JPH0922875A - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0922875A JPH0922875A JP19262795A JP19262795A JPH0922875A JP H0922875 A JPH0922875 A JP H0922875A JP 19262795 A JP19262795 A JP 19262795A JP 19262795 A JP19262795 A JP 19262795A JP H0922875 A JPH0922875 A JP H0922875A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被成膜基板のパーティクル汚染を防止するこ
と。 【構成】 被成膜基板２はサセプタ３に載置されて、縦
型の反応容器１の内部に配置される。基板の搬出入時、
反応容器は大気圧に戻したり、真空引きされる。このと
き、反応容器内壁、サセプタ、ガスフローチャネル５に
付着していたパーティクルが飛散する。環状の誘電体１
２とその外側面に取り付けた電極１３を有するパーティ
クル除去手段１１をサセプタの周囲を覆う位置に配置す
る。直流電源１６によって電極に所要極性の電位を与
え、誘電体を帯電させてパーティクルを付着させる。反
応容器の底部にゴミ受け１７を設け、支持部材１４，１
４’を操作してパーティクル除去手段をゴミ受けまで下
げ、電極に逆極性の電位或いはアース電位を与えること
により、パーティクルをゴミ受けに落す。
と。 【構成】 被成膜基板２はサセプタ３に載置されて、縦
型の反応容器１の内部に配置される。基板の搬出入時、
反応容器は大気圧に戻したり、真空引きされる。このと
き、反応容器内壁、サセプタ、ガスフローチャネル５に
付着していたパーティクルが飛散する。環状の誘電体１
２とその外側面に取り付けた電極１３を有するパーティ
クル除去手段１１をサセプタの周囲を覆う位置に配置す
る。直流電源１６によって電極に所要極性の電位を与
え、誘電体を帯電させてパーティクルを付着させる。反
応容器の底部にゴミ受け１７を設け、支持部材１４，１
４’を操作してパーティクル除去手段をゴミ受けまで下
げ、電極に逆極性の電位或いはアース電位を与えること
により、パーティクルをゴミ受けに落す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属薄膜気相成長
装置等に係り、被成膜基板のパーティクル汚染を防止し
た気相成長装置に関する。
装置等に係り、被成膜基板のパーティクル汚染を防止し
た気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属薄膜気相成長（ＭＯＣＶＤ）装
置等の気相成長装置は、原料を気体状（ガス）にして供
給し、加熱した被成膜基板上で熱分解反応を生じさせて
所望の薄膜を形成する。気相成長装置は大きく分ける
と、反応容器内に水平に置かれた被成膜基板に対して、
原料ガスを水平方向、横から流す横型の気相成長装置
と、垂直に原料ガスを吹き付ける縦型の気相成長装置が
ある。
置等の気相成長装置は、原料を気体状（ガス）にして供
給し、加熱した被成膜基板上で熱分解反応を生じさせて
所望の薄膜を形成する。気相成長装置は大きく分ける
と、反応容器内に水平に置かれた被成膜基板に対して、
原料ガスを水平方向、横から流す横型の気相成長装置
と、垂直に原料ガスを吹き付ける縦型の気相成長装置が
ある。
【０００３】図２は縦型の気相成長装置の概略断面図で
あり、縦型の反応容器１の内部に、被成膜基板２はサセ
プタ３の上に載置して配置される。反応容器１の頂部フ
ランジ板１ａに原料ガスの導入口４が形成されており、
このフランジ板に被成膜基板２に原料ガスを導くガスフ
ローチャネル（内筒管）５が取り付けられている。サセ
プタ３の支持軸体６は反応容器１の底部フランジ板１ｂ
に設けた軸受７で軸支されており、反応容器の下方の側
面部にガス排気口８が設けられている。
あり、縦型の反応容器１の内部に、被成膜基板２はサセ
プタ３の上に載置して配置される。反応容器１の頂部フ
ランジ板１ａに原料ガスの導入口４が形成されており、
このフランジ板に被成膜基板２に原料ガスを導くガスフ
ローチャネル（内筒管）５が取り付けられている。サセ
プタ３の支持軸体６は反応容器１の底部フランジ板１ｂ
に設けた軸受７で軸支されており、反応容器の下方の側
面部にガス排気口８が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】成膜時に被成膜基板２
は加熱されるが、これは例えば、反応容器１の周囲に設
けた高周波コイル９に通電し、サセプタ３の誘導加熱に
より間接的に行われる。加熱された被成膜基板２上で分
解した原料は、基板上に薄膜を形成するが、その膜形成
に寄与しない原料は基板周辺部に存在するガスフローチ
ャネル５、サセプタ３、反応容器１の内壁に付着する。
これら付着物は、成膜を繰り返す毎に厚くなり、やがて
は剥離して反応容器内にゴミ（パーティクル）となって
落ち、一部は成膜前の基板の上に落下するようになる。
成膜前に基板上に落ちたゴミ（パーティクル）は膜質不
良の原因となり、かかるパーティクル汚染は大きな問題
である。特に、これらのゴミ（パーティクル）は、反応
容器１内を真空に引いたり、真空状態から大気圧に戻す
際に飛散し、反応容器内の基板周辺部に位置する部材、
容器内壁に付着する。そしてこれが成膜前の被成膜基板
上に落ちるとパーティクル汚染が生ずる。
は加熱されるが、これは例えば、反応容器１の周囲に設
けた高周波コイル９に通電し、サセプタ３の誘導加熱に
より間接的に行われる。加熱された被成膜基板２上で分
解した原料は、基板上に薄膜を形成するが、その膜形成
に寄与しない原料は基板周辺部に存在するガスフローチ
ャネル５、サセプタ３、反応容器１の内壁に付着する。
これら付着物は、成膜を繰り返す毎に厚くなり、やがて
は剥離して反応容器内にゴミ（パーティクル）となって
落ち、一部は成膜前の基板の上に落下するようになる。
成膜前に基板上に落ちたゴミ（パーティクル）は膜質不
良の原因となり、かかるパーティクル汚染は大きな問題
である。特に、これらのゴミ（パーティクル）は、反応
容器１内を真空に引いたり、真空状態から大気圧に戻す
際に飛散し、反応容器内の基板周辺部に位置する部材、
容器内壁に付着する。そしてこれが成膜前の被成膜基板
上に落ちるとパーティクル汚染が生ずる。
【０００５】本発明は、反応容器内を真空引き及び大気
圧に戻すときに、被成膜基板周辺部に飛散したゴミ（パ
ーティクル）を捕集し、基板のパーティクル汚染を防ぐ
ことができる気相成長装置の提供を目的とするものであ
る。
圧に戻すときに、被成膜基板周辺部に飛散したゴミ（パ
ーティクル）を捕集し、基板のパーティクル汚染を防ぐ
ことができる気相成長装置の提供を目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料ガスの熱
分解反応により被成膜基板に薄膜を形成する気相成長装
置において、縦型の反応容器と、被成膜基板を載置し、
同基板を前記反応容器内に位置させるサセプタと、環状
の誘電体及びこの誘電体の外側面に取り付けられた電極
を有するパーティクル除去手段と、前記電極に電位を与
える直流電源と、前記反応容器の底部に設けられたゴミ
受けとを備え、前記パーティクル除去手段は前記サセプ
タの周囲を覆う位置と前記ゴミ受けの位置に昇降可能で
あることを特徴とするものである。
分解反応により被成膜基板に薄膜を形成する気相成長装
置において、縦型の反応容器と、被成膜基板を載置し、
同基板を前記反応容器内に位置させるサセプタと、環状
の誘電体及びこの誘電体の外側面に取り付けられた電極
を有するパーティクル除去手段と、前記電極に電位を与
える直流電源と、前記反応容器の底部に設けられたゴミ
受けとを備え、前記パーティクル除去手段は前記サセプ
タの周囲を覆う位置と前記ゴミ受けの位置に昇降可能で
あることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】被成膜基板の搬出入に係る、反応容器内を大気
圧に戻したり、真空に引くときに、被成膜基板を載置し
たサセプタの周囲にパーティクル除去手段を位置させ、
直流電源によって電極に電位を与えて誘電体を帯電さ
せ、飛散し、舞い上がるパーティクルを誘電体に付着さ
せる。反応容器内の圧力状態が安定したときにパーティ
クル除去手段をゴミ受けの位置まで下げ、パーティクル
をゴミ受けに落す。
圧に戻したり、真空に引くときに、被成膜基板を載置し
たサセプタの周囲にパーティクル除去手段を位置させ、
直流電源によって電極に電位を与えて誘電体を帯電さ
せ、飛散し、舞い上がるパーティクルを誘電体に付着さ
せる。反応容器内の圧力状態が安定したときにパーティ
クル除去手段をゴミ受けの位置まで下げ、パーティクル
をゴミ受けに落す。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例について図１の断面構成図を
参照して説明する。なお、図１において、図２と同一符
号は同一若しくは同等部分を示す。被成膜基板２は縦型
の反応容器１内に、サセプタ３に載置して配置される。
反応容器１の頂部フランジ板１ａに原料ガスの導入口４
が形成されており、このフランジ板に被成膜基板２に原
料ガスを導くガスフローチャネル５が取り付けられてい
る。サセプタ３の支持軸体６は反応容器１の底部フラン
ジ板１ｂに設けた軸受７で軸支されている。
参照して説明する。なお、図１において、図２と同一符
号は同一若しくは同等部分を示す。被成膜基板２は縦型
の反応容器１内に、サセプタ３に載置して配置される。
反応容器１の頂部フランジ板１ａに原料ガスの導入口４
が形成されており、このフランジ板に被成膜基板２に原
料ガスを導くガスフローチャネル５が取り付けられてい
る。サセプタ３の支持軸体６は反応容器１の底部フラン
ジ板１ｂに設けた軸受７で軸支されている。
【０００９】サセプタ３の周囲を覆って位置できるパー
ティクル除去手段１１を設ける。同手段は環状の誘電体
１２とその外側面に取り付けられた電極１３を有する。
パーティクル除去手段１１には導電体製の支持部材１
４，１４’が取り付けられており、これら支持部材は電
極１３と電気的に接続されている。そして、支持部材１
４，１４’は反応容器１の下部フランジ板１ｂに取り付
けた真空シール機能を有する絶縁軸支部材１５，１５’
に摺動可能に支持されており、一方の支持部材１４は直
流電源１６に接続し、電極１３にアース電位にされてい
る反応容器１、サセプタ３、ガスフローチャネル５等に
対して所要極性の電位を印加できるようにしている。
ティクル除去手段１１を設ける。同手段は環状の誘電体
１２とその外側面に取り付けられた電極１３を有する。
パーティクル除去手段１１には導電体製の支持部材１
４，１４’が取り付けられており、これら支持部材は電
極１３と電気的に接続されている。そして、支持部材１
４，１４’は反応容器１の下部フランジ板１ｂに取り付
けた真空シール機能を有する絶縁軸支部材１５，１５’
に摺動可能に支持されており、一方の支持部材１４は直
流電源１６に接続し、電極１３にアース電位にされてい
る反応容器１、サセプタ３、ガスフローチャネル５等に
対して所要極性の電位を印加できるようにしている。
【００１０】反応容器１の底部フランジ板１ｂの上には
ゴミ受け１７が設けられており、電流導入端子１５，１
５’はその上部がゴミ受けを貫通して位置している。ガ
ス排気口８はゴミ受け１７より上方に位置して設けられ
ている。
ゴミ受け１７が設けられており、電流導入端子１５，１
５’はその上部がゴミ受けを貫通して位置している。ガ
ス排気口８はゴミ受け１７より上方に位置して設けられ
ている。
【００１１】原料ガスは、ガス導入口５から反応容器１
内に導入される。被成膜基板２は、例えば高周波コイル
９により誘導加熱或いは内蔵ヒータにより抵抗加熱され
るサセプタ３を介して間接的に加熱され、原料ガスは熱
分解し、被成膜基板上に所望の薄膜が形成される。前述
したように、成膜に寄与しなかった原料は、被成膜基板
２の周辺の反応容器１の内壁、サセプタ３、ガスフロー
チャネル６に付着し、この付着物、ゴミ，パーティクル
は、特に、反応容器１内を真空引きしたり、減圧状態か
ら大気圧状態に戻すときに舞い上がる可能性が高い。
内に導入される。被成膜基板２は、例えば高周波コイル
９により誘導加熱或いは内蔵ヒータにより抵抗加熱され
るサセプタ３を介して間接的に加熱され、原料ガスは熱
分解し、被成膜基板上に所望の薄膜が形成される。前述
したように、成膜に寄与しなかった原料は、被成膜基板
２の周辺の反応容器１の内壁、サセプタ３、ガスフロー
チャネル６に付着し、この付着物、ゴミ，パーティクル
は、特に、反応容器１内を真空引きしたり、減圧状態か
ら大気圧状態に戻すときに舞い上がる可能性が高い。
【００１２】反応容器１の側面部には、その図示を省略
するが、被成膜基板２を搬出入するロードロック室がゲ
ートバルブを介して結合されており、被成膜基板２の反
応容器１内のサセプタ３への搬入、サセプタからの搬出
はロードロック室を介して大気圧下で行われる。未成膜
基板の搬入時、大気圧状態にあるロードロック室から、
同じく大気圧の反応容器１内のサセプタ３に被成膜基板
２を搬送し、反応容器１とロードロック室間のゲ−トバ
ルブを閉じる。パーティクル除去手段１１を図示位置、
被成膜基板２を載置したサセプタ３の周囲に位置させ
る。直流電源１６によって電極１３にサセプタ３に対し
て所要極性の電位を与え、誘電体１２を帯電させる。反
応容器１内を真空引きする。このとき飛散し、舞い上が
ったパーティクルは帯電した誘電体１２に静電引力で引
き寄せ、付着させ、被成膜基板２のパーティクル汚染を
防止する。パーティクル除去手段１１における電極１３
の印加電位は例えば数１００Ｖ程度である。
するが、被成膜基板２を搬出入するロードロック室がゲ
ートバルブを介して結合されており、被成膜基板２の反
応容器１内のサセプタ３への搬入、サセプタからの搬出
はロードロック室を介して大気圧下で行われる。未成膜
基板の搬入時、大気圧状態にあるロードロック室から、
同じく大気圧の反応容器１内のサセプタ３に被成膜基板
２を搬送し、反応容器１とロードロック室間のゲ−トバ
ルブを閉じる。パーティクル除去手段１１を図示位置、
被成膜基板２を載置したサセプタ３の周囲に位置させ
る。直流電源１６によって電極１３にサセプタ３に対し
て所要極性の電位を与え、誘電体１２を帯電させる。反
応容器１内を真空引きする。このとき飛散し、舞い上が
ったパーティクルは帯電した誘電体１２に静電引力で引
き寄せ、付着させ、被成膜基板２のパーティクル汚染を
防止する。パーティクル除去手段１１における電極１３
の印加電位は例えば数１００Ｖ程度である。
【００１３】反応容器１内の真空減圧が安定した状態
で、パーティクル除去手段１１の支持部材１４，１４’
を操作し、同除去手段をゴミ受け１７の位置まで下げ、
原料ガスの流れに影響を与えないようにし、成膜運転を
行う。このパーティクル除去手段１１を下げた状態で直
流電源１６を操作し、金属製電極１３の印加電位を逆極
性の電位又はアース電位にすることにより、誘電体１２
に付着したパーティクルをゴミ受け１７に落し込むこと
ができる。
で、パーティクル除去手段１１の支持部材１４，１４’
を操作し、同除去手段をゴミ受け１７の位置まで下げ、
原料ガスの流れに影響を与えないようにし、成膜運転を
行う。このパーティクル除去手段１１を下げた状態で直
流電源１６を操作し、金属製電極１３の印加電位を逆極
性の電位又はアース電位にすることにより、誘電体１２
に付着したパーティクルをゴミ受け１７に落し込むこと
ができる。
【００１４】成膜済み基板を反応容器１から搬出すると
きには、パーティクル除去手段１１の支持部材１４，１
４’を操作し、同除去手段をサセプタ３の周囲位置に上
昇させ、電極１３に所要極性の電位を与え、誘電体１２
を帯電させる。反応容器１内を不活性ガスでパージして
から大気圧に戻す。このとき飛散し、舞い上がったパー
ティクルを帯電した誘電体１２に付着させ、捕集する。
きには、パーティクル除去手段１１の支持部材１４，１
４’を操作し、同除去手段をサセプタ３の周囲位置に上
昇させ、電極１３に所要極性の電位を与え、誘電体１２
を帯電させる。反応容器１内を不活性ガスでパージして
から大気圧に戻す。このとき飛散し、舞い上がったパー
ティクルを帯電した誘電体１２に付着させ、捕集する。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、反応容器内を大気圧にしたり、真空引きしたとき
に飛散し、舞い上がるパーティクルをパーティクル除去
手段の誘電体に静電付着、捕集することができるから、
特に、成膜直前の被成膜基板がパーティクル汚染される
のを防止することができ、膜質不良が生ずる割合を著し
く減少させることができる。
ので、反応容器内を大気圧にしたり、真空引きしたとき
に飛散し、舞い上がるパーティクルをパーティクル除去
手段の誘電体に静電付着、捕集することができるから、
特に、成膜直前の被成膜基板がパーティクル汚染される
のを防止することができ、膜質不良が生ずる割合を著し
く減少させることができる。
【図１】本発明の実施例の断面構成図である。
【図２】従来の縦型の気相成長装置の断面図である。
１ 反応容器 ２ 被成膜基板 ３ サセプタ ５ ガスフローチャネル １１ パーティクル除去手段 １２ 誘電体 １３ 電極 １４，１４’ 支持部材 １５，１５’ 絶縁軸支部材 １６ 直流電源 １７ ゴミ受け
Claims (1)
- 【請求項１】 原料ガスの熱分解反応により被成膜基板
に薄膜を形成する気相成長装置において、縦型の反応容
器と、被成膜基板を載置し、同基板を前記反応容器内に
位置させるサセプタと、環状の誘電体及びこの誘電体の
外側面に取り付けられた電極を有するパーティクル除去
手段と、前記電極に電位を与える直流電源と、前記反応
容器の底部に設けられたゴミ受けとを備え、前記パーテ
ィクル除去手段は前記サセプタの周囲を覆う位置と前記
ゴミ受けの位置に昇降可能であることを特徴とする気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19262795A JPH0922875A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19262795A JPH0922875A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922875A true JPH0922875A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=16294402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19262795A Pending JPH0922875A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922875A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016385A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tokyo Electron Limited | Reacteur au plasma |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
| JP2017511974A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 射出アセンブリ付きの上方ドーム |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP19262795A patent/JPH0922875A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016385A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tokyo Electron Limited | Reacteur au plasma |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
| JP2017511974A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 射出アセンブリ付きの上方ドーム |
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