TW201349383A - 晶圓固持具 - Google Patents
晶圓固持具 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201349383A TW201349383A TW102105545A TW102105545A TW201349383A TW 201349383 A TW201349383 A TW 201349383A TW 102105545 A TW102105545 A TW 102105545A TW 102105545 A TW102105545 A TW 102105545A TW 201349383 A TW201349383 A TW 201349383A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- metal piece
- holding frame
- adapter plate
- metal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
Abstract
本發明提供一種晶圓固持具,能夠將減薄加工的晶圓容易且平坦地裝設到特性試驗的實施裝置的承載臺面上,在從晶圓固持具取下晶圓時晶圓不會發生破損,能夠進行高溫下的特性試驗。在周邊部留下成環狀而設有中空部的固持框架(10)上,將金屬片(12)安裝成具有吸收金屬片與固持框架的熱膨脹之差的滑動自由度,俾封住該固持框架(10)的中空部。在該金屬片上形成有開設了多個小孔的穿孔區域(14)。並具備由耐熱性材料形成的晶圓固定機構(20),能夠使晶圓(30)配置成覆蓋該穿孔區域的一部分或全部,且將配置在金屬片上的晶圓固定成使其不會相對於該金屬片活動。
Description
本發明係關於一種固持具,在形成有電子元件、光學元件等的半導體晶圓等晶圓的特性試驗步驟中固持該晶圓並進行搬送。
將同一形狀的多個電子元件或者光學元件2維配置而形成的晶圓,在用於將這些元件單片化的切割步驟之前,實施測試這些元件的電或者光學的特性的特性試驗,從而實施識別成合格元件和不合格元件的作業。並且,已有公開數種的元件的電特性試驗裝置或者電特性試驗方法(例如,參照專利文獻1~4)。對於元件的光學的特性試驗也使用同樣的裝置及方法來進行。
以往,採用藉由鉗子等夾具直接握住晶圓單體而將其裝設到特性試驗裝置的承載臺上的方法。可以採取這樣的方法的理由在於,晶圓具有足夠的厚度,且具有即使用鉗子等夾具處理也不太可能破損的足夠的強度。
然而,最近的趨勢是要求減薄晶圓。
會變成要求減薄晶圓,就背景而言,舉例如廣泛認識到藉由減薄晶圓來達成提高電子元件或者光學元件的特性。另外,就背景而言,亦因為要求將該元件製作成即使將單片化的元件埋入卡片等而模組化,埋入的部分
與卡片的其他部分相比其厚度也幾乎不變。再者,會變成減薄晶圓,就背景而言,亦因為藉由減薄晶圓而將元件發出的熱量經由該晶圓向晶圓外部散熱很有效。
已有公開一種電子零件固持具,作為為了將因被減薄加工而成為不能用鉗子等夾具處理的強度的晶圓裝設到實施特性試驗的裝置的承載臺上,而在搬送中所利用的晶圓固持具(參照專利文獻5)。在使用該電子零件固持具時,藉由黏接帶將晶圓的周緣部固定。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1:日本特開平05-333098號公報
專利文獻2:日本特開平07-245401號公報
專利文獻3:日本特開平08-153763號公報
專利文獻4:日本特開2005-294773號公報
專利文獻5:日本特開2011-23546號公報
然而,在使用專利文獻5中公開的電子零件固持具將晶圓搬送到特性試驗的實施裝置的承載台的方法中,在從固定晶圓的周緣部的黏接帶剝離晶圓時存在晶圓破損的可能性。
另外,由於黏接帶為消耗品,所以每次特性試驗都需要使用新的黏接帶,每次實施特性試驗都產生新的成本。
另外,由於黏接帶的耐熱溫度低,所以無法進行將作為特性試驗的對象的晶圓設定成120℃程度以上的高溫來實施的特性試驗。
再者,專利文獻5中公開的電子零件固持具的固持對於垂直地作用於晶圓面的力承受能力弱,若有這樣的力發生作用,則有可能晶圓從電子零件固持具脫離或者晶圓破損。
此外,若將由專利文獻5中公開的電子零件固持具固持的晶圓直接裝設到實施特性試驗的裝置的承載臺上,則成為晶圓的背面從承載臺面浮起了黏接帶的厚度的狀態,所以為了將晶圓平坦地設置在特性試驗的實施裝置的承載臺上需要花費特殊的工夫。
本申請的發明人想到代替將晶圓藉由由上述黏接帶構成的固持層及抑制層夾持固定而使用作為固持層發揮作用的金屬片。確信若採用在該金屬片上形成開設了多個小孔的穿孔區域,在將晶圓固定在晶圓特性試驗裝置的承載臺上時,經過該孔抽吸晶圓而固定到承載臺上的結構,則作為被減薄加工而機械強度弱的晶圓的固持具可以解決上述問題。
因此,本發明的目的在於提供能夠將被減薄加工的晶圓容易且平坦地裝設到特性試驗的實施裝置的承載臺面上的晶圓固持具。
為此,根據本發明的宗旨,提供以下結構的晶圓固持具。
本發明的晶圓固持具具備固持框架、金屬片、晶圓固定機構。固持框架環狀地留下周邊部而設有中空部。金屬片具有吸收金屬片與固持框架的熱膨脹之差的滑動自由度,並以封住固持框架的中空部的方式安裝。
在該金屬片上形成有開設了多個小孔的穿孔區域,能夠使晶圓配置成覆蓋該穿孔區域的一部分或全部。並且,藉由晶圓固定機構將配置在金屬片上的晶圓固定在該金屬片上。該晶圓固定機構由耐熱性材料形成。
晶圓固定機構具備晶圓外形基準轉接板和轉接板推壓蓋板。
晶圓外形基準轉接板和轉接板推壓蓋板分別環狀地留下周邊部而設有中空部。
另外,穿孔區域可以分離設置於金屬片的多個部分。
根據本發明的晶圓固持具,由於將金屬片安裝成封住固持框架的中空部並將晶圓配置在金屬片上,所以即使有力垂直地作用於晶圓面,也不會發生晶圓從晶圓固持具脫離的情況以及晶圓破損的情況。
若支承晶圓的固持層由金屬片形成,且利用耐熱性材料來形成對配置在金屬片上的晶圓進行固定的晶圓固定機構,則即使在高溫下的特性試驗中也能夠使用。另外,由於在固持框架上將金屬片安裝成具有吸收金屬片與固持框架的熱膨脹之差的滑動自由度,所以即使在金屬片與固持框架之間產生熱膨脹之差,金屬片也不會撓曲。即,即使在300℃等的高溫下實施特性試驗的情況下,金屬片也不會撓曲,所以成為適合利用於高溫下的特性試驗的晶圓固持具。
由於採用了在金屬片上形成有開設了多個小孔的穿孔區域,並使晶圓配置成覆蓋該穿孔區域的一部分或全部的結構,所以並非利用粘接物質來固定晶圓,而僅是直接搭載晶圓。因此,在將晶圓從晶圓固持具取下時,晶圓破損的危險性小。
本發明的晶圓固持具採用了利用金屬片使晶圓配置成覆蓋開設了多個小孔的穿孔區域的一部分或全部的結構,來代替在晶圓背面的周緣部粘接固持層的露出口的周緣部的結構,所以在將晶圓裝設到特性試驗的實施裝置的承載臺面上時,不會成為晶圓的背面從承載臺面浮起的狀態,能夠將
晶圓容易且平坦地裝設到特性試驗的實施裝置的承載臺面上。
在此基礎上,由於無需將金屬片在每次特性試驗時都更換成新的金屬片而能夠通用,所以即使反復進行特性試驗也不會產生新的成本,獲得了經濟性優異的效果。
藉由將穿孔區域在金屬片上分離設置於多個部位,能夠與晶圓外形的大小及形狀相對應且用該晶圓適當覆蓋穿孔區域來配置晶圓。
10‧‧‧固持框架
12‧‧‧金屬片
14,14-1,14-2‧‧‧穿孔區域
16‧‧‧晶圓外形基準轉接板
18‧‧‧轉接板推壓蓋板
20‧‧‧晶圓固定機構
22‧‧‧凹口配合部
24‧‧‧蓋板止動件
26‧‧‧螺釘
30‧‧‧晶圓
30f‧‧‧正面
30r‧‧‧背面
32‧‧‧承載台
32s‧‧‧吸附面
34‧‧‧抽吸孔
a、c、d‧‧‧厚度
b、e‧‧‧尺寸
圖1是表示構成本發明的實施形態的晶圓固持具的結構單元的概略形狀。
圖2是表示穿孔區域分離設置於多個部分的金屬片的一例的概略形狀。
圖3是用於說明用來在固持框架上將金屬片安裝成具有吸收金屬片與固持框架的熱膨脹之差的滑動自由度之結構例的圖,(A)是表示沿著固持框架的內周形成階梯狀的高低差並利用該高低差安裝金屬片的形態的圖,(B)是表示夾著金屬片的周邊部分來安裝的形態的圖。
圖4是表示從垂直於晶圓的面的方向觀察組裝成能夠固定晶圓來搬送的狀態的本發明實施形態的晶圓固持具的概略形狀的圖。
圖5(A)是表示沿垂直於晶圓的面的方向剖開對於將晶圓固定成能夠固定晶圓來搬送的狀態之前的狀態的晶圓固持具的概略圖。(B)是表示沿垂直於晶圓的面的方向剖開對於組裝成能夠固定晶圓來搬送的狀態的狀態的晶圓固持具的概略圖。
以下,參照圖1~圖5對本發明的實施形態進行說明。圖1~圖5是表示本發明的一結構例的圖,只是以能夠理解本發明的程度概略地表示了各結構單元的配置關係等,而不是將本發明限定於圖示例。
在形成有電子元件、光學元件等的半導體晶圓等晶圓的切割步驟之前,實施這些元件的特性試驗。若晶圓被減薄加工,則會成為無法用鉗子等夾具直接夾著搬送的強度。本發明的晶圓固持具就是在用於將這樣的晶圓裝設到特性試驗裝置的承載台的搬送時使用。
在此被處理的晶圓例如是直徑200mm的矽晶圓,是藉由背面研磨等方法薄型化至厚度100μm以下、根據情況到達厚度20μm以下的晶圓。
作為特性試驗的實施對象的晶圓被晶圓固持具固持並搬送,從而吸附固定到晶圓特性試驗裝置的承載臺上。在晶圓的電特性試驗中,有時需要使電流從形成有電子元件的晶圓的正面流向背面。此時,使針狀探測電極與形成在晶圓的正面的作為特性試驗對象的任意電子元件的電極接觸,從該針狀探測電極施加電壓,從而使電流從晶圓的正面(電子元件的電極)流向背面。
為了使電流從晶圓的正面流向背面,需要使晶圓特性試驗裝置的承載台的面與晶圓的背面電性導通。因此,對於本發明的晶圓固持具,如以下所說明,採用的是用形成有開設了多個小孔的穿孔區域的金屬片固持晶圓的結構。根據該結構,能夠經由穿孔區域的孔將晶圓吸附固定在特性試驗裝置的承載臺上。再有,由於金屬片為導電性,所以可以實現承載台的面與晶圓的背面電性導通的狀態。
參照圖1~5,對本發明實施形態的晶圓固持具的結構進行說明。如圖1所示,該實施形態的晶圓固持具具備固持框架10、金屬片12及晶圓固定機構20而構成。固持框架10環狀地留下周邊部而設有中空部。
金屬片12適合使用被稱作墊片(shim)的金屬片來形成。墊片具有對用於金屬片12而言足夠的厚度、均勻性及平坦性。另外,不銹鋼系的墊片具有不易生銹的特徵且能夠為了確保較大的表面的電傳導度而進行鍍金等
處理,所以是適合作為電特性試驗的對象的晶圓的固持具的材料。
在金屬片12上,如圖1所示,形成有開設了多個小孔的穿孔區域14。能夠使晶圓30配置成覆蓋該穿孔區域14的一部分或全部。另外,如圖2所示,穿孔區域14也可以分離設置於金屬片12的多個部分(穿孔區域14-1及穿孔區域14-2)。藉由這樣將穿孔區域分離設置於多個部分,能夠將外形的大小及形狀不同的各種晶圓固定並搬送。
本申請的發明人經過試驗確認了藉由對於墊片利用蝕刻技術在穿孔區域開設多個小孔能夠將被減薄加工的晶圓平坦地裝設到承載臺面上。即,在由墊片形成的金屬片12上形成上述的穿孔區域14時,例如適當利用蝕刻技術等即可。並且,晶圓固定機構20能夠將配置在金屬片12上的晶圓30固定成使其不會相對於該金屬片12活動。例如,為了進行設定成120℃以上的高溫來實施的特性試驗,晶圓固定機構20宜由金屬等耐熱性材料形成。
為了將金屬片12安裝到固持框架10上,可以沿著固持框架10的構成中空部的內周形成階梯狀的高低差,將金屬片12的周邊部分搭載於該高低差部分來安裝。對於該金屬片12向固持框架10的安裝,參照圖3(A)及(B)進行說明。圖3(A)是表示在固持框架10的高低差部分搭載有金屬片12的周邊部分的狀態的局部剖視結構圖。另外,圖3(B)是表示在固持框架10上形成用於夾著金屬片12的周邊部分來安裝的結構的形態的圖。
在圖3(A)所示的結構中,固持框架10沿著構成中空部的內周設有階梯狀的高低差。固持框架10的厚度「c」為1.2mm左右。相對於此,形成高低差並留下厚度「a」。留下的厚度「a」為0.3mm左右就足夠。用於搭載金屬片12的高低差部分的尺寸「b」有4mm左右就足夠,該高低差部分上用來搭載金屬片12的尺寸「e」為3.5mm左右即可。從尺寸「b」減去尺寸「e」的值是為了吸收金屬片12與固持框架10的熱膨脹之差而需要的值。就為了吸收該熱膨脹之差而需要的值而言,確保有0.5mm左右即可。
需要說明的是,在此表示的尺寸「a」~「e」僅僅是表示了一例,關於從尺寸「b」減去「e」的值究竟設定為何種程度,仍待綜合考慮固持框架10、金屬片12的材料、或者為了執行高溫特性試驗而設定的溫度範圍等來適當設定。
另外,在此說明的金屬片12(厚度示為「d」)向固持框架10的安裝方法僅僅是表示了一例。除此之外也可以如圖3(B)所示那樣採用夾著金屬片12的周邊部分來安裝的結構。在採用了這樣的形態的情況下,用於確保吸收金屬片12與固持框架10的熱膨脹之差的滑動自由度的尺寸也同樣是從尺寸「b」減去夾著金屬片12的部分的尺寸「e」的尺寸。此外,就以在固持框架10上將金屬片12安裝成具有吸收金屬片12與固持框架10的熱膨脹之差的滑動自由度之結構而言,除了在此舉出的結構以外還能夠有各種各樣的結構。
晶圓固定機構20具備晶圓外形基準轉接板16和將該板推壓固定的轉接板推壓蓋板18。並且,利用晶圓外形基準轉接板16的中空部的內側周緣部和金屬片12夾持晶圓30的周緣部,在此基礎上,將轉接板推壓蓋板18疊層在晶圓外形基準轉接板16上。在此基礎上,將該轉接板推壓蓋板18固定在固持框架10上。其結果,晶圓30被固定成不會相對於金屬片12活動。
藉由將晶圓固定機構20構成為具備晶圓外形基準轉接板16,不管晶圓30的外形形狀是否存在差異,都能夠容易地將晶圓30固定在固持框架10上。
參照圖4及圖5(A)、(B),對藉由晶圓固定機構20將晶圓30相對於金屬片12進行固定的方法進行說明。另外,對晶圓30的特性試驗步驟的實施形態進行說明。
晶圓固定機構20具備晶圓外形基準轉接板16和將該板推壓固定的轉接板推壓蓋板18。並且,如圖5(A)所示,將晶圓30的周緣部沿著晶圓外形基準轉接板16的中空部的內側周緣部嵌入來進行對齊,並將轉接板推壓蓋板18疊層在晶圓外形基準轉接板16上。在此基礎上,利用蓋板止動件24及螺釘26將該轉接板推壓蓋板18固定在固持框架10上。其結果,晶圓30被金屬片12和轉接板推壓蓋板18夾持,且晶圓30被固定成不會相對於金屬片12活動。
在將晶圓30固定至金屬片12時,首先設置成在固持框架10的沿著構成中空部的內周形成的階梯狀的高低差部分搭載金屬片12的周邊部分。然後,將晶圓30的周緣部向晶圓外形基準轉接板16的中空部的內側周緣部嵌入來進行定位,層疊轉接板推壓蓋板18而用金屬片12和轉接板推壓蓋板18夾持晶圓30。之後,用蓋板止動件24推壓轉接板推壓蓋板18,將螺釘26固定到晶圓特性試驗裝置的承載台32的固定用陰螺紋部中,由此將轉接板推壓蓋板18、晶圓外形基準轉接板16、晶圓30及固持框架10固定在承載台32上。由此,晶圓30被金屬片12和轉接板推壓蓋板18夾持固定。
在晶圓外形基準轉接板16上設有用於確定晶圓30的定向平面的方向的凹口配合部22。
作為特性試驗的實施對象的晶圓30,使用本發明實施形態的晶圓固持具來搬送,並裝設到晶圓特性試驗裝置的承載台32的吸附面32s上。利用作為金屬片12的墊片,可以找到有其厚度在0.005mm~0.5mm的範圍的墊片。即,可以將足夠薄的金屬材料利用作為金屬片12。
在將晶圓30裝設到承載台32上之後,經由金屬片12的穿孔區域14的孔,藉由設於承載台32的抽吸孔34來進行抽吸,從而將晶圓30吸附固定到承載台32上。由於金屬片12由足夠薄的金屬材料形成,所以如圖5(B)
所示,藉由使金屬片12稍微撓曲,除了與固持框架10的構成中空部的內周非常接近的區域以外,在晶圓特性試驗裝置的承載台32的吸附面32s與金屬片12之間形成的間隙消失。即,在設置有晶圓30的穿孔區域14,在晶圓特性試驗裝置的承載台32的吸附面32s與金屬片12之間不形成間隙。並且,由於金屬片12具有導電性,所以實現承載台32的吸附面32s與晶圓30的背面30r電性導通的狀態。
由於晶圓30的正面30f沒有覆蓋物而裸露,所以能夠使針狀探測電極接觸在晶圓30的正面30f形成的作為特性試驗對象的任意電子元件的電極,從該針狀探測電極施加電壓。
在將晶圓30吸附固定在承載台32上時,若構成穿孔區域的多個小孔的直徑過大,則被吸附的晶圓30的處於該孔正上方的部分會因抽吸力而發生撓曲。因此,該孔的直徑存在上限值。
例如,已知在晶圓30為厚度20μm的Si晶圓的情況下,若孔的直徑為0.2mm以上,則晶圓30會發生變形。即,在實用上,作為被晶圓固持具搬送的對象的晶圓多數情況下具有與厚度20μm的Si晶圓相當的強度,所以希望孔的直徑在0.2mm以下。
無論如何,構成穿孔區域的多個小孔的直徑宜設定為向特性試驗裝置的承載台32抽吸固定晶圓30時晶圓30不發生變形的大小。另外,若該孔的直徑過小,則作用於晶圓30的抽吸力弱而不佳。根據這些觀點,孔的直徑適合設定為晶圓30不發生變形的最大的大小。
說明了晶圓固定機構20具備蓋板止動件24及螺釘26的結構,但也可以用強磁性金屬材形成金屬片12,使用帶有磁性的強磁性體材料來形成轉接板推壓蓋板18。若這樣構成,則轉接板推壓蓋板18藉由磁力吸附在金屬片12上,晶圓30被固定於金屬片12。
若採用藉由磁力固定的結構,則不需要蓋板止動件24及螺釘26,進而在將晶圓30從金屬片12分離而搬送時不再需要鬆開螺釘26等繁瑣的作業。即,不僅晶圓的固定能夠容易地進行,而且只要以從金屬片12掀起轉接板推壓蓋板18的方式進行移除,就能夠從金屬片12容易地取下晶圓30。
在晶圓外形基準轉接板16及轉接板推壓蓋板18成為實施晶圓的電特性試驗的障礙時,也可以在晶圓30處於吸附固定在承載台32上的狀態期間,去除晶圓外形基準轉接板16及轉接板推壓蓋板18中的任一方或者雙方。
若為了執行高溫特性試驗而將晶圓30設定成高溫狀態,則在晶圓30的熱膨脹大小與構成晶圓固定機構20的材料的熱膨脹大小之間產生差異。
然而,即使因該熱膨脹的大小之差而導致晶圓30的位置發生變動,由於抽吸而產生的吸附固定的力沒有大到使晶圓30的位置不能偏移的程度,所以完全可以藉由適當調整晶圓30的位置,將晶圓30的位置移動調整到能夠進行晶圓的電特性試驗的最佳位置。
此外,已以固持形成有電子元件.光學元件等的半導體晶圓作為晶圓30前提說明了本發明的晶圓固持具的結構及功能,但就該晶圓固持具所固持的晶圓而言,不限定於形成有元件的晶圓。例如,為了作為將切割的電子元件結合時的間隔件等加以利用,有時需要將藍寶石結晶基板、玻璃基板等切割而得到的微塊。在加工作為該間隔件的微塊的步驟中,將非常薄的藍寶石結晶基板、玻璃基板等搬送至切割裝置的承載台時,也可以利用本發明的晶圓固持具。
10‧‧‧固持框架
12‧‧‧金屬片
14‧‧‧穿孔區域
16‧‧‧晶圓外形基準轉接板
18‧‧‧轉接板推壓蓋板
20‧‧‧晶圓固定機構
22‧‧‧凹口配合部
30‧‧‧晶圓
Claims (2)
- 一種晶圓固持具,其特徵在於,具備:固持框架,環狀地留下周邊部而設有中空部;金屬片,其具有開設了多個小孔的穿孔區域;晶圓固定機構,其對以覆蓋該穿孔區域的一部分或全部的方式配置在該金屬片上的晶圓進行固定,該金屬片使用被稱作墊片的金屬片來形成,在該穿孔區域上開設的該多個小孔藉由蝕刻技術來形成,該金屬片在該固持框架上安裝成具有吸收該金屬片與該固持框架的熱膨脹之差的滑動自由度,該晶圓固定機構由耐熱性材料形成,具有:晶圓外形基準轉接板,其環狀地留下周邊部而設有中空部;轉接板推壓蓋板,其對該晶圓外形基準轉接板進行推壓固定,環狀地留下周邊部而設有中空部,在利用該晶圓外形基準轉接板的中空部的內側周緣部和該金屬片夾持該晶圓的周緣部,在此基礎上,在該晶圓外形基準轉接板上疊放該轉接板推壓蓋板,將該晶圓固定成不會相對於該金屬片活動。
- 如申請專利範圍第1項之晶圓固持具,其特徵在於,將該穿孔區域分離設置於該金屬片的多個部分,俾能對應於該晶圓的大小及形狀而將該晶圓配置成利用該晶圓適當覆蓋該穿孔區域。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012029048A JP4967078B1 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | ウェーハ保持具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201349383A true TW201349383A (zh) | 2013-12-01 |
Family
ID=46650122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102105545A TW201349383A (zh) | 2012-02-14 | 2013-02-18 | 晶圓固持具 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4967078B1 (zh) |
CN (1) | CN104094395A (zh) |
TW (1) | TW201349383A (zh) |
WO (1) | WO2013122089A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103590114B (zh) * | 2012-08-17 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备 |
JP2016221941A (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 順治 曽根 | 複合材料構造の熱歪みの低減構造 |
CN106653664B (zh) * | 2016-12-07 | 2019-11-15 | 南方科技大学 | 砷化镓晶圆用除氧托盘 |
CN108872260B (zh) * | 2017-05-11 | 2021-12-24 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 晶圆检测治具及晶圆检测装置 |
GB201713202D0 (en) * | 2017-08-17 | 2017-10-04 | Semblant Ltd | Substrate mount |
CN111007080B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-07-12 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种晶圆裂纹检查装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63245933A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-13 | Shimadzu Corp | 半導体ウエハの搬送方法 |
JP2001185528A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Minolta Co Ltd | エッチング用治具及びエッチング装置並びにエッチング方法 |
JP4096636B2 (ja) * | 2002-06-12 | 2008-06-04 | トヨタ自動車株式会社 | ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法 |
JP2006120827A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4886909B1 (ja) * | 2011-06-29 | 2012-02-29 | 株式会社テクノホロン | ウェーハ保持具 |
-
2012
- 2012-02-14 JP JP2012029048A patent/JP4967078B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-13 WO PCT/JP2013/053369 patent/WO2013122089A1/ja active Application Filing
- 2013-02-13 CN CN201380004382.9A patent/CN104094395A/zh active Pending
- 2013-02-18 TW TW102105545A patent/TW201349383A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4967078B1 (ja) | 2012-07-04 |
JP2013168394A (ja) | 2013-08-29 |
CN104094395A (zh) | 2014-10-08 |
WO2013122089A1 (ja) | 2013-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201349383A (zh) | 晶圓固持具 | |
TWI401770B (zh) | A wafer transfer tray, and a method for fixing the wafer to the tray | |
US5828224A (en) | Test carrier for semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit | |
JP6440587B2 (ja) | 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法 | |
TW200949923A (en) | Method and apparatus for peeling electronic component | |
JP5515024B2 (ja) | チップ積層デバイス検査方法及びチップ積層デバイス再配列ユニット並びにチップ積層デバイス用検査装置 | |
US20180096962A1 (en) | Substrate attachment for attaching a substrate thereto | |
TW201138017A (en) | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same | |
EP3483925A1 (en) | Chuck plate for semiconductor post-processing, chuck structure having same chuck plate and chip separating apparatus having same chuck structure | |
JP4886909B1 (ja) | ウェーハ保持具 | |
US20130244351A1 (en) | Method of inspecting semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and inspection tool | |
EP2983199B1 (en) | Carrier for semiconductor process | |
US9679866B2 (en) | Bonding stage and method of manufacturing the same | |
US20230187258A1 (en) | Stamp tool, transfer device, and element array manufacturing method | |
JP5440106B2 (ja) | 基板貼り合せ装置および積層半導体装置の製造方法 | |
JP5560590B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置 | |
US20200381283A1 (en) | Simultaneous bonding approach for high quality wafer stacking applications | |
JP2021158329A (ja) | スタンプツール保持装置および素子アレイの製造方法 | |
US20130312246A1 (en) | Method for supporting semiconductor wafer and wafer supporting assembly | |
JP2014150089A (ja) | 短冊状基板の搬送トレイ、その押さえ治具及びそれらの搬送方法 | |
KR101403850B1 (ko) | 대면적 기판 홀딩 장치 | |
TW202319763A (zh) | 片材以及檢查插座 | |
CN112864072A (zh) | 衬底的加工方法 | |
JP2022002279A (ja) | スタンプツールおよび素子アレイの製造方法 | |
JP2015026552A (ja) | 試料ホルダ、及び試料ホルダを備えた荷電粒子線装置 |