KR102538188B1 - 플라즈마 처리 장치의 세정 방법 - Google Patents

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히라쿠 무라카미
마사루 이사고
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 저압 조건에서 소정의 플라즈마에 의해 플라즈마 처리 장치의 비 플라즈마면에 부착된 부착물을 제거하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 처리 용기 내의 플라즈마 처리실에서 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법으로서, 플라즈마 처리한 기판을 반출한 후, 그 플라즈마 처리실의 일부의 영역을 절연시키는 제 1 스텝과, 상기 플라즈마 처리실에서 플루오로카본 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 스텝과, 상기 플라즈마 처리실의 상기 절연시킨 영역으로부터 그 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간에 공급한 상기 플루오로카본 가스의 플라즈마에 의해 상기 바깥쪽의 공간의 비 플라즈마면의 부착물을 제거하는 제 3 스텝을 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법이 제공된다.

Description

플라즈마 처리 장치의 세정 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS CLEANING METHOD}
본 발명은, 플라즈마 처리 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마 처리된 웨이퍼를 반출한 후, 플라즈마 생성 공간인 플라즈마 처리실에 산소 가스를 도입하여, 드라이클리닝 처리를 실행하는 것이 행해지고 있다(예컨대, 특허 문헌 1을 참조). 특허 문헌 1에서는, 플라즈마 처리실의 압력을 26.7㎩~80.0㎩로 설정하고, 산소 가스의 플라즈마를 생성하여 드라이클리닝 처리를 실행한다. 또한, 플라즈마 처리실에 사불화탄소 가스를 도입하고, 사불화탄소 가스의 플라즈마를 생성하여 산화물 제거 처리를 실행한다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2007-214512호 공보
그렇지만, 상기의 드라이클리닝 수법에서는, 플라즈마 처리실의 바깥쪽에 위치하는 플라즈마 처리 장치의 비 플라즈마 영역에 플라즈마를 도입하는 것이 곤란하기 때문에, 비 플라즈마 영역에 부착된 부착물을 제거하는 것은 어렵다. 특히, 상기의 드라이클리닝 수법에서는, 산화막 등의 부착물의 제거에 필요한 저압 조건에서, 비 플라즈마 영역에 플라즈마를 도입하는 것은 곤란하다.
상기 과제에 대하여, 일 측면에서는, 본 발명은, 저압 조건에서 소정의 플라즈마에 의해 플라즈마 처리 장치의 비 플라즈마면에 부착된 부착물을 제거하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 일 태양에 의하면, 처리 용기 내의 플라즈마 처리실에서 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법으로서, 플라즈마 처리한 기판을 반출한 후, 그 플라즈마 처리실의 일부의 영역을 절연시키는 제 1 스텝과, 상기 플라즈마 처리실에서 플루오로카본 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 스텝과, 상기 플라즈마 처리실의 상기 절연시킨 영역으로부터 그 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간에 공급한 상기 플루오로카본 가스의 플라즈마에 의해 상기 바깥쪽의 공간의 비 플라즈마면의 부착물을 제거하는 제 3 스텝을 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법이 제공된다.
일 측면에 의하면, 저압 조건에서 소정의 플라즈마에 의해 플라즈마 처리 장치의 비 플라즈마면에 부착된 부착물을 제거할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트.
도 3은 일 실시 형태와 관련되는 셔터의 개폐의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 제 2 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트.
도 5는 일 실시 형태와 관련되는 클리닝 시의 압력 및 고주파 전력의 관계를 나타내는 도면.
도 6은 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트.
도 7은 제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트.
도 8은 일 실시 형태와 관련되는 클리닝 시의 압력 및 고주파 전력의 관계를 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 일 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
[플라즈마 처리 장치]
최초로, 본 발명의 일 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 일례이다. 본 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치는, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지는 대략 원통 형상의 처리 용기(2)를 갖고 있다. 처리 용기(2)는, 접지되어 있다.
처리 용기(2) 내의 저부에는, 세라믹스 등의 절연판(3)을 통해서, 대략 원기둥 형상의 지지대(4)가 마련되어 있다. 지지대(4)의 위에는 웨이퍼 W를 유지하고, 하부 전극으로서도 기능하는 스테이지(5)가 마련되어 있다.
지지대(4)의 내부에는, 냉각실(7)이 마련되어 있다. 냉각실(7)에는, 냉매 도입관(8)을 통해서 냉매가 도입된다. 냉매는, 냉각실(7)을 순환하고 냉매 배출관(9)으로부터 배출된다. 또한, 절연판(3), 지지대(4), 스테이지(5), 정전 척(11)에는, 웨이퍼 W의 이면에 전열 매체(예컨대 He 가스 등)를 공급하기 위한 가스 통로(14)가 형성되어 있고, 전열 매체를 통해서 스테이지(5)의 냉열이 웨이퍼 W에 전달되어 웨이퍼 W가 소정의 온도로 유지된다.
스테이지(5)의 위쪽 중앙부의 위에는, 원형이고, 또한, 웨이퍼 W와 대략 동일한 지름의 정전 척(11)이 마련되어 있다. 정전 척(11)은, 절연재의 사이에 흡착 전극(12)을 배치하고 있다. 흡착 전극(12)에는, 직류 전원(13)이 접속되어 있고, 직류 전원(13)으로부터 직류 전압이 인가되는 것에 의해, 쿨롱력에 의해 웨이퍼 W가 정전 척(11)에 정전 흡착된다.
스테이지(5)의 상단 주연부에는, 정전 척(11) 상에 탑재된 웨이퍼 W를 둘러싸도록, 링 형상의 포커스 링(15)이 배치되어 있다. 포커스 링(15)은, 예컨대 실리콘 등의 도전성 재료로 형성되고, 플라즈마의 균일성을 향상시키는 작용을 갖는다. 스테이지(5)의 측면은, 스테이지 측면 피복 부재(60)로 덮인다.
스테이지(5)의 위쪽에는, 가스 샤워 헤드(40)가 마련되어 있다. 가스 샤워 헤드(40)는, 하부 전극으로서 기능하는 스테이지(5)와 대향하여 마련되고, 상부 전극으로서도 기능한다. 가스 샤워 헤드(40)는, 절연재(41)를 사이에 두고, 처리 용기(2)의 천정부에 지지되어 있다. 가스 샤워 헤드(40)는, 전극판(24)과, 전극판(24)을 지지하는 도전성 재료의 전극 지지체(25)를 갖는다. 전극판(24)은, 예컨대 실리콘이나 SiC 등의 도전체 또는 반도체로 구성되고, 다수의 가스 구멍(45)을 갖는다. 전극판(24)은, 스테이지(5)와의 대향면을 형성한다.
전극 지지체(25)의 중앙에는 가스 도입구(26)가 마련되어 있고, 가스 도입구(26)에는, 가스 공급관(27)이 접속되어 있다. 가스 공급관(27)에는, 개폐 밸브(28) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(29)를 거쳐서, 처리 가스 공급원(30)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(30)은, 에칭 등의 플라즈마 처리를 위한 처리 가스나 클리닝 처리를 위한 클리닝 가스 등을 공급한다. 가스는, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(29)에 의해 유량 제어되고, 개폐 밸브(28)의 개폐에 따라 가스 공급관(27) 및 가스 도입구(26)를 통해서 가스 확산실(44)로 옮겨진다. 가스는, 가스 확산실(44)에서 확산되고, 다수의 가스 구멍(45)으로부터 처리 용기(2)의 내부로 도입된다.
처리 용기(2)에는, 그 내벽에 에칭 등의 플라즈마 처리 시에 생성되는 반응 생성물이 부착되는 것을 방지하기 위한 퇴적 실드(23)가 탈착이 자유롭게 마련되더라도 좋다. 또한, 퇴적 실드(23)는, 지지대(4) 및 스테이지(5)의 외주측의 배기 공간 S2에 마련되더라도 좋다.
퇴적 실드(23)와 스테이지(5)의 사이에는, 링 형상으로 형성된 배플판(20)이 마련되어 있다. 퇴적 실드(23) 및 배플판(20)에는, 알루미늄재에, 알루미나, 이트리아(Y2O3) 등의 세라믹스를 피복한 것을 적합하게 이용할 수 있다.
배플판(20)은, 가스의 흐름을 조절하여, 플라즈마 처리실 S1로부터 배기 공간 S2로 균일하게 가스를 배기하는 기능을 갖는다. 플라즈마 처리실 S1은, 스테이지(5), 가스 샤워 헤드(40), 퇴적 실드(23) 및 배플판(20)으로 형성된 플라즈마 생성 공간(플라즈마 처리 공간)이다. 플라즈마 처리실 S1의 내부에서는, 가스 샤워 헤드(40)로부터 공급된 가스로부터 소정의 플라즈마가 생성되고, 플라즈마에 의해 소정의 처리가 웨이퍼 W에 실시된다.
플라즈마 처리실 S1의 일부는, 셔터(22)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 웨이퍼 W의 반입 및 반출 시, 게이트 밸브 GV를 열고, 리프터(55)의 구동에 의해 셔터(22)를 하강시켜 셔터(22)를 열고, 셔터(22)의 개구로부터 플라즈마 처리실 S1에 웨이퍼 W를 반입하거나, 플라즈마 처리실 S1로부터 웨이퍼 W를 반출하거나 한다.
처리 공간 S1의 아래쪽의 배플판(20)의 아래에는, 배기를 행하기 위한 배기 공간 S2가 형성되어 있다. 이것에 의해, 배플판(20)의 하류측의 배기 공간 S2에 플라즈마가 침입하는 것을 억제할 수 있다.
제 1 고주파 전원(51)은, 플라즈마 생성용의 고주파 전력 HF를 발생시킨다. 제 1 고주파 전원(51)은, 예컨대 60㎒의 주파수의 고주파 전력 HF를 발생시킨다. 제 1 고주파 전원(51)은, 정합기(52)를 거쳐서 가스 샤워 헤드(40)에 접속되어 있다. 정합기(52)는, 제 1 고주파 전원(51)의 출력 임피던스와 부하측(상부 전극측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로이다.
제 2 고주파 전원(53)은, 웨이퍼 W에 이온을 끌어들이기 위한 고주파 바이어스 전력 LF를 발생시킨다. 제 2 고주파 전원(53)은, 예컨대 20㎒의 주파수의 고주파 바이어스 전력 LF를 발생시킨다. 제 2 고주파 전원(53)은, 정합기(54)를 거쳐서 스테이지(5)에 접속되어 있다. 정합기(54)는, 제 2 고주파 전원(53)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로이다.
처리 용기(2)의 저부에는 배기관(31)이 접속되어 있고, 배기관(31)에는 배기 장치(35)가 접속되어 있다. 배기 장치(35)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고, 처리 용기(2) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하다. 또한, 처리 용기(2)의 측벽에는 게이트 밸브 GV가 마련되고, 게이트 밸브 GV의 개폐에 의해, 처리 용기(2) 내에 웨이퍼 W를 반입 및 반출한다.
플라즈마 처리 장치는, 제어 장치(100)에 의해 제어된다. 제어 장치(100)는, 통신 인터페이스(I/F)(105), CPU(110), 메모리(115) 등을 구비하는 컴퓨터이다. 메모리(115)에는, 플라즈마 처리 장치에서 실행되는 에칭 등의 각종 플라즈마 처리를 CPU(110)에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치의 각 부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉, 레시피가 저장된다. CPU(110)는, 메모리(115)에 저장된 레시피나 제어 프로그램을 사용하여 플라즈마 처리 장치의 각 부(리프터(55), 배기 장치(35), 직류 전원(13), 제 1 고주파 전원(51), 제 2 고주파 전원(53), 처리 가스 공급원(30) 등)를 제어한다.
<제 1 실시 형태>
[플라즈마 처리 장치의 세정 방법]
다음으로, 이러한 구성의 플라즈마 처리 장치의 세정 방법에 대하여, 제 1~제 4 실시 형태의 차례로 설명한다. 우선, 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법의 일례에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다.
또, 본 처리가 개시되기 전에, 웨이퍼 W에는, 플라즈마 처리 장치에서 에칭이나 성막 등의 소정의 플라즈마 처리가 실시된 상태이다. 본 처리가 개시되면, 제어 장치(100)의 제어에 의해 게이트 밸브 GV가 열리고, 처리가 끝난 웨이퍼 W가 처리 용기(2)로부터 반출되고(스텝 S11), 셔터(22)를 열린 상태로 한다(스텝 S13). 스텝 S13은, 처리 용기(2) 내의 플라즈마 처리실 S1의 일부의 영역을 절연시키는 제 1 스텝의 일례이다. 다시 말해, 본 실시 형태 및 후술하는 각 실시 형태에서는, 처리 용기(2)의 내부에 마련된 셔터(22)를 여는 것에 의해, 플라즈마 처리실 S1의 일부에 절연된 영역을 만들 수 있다. 즉, 셔터(22)의 개구 부분이, 플라즈마 처리실의 일부의 절연된 영역에 상당한다.
다음으로, 가스 샤워 헤드(40)로부터 사불화탄소 가스가 도입된다(스텝 S15). 스텝 S15는, 플라즈마 처리실 S1에 도입된 플루오로카본 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 스텝의 일례이다. 본 실시 형태에서는, 플루오로카본 가스의 일례로서, 사불화탄소 가스(CF4 가스)를 도입한다. 단, 도입하는 가스는, CF4 가스로 한정되지 않고, CF4 가스, C4F6 가스, C5F8 가스 및 C6F6 가스 중 적어도 어느 하나이더라도 좋다.
다음으로, 제어 장치(100)의 제어에 의해 산화물 제거 처리가 실행된다(스텝 S17). 구체적으로는, 스텝 S15에서 도입된 사불화탄소 가스는, 플라즈마 처리실 S1의 일부의 절연된 영역을 거쳐서, 플라즈마 처리실 S1의 바깥쪽인 처리 용기(2) 내의 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간(비 플라즈마 공간) S2에 공급된다. 그리고, 공급된 사불화탄소 가스의 플라즈마에 의해, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 면에 부착되어 있는 실리콘 산화막 등의 부착물이 제거된다. 이하, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 면을 "비 플라즈마면"이라고도 한다.
다음으로, 셔터(22)가 닫히고(스텝 S19), 배기 장치(35)에 의해 불소 이온 등이 플라즈마 처리 장치로부터 배출되고(스텝 S21), 본 처리가 종료된다.
도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W를 플라즈마 처리하는 동안, 셔터(22)는 닫히고, 퇴적 실드(23)와 배플판(20)과 스테이지(5)와 가스 샤워 헤드(40)에 의해 둘러싸인 폐공간인 플라즈마 처리실 S1에 처리 가스가 도입된다. 처리 가스는, 플라즈마 처리실 S1 내에서 주로 고주파 전력 HF에 의해 전리나 해리되어, 플라즈마가 생성된다. 셔터(22)는, 퇴적 실드(23) 및 배플판(20)과 동일한 전위이고, 그라운드로 되어 있다. 이것에 의해, 생성된 플라즈마는, 플라즈마 처리실 S1 내의 웨이퍼 W의 위쪽에 갇히고, 웨이퍼 W에 소망하는 플라즈마 처리가 실시된다.
그런데, 플라즈마 처리동안, 웨이퍼 W를 가공할 때에 실리콘 산화막(SiOx) 등의 반응 생성물이 생성되어, 플라즈마 처리실 S1의 내벽에 부착된다. 반응 생성물의 일부는, 퇴적 실드(23)와 배플판(20)과 셔터(22)로 둘러싸고 있는 플라즈마 처리실 S1의 바깥쪽의 공간인 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에도 서서히 부착되어 간다.
그래서, 본 실시 형태와 관련되는 세정 방법에서는, 셔터(22)를 열고, 플라즈마 처리실 S1의 면에 부착된 반응 생성물을 클리닝할 뿐만 아니라, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 반응 생성물을 클리닝하여, 제거한다.
도 3을 참조하여 구체적으로 설명하면, 본 실시 형태와 관련되는 세정 방법에서는, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 W를 플라즈마 처리한 후, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 처리 후의 웨이퍼 W를 반출하고, 셔터(22)를 연 상태로 한다. 처리 후의 웨이퍼 W를 반출할 때에 열린 셔터(22)를 닫지 않고 열린 상태인 채로 하더라도 좋다. 이와 같이 본 실시 형태에서는, 본래, 플라즈마를 차폐하는 셔터(22)를, 클리닝 시에 있어서도 열린 상태로 함으로써, 플라즈마 처리실 S1의 일부에 절연된 영역 A를 만든다.
이와 같이 하여, 본 실시 형태에서는, 셔터(22)를 여는 것에 의해, 퇴적 실드(23) 및 배플판(20)의 그라운드면에 대하여, 도 3(b)에 나타내는 전기적으로 플로팅한 절연 영역 A가 형성된다. 그렇게 하면, 플라즈마 처리실 S1의 바깥쪽의 처리 용기(2)는 접지되고, 그라운드로 되어 있기 때문에, 플로팅한 절연 영역 A와 처리 용기(2)의 그라운드면의 사이에 전위차가 생긴다.
클리닝 시에는, 플라즈마 처리실 S1에 사불화탄소 가스가 도입되고, 클리닝용의 플라즈마인 사불화탄소 가스의 플라즈마가 생성되어 있다. 사불화탄소 가스의 플라즈마는, 비 플라즈마면보다 전위가 높은 절연 영역 A(셔터(22)의 개구)를 지나서, 그라운드면으로 되어 있는 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 유도된다.
이상, 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리에 있어서, 셔터(22)의 개구와 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면의 전위차에 의해, 플라즈마가 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2측으로 들어가는 전기적 거동에 대하여 설명했다. 또한, 플라즈마의 구조적 거동으로서, 클리닝 시에 셔터(22)를 여는 것에 의해, 처리 용기(2)의 내부에 공간적인 왜곡이 생기고, 플라즈마가 셔터(22)의 개구로부터 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2측으로 이동한다. 이것에 의해, 플라즈마 처리실 S1 내뿐만이 아니라, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 반응 생성물을 효과적으로 클리닝하고, 배기에 의해 제거할 수 있다.
<제 2 실시 형태>
[플라즈마 처리 장치의 세정 방법]
다음으로, 제 2 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법의 일례에 대하여, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 제 2 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다. 또, 도 4에 나타내는 제 2 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리에서는, 도 2에 나타내는 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리와 동일한 처리의 스텝에는 동일한 스텝 번호를 붙이고, 설명을 생략한다.
다시 말해, 제 2 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법은, 스텝 S15의 사불화탄소 가스의 도입 후에, 스텝 S41의 불활성 가스를 도입하고 나서, 스텝 S17의 산화물 제거 처리를 행하는 점에서만 제 1 실시 형태와 관련되는 세정 방법과 상이하다.
본 실시 형태에 있어서도, 클리닝 시에 셔터(22)를 열어 절연 영역 A를 만들고, 사불화탄소 가스 및 불활성 가스의 플라즈마의 일부를 플라즈마 처리실 S1로부터 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 유도한다. 본 실시 형태에서는, 플라즈마 처리실 S1과 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 사이에 압력이 불균형한 상태를 만드는 것에 의해, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 플라즈마를 유도한다.
특히, 본 실시 형태에서는, 사불화탄소 가스에 불활성 가스를 더하는 것에 의해, 페닝 효과에 의해, 보다 효과적으로 플라즈마를 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 유도할 수 있다.
페닝 효과란, 2종류의 기체를 봉입하여 방전시키면, 단독의 기체뿐인 경우보다 낮은 전압에서 방전이 일어나는 현상이다. 다시 말해, 본 실시 형태에서는, 사불화탄소 가스와 불활성 가스의 2종류의 가스를 공급함으로써, 페닝 효과에 의해, 사불화탄소 가스의 단독 가스의 경우보다 저압에서 방전을 일으켜, 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 예컨대, CF4 가스에 Ar 가스를 더하는 것에 의해, CF4 가스의 단독 가스의 경우보다 저압에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
종래와 같이 셔터(22)를 닫은 채로 클리닝을 행하는 경우에는, 처리 용기(2) 내의 플라즈마 처리실 S1측을 상당히 고압으로 하지 않으면, 클리닝용의 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 없다.
예컨대, 도 5는 플라즈마 처리실 S1로부터 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2측에 플라즈마를 유도할 수 있었을 때를 "○"의 기호로 나타내고, 그때의 압력과 고주파 전력 HF를 표에 나타낸다. CF4 가스에 Ar 가스를 더하여 플라즈마를 생성하고, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이 셔터(22)를 닫은 채로 클리닝을 행한다. 이 경우, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 상부 전극에 인가하는 고주파 전력 HF를 1400W, 플라즈마 처리실 S1 내를 150mTorr(=20.0㎩)의 고압으로 했을 때, 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 있다. 여기서, 하부 전극에 인가하는 고주파 전력 LF는 1400W이다.
이것에 의하면, 고주파 전력 HF가 1300W 이하인 경우, 플라즈마 처리실 S1 내를 150mTorr로 하더라도 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수는 없다. 또한, 1400W의 고주파 전력 HF를 인가하더라도, 플라즈마 처리실 S1 내를 150mTorr 미만으로 하면 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수는 없다.
이것에 대하여, 실리콘 산화막(SiOx)이나 실리콘 질화막(SiNx)의 플라즈마에 의한 클리닝에는 저압이라고 하는 조건이 필요하게 되기 때문에, 플라즈마 처리실 S1 내를 150mTorr보다 저압으로 하는 것이 바람직하다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 예컨대, CFx 가스에 Ar 가스를 더하여 플라즈마를 생성하고, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 셔터(22)를 열어서 클리닝을 행한다. 이것에 의해, 페닝 효과에 의해 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 고주파 전력 HF가 1100W 이상이면, 플라즈마 처리실 S1 내가 40mTorr(=5.33㎩)의 저압이더라도 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 있다. 또한, 고주파 전력 HF가 1100W 미만이더라도 900W 이상인 경우, 플라즈마 처리실 S1 내가 70mTorr(=9.33㎩) 이상의 저압에서 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 있다. 고주파 전력 HF가 900W 미만이더라도, 플라즈마 처리실 S1 내가 100mTorr(=13.33㎩) 이상이면 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 있다.
이것에 의해, 클리닝 시에 셔터(22)를 열어서 절연 영역 A를 만들고, 클리닝용의 가스를 2종류 이상 도입함으로써, 예컨대, 플라즈마 처리실 S1 내가 40mTorr의 저압의 상태이더라도, 플라즈마를 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3에 유도할 수 있다. 이것에 의해, 이온 에칭을 촉진하고, 플라즈마 처리실 S1뿐만이 아니라, 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3의 비 플라즈마면에 부착된 반응 생성물의 부착물을 클리닝하고, 제거할 수 있다.
<제 3 실시 형태>
[플라즈마 처리 장치의 세정 방법]
다음으로, 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법의 일례에 대하여, 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다. 또, 도 6에 나타내는 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리에서는, 도 2에 나타내는 제 1 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리와 동일한 처리의 스텝에는 동일한 스텝 번호를 붙이고, 설명을 간략화 또는 생략한다.
제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법은, 웨이퍼 W를 반출하는 스텝 S11 후에, 스텝 S31~S35의 드라이클리닝 처리가 부가되어 있는 점에서 제 1 실시 형태와 관련되는 세정 방법과 상이하다.
다시 말해, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 W를 반출한 후, O2 가스를 도입하고(스텝 S31), O2 가스의 플라즈마를 생성하고, 플라즈마 처리실 S1 내에서 O2 가스의 플라즈마에 의해 드라이클리닝 처리를 실행한다(스텝 S33). 이것에 의해, 플라즈마 처리실 S1의 벽면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을 제거한다.
또, O2 가스의 플라즈마에 의해 드라이클리닝 처리를 실행하는 처리는, 플라즈마 처리실 S1에 도입된 산소 가스의 플라즈마를 생성하는 제 4 스텝의 일례이다. 제 4 스텝은, 스텝 S13~S17의 제 1 스텝~제 3 스텝의 전에 행해진다.
다음으로, 배기 장치(35)를 이용하여 산소 이온 등을 배출한 후(스텝 S35), 제 1 실시 형태와 관련되는 세정 처리와 마찬가지로 셔터(22)를 연다(스텝 S13). 다음으로, 사불화탄소 가스를 도입하고(스텝 S15), 플라즈마 처리실 S1, 배기 공간 S2 및 비 플라즈마 공간 S3의 비 플라즈마면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을 제거한다(스텝 S17). 다음으로, 셔터(22)를 닫고(스텝 S19), 불소 이온 등을 배출한 후(스텝 S21), 본 처리를 종료한다.
이상에 설명한 바와 같이, 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법에 의하면, 우선, 산소 플라즈마를 사용하여 처리 용기(2) 내의 드라이클리닝을 행한다. 이 때문에, 드라이클리닝에 의해 가스 샤워 헤드(40) 등의 실리콘으로 형성되어 있는 부재가 산화되고, 새로운 파티클 발생원이 된다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 새로운 파티클 발생원의 실리콘 산화막을 포함하여, 비 플라즈마면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을, 사불화탄소 가스의 플라즈마를 이용하여 클리닝한다.
그때, 본 실시 형태에 있어서도, 산소 플라즈마에 의한 클리닝 후에 셔터(22)를 열어서 절연 영역 A를 만들고, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 플라즈마를 유도한다. 이것에 의해, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을 제거할 수 있다.
<제 4 실시 형태>
[플라즈마 처리 장치의 세정 방법]
다음으로, 제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법의 일례에 대하여, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다. 또, 도 7에 나타내는 제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리에서는, 도 6에 나타내는 제 3 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리와 동일한 처리의 스텝에는 동일한 스텝 번호를 붙이고, 설명을 간략화 또는 생략한다.
제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법은, 사불화탄소 가스를 도입하는 스텝 S15 후에, 불활성 가스를 도입하는 스텝 S41이 부가되어 있는 점만, 제 3 실시 형태와 관련되는 세정 처리와 상이하다.
다시 말해, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 W를 반출한 후, O2 가스를 도입하고(스텝 S31), O2 가스의 플라즈마를 생성하고, O2 가스의 플라즈마에 의해 드라이클리닝 처리를 실행한다(스텝 S33).
다음으로, 배기 장치(35)를 이용하여 산소 이온 등을 배출한 후(스텝 S35), 제 3 실시 형태와 관련되는 세정 처리와 마찬가지로 셔터(22)를 연다(스텝 S13). 다음으로, 사불화탄소 가스 및 Ar 가스 등의 불활성 가스를 도입하고(스텝 S15, S41), 처리 용기(2) 내에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을 제거한다(스텝 S17). 다음으로, 셔터(22)를 닫고(스텝 S19), 플라즈마 처리실 S1 내의 불소 이온 등을 배출한 후(스텝 S21), 본 처리를 종료한다.
이상에 설명한 바와 같이, 제 4 실시 형태와 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법에 의하면, 우선, 산소 플라즈마를 사용하여 드라이클리닝을 행한다. 이 때문에, 드라이클리닝에 의해 가스 샤워 헤드(40) 등의 실리콘으로 형성되어 있는 부재가 산화되고, 새로운 파티클 발생원이 된다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 새로운 파티클 발생원의 실리콘 산화막을 포함하여, 비 플라즈마면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을, 사불화탄소 가스 및 불활성 가스의 플라즈마를 이용하여 클리닝한다.
그때, 본 실시 형태에 있어서도, 산소 플라즈마에 의한 클리닝 후에 셔터(22)를 열어서 절연 영역 A를 만들고, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 플라즈마를 유도한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 사불화탄소 가스 및 불활성 가스의 혼합 가스를 도입함으로써, 페닝 효과에 의해, 사불화탄소 가스의 단독 가스의 경우보다 저압에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
실리콘 산화막에 대한 플라즈마에 의한 클리닝에는 저압이라고 하는 조건이 필요하게 된다. 이것에 대하여, 본 실시 형태에서는, 저압 조건을 만족한 환경에서 사불화탄소 가스 및 불활성 가스의 혼합 가스의 플라즈마에 의해, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 실리콘 산화막의 부착물을 제거할 수 있다.
예컨대, CF4 가스에 Ar 가스를 더하는 것에 의해, CF4 가스의 단독 가스의 경우보다 저압에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
예컨대, 도 8에서는, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2로의 플라즈마의 유도에 성공한 경우를 "○"의 기호로 나타낸다. 또한, 도 8(b)의 별표는, 도 6의 스텝 S33의 산소 플라즈마의 클리닝 시의 프로세스 조건을 나타낸다. 도 8(a)의 별표는, 도 7의 스텝 S33의 산소 플라즈마의 클리닝 시의 프로세스 조건을 나타낸다.
도 8(a)에서는, 플라즈마 처리실 S1 내에 CF4 가스, Ar 가스 및 O2 가스의 혼합 가스를 도입했을 때의 결과를 나타낸다. 도 8(a)에서는, CF4 가스만을 플라즈마 처리실 S1 내에 도입했을 때의 결과를 나타낸다. 또, 도 8(a) 및 도 8(b)에 있어서, 셔터(22)를 닫고, 산소 플라즈마에 의한 클리닝이 실행된 경우가 나타내어지고 있다.
도 8(a)에 나타내는 플라즈마 처리실 S1 내에 CF4 가스, Ar 가스 및 O2 가스의 혼합 가스를 도입한 경우, 도 8(b)에 나타내는 CF4 가스만을 도입한 경우와 비교하여, 보다 저압에서 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 플라즈마를 유도할 수 있다.
또, 도 8(a)에서는, CF4 가스 및 Ar 가스에 더하여, O2 가스가 공급되고 있지만, O2 가스를 공급하지 않더라도, 페닝 효과에 의해 도 8(b)에 나타내는 경우보다 저압에서 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2에 플라즈마를 유도할 수 있다.
이상, 플라즈마 처리 장치의 세정 방법을 상기 실시 형태에 의해 설명했지만, 본 발명과 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법은 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
예컨대, 상기 각 실시 형태에서는, 세정 대상이 되는 플라즈마 처리 장치의 벽면에 부착된 부착물의 일례로서 실리콘 산화막을 들어 설명했다. 그렇지만, 본 발명과 관련되는 세정 대상은, 이것에 한하지 않고, 예컨대, 실리콘 질화막의 부착물이더라도 좋다. 이 경우에도, 상기 각 실시 형태에서 설명한 실리콘 산화막의 부착물의 제거 시에 사용한 가스와 동일한 CF4 가스 등의 플루오로카본 가스의 플라즈마 또는 플루오로카본 가스 및 불활성 가스의 플라즈마를 사용할 수 있다. 또, 플루오로카본 가스에 더하는 불활성 가스는, Ar 가스에 한하지 않고, He 가스이더라도 좋다.
또한, 본 발명과 관련되는 세정 대상은, 이것에 한하지 않고, 예컨대, CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물이더라도 좋다. 이 경우, CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물의 제거 시에 사용하는 가스는, 산소 함유 가스가 바람직하다.
구체적으로는, CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물을 제거할 때, 이하의 제 1 스텝~제 3 스텝이 실행된다.
제 1 스텝에서는, 셔터(22)를 연 상태로 하여 플라즈마 처리실 S1의 일부의 영역 A를 절연시킨다. 제 2 스텝에서는, 플라즈마 처리실 S1에 도입된 산소 함유 가스의 플라즈마를 생성한다. 제 3 스텝에서는, 플라즈마 처리실 S1의 일부의 절연된 영역 A로부터 비 플라즈마면에 산소 함유 가스의 플라즈마를 공급하고, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 부착물을 제거한다.
이것에 의해, 비 플라즈마 공간 S3 및 배기 공간 S2의 비 플라즈마면에 부착된 CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물을 제거할 수 있다. 비 플라즈마면에 산소 함유 가스의 플라즈마를 공급하고, CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물을 제거하는 세정 방법에서는, 도 2 및 도 6의 스텝 S15에 있어서, 사불화탄소 가스를 도입하는 대신에 산소 함유 가스를 도입하더라도 좋다. 도 4 및 도 7의 스텝 S15 및 S41에 있어서, 사불화탄소 가스 및 불활성 가스를 도입하는 대신에 산소 함유 가스 및 불활성 가스를 도입하더라도 좋다.
또, 셔터(22)는 전개(全開)가 아니더라도, 열려 있으면 된다. 셔터(22)의 개구부는 전기적으로 절연되고, 그라운드면으로부터 소정의 전위차가 생기기 때문에, 본 실시 형태의 플라즈마에 의한 클리닝의 효과를 발휘할 수 있다. 단, 셔터(22)를 전개로 하면, 클리닝용의 플라즈마가, 배기 공간 S2나 비 플라즈마 공간 S3에 유도되기 쉬워지기 때문에 바람직하다.
또한, 상기 각 실시 형태에서는, 셔터(22)가 리프터(55)에 의해 상하 운동하는 예를 들었다. 그렇지만, 본 발명과 관련되는 플라즈마 처리 장치의 세정 처리는, 이것에 한하지 않고, 셔터(22) 및 퇴적 실드(23)가 일체적으로 리프터(55)에 의해 상하 운동하도록 하더라도 좋다.
본 발명과 관련되는 플라즈마 처리 장치는, ALD(Atomic Layer Deposition) 장치, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP)의 어느 타입에서도 적용 가능하다.
본 명세서에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼(반도체 웨이퍼) W를 들어 설명했다. 그러나, 기판은, 이것에 한하지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display)에 이용되는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이더라도 좋다.
2 : 처리 용기
5 : 스테이지(하부 전극)
7 : 냉각실
11 : 정전 척
15 : 포커스 링
20 : 배플판
23 : 퇴적 실드
22 : 셔터
30 : 처리 가스 공급원
35 : 배기 장치
40 : 가스 샤워 헤드(상부 전극)
51 : 제 1 고주파 전원
53 : 제 2 고주파 전원
100 : 제어 장치
S1 : 플라즈마 처리실
S2 : 배기 공간
S3 : 비 플라즈마 공간

Claims (9)

  1. 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리실을 획정하고, 접지되어 있는 도전성 처리 용기와, 상기 플라즈마 처리실 내에서 개폐 가능한 셔터로서, 닫혀 있을 때 상기 처리 용기에 도통하는 상기 셔터를 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법으로서,
    플라즈마 처리한 기판을 반출하는 제 1 스텝과,
    상기 기판의 반출 후 개구가 형성되도록 상기 셔터를 열어줌으로써 상기 플라즈마 처리실의 일부의 영역을 상기 처리 용기로부터 절연시키는 제 2 스텝과,
    상기 플라즈마 처리실에서 플루오로카본 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 스텝과,
    상기 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간의 비 플라즈마면의 부착물을, 상기 형성된 개구를 통해 상기 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간에 도달 가능한 상기 플라즈마로 제거하는 제 4 스텝
    을 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리실에서 산소 가스의 플라즈마를 생성하는 제 5 스텝을 갖고,
    상기 제 1 스텝 내지 제 4 스텝은, 상기 제 5 스텝의 후에 행해지는
    세정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 4 스텝의 전에 불활성 가스를 도입하는 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는, Ar 가스 또는 He 가스인 세정 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 4 스텝에서 제거하는 상기 비 플라즈마면의 부착물은, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 세정 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 플루오로카본 가스는, CF4 가스, C4F6 가스, C5F8 가스 및 C6F6 가스 중 적어도 어느 하나인 세정 방법.
  8. 기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리실 내를 획정하고, 접지되어 있는 도전성 처리 용기와, 상기 플라즈마 처리실 내에서 개폐 가능한 셔터로서, 닫혀 있을 때 상기 처리 용기에 도통하는 상기 셔터를 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법으로서,
    플라즈마 처리한 기판을 반출하는 제 1 스텝과,
    상기 기판의 반출 후 개구가 형성되도록 상기 셔터를 열어줌으로써 상기 플라즈마 처리실의 일부의 영역을 상기 처리 용기로부터 절연시키는 제 2 스텝과,
    상기 플라즈마 처리실에서 산소 함유 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 스텝과,
    상기 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간의 비 플라즈마면의 부착물을, 상기 형성된 개구를 통해 상기 플라즈마 처리실의 바깥쪽의 공간에 도달 가능한 상기 플라즈마로 제거하는 제 4 스텝
    을 갖는 플라즈마 처리 장치의 세정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 4 스텝에서 제거하는 상기 비 플라즈마면의 부착물은, CxHy 또는 CxFy의 유기 폴리머 함유물인 세정 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7422531B2 (ja) 2019-12-17 2024-01-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7454961B2 (ja) 2020-03-05 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2023001618A (ja) * 2021-06-21 2023-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びクリーニング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155569A (ja) * 2001-11-16 2003-05-30 Nec Kagoshima Ltd プラズマｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6626185B2 (en) * 1996-06-28 2003-09-30 Lam Research Corporation Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate
JPH10177993A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Hitachi Ltd 平行平板狭電極型のプラズマ処理装置
JP2007012724A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置および処理方法
JP4963842B2 (ja) * 2006-02-13 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置
US8435379B2 (en) * 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
JP5364514B2 (ja) * 2009-09-03 2013-12-11 東京エレクトロン株式会社 チャンバ内クリーニング方法
KR101355303B1 (ko) * 2010-03-24 2014-01-23 캐논 아네르바 가부시키가이샤 전자 디바이스의 제조 방법 및 스퍼터링 방법
JP2012204644A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6661283B2 (ja) * 2015-05-14 2020-03-11 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155569A (ja) * 2001-11-16 2003-05-30 Nec Kagoshima Ltd プラズマｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法

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