JP2007012724A - プラズマ処理装置および処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 内部のウェハステージ4に設置された被処理体たるウェハWをプラズマ処理するプロセスチャンバー1と、このプロセスチャンバー1のゲート部たるウェハ搬送経路部201 を開閉するゲートバルブ301 とを備えたプラズマ処理装置に、ウェハ搬送経路部201 からステージ4を遮蔽する移動自在な保護部材としてのライナー15を設ける。これにより、ライナー15によって、ゲートバルブ301 、特にゲートバルブOリング302のプラズマによる劣化、ウェハ近傍へのデポ物堆積を防止できる。またライナー15によって、ゲートバルブOリング302 の機械的劣化やデポ物堆積によってゲートバルブ駆動時に発生するパーティクルがウェハWに付着するのを防止することができる。
【選択図】図1
Description
(1)ゲートバルブ部分(特にそのゲートバルブOリング)のプラズマによる劣化を防止し、劣化によって発生するパーティクルを低減する。
(2)ゲートバルブ部分(特にそのゲートバルブOリング)の機械的劣化によって発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止する。
(3)ゲートバルブに付着したデポ物がゲートバルブの駆動時に剥がれて発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止する。
(4)処理室内におけるウェハ近傍のデポ物の堆積量を低減し、デポ物が剥がれて発生するパーティクルを低減する。
(5)ウェハ軸心(ウェハの中心から垂直の軸)に対して対称なプラズマを生成し、ウェハの面内の均一性を向上させる。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置が従来のものと相違するのは、プロセスチャンバー1内に上下方向に移動可能な2重構造のライナー15が設けられている点である。またウェハステージ4内の冷媒循環路14が3系統に分けられ、さらに温度制御のためのヒーター16が設けられている点である。
上記プラズマ処理装置におけるプラズマ処理の際の一連の動作を説明する。
この状態から、まずゲートバルブ301を開き、ライナー15を下降させ、ウェハWをウェハ搬送チャンバー101から取り出して、プロセスチャンバー1内に搬送し、ウェハステージ103上に設置し、ライナー15を再び上昇させ、ゲートバルブ301を閉じる。これにより図示した状態となる。その後にプロセスチャンバー1内でプラズマを発生させてウェハWを加工する。
プラズマ処理中は、ライナー15が上昇しているため、ゲートバルブOリング302はプラズマに接しにくく、プラズマによるゲートバルブOリング302の劣化を防止することができる。またライナー15の内周部(内側ライナー17)やウェハステージ4の外周部を高温化しているので、ウェハWの近傍にデポ物の堆積をなくすことができる。
(第2実施形態)
図2は本発明の第2実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。
プロセスチャンバー1にウェハがないスタンバイ状態では、ゲートバルブ301は閉じられており、ライナー15は図示した位置に上昇している。
4 ウェハステージ
14 冷媒循環路
14a 第1循環路
14b 第2循環路
14c 第3循環路
15 ライナー
17 内側ライナー
17a 冷媒循環路
18 外側ライナー
18a 冷媒循環路
16 温度制御部(ヒーター)
101 ウェハ搬送チャンバー
201 ウェハ搬送経路部
301 ゲートバルブ
302 ゲートバルブOリング
W ウェハ
Claims (8)
- 内部のステージに設置された被処理体をプラズマ処理する処理室と、前記処理室のゲート部を開閉するゲートバルブとを備えたプラズマ処理装置において、
前記ゲート部からステージを遮蔽する保護部材が前記処理室内に移動自在に設けられたプラズマ処理装置。 - 保護部材はステージおよびその周囲に形成されるプラズマ領域を囲む円筒状部を有した請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 保護部材の内部に温度制御流体の循環路が形成された請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 保護部材は、ゲート側の表面がパーティクルやデポ物をより吸着し易い表面粗さとされ、ステージ側の表面がパーティクルやデポ物をより吸着し難い表面粗さとされた請求項1記載のプラズマ処理装置。
- ステージの内部に、設置される被処理体を所望温度に制御する中央領域温度制御部と、ステージ外周部の表面温度を制御する外周温度制御部とが設けられた請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 被処理体をゲート部より処理室内に搬入してステージ上に設置する工程と、
前記ゲート部からステージを遮蔽可能に処理室内に設けられた保護部材をゲート部とステージとの間を遮断する位置に移動させる工程と、
前記ステージ上の被処理体にプラズマ処理を施す工程と、
前記保護部材をゲート部とステージとの間が遮断されない位置に移動させる工程と、
プラズマ処理された被処理体をゲート部より処理室外に搬出する工程と
をこの順に行なうプラズマ処理方法。 - 保護部材のゲート側の表面温度をパーティクルやデポ物が吸着し易いより低い温度に制御し、ステージ側の表面温度をパーティクルやデポ物が吸着し難いより高い温度に制御する請求項6記載のプラズマ処理方法。
- ステージの中央領域の表面温度を、設置される被処理体を所望温度に維持する温度に制御し、ステージ外周部の表面温度をパーティクルやデポ物が吸着し難いより高い温度に制御する請求項6記載のプラズマ処理方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010109157A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体製造装置 |
US20100166957A1 (en) * | 2003-08-07 | 2010-07-01 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
US8262798B2 (en) * | 2003-08-06 | 2012-09-11 | Ulvac, Inc. | Shower head, device and method for manufacturing thin films |
JP2013531368A (ja) * | 2010-05-21 | 2013-08-01 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置のための可動チャンバライナ・プラズマ閉じ込めスクリーン複合体 |
KR20130137959A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR20130137964A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR101924488B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2018-12-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 공간이 한정된 pecvd 챔버 |
JP2018195817A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
CN110556308A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-10 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 阀门保护机构、工艺腔室及半导体设备 |
-
2005
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8262798B2 (en) * | 2003-08-06 | 2012-09-11 | Ulvac, Inc. | Shower head, device and method for manufacturing thin films |
US20100166957A1 (en) * | 2003-08-07 | 2010-07-01 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
US8252116B2 (en) * | 2003-08-07 | 2012-08-28 | Sundew Technologies, Llc | Perimeter partition-valve with protected seals and associated small size process chambers and multiple chamber systems |
JP2010109157A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体製造装置 |
KR101924488B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2018-12-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 공간이 한정된 pecvd 챔버 |
JP2016136636A (ja) * | 2010-05-21 | 2016-07-28 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理装置のための可動チャンバライナ・プラズマ閉じ込めスクリーン複合体 |
KR20130115099A (ko) * | 2010-05-21 | 2013-10-21 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치들을 위한 이동가능 챔버 라이너 플라즈마 한정 스크린 조합 |
US9490135B2 (en) | 2010-05-21 | 2016-11-08 | Lam Research Corporation | Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses |
JP2013531368A (ja) * | 2010-05-21 | 2013-08-01 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置のための可動チャンバライナ・プラズマ閉じ込めスクリーン複合体 |
KR101976852B1 (ko) * | 2010-05-21 | 2019-05-10 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치들을 위한 이동가능 챔버 라이너 플라즈마 한정 스크린 조합 |
KR20130137959A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR20130137964A (ko) * | 2012-06-08 | 2013-12-18 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
KR101955575B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-03-08 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
KR101966800B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-08-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
JP2018195817A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
JP7072439B2 (ja) | 2017-05-12 | 2022-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
CN110556308A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-10 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 阀门保护机构、工艺腔室及半导体设备 |
CN110556308B (zh) * | 2018-06-01 | 2021-12-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 阀门保护机构、工艺腔室及半导体设备 |
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