JP2013168394A - ウェーハ保持具 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄く加工されたウェーハを容易に特性試験の実施装置の載荷ステージ面に平坦に装着でき、ウェーハ保持具からウェーハを取り外す際にウェーハが破損されることがなく、高温における特性試験が可能であるウェーハ保持具を提供する。
【解決手段】リング状に周辺部を残し中空部が設けられた保持フレーム10の中空部をふさぐように金属シート12がこの保持フレーム10に、金属シート12と保持フレーム10の熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して取り付けられる。この金属シート12には、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域14が形成されている。この穿孔領域14の一部または全部を覆うようにウェーハ30を配置させることが可能とされていて、金属シート12上に配置されたウェーハ30をこの金属シート12に対して動かないように固定する耐熱性素材で形成されたウェーハ固定機構20を備えている。
【選択図】図1

Description

この発明は、電子デバイス・光学デバイス等が形成された半導体ウェーハ等のウェーハの特性試験工程において、このウェーハを保持して搬送する保持具に関する。
同一形状の複数の電子デバイスあるいは光学デバイスが2次元的に配置されて形成されたウェーハは、これらデバイスを個片化するためのダイシング工程の前に、これらデバイスの電気的あるいは光学的特性をテストする特性試験が実施され、良品デバイスと不良品デバイスとを識別する作業が実施される。そして、デバイスの電気的特性試験装置あるいは電気的特性試験方法が幾つか開示されている(例えば、特許文献1〜4参照)。デバイスの光学的特性試験についても同様の装置及び方法を用いて行われる。
従来は、ウェーハ単体をピンセット等の治具で直接掴んで、特性試験装置の載荷ステージに装着する手法がとられていた。このような手法をとることが可能であった理由は、ウェーハが十分な厚みをもっており、ピンセット等の治具によって扱っても破損する可能性が低い十分な強度を有していたからである。
しかしながら、最近はウェーハを薄くすることが要請されるようになってきている。
ウェーハを薄くすることが要請されるようになった背景には、ウェーハを薄くすることによって電子デバイスあるいは光学デバイスの特性の向上が図られることが広く認識されるようになったことが挙げられる。また、個片化されたデバイスをカード等に埋め込んでモジュール化しても、埋め込んだ部分がカードの他の部分とその厚みがほとんど変わらないように、このデバイスを作り込むことが要請されていることも背景にある。さらに、ウェーハを薄くすることによって、デバイスから発熱する熱をこのウェーハを通してウェーハ外部に放散させるのに効果的となることもウェーハが薄く加工されるようになった背景である。
薄く加工されることによってピンセット等の治具によっては扱えない強度となったウェーハを、特性試験を実施する装置の載荷ステージに装着するために搬送するのに利用されるウェーハ保持具として、電子部品保持具が開示されている(特許文献5参照)。この電子部品保持具を用いる場合、表面下向きの電子部品(ウェーハ)を隙間を介して包囲するよう保持フレームを表面下向きに配置する。次に、電子部品の裏面周縁部に保持層の露出口の周縁部を粘着テープを用いて粘着するとともに、保持フレームの裏面に保持層を粘着する。そして、保持フレームを表裏逆にして表面上向きとした後、保持層の表面に電子部品を包囲する抑え層を貼り付けてその周縁部を電子部品の表面周縁部に干渉させ、保持層と抑え層とに電子部品の周縁部を挟み持たせる。
特開平05−333098号公報 特開平07−245401号公報 特開平08−153763号公報 特開2005−294773号公報 特開2011−23546号公報
しかしながら、特許文献5に開示されている電子部品保持具を使って、ウェーハを特性試験の実施装置の載荷ステージに搬送する方法は、ウェーハの周縁部を固定する粘着テープからウェーハを剥がす際にウェーハが破損する可能性がある。
また、粘着テープは消耗品であるので、特性試験のたびに新たな粘着テープを使う必要があり、特性試験の実施のたびに新たなコストが発生する。
また、粘着テープは耐熱温度が低いので、特性試験の対象とするウェーハを120℃程度以上の高温に設定して実施する特性試験が行えない。
さらに、特許文献5に開示されている電子部品保持具による保持は、ウェーハ面に垂直に働く力に弱く、このような力が働くとウェーハが電子部品保持具から外れる、あるいはウェーハが破損する可能性がある。
その他、特許文献5に開示されている電子部品保持具によって保持されたウェーハを、特性試験を実施する装置の載荷ステージにそのまま装着すると、ウェーハの裏面が載荷ステージ面から粘着テープの厚みだけ浮いた状態となるので、ウェーハを特性試験の実施装置の載荷ステージに平坦に設置するには特別の工夫が必要となる。
この出願の発明者は、ウェーハを、上述の粘着テープで構成される保持層及び抑え層によって挟んで固定する代わりに、保持層として機能する金属シートを用いることに思い至った。この金属シートに、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域を形成し、ウェーハ特性試験装置の載荷ステージにウェーハを固定する際に、この孔を通してウェーハを吸引し載荷ステージに固定する構成とすれば、薄く加工され機械的強度が弱くなったウェーハの保持具として、上述した課題が解決されるものと確信した。
したがって、この発明の目的は、薄く加工されたウェーハを容易に特性試験の実施装置の載荷ステージ面に平坦に装着させることが可能であるウェーハ保持具を提供することにある。
そこで、この発明の要旨によれば、以下の構成のウェーハ保持具が提供される。
この発明のウェーハ保持具は、保持フレームと、金属シートと、ウェーハ固定機構を備えている。保持フレームは、リング状に周辺部を残し中空部が設けられている。金属シートは、金属シートと保持フレームの熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して、保持フレームの中空部をふさぐように取り付けられる。
この金属シートには、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域が形成されており、この穿孔領域の一部または全部を覆うようにウェーハを配置させることが可能とされている。そして、金属シート上に配置されたウェーハを、ウェーハ固定機構でこの金属シートに固定する。このウェーハ固定機構は、耐熱性素材で形成されている。
ウェーハ固定機構は、ウェーハ外形基準アダプタープレートと、アダプタープレート押えカバープレートとを備えている。
ウェーハ外形基準アダプタープレートとアダプタープレート押えカバープレートは、それぞれリング状に周辺部を残し中空部が設けられている。
また、穿孔領域は、金属シートの複数部分に分離させて設けるのがよい。
この発明のウェーハ保持具によれば、保持フレームの中空部をふさぐように金属シートが取り付けられこの金属シート上にウェーハが配置されるので、ウェーハ面に垂直に力が働いてもウェーハ保持具からウェーハが外れたり破損したりすることがない。
ウェーハを支える保持層が金属シートで形成されており、金属シート上に配置されたウェーハを固定するウェーハ固定機構を耐熱性素材で形成すれば、高温における特性試験においても使用可能である。また、金属シートと保持フレームの熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して、金属シートが保持フレームに取り付けられるので、金属シートと保持フレームとの間で熱膨張の差が発生しても、金属シートが撓むことがない。すなわち、特性試験を300℃等の高温で実施する場合であっても、金属シートが撓むことがないので、高温での特性試験に利用して好適なウェーハ保持具となる。
金属シートに複数の細かな孔が開けられた穿孔領域が形成されており、この穿孔領域の一部または全部を覆うようにウェーハを配置させる構成となっているので、ウェーハを粘着物質で固定するのではなく直接載せるだけである。そのため、ウェーハ保持具からウェーハを取り外す際にウェーハが破損される危険性が少ない。
ウェーハ裏面の周縁部に保持層の露出口の周縁部を粘着する構成とする代わりに、この発明のウェーハ保持具は、金属シートを利用して複数の細かな孔が開けられた穿孔領域の一部または全部を覆うようにウェーハを配置させる構成とされているので、ウェーハを特性試験の実施装置の載荷ステージ面に装着した際、ウェーハの裏面が載荷ステージ面から浮いた状態とならず、ウェーハを容易に特性試験の実施装置の載荷ステージ面に平坦に装着させることが可能である。
その上、金属シートを特性試験のたびに新たな金属シートと交換する必要はなく汎用的に使えるので、特性試験回数を繰り返しても新たなコストが発生することはなく、経済性に優れるという効果が得られる。
穿孔領域を、金属シートに分離して複数箇所に設けることによって、ウェーハの外形の大きさ及び形状に対応させて、このウェーハで穿孔領域を適宜覆ってウェーハを配置させることが可能となる。
この発明の実施形態のウェーハ保持具を構成する構成要素の概略的形状を示す図である。 穿孔領域が複数部分に分離させて設けられている金属シートの一例の概略的形状を示す図である。 金属シートと保持フレームの熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して、金属シートを保持フレームに取り付けるための構成例の説明に供する図であり、(A)は保持フレームの内周に沿ってステップ状の段差を形成しこの段差を利用して金属シートを取り付ける形態を示す図、(B)は金属シートの周辺部分を挟みこんで取り付ける形態を示す図である。 ウェーハを固定して搬送させることが可能な状態に組み立てられたこの発明の実施形態のウェーハ保持具をウェーハの面に垂直な方向から見た概略的形状を示す図である。 (A)はウェーハを固定して搬送させることが可能な状態にウェーハを固定する前の状態のウェーハ保持具をウェーハの面に垂直な方向に切断して示した概略図である。(B)はウェーハを固定して搬送させることが可能な状態に組み立てられた状態のウェーハ保持具をウェーハの面に垂直な方向に切断して示した概略図である。
以下、図1〜図5を参照してこの発明の実施形態につき説明する。図1〜図5は、この発明に係る一構成例を図示するものであり、この発明が理解できる程度に各構成要素の配置関係などを概略的に示しているに過ぎず、この発明を図示例に限定するものではない。
電子デバイス・光学デバイス等が形成された半導体ウェーハ等のウェーハのダイシング工程の前に、これらデバイスの特性試験が実施される。ウェーハが薄く加工されると、ピンセット等の治具で直接挟んで搬送させることができない強度になる。この発明のウェーハ保持具は、このようなウェーハを特性試験装置の載荷ステージに装着するための搬送の際に使われる。
ここで扱われるウェーハは、例えば、直径が200 mmのシリコンウェーハであって、厚みが100μm以下、場合によっては20μm以下までバックグラインドなどの方法で薄型化されているウェーハである。
特性試験の実施対象とされるウェーハは、ウェーハ保持具で保持されて搬送され、ウェーハ特性試験装置の載荷ステージに吸着固定される。ウェーハの電気的特性試験においては、電子デバイスが形成されているウェーハの表面から裏面に電流を流すことが必要とされることがある。この場合、ウェーハの表面に形成されている特性試験の対象である任意の電子デバイスの電極に針状プローブ電極を接触させ、この針状プローブ電極から電圧を印加して、ウェーハの表面(電子デバイスの電極)から裏面に電流を流す。
ウェーハの表面から裏面に電流を流すためには、ウェーハ特性試験装置の載荷ステージの面とウェーハの裏面とが電気的に導通されている必要がある。このため、この発明のウェーハ保持具にあっては、以下に説明するように、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域が形成された金属シートでウェーハを保持する構成になっている。この構成により、ウェーハを穿孔領域の孔を介して特性試験装置の載荷ステージに吸着固定することが可能となる。さらに金属シートは導電性であるので、載荷ステージの面とウェーハの裏面とが電気的に導通された状態が実現される。
図1〜5を参照して、この発明の実施形態のウェーハ保持具の構成について説明する。図1に示すように、この実施形態のウェーハ保持具は、保持フレーム10、金属シート12、及びウェーハ固定機構20を備えて構成される。保持フレーム10は、リング状に周辺部を残し中空部が設けられている。
金属シート12は、シム材と呼ばれる金属シートを用いて形成するのが好適である。シム材は、金属シート12に用いるには十分な厚み均一性及び平坦性を有している。またステンレス系のシム材は錆が付着しにくいという特徴と、表面の電気伝導度を大きく確保することを目的に金メッキ等の処理をすることができるので、電気的特性試験の対象とされるウェーハの保持具としては適した素材である。
金属シート12には、図1に示すように、複数の細かな孔が開けられた穿孔領域14が形成されている。この穿孔領域14の一部または全部を覆うようにウェーハ30を配置させることが可能とされている。また、図2に示すように、穿孔領域14は、金属シート12の複数部分(穿孔領域14-1及び穿孔領域14-2)に分離させて設けることもできる。このように穿孔領域を複数部分に分離させて設けることによって、外形の大きさ及び形状が異なる様々なウェーハを固定して搬送することができる。
この出願の発明者は、シム材にエッチング技術によって穿孔領域に複数の細かな孔を開けることで、薄く加工されたウェーハを載荷ステージ面に平坦に装着させることが可能であることを、試作を通じて確かめた。すなわち、シム材で形成される金属シート12に、上述の穿孔領域14を形成するには、例えば、エッチング技術等を適宜利用すればよい。そして、ウェーハ固定機構20は、金属シート12上に配置されたウェーハ30を、この金属シート12に対して動かないように固定できる。例えば、120℃以上の高温に設定して実施される特性試験を行うために、ウェーハ固定機構20は、金属等の耐熱性素材で形成するのがよい。
金属シート12を保持フレーム10に取り付けるには、保持フレーム10の中空部を構成する内周に沿ってステップ状の段差を形成し、この段差に金属シート12の周辺部分を載せて取り付けることができる。この金属シート12の保持フレーム10への取り付けについて、図3(A)及び(B)を参照して説明する。図3(A)は、保持フレーム10の段差部分に金属シート12の周辺部分が載せられている状態を示す部分的断面構造図である。また、図3(B)は金属シート12の周辺部分を挟みこんで取り付けるための構造を保持フレーム10に形成する形態を示す図である。
図3(A)に示す構造では、保持フレーム10は中空部を構成する内周に沿ってステップ状の段差が設けられている。保持フレーム10の厚み「c」は1.2 mm程度である。これに対して厚み「a」だけ残して段差が形成されている。残す厚み「a」は0.3 mm程度であれば十分である。金属シート12を載せるための段差部分の寸法「b」は4 mm程度あれば十分で、この段差部分に金属シート12を載せるための寸法「e」は3.5 mm程度とすればよい。寸法「b」から寸法「e」を差し引いた値は、金属シート12と保持フレーム10の熱膨張の差を吸収するために必要とされる値である。この熱膨張の差を吸収するために必要とされる値としては、0.5 mm程度確保すればよい。
なお、ここで示した寸法「a」〜「e」については一例を示したにすぎず、寸法「b」から「e」を差し引いた値をどの程度に設定するかについては、保持フレーム10、金属シート12の素材、あるいは高温特性試験を実行するために設定される温度の範囲等を総合的に勘案して適宜設定すべきものである。
また、ここで説明した金属シート12(厚みを「d」と示してある)の保持フレーム10への取り付け手法は、一例を示したにすぎない。この他にも、図3(B)に示すように、金属シート12の周辺部分を挟みこんで取り付ける構造とすることも可能である。このような形態をとった場合でも、金属シート12と保持フレーム10の熱膨張の差を吸収する滑り自由度を確保するための寸法は、寸法「b」から金属シート12が挟まれている部分の寸法「e」を差し引いた寸法となる。なお、金属シート12を保持フレーム10に、金属シート12と保持フレーム10の熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して取り付ける構造としては、ここで取り上げた構造以外にも様々なものがあり得る。
ウェーハ固定機構20は、ウェーハ外形基準アダプタープレート16と、このプレートを押えて固定するアダプタープレート押えカバープレート18とを備えている。そして、ウェーハ30の周縁部を、ウェーハ外形基準アダプタープレート16の中空部の内側周縁部と金属シート12とで挟んだ上で、ウェーハ外形基準アダプタープレート16上にアダプタープレート押えカバープレート18を積み重ねる。その上で、このアダプタープレート押えカバープレート18を保持フレーム10に固定する。この結果、ウェーハ30が金属シート12に対して動かないように固定される。
ウェーハ固定機構20を、ウェーハ外形基準アダプタープレート16を備えて構成することによって、ウェーハ30の外形形状の相違にかかわらず、ウェーハ30を保持フレーム10に固定することが容易となる。
図4、及び図5(A)、(B)を参照して、ウェーハ固定機構20によって、ウェーハ30を金属シート12に対して固定する方法について説明する。また、ウェーハ30の特性試験工程の実施の形態について説明する。
ウェーハ固定機構20は、ウェーハ外形基準アダプタープレート16と、このプレートを押えて固定するアダプタープレート押えカバープレート18とを備えている。そして、図5(A)に示すように、ウェーハ30の周縁部を、ウェーハ外形基準アダプタープレート16の中空部の内側周縁部に沿ってはめ込んで位置合わせし、ウェーハ外形基準アダプタープレート16上にアダプタープレート押えカバープレート18を積み重ねる。その上で、このアダプタープレート押えカバープレート18を保持フレーム10にカバープレート止め具24及びビス26を用いて固定する。この結果、ウェーハ30が金属シート12とアダプタープレート押えカバープレート18とで挟まれ、ウェーハ30が金属シート12に対して動かないように固定される。
ウェーハ30を金属シート12に対して固定するには、まず、保持フレーム10の中空部を構成する内周に沿って形成されているステップ状の段差に金属シート12の周辺部分が載るように設置する。そして、ウェーハ30の周縁部をウェーハ外形基準アダプタープレート16の中空部の内側周縁部にはめ込んで位置あわせし、アダプタープレート押えカバープレート18を積み重ね金属シート12とアダプタープレート押えカバープレート18とで挟む。そして、アダプタープレート押えカバープレート18を、カバープレート止め具24で押さえ、ビス26をウェーハ特性試験装置の載荷ステージ32の固定用雌ねじに固定することによって、アダプタープレート押えカバープレート18、ウェーハ外形基準アダプタープレート16、ウェーハ30、及び保持フレーム10が載荷ステージ32に固定される。これによって、ウェーハ30は、金属シート12とアダプタープレート押えカバープレート18とで挟まれて固定される。
ウェーハ外形基準アダプタープレート16には、ウェーハ30のオリエンテーションフラットの方向を確定させるためのノッチ合せ部22が設けられている。
特性試験の実施対象とされるウェーハ30は、この発明の実施形態のウェーハ保持具を使って搬送され、ウェーハ特性試験装置の載荷ステージ32の吸着面32s上に置かれる。金属シート12として利用されるシム材はその厚みが0.005 mm〜0.5 mmの範囲のものが入手可能である。すなわち、十分に薄い金属素材が金属シート12として利用できる。
ウェーハ30が載荷ステージ32に置かれると、金属シート12の穿孔領域14の孔を介して、載荷ステージ32に設けられている吸引孔34によって吸引され、載荷ステージ32に吸着固定される。金属シート12が十分に薄い金属素材で形成されていることから、図5(B)に示すように、金属シート12が僅かに撓むことによって、保持フレーム10の中空部を構成する内周から十分近い領域を除き、ウェーハ特性試験装置の載荷ステージ32の吸着面32sと金属シート12との間に形成される隙間はなくなる。すなわち、ウェーハ30が設置されている穿孔領域14においてはウェーハ特性試験装置の載荷ステージ32の吸着面32sと金属シート12との間には隙間は形成されない。そして、金属シート12は導電性であるので、載荷ステージの32の吸着面32sとウェーハ30の裏面30rとが電気的に導通された状態が実現される。
ウェーハ30の表面30fは、覆うものがなくむき出しとなっているので、ウェーハ30の表面30fに形成されている特性試験の対象である任意の電子デバイスの電極に針状プローブ電極を接触させこの針状プローブ電極から電圧を印加することが可能である。
ウェーハ30を載荷ステージ32に吸着固定する際に、穿孔領域を構成する複数の細かな孔の直径が大きすぎると、吸着されるウェーハ30のこの孔の直上部分が吸引される力によってたわみが発生する。従って、この孔の直径には上限値がある。
例えば、ウェーハ30が厚み20μmのSiウェーハである場合、孔の直径を0.2 mm以上とするとウェーハ30に歪みが発生することが分かった。すなわち、実用上は、ウェーハ保持具によって搬送される対象となるウェーハは、厚み20μmのSiウェーハに相当する強度を有することが多いので、孔の直径を0.2 mm以下とするのが望ましい。
いずれにしても、穿孔領域を構成する複数の細かな孔の直径は、特性試験装置の載荷ステージ32へのウェーハ30の吸引固定時にウェーハ30に歪みが発生しない大きさに設定するのが好ましい。また、この孔の直径が小さすぎると、ウェーハ30に働く吸引力が弱まるので好ましくない。これらの観点から、孔の直径はウェーハ30に歪みが発生しない最大の大きさに設定するのが好適である。
ウェーハ固定機構20が、カバープレート止め具24及びビス26を備える構成を説明したが、強磁性金属材で金属シート12を形成し、磁性を帯びた強磁性体材料を用いてアダプタープレート押えカバープレート18を形成することもできる。このように構成すれば、アダプタープレート押えカバープレート18が金属シート12に磁気によって吸着され、ウェーハ30が金属シート12に対して固定される。
磁気によって固定される構成とすれば、カバープレート止め具24及びビス26を必要とせず、ウェーハ30を金属シート12から取り離して搬送する際、ビス26を緩める等の面倒な作業をする必要がなくなる。すなわち、ウェーハの固定が容易に行える上、アダプタープレート押えカバープレート18を金属シート12から剥がすように取り去さればウェーハ30を金属シート12から容易に取り外せる。
ウェーハ外形基準アダプタープレート16及びアダプタープレート押えカバープレート18が、ウェーハの電気的特性試験の実施に障害となる場合は、ウェーハ30が載荷ステージ32に吸着固定された状態にある間は、ウェーハ外形基準アダプタープレート16及びアダプタープレート押えカバープレート18の何れか一方あるいは両方を取り外してもよい。
高温特性試験を実行するためにウェーハ30が高温度状態に設定されると、ウェーハ30の熱膨張の大きさとウェーハ固定機構20を構成する素材の熱膨張の大きさとの間に差が生じる。しかしながら、この熱膨張の大きさの差によってウェーハ30の位置が変動しても、吸引による吸着固定の力はウェーハ30の位置をずらすことができないほど大きくないので、ウェーハ30の位置を適宜調整することによって、ウェーハの電気的特性試験が可能である最適位置にウェーハ30の位置を移動させて調整することは十分可能である。
なお、ウェーハ30として電子デバイス・光学デバイス等が形成された半導体ウェーハを保持することを前提にこの発明のウェーハ保持具の構成及び機能を説明したが、このウェーハ保持具が保持するウェーハとしては、デバイスが形成されたウェーハに限定されない。例えば、ダイシングされた電子デバイスをボンディングする際のスペーサー等として利用するため、サファイア結晶基板、ガラス基板等をダイシングして得られるダイスが必要とされる場合がある。このスペーサーとしてのダイスを加工する工程において、十分に薄いサファイア結晶基板、ガラス基板等をダイシング装置の載荷ステージに搬送する際にこの発明のウェーハ保持具を利用することも可能である。
10:保持フレーム
12:金属シート
14、14-1、14-2:穿孔領域
16:ウェーハ外形基準アダプタープレート
18:アダプタープレート押えカバープレート
20:ウェーハ固定機構
22:ノッチ合せ部
24:カバープレート止め具
26:ビス
30:ウェーハ
32:載荷ステージ
34:吸引孔

Claims (2)

  1. リング状に周辺部を残し中空部が設けられた保持フレームと、
    複数の細かな孔が開けられた穿孔領域を有する金属シートと、
    前記穿孔領域の一部または全部を覆うように前記金属シート上に配置されたウェーハを固定するウェーハ固定機構と
    を備え、
    前記金属シートは、シム材と呼ばれる金属シートを用いて形成され、前記穿孔領域に開けられた前記複数の細かな孔は、エッチング技術によって形成されており、
    前記金属シートが前記保持フレームに、前記金属シートと前記保持フレームの熱膨張の差を吸収する滑り自由度を有して取り付けられ、
    前記ウェーハ固定機構は、耐熱性素材で形成され、
    リング状に周辺部を残し中空部が設けられたウェーハ外形基準アダプタープレートと、
    該ウェーハ外形基準アダプタープレートを押えて固定する、リング状に周辺部を残し中空部が設けられたアダプタープレート押えカバープレートと
    を有し、
    前記ウェーハの周縁部を、前記ウェーハ外形基準アダプタープレートの中空部の内側周縁部と前記金属シートとで挟んだ上で、該ウェーハ外形基準アダプタープレート上に前記アダプタープレート押えカバープレートを積み重ね、前記ウェーハが当該金属シートに対して動かないように固定される
    ことを特徴とするウェーハ保持具。
  2. 前記ウェーハの大きさ及び形状に対応させて、当該ウェーハで前記穿孔領域を適宜覆って当該ウェーハを配置させることが可能であるように、当該金属シートの複数部分に分離させて当該穿孔領域が設けられている
    ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ保持具。


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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016221941A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 順治 曽根 複合材料構造の熱歪みの低減構造
CN108872260A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 无锡华润安盛科技有限公司 晶圆检测治具及晶圆检测装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103590114B (zh) * 2012-08-17 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备
CN106653664B (zh) * 2016-12-07 2019-11-15 南方科技大学 砷化镓晶圆用除氧托盘
GB201713202D0 (en) * 2017-08-17 2017-10-04 Semblant Ltd Substrate mount
CN111007080B (zh) * 2019-12-25 2022-07-12 成都先进功率半导体股份有限公司 一种晶圆裂纹检查装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63245933A (ja) * 1987-03-31 1988-10-13 Shimadzu Corp 半導体ウエハの搬送方法
JP2001185528A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Minolta Co Ltd エッチング用治具及びエッチング装置並びにエッチング方法
JP4096636B2 (ja) * 2002-06-12 2008-06-04 トヨタ自動車株式会社 ウエハ支持治具およびそれを用いた半導体素子製造方法
JP2006120827A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4886909B1 (ja) * 2011-06-29 2012-02-29 株式会社テクノホロン ウェーハ保持具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016221941A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 順治 曽根 複合材料構造の熱歪みの低減構造
CN108872260A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 无锡华润安盛科技有限公司 晶圆检测治具及晶圆检测装置
CN108872260B (zh) * 2017-05-11 2021-12-24 无锡华润安盛科技有限公司 晶圆检测治具及晶圆检测装置

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