040，在第1基板3016的表面和第2基板3017的表面接触的状态下，位于这个凹部3025的空间内。

在凹部3025设置容许吸附部件3033上下移动的通孔3026。此外，从第1基板支架3014中与第1基板3016的保持面相反的面亦即背面侧，将凹部3027设置在通孔3026的周围，以收纳在这个凹部中的方式配置板弹簧3034、和将板弹簧3034相对于第1基板支架3014进行固定的螺丝。

如从图49的状态向图50的状态的变化所示，固定吸附部件3033的带状部3048由于吸附部件3033被磁铁3036吸引而发生弹性变形。此时，因为安装部3044处于被固定在第1基板支架3014的状态，所以板弹簧3034向夹持第1基板3016和第2基板3017使第1基板支架3014和第2基板支架3015相互拉近的方向施力来保持平衡。

图51是概略性地表示结合限制单元3053的纵截面图。结合限制单元3053与磁铁单元3031对应地在第2基板支架3015上被配置多个。在气缸部3055中连接有调整气缸部3055的内部的气压的气泵3056。控制部通过控制气泵3056来使按压销3054进退。即，控制按压销3054的至少一部分位于气缸部3055的内部的收纳位置、和按压销3054的前端3057按压吸附部件3033的伸长位置。因而，按压销3054按压吸附部件3033的按压力，具有抵抗板弹簧3034的弹性力的大小。另外，按压销3054的前端3057被加工成球状以与吸附部件3033点接触。

图52是概略性地表示搬送装置3013把持基板支架对3018的状态的侧视图。搬送装置3013具有臂部3020和与该臂部3020连接的把持部3019。把持部3019具有从下方支撑基板支架对3018的支撑板3062、和从上方按压的压板3063。在支撑板3062上，设置有对基板支架对3018进行真空吸附固定的吸气孔，基板支架对3018通过该作用而固定于支撑板3062。

压板3063被设置在支撑板3062的端部设置的支柱3064上，能在夹住基板支架对3018的方向进退。压板3063通过对固定于支撑板3062的基板支架对3018作用推压力，从而能用压板3063和支撑板3062夹持基板支架对3018。搬送装置3013通过以该状态使臂部3020工作，将基板支架对3018从对准装置3011搬送到接合装置3012。另外，搬送装置3013构成为在搬送中也能向第1电压施加端子3121、第2电压施加端子3122供给电压。由此，能使第1基板3016、第2基板3017静电吸附，即使在搬送中也不必担心基板和基板支架相对偏离。

图53是概略性地表示接合装置3012的要部的侧视图。接合装置3012具有被配置在第1基板支架3014下方的下部加压台3065、和被配置在第2基板支架3015上方的上部加压台3066。上部加压台3066为了与下部加压台3065协作来对基板支架对3018加压，能够向接近下部加压台3065的方向移动。下部加压台3065及上部加压台3066的内部设置加热器，不仅能对载置的基板支架对3018加压，还能进行加热。由于基板支架对3018被加压、被加热，第1基板3016和第2基板3017的互相接触的电极彼此熔接。由此，第1基板3016和第2基板3017的分别对应的电路区域3021被接合。

(第3实施方式的变形例1)

图54是概略性地表示具有作为第3实施方式的第1变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架3014的平面图。用图41说明的第1基板支架3014，在第1基板3016的载置区域和各吸附单元3030之间，设置捕获尘埃的第1尘埃捕获区域3101。对此，在本变形例中，以连接这些第1尘埃捕获区域3101且包围第1基板3016的载置区域的方式设置圆环状的尘埃捕获区域3161。与该尘埃捕获区域3161对应地，也形成圆环状的尘埃捕获电极并埋入支架主体3022。

与第1基板支架3014的尘埃捕获区域3161对应地，在第2基板支架3015也设置圆环状的尘埃捕获区域。根据这样构成的基板支架对3018，能期待在其跟前不仅捕获因为吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击而发生的尘埃，还捕获周边环境气体中浮游的尘埃，防止它们进入第1基板3016和第2基板3017之间。

(第3实施方式的变形例2)

图55是概略性地表示具有作为第3实施方式的第2变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架3014的平面图。用图41说明的第1基板支架3014，在第1基板3016的载置区域和各吸附单元3030所夹住的区域，呈圆弧状地设置了捕获尘埃的第1尘埃捕获区域3101。对此，在本变形例中，除了这些圆弧状的区域，还以包含包围吸附单元3030的周围的区域的方式设定尘埃捕获区域3171。与该尘埃捕获区域3171对应地，尘埃捕获电极也形成包围吸附单元3030的形状并埋入支架主体3022。

与第1基板支架3014的尘埃捕获区域3161对应地，在第2基板支架3015上也以包围磁铁单元3031的方式设置尘埃捕获区域。根据这样构成的基板支架对3018，能够更可靠地捕获由吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击发生的尘埃。

(第3实施方式的变形例3)

图56是概略性地表示具有作为第3实施方式的第3变形例的尘埃捕获区域的第1基板支架3014的平面图。用图41说明的第1基板支架3014，在第1基板3016的载置区域和各吸附单元3030之间，设置了捕获尘埃的第1尘埃捕获区域3101。对此，在本变形例中，在这些第1尘埃捕获区域3101的基础上追加设置搬送时尘埃捕获区域3181。与该搬送时尘埃捕获区域3181对应地，将搬送时尘埃捕获电极埋入支架主体3022。

在第1基板支架3014被搬送装置3013、其他的滑块机构等搬送的时候，常常预先设定相对于搬送方向的第1基板支架3014的姿势。因此，在第1基板支架3014中的搬送方向侧的区域设置搬送时尘埃捕获区域3181，捕获自搬送方向前方飞来的尘埃，防止附着到第1基板3016上。也可以在用搬送装置3013、其他的滑块机构等搬送第1基板支架3014的时候，以使搬送时尘埃捕获区域3181处于搬送方向侧的方式，在搬送装置侧控制第1基板支架3014的姿势。

与第1基板支架3014的搬送时尘埃捕获区域3181对应地，在第2基板支架3015也设置搬送时尘埃捕获区域。根据这样构成的基板支架对3018，能够期待在其跟前不仅捕获由吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击发生的尘埃，还捕获搬送时飞来的尘埃，防止它们进入第1基板3016和第2基板3017间。

第1尘埃捕获区域3101及第2尘埃捕获区域3102，是以捕获因为吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击而发生的尘埃为目的，不过，搬送时尘埃捕获区域3181，是以捕获搬送时飞来的尘埃为目的。因此，将各区域的起作用的期间互相错开即可。具体而言，第1尘埃捕获区域3101及第2尘埃捕获区域3102起作用的期间，是吸附单元3030和磁铁单元3031接触之后的若干期间，搬送时尘埃捕获区域3181起作用的期间是单独搬送第1基板支架3014、第2基板支架3015的期间、或是作为基板支架对3018搬送的期间。搬送时尘埃捕获电极的线路分开构成，以能够对第1尘埃捕获电极3111及第2尘埃捕获电极3112独立地施加电压，控制部根据状况选择性地使尘埃捕获区域起作用。

如果是因为吸附单元3030和磁铁单元3031的结合冲击发生的尘埃不存在，或是能够忽略的程度的话，可以省略第1尘埃捕获区域3101及第2尘埃捕获区域3102。此时，只设置搬送时尘埃捕获区域3181，捕获搬送时飞来的尘埃。

以上说明的本实施方式，含各变形例，说明了分别用第1基板电极3116及第2基板电极3117的静电吸附，来吸附固定第1基板3016及第2基板3017的情况。可是，基板的吸附不限定于静电吸附。可以采用在各支架上设置吸引孔进行真空吸引，通过真空吸附而吸附固定的构成。即使在这种情况下，也能够静电吸附在各尘埃捕获区域中浮游的尘埃。

此外，用上述的第1基板支架3014及第2基板支架3015，通过基板接合装置3010制造器件的时候，作为重合第1基板3016及第2基板的工序，经过以下的工序。即，在第1基板支架3014上载置第1基板3016的工序、在第2基板支架3015上载置第2基板3017的工序、对第1尘埃捕获电极3111及第2尘埃捕获电极3112的至少一方通电而使其发生静电力、并且结合吸附单元3030和磁铁单元3031来使第1基板支架3014和第2基板支架3015一体化的工序。

此外，作为第1基板3016以形成芯片前的基板的状态被搬送的工序，经过以下工序。即，第1基板3016载置在第1基板支架3014上的工序，对搬送时尘埃捕获电极通电使其发生静电力、并且与第1基板支架3014一起搬送第1基板3016的工序。

由于具有在以上的各实施方式中说明的尘埃流入抑制部，可以期待以下结果：抑制在基板接合装置中的各工艺流程中可能发生的尘埃及从基板支架本身可能发生的尘埃的发生，或者阻碍向夹持基板的区域流入、附着。

以上，通过实施方式说明了本发明，不过，本发明的技术范围不限于上述实施方式所记载的范围。对上述实施例可以施加多种多样的变更和改良，对于本领域普通技术人员而言是显而易见的。根据权利要求的记载可以明确，实施了这样的变更和改良的实施方式也包含在本发明的技术范围之内。

应该注意的是，在权利要求、说明书和附图表示的装置、系统、程序，和在方法中的动作、次序、步骤，和步骤等的各处理的执行顺序，只要没有特别注明“比...先”、“在...之前”等，并且只要不是后边的处理必须使用前面的处理的输出，就可以以任意的顺序实施。有关权利要求、说明书和附图中的动作流程，为了说明上的方便，说明中使用了“首先”、“接着”、等字样，但即使这样也不意味着必须以这个顺序实施。

符号的说明

1010基板接合装置，1011对准装置，1012接合装置，1013搬送装置，1014第1基板支架，1015第2基板支架，1016第1基板，1017第2基板，1018基板支架对，1019把持部，1020臂部，1021电路区域，1022，1023支架主体，1024支架插通孔，1025凹部，1026通孔，1027凹部，1030吸附单元，1031磁铁单元，1032磁铁插通孔，1033吸附部件，1034板弹簧，1035支撑部，1036磁铁，1037螺孔，1038、1039插通孔，1040对置面，1041球状凸体，1042固定部件，1043圆形部，1044安装部，1045螺孔，1046微缝，1047通孔，1048带状部，1049缓冲板，1050线状凸体，1051第1台，1052第2台，1053结合限制单元，1054按压销，1055气缸部，1056气泵，1057前端，1062支撑板，1063压板，1064支柱，1065下部加压台，1066上部加压台，2010基板接合装置，2011对准装置，2012接合装置，2013搬送装置，2014第1基板支架，2015第2基板支架，2016第1基板，2017第2基板，2018基板支架对，2019把持部，2020臂部，2021电路区域，2022，2023支架主体，2024支架插通孔，2025凹部，2026通孔，2027凹部，2030吸附单元，2031磁铁单元，2032磁铁插通孔，2033吸附部件，2034板弹簧，2035支撑部，2036磁铁，2037螺孔，2038，2039插通孔，2040对置面，2044安装部，2045螺孔，2046微缝，2047通孔，2048带状部，2051第1台，2052第2台，2053结合限制单元，2054按压销，2055气缸部，2056气泵，2057前端，2062支撑板，2063压板，2064支柱，2065下部加压台，2066上部加压台，2071第1吸气配管，2072第2吸气配管，2073第1阀，2074第2阀，2075吸气装置，2101第1通孔，2102第2通孔，2111第1连通管，2112第2连通管，2113第3连通管，2121圆环通孔，2131第1防尘壁，2132第2防尘壁，2141屏蔽部3010基板接合装置，3011对准装置，3012接合装置，3013搬送装置，3014第1基板支架，3015第2基板支架，3016第1基板，3017第2基板，3018基板支架对，3019把持部，3020臂部，3021电路区域，3022，3023支架主体，3024支架插通孔，3025凹部，3026通孔，3027凹部，3030吸附单元，3031磁铁单元，3032磁铁插通孔，3033吸附部件，3034板弹簧，3035支撑部，3036磁铁，3037螺孔，3038，3039插通孔，3040对置面，3044安装部，3045螺孔，3046微缝，3047通孔，3048带状部，3051第1台，3052第2台，3053结合限制单元，3054按压销，3055气缸部，3056气泵，3057前端，3062支撑板，3063压板，3064支柱，3065下部加压台，3066上部加压台，3071第1吸气配管，3072第2吸气配管，3073第1阀，3074第2阀，3075吸气装置，3101第1尘埃捕获区域，3102第2尘埃捕获区域，3111第1尘埃捕获电极，3112第2尘埃捕获电极，3113第1尘埃线路，3114第2尘埃线路，3116第1基板电极，3117第2基板电极，3121第1电压施加端子，3122第2电压施加端子，3126第1基板线路，3127第2基板线路，3131第1电压供给端子，3132第2电压供给端子，3161尘埃捕获区域，3171尘埃捕获区域，3181搬送时尘埃捕获区域。

Claims (44)

1.一种基板支架，其中，具有：

抑制尘埃流入保持基板的区域的尘埃流入抑制机构。

2.一种基板支架，其中，具有：

支架主体，具有保持基板的保持面；

结合部件，被设置在所述保持面的基板保持区域的外周部；

在所述结合部件中的与被结合部件对置的对置面上形成有凸部，以与所述被结合部件点接触或线接触。

3.根据权利要求2所述的基板支架，其中，

用与所述结合部件不同的部件形成所述凸部。

4.根据权利要求2或3所述的基板支架，其中，

所述凸部是在所述对置面埋设至少3个球部件而形成的。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板支架，其中，

所述结合部件具有磁铁、和具有所述对置面且支撑所述磁铁的支撑部。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的基板支架，其中，

所述结合部件具有通孔，该通孔供防止所述被结合部件结合在所述结合部件上的柱部件贯通。

7.根据权利要求2至4中任一项所述的基板支架，其中，

所述结合部件是铁磁体。

8.根据权利要求7所述的基板支架，其中，

所述结合部件借助至少在与所述保持面正交的方向具有弹性的弹性部件而被固定于所述支架主体。

9.一种基板接合装置，其中，

具有权利要求1至8中任一项所述的基板支架。

10.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括在基板支架上载置所述多个基板的至少一个基板的步骤，该基板支架具有被设置在保持基板的保持面的基板保持区域的外周部的结合部件，并且在所述结合部件中与被结合部件对置的对置面形成有凸部以与所述被结合部件点接触或线接触。

11.一种基板处理系统，

包括：使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向，来夹持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系统；和保持所述基板支架系统的处理装置；其中，

在所述基板支架系统及所述处理装置的至少一方，具有抑制尘埃向夹持所述第1基板和所述第2基板的区域流入的尘埃流入抑制机构。

12.一种基板处理系统，

包括：使保持第1基板的第1基板支架和保持第2基板的第2基板支架相向，来夹持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系统；和保持所述基板支架系统的处理装置；其中，

该基板处理系统具有：

被设置在所述第1基板支架上的被结合部件；以及

与所述被结合部件对置且被设置在所述第2基板支架上的结合部件；

在所述基板支架系统被保持于所述处理装置时，所述结合部件和所述被结合部件的接触面，位于在重力方向上比所述第1基板和所述第2基板的接合面更靠下方的位置。

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，

在所述处理装置被保持于所述基板支架系统时，所述结合部件和所述被结合部件的接触面，位于比在保持所述第1基板的所述第1基板支架的保持面及保持所述第2基板的所述第2基板支架的保持面中的在重力方向上位于下方的保持面更靠下方的位置。

14.一种基板接合装置，其中，具有：

权利要求11至13中任一项所述的基板处理系统。

15.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括保持第1基板和第2基板的步骤，

以在包括使保持所述多个基板中的所述第1基板的第1基板支架和保持所述多个基板中的所述第2基板的第2基板支架相向来夹持所述第1基板和所述第2基板的基板支架系统、和保持所述基板支架系统的处理装置的基板处理系统中，

在所述基板支架系统被保持于所述处理装置时，被设置在所述第2基板支架上的结合部件和被设置在所述第1基板支架上的被结合部件的接触面，位于比第1基板和第2基板的接合面在重力方向上更靠下方的位置。

16.一种基板支架对，其中，具有：

载置第1基板的第1基板支架；

载置第2基板的第2基板支架；以及

在所述第1基板支架和所述第2基板支架夹持了所述第1基板和所述第2基板时，抑制尘埃向所述第1基板和所述第2基板的方向流入的尘埃流入抑制机构。

17.一种基板支架对，其中，具有：

第1基板支架，具有载置第1基板的第1载置区域、和被设在所述第1载置区域的外周部的第1结合部；

第2基板支架，具有载置第2基板的第2载置区域、和被设在所述第2载置区域的外周部的第2结合部；

尘埃流入抑制机构，在使所述第1载置区域和所述第2载置区域对置，且结合所述第1结合部和所述第2结合部的状态下，抑制尘埃向所述第1载置区域及所述第2载置区域流入；

所述尘埃流入抑制机构被设置在所述第1基板支架的所述第1载置区域和所述第1结合部之间、以及所述第2基板支架的所述第2载置区域和所述第2结合部之间的至少一方。

18.根据权利要求17所述的基板支架对，其中，

所述尘埃流入抑制机构被设置有：

第1通孔，被设置在所述第1基板支架的所述第1载置区域和所述第1结合部之间，并且沿载置所述第1基板的载置方向进行贯通；

第2通孔，被设置在所述第2基板支架的所述第2载置区域和所述第2结合部之间，并且沿载置所述第2基板的载置方向进行贯通。

19.根据权利要求18所述的基板支架对，其中，

所述第1通孔及所述第2通孔的至少一方与吸引管连接。

20.根据权利要求18或19所述的基板支架对，其中，

所述第1基板支架，在所述第1载置区域的外周部，且在与所述第1结合部之间以外的位置具有第3通孔；

所述第2基板支架，在所述第2载置区域的外周部，且在与所述第2结合部之间以外的位置具有第4通孔。

21.根据权利要求20所述的基板支架对，其中，

所述第3通孔及所述第4通孔的至少一方与吸引管连接。

22.根据权利要求17所述的基板支架对，其中，

所述尘埃流入抑制机构包括：

在所述第1基板支架的所述第1载置区域和所述第1结合部之间，相对于所述第1载置区域形成为凸状的第1壁部；以及

在所述第2基板支架的所述第2载置区域和所述第2结合部之间，相对于所述第2载置区域形成为凸状的第2壁部。

23.根据权利要求22所述的基板支架对，其中，

所述第1壁部及所述第2壁部被设置成，各自的高度比到所述第1基板和所述第2基板的接触面为止的高度高，并且在所述第1基板支架和所述第2基板支架进行一体化时互相不干涉。

24.根据权利要求22或23所述的基板支架对，其中，

所述第1壁部以包围所述第1载置区域的方式被设置，所述第2壁部以包围所述第2载置区域的方式被设置。

25.根据权利要求17所述的基板支架对，其中，

所述尘埃流入抑制机构由屏蔽部形成，

该屏蔽部被设置在所述第1基板支架的所述第1结合部附近，并且被设置成在所述第1结合部与所述第2结合部接触时，将彼此的接触面从该接触面的周围进行覆盖。

26.根据权利要求25所述的基板支架对，其中，

所述尘埃流入抑制机构还具有避让部，该避让部被设置在所述第2基板支架的所述第2结合部附近，在所述第1结合部与所述第2结合部接触时供所述屏蔽部侵入。

27.根据权利要求25或26所述的基板支架对，其中，

所述屏蔽部与所述第1结合部形成为一体。

28.根据权利要求25至27中任一项所述的基板支架对，其中，

具有使所述屏蔽部带电的带电部。

29.根据权利要求25至28中任一项所述的基板支架对，其中，

所述屏蔽部能够相对于所述第1基板支架进行装拆。

30.一种基板接合装置，其中，

具有权利要求16至29中任一项所述的基板支架对。

31.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括：

在具有载置第1基板的第1载置区域、和被设在所述第1载置区域的外周部的第1结合部的第1基板支架上，载置所述第1基板的步骤；

在具有载置第2基板的第2载置区域、和被设在所述第2载置区域的外周部的第2结合部的第2基板支架上，载置所述第2基板的步骤；以及

一边利用尘埃流入抑制机构抑制尘埃向所述第1载置区域及所述第2载置区域流入，一边结合所述第1结合部和所述第2结合部来进行所述第1基板支架和所述第2基板支架的一体化的步骤，其中所述尘埃流入抑制机构设置在所述第1基板支架的所述第1载置区域和所述第1结合部之间、以及所述第2基板支架的所述第2载置区域和所述第2结合部之间的至少一方。

32.一种基板支架，该基板支架是载置基板并被搬送的基板支架，其中，具有：

支架主体，在表面具有载置基板的载置区域；

结合部件，被设置在所述载置区域的外周部，与被结合部件结合；以及

尘埃捕获电极，被埋设在所述支架主体中的所述载置区域和所述结合部件之间的尘埃捕获区域中，发生静电力而捕获尘埃。

33.根据权利要求32所述的基板支架，其中，

所述尘埃捕获区域还包括包围所述结合部件的周围的区域。

34.根据权利要求32或33所述的基板支架，其中，

所述尘埃捕获区域还包括比所述载置区域靠所述基板支架的搬送方向侧的区域。

35.一种基板支架，该基板支架是载置基板并被搬送的基板支架，其中，包括：

支架主体，在表面具有载置基板的载置区域；以及

尘埃捕获电极，被埋设在比所述支架主体中的所述载置区域靠所述基板支架的搬送方向侧的尘埃捕获区域中，发生静电力来捕获尘埃。

36.根据权利要求32至35中任一项所述的基板支架，其中，

具有被埋设在所述支架主体的所述载置区域，且发生静电力来吸附所述基板的基板电极。

37.根据权利要求36所述的基板支架，其中，

所述基板电极和所述尘埃捕获电极具有向所述基板的载置方向投影得到的形状互相不重叠的外形。

38.根据权利要求36或37所述的基板支架，其中，

基于所述尘埃捕获电极的所述尘埃捕获区域的静电吸附力，比基于所述基板电极的所述载置区域的静电吸附力大。

39.根据权利要求36至38中任一项所述的基板支架，其中，

具有向所述基板电极和所述尘埃捕获电极共通地供给电力的电力供给端子。

40.一种基板接合装置，其中，

具有权利要求32至39中任一项所述的基板支架。

41.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括：

在具有载置第1基板的第1载置区域、和被设在所述第1载置区域的外周部的结合部件的第1基板支架上，载置所述第1基板的步骤；

在具有载置第2基板的第2载置区域、和被设所述第2载置区域的外周部的被结合部件的第2基板支架上，载置所述第2基板的步骤；

一边对尘埃捕获电极通电使之发生静电力，一边结合所述结合部件和所述被结合部件，来进行所述第1基板支架和所述第2基板支架的一体化的步骤，其中所述尘埃捕获电极埋设在所述第1基板支架的所述第1载置区域和所述结合部件之间、以及所述第2基板支架的所述第2载置区域和所述被结合部件之间的至少一方。

42.一种器件的制造方法，该方法是以基板的状态搬送而被制造的器件的制造方法，其中，

搬送所述基板的工序包括：

在具有载置所述基板的载置区域的基板支架上载置所述基板的步骤；

一边对尘埃捕获电极通电使之发生静电力，一边连带所述基板支架一起搬送所述基板的步骤，其中所述尘埃捕获电极被埋设在比所述载置区域靠所述基板支架的搬送方向侧的尘埃捕获区域。

43.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括：

在具有抑制尘埃向保持基板的区域流入的尘埃流入抑制机构的基板支架上，载置所述多个基板的至少一个基板的步骤。

44.一种器件的制造方法，该方法是重合多个基板而制造的器件的制造方法，其中，

重合所述多个基板的工序包括：

在第1基板支架上载置第1基板的步骤；

在第2基板支架上载置第2基板的步骤；

一边通过尘埃流入抑制机构抑制尘埃向所述第1基板和所述第2基板的方向流入，一边将所述第1基板和所述第2基板夹持在所述第1基板支架和所述第2基板支架上的步骤。

Images