JP2001053008A

JP2001053008A - 半導体製造装置のクリーニング方法

Info

Publication number: JP2001053008A
Application number: JP11221607A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Ota; 殖太田
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1999-08-04
Filing date: 1999-08-04
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体製造装置のクリーニング方法におい
て、稼働率の低下を招くことなしに、主真空ポンプに付
着した副生成物を除去して基板に付着するパーティクル
を低減する。【解決手段】ＣＶＤ装置１のクリーニングを行う場
合、まず、ゲートバルブ２４を閉じた状態で、ターボ分
子ポンプ２５の回転を停止させる。続いて、ゲートバル
ブ２４を開き、ドライポンプ２８により処理チャンバ２
内をターボ分子ポンプ２５を介して真空引きする。続い
て、ガス供給源１１ｃのＡｒガスをリアクターキャビテ
ィ１８に流し、マイクロ波ジェネレータ１９によりマイ
クロ波を印加し、プラズマを発生させる。続いて、ガス
供給源１１ｄのＮＦ₃ガスをアクターキャビティ１８に
流してラジカル化させ、このフッ素ラジカルＦ^*を処理
チャンバ２に送ることによって、クリーニングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度プラズマ式
ＣＶＤ装置といったような半導体製造装置のクリーニン
グ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高密度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ装置
は、例えば、処理チャンバと、この処理チャンバ内を真
空引きする主真空ポンプと、この主真空ポンプの下流側
に設けられ、処理チャンバ内を真空引きする補助真空ポ
ンプとを備えている。ここで、高真空下で成膜処理を行
う場合には、主真空ポンプとしてターボ分子ポンプが用
いられることが多い。このターボ分子ポンプは、例え
ば、２枚ブレード式のターボスロットルバルブ及びゲー
トバルブを介して、処理チャンバと連通・隔離可能に設
けられている。

【０００３】このようなＣＶＤ装置において、成膜処理
により生じる排ガスには、副生成物（例えば、ＳｉＯ₂
成膜時にはＳｉＯ₂）が含まれており、このような副生
成物が処理チャンバ内に多く存在していると、ウェハ
（基板）に付着するパーティクルも多くなる。

【０００４】そこで、従来では、まずゲートバルブを閉
じて、処理チャンバとターボ分子ポンプとを隔離する。
そして、その状態で、処理チャンバ内を補助真空ポンプ
により直接真空引きしながら、フッ素系ガスを流して処
理チャンバ内にフッ素ラジカルを生成する、いわゆるド
ライクリーニングを行うことによって、処理チャンバ内
に存在する副生成物を分解除去していた。また、ターボ
分子ポンプについては、所定の枚数だけ成膜処理を行っ
た後で取り外し、業者によってメンテナンスを行ってい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来においては、上述
したように業者によってターボ分子ポンプのメンテナン
スが行われていたが、この場合には、メンテナンスに時
間、費用がかかるため、稼働率の低下を招いていた。ま
た、ターボ分子ポンプのメンテナンスを長期間行わない
でいると、ターボ分子ポンプに付着・堆積する副生成物
が徐々に増加し、それが処理チャンバ内に逆流し、ウェ
ハに付着するパーティクルを増長させる可能性がある。

【０００６】本発明の目的は、稼働率の低下を招くこと
なしに、主真空ポンプに付着した副生成物を除去して基
板に付着するパーティクルを低減することができる半導
体製造装置のクリーニング方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、処理チャンバと、この処理チャンバ内を
真空引きする主真空ポンプと、この主真空ポンプの下流
側に設けられ、処理チャンバ内を真空引きする補助真空
ポンプとを備えた半導体製造装置のクリーニング方法で
あって、主真空ポンプの作動を停止させるステップと、
主真空ポンプの作動を停止させた後、処理チャンバ内を
補助真空ポンプにより主真空ポンプを介して真空引きし
ながら、フッ素系ガスを流して処理チャンバ内にフッ素
ラジカルを生成することによって、クリーニングを行う
ステップとを含む半導体製造装置のクリーニング方法を
提供する。例えば、主真空ポンプとしてターボ分子ポン
プを使用する。

【０００８】このように主真空ポンプの作動を停止させ
た状態で、処理チャンバ内を主真空ポンプを介して真空
引きしながら、処理チャンバ内にフッ素ラジカルを生成
することにより、処理チャンバ及び主真空ポンプの内部
に付着・堆積した副生成物（例えばＳｉＯ₂）が分解除
去される。これにより、稼働率の低下を招くことなし
に、主真空ポンプに堆積した副生成物を除去して基板に
付着するパーティクルを低減することができる。

【０００９】ここで、主真空ポンプを作動させた状態
で、上記のようなクリーニングを行うことも考えられる
が、この場合には、主真空ポンプの排気能力によって主
真空ポンプ内を高圧力にすることができないため、クリ
ーニング効率が低下し、付着・堆積物が徐々に増加する
恐れがある。

【００１０】上記半導体製造装置のクリーニング方法に
おいて、好ましくは、フッ素系ガスを、処理チャンバ内
の圧力が０．５〜５．０Ｔｏｒｒになるような流量だけ
流す。これにより、プラズマ放電によるフッ素系ガスの
ラジカル化が効果的に行える。

【００１１】また、好ましくは、フッ素系ガスとして、
ＮＦ₃ガス、ＣＦ₄ガス、Ｃ₂Ｆ₆ガスのいずれかを用い
る。これにより、処理チャンバ及び主真空ポンプ内に付
着した副生成物の分解除去を促進させることができる。

【００１２】さらに、好ましくは、処理チャンバ内にフ
ッ素ラジカルを生成する際、まず不活性ガスを流してプ
ラズマを発生させ、その後フッ素系ガスのみを所定時間
だけ流す。これにより、処理チャンバ及び主真空ポンプ
の内部に付着・堆積した副生成物が確実に分解除去され
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体製造装
置のクリーニング方法の好適な実施形態について図面を
参照して説明する。

【００１４】図１は、本発明に係るクリーニング方法が
適用される半導体製造装置として高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）式ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。同図におい
て、ＣＶＤ装置１は、内部が減圧される処理チャンバ２
を備えている。この処理チャンバ２には、シリコンウェ
ハ（基板）Ｗを当該処理チャンバ２内に導入するための
基板導入口２ａが形成されている。処理チャンバ２内に
は、ウェハＷを支持する基板支持部材３が配設され、こ
の基板支持部材３の上部には、ウェハＷを固定するため
の静電チャック４が設けられている。処理チャンバ２の
上部には、ドーム５が当該処理チャンバ２を覆うように
設けられ、このドーム５上には、ドーム温度を設定する
ヒータープレート６及びコールドプレート７が置かれて
いる。

【００１５】処理チャンバ２にはガス導入口８ａが設け
られていると共に、ドーム５にはガス導入口８ｂが設け
られている。各ガス導入口８ａ，８ｂには、ガス供給ラ
イン１０ａ，１０ｂを介してガス供給源１１ａ〜１１ｃ
が接続され、これらガス供給源１１ａ〜１１ｃからのガ
スのうち各プロセスで必要とするガスをガス導入口８
ａ，８ｂを介して処理チャンバ２内に供給する。ここ
で、ガス供給源１１ａはＳｉＨ₄ガスの供給源であり、
ガス供給源１１ｂはＯ₂ガスの供給源であり、ガス供給
源１１ｃはＡｒガス（不活性ガス）の供給源である。Ｓ
ｉＨ₄ガス、Ｏ₂ガスは、成膜プロセスにおける成膜ガス
として使用され、Ａｒガスは、成膜ガス及びクリーニン
グガス（後述）のキャリアガスとして使用される。ま
た、各ガス供給ライン１０ａ，１０ｂには、ガス導入口
８ａ，８ｂに供給されるガスの量を制御する質量流量コ
ントローラ１２が設けられている。

【００１６】ドーム５には、サイドコイル１３ａ及びト
ップコイル１３ｂが取り付けられている。各コイル１３
ａ，１３ｂにはＲＦジェネレータ１４ａ，１４ｂが接続
されており、このＲＦジェネレータ１４ａ，１４ｂによ
り処理チャンバ２内にプラズマを生成する。また、コイ
ル１３ａ，１３ｂとＲＦジェネレータ１４ａ，１４ｂと
の間には、ＲＦジェネレータ１４ａ，１４ｂの出力イン
ピーダンスをそれぞれのコイル１３ａ，１３ｂにマッチ
させるマッチングネットワーク１５ａ，１５ｂが設けら
れている。また、静電チャック４には、マッチングネッ
トワーク１５ｃを介してＲＦジェネレータ１４ｃが接続
されている。このＲＦジェネレータ１４ｃは、ＲＦジェ
ネレータ１４ａ，１４ｂによって生成されたプラズマ核
種のウェハＷ表面への移送を高めるためのものである。

【００１７】処理チャンバ２にはガス導入口１６が設け
られ、このガス導入口１６には、ガス供給ライン１７を
介してリアクターキャビティ１８が接続されている。こ
のリアクターキャビティ１８は、プラズマを生成するた
めのマイクロ波ジェネレータ１９を有すると共に、ガス
供給ライン２０を介してガス供給源１１ｃ，１１ｄと接
続されている。ここで、ガス供給源１１ｄはＮＦ₃ガス
の供給源であり、このＮＦ₃ガスは、クリーニングプロ
セスにおけるクリーニングガスとして使用される。ま
た、ガス供給ライン２０には、リアクターキャビティ１
８に供給されるガスの量を制御する質量流量コントロー
ラ２１が設けられている。

【００１８】処理チャンバ２の下方には、スロットル弁
チャンバ２２が処理チャンバ２と連通するように設けら
れており、このスロットル弁チャンバ２２内には２枚ブ
レード式のターボスロットルバルブ２３が格納されてい
る。スロットル弁チャンバ２２の下方には、ゲートバル
ブ２４を介して、処理チャンバ２内を真空引きするター
ボ分子ポンプ（主真空ポンプ）２５が設置されており、
ゲートバルブ２４を開閉することによって、スロットル
弁チャンバ２２とターボ分子ポンプ２５の吸気口とを連
通・隔離できるようになっている。このようなターボス
ロットルバルブ２３、ゲートバルブ２４及びターボ分子
ポンプ２５を設けることにより、成膜時における処理チ
ャンバ２内の圧力を１０ｍＴｏｒｒ以下に安定して制御
することができる。

【００１９】ターボ分子ポンプ２５の排気口２６には排
気配管２７が接続され、この排気配管２７には、処理チ
ャンバ２内を真空引きするドライポンプ（補助真空ポン
プ）２８が設けられている。また、スロットル弁チャン
バ２２の排気口２９と排気配管２７とは排気配管３０で
接続され、この排気配管３０にはラフスロットルバルブ
３１が設けられている。また、排気配管２７及び３０に
は、アイソレーションバルブ３２及び３３が設けられて
いる。

【００２０】以上のように構成したＣＶＤ装置１におい
て、ＳｉＯ₂膜の成膜処理を行う場合、まず図２（ａ）
に示すように、ゲートバルブ２４を開き、スロットルバ
ルブ２３を所定の角度で開いた状態で、ドライポンプ２
８及びターボ分子ポンプ２５により処理チャンバ２内を
真空引きすると共に、ガス供給源１１ｃのＡｒガスをガ
ス導入口８ａ，８ｂから処理チャンバ２内に導入する。
そして、処理チャンバ２内の圧力が所定値になったら、
ＲＦジェネレータ１４ａ，１４ｂによりコイル１３ａ，
１３ｂに高周波を印加し、処理チャンバ２内にプラズマ
を発生させる。続いて、ガス導入口１１ａのＳｉＨ₄ガ
ス及びガス供給源１１ｂのＯ₂ガスをガス導入口８ａ，
８ｂから処理チャンバ２内に順次導入すると、ＳｉＨ₄
及びＯ₂は、イオンまたはラジカルに電離された状態で
基板支持部材３上のウェハＷに達し、化学反応によりウ
ェハＷの表面にＳｉＯ₂膜が形成される。

【００２１】次に、本発明に係るＣＶＤ装置１のクリー
ニング方法の手順を図３のフローチャートにより説明す
る。図３は、上記成膜処理時の状態からクリーニングを
行い、復帰させるまでの手順を示している。ここで、ド
ライポンプ２８及びターボ分子ポンプ２５の作動やスロ
ットルバルブ２３及びゲートバルブ２４等の開閉は、オ
ペレータによる手動操作により行うものとする。また、
処理チャンバ２内は、所定の真空度（例えば１ｍＴｏｒ
ｒ以下）に維持されているものとする。

【００２２】（１）まず、ゲートバルブ２４を閉じた状
態で、処理チャンバ２内を大気圧に開放する。そして、
ターボ分子ポンプ２５の回転を停止させる。また、アイ
ソレーションバルブ３２を閉じる（ステップ１０１）。

【００２３】（２）続いて、ドライポンプ２８の回転も
停止させる。このとき、ターボ分子ポンプ２５内は真空
状態なので、クランプ（図示せず）を緩めて大気圧状態
にする（ステップ１０２）。

【００２４】（３）続いて、ゲートバルブ２４をハウジ
ング（図示せず）から取り外し、ターボ分子ポンプ２５
やゲートバルブ２４に破片等が乗っているかどうかを確
認し、あればそれを取り除く（ステップ１０３）。この
ようにすることで、ターボ分子ポンプ２５のロータディ
スク等が破損することが防止される。

【００２５】（４）続いて、ゲートバルブ２４をハウジ
ングに組み付け、ドライポンプ２８を作動させる（ステ
ップ１０４）。

【００２６】（５）続いて、図２（ｂ）に示すように、
ラフスロットルバルブ３１を所定の角度に開き、アイソ
レーションバルブ３３を開いた状態で、ドライポンプ２
８により処理チャンバ２内を排気配管３０を介して徐々
に真空引きし、処理チャンバ２内を所定の真空度（例え
ば３０ｍＴｏｒｒ以下）にする（ステップ１０５）。

【００２７】（６）続いて、アイソレーションバルブ３
２を開き、ドライポンプ２８によりターボ分子ポンプ２
５内を真空引きする（ステップ１０６）。

【００２８】（７）続いて、図２（ｃ）に示すように、
ゲートバルブ２４を開くと共に、ラフスロットルバルブ
３１及びアイソレーションバルブ３３を閉じ、ドライポ
ンプ２８により処理チャンバ２内をターボ分子ポンプ２
５を介して真空引きする（ステップ１０７）。

【００２９】（８）続いて、ガス供給源１１ｃのＡｒガ
スをリアクターキャビティ１８に所定量（例えば７００
ｓｃｃｍ）だけ流す。このガス流によって処理チャンバ
２内の圧力が上昇していく。そして、処理チャンバ２内
の圧力がマイクロ波プラズマを発する程度の値（例えば
６００ｍＴｏｒｒ）以上になったら、マイクロ波ジェネ
レータ１９によりマイクロ波を印加し、プラズマを発生
させる（ステップ１０８）。

【００３０】（９）続いて、ガス供給源１１ｄのＮＦ₃
ガスをアクターキャビティ１８に徐々に流し始めると共
に、Ａｒガスの供給量を徐々に減少させていく（ステッ
プ１０９）。このとき、ＮＦ₃ガスはプラズマ中で解離
してラジカル化し始め、このフッ素ラジカルＦ^*が、ガ
ス供給ライン１７を介して処理チャンバ２に送られ、こ
れにより処理チャンバ２、スロットル弁チャンバ２２、
ゲートバルブ２４及びターボ分子ポンプ２５の内部がク
リーニングされる。なお、処理チャンバ２内の圧力を常
に一定に保つために、アクターキャビティ１８に流すガ
ス流量の合計は７００ｓｃｃｍになるようにする。

【００３１】（１０）そして、Ａｒガスの流量がゼロに
なり、ＮＦ₃ガスの流量が７００ｓｃｃｍになったら、
この状態で数分間（例えば１０分間）のクリーニングを
行う（ステップ１１０）。この時の処理チャンバ２内の
圧力は、例えば１．８Ｔｏｒｒ程度となっている。な
お、処理チャンバ２内の圧力は、ガス流量、ガスの排気
速度、処理チャンバ２の容積などで決まるものであり、
ここでは、処理チャンバ２内の圧力が１．８Ｔｏｒｒ程
度になるように、ＮＦ₃ガスの流量を７００ｓｃｃｍと
している。このように処理チャンバ２内の圧力を設定す
るのは、プラズマ放電によるフッ素ラジカルＦ^*の生成
が効率よく行われるようにするためである。

【００３２】（１１）その後、マイクロ波ジェネレータ
１９によるマイクロ波の印加を停止すると共に、ＮＦ₃
ガスの供給を停止し、ドライポンプ２８により処理チャ
ンバ２内の真空引きを行う（ステップ１１１）。

【００３３】（１２）続いて、ガス供給源１１ｃのＡｒ
ガスをガス供給ライン１０ａ，１０ｂ，２０を介してガ
ス導入口８ａ，８ｂ，１６から処理チャンバ２内にそれ
ぞれ所定の流量だけ流し、所定時間（例えば１分間）の
パージを行う（ステップ１１２）。

【００３４】（１３）そして、Ａｒガスの供給を停止
し、ドライポンプ２８により処理チャンバ２内の真空引
きを行う（ステップ１１３）。

【００３５】（１４）続いて、ターボ分子ポンプ２５を
回転させ、リークチェック、ウェハＷの搬送テスト、ダ
ミーウェハの成膜等を行う（ステップ１１４）。

【００３６】以上のような本発明に係る方法によりクリ
ーニングを行ったときの一実験データを図４に示す。同
図において、棒グラフは、処理チャンバ２内にウェハＷ
を配置してゲートバルブ２４を５回開閉したときに、ウ
ェハＷに付着するパーティクル（０．２μｍより大きい
もの）が増加した数を示したものである。折れ線グラフ
は、処理チャンバ２内にウェハＷを配置して２分程度放
置したときに、ウェハＷに付着するパーティクル（０．
２μｍより大きいもの）が増加した数を示したものであ
る。また、本発明に係るクリーニング方法との比較のた
めに、ターボ分子ポンプ２５を作動（回転）させた状態
で、ドライポンプ２８により処理チャンバ２内をターボ
分子ポンプ２５を介して真空引きしながら、ＮＦ₃ガス
をプラズマ中に流してフッ素ラジカルＦ^*を処理チャン
バ２内に供給するというクリーニングを行った。

【００３７】図４から分かるように、ターボ分子ポンプ
２５を作動させた状態で、フッ素ラジカルＦ^*を用いた
ドライクリーニングを行った場合には、クリーニング前
よりもパーティクル数が増加してしまうという結果が得
られた。この原因は、ターボ分子ポンプ２５を回転させ
た状態で上記のドライクリーニングを実施しようとする
と、ターボ分子ポンプ２５の排気能力によってポンプ２
５内の圧力が低くなるため、フッ素ラジカルＦ^*が副生
成物と十分に反応できず、ターボ分子ポンプ２５内に付
着した副生成物の分解除去が困難となることに加えて、
不十分なクリーニングにより残留物が処理チャンバ２内
でまきあがったことが考えられる。

【００３８】これに対し、本発明に係るクリーニング方
法のようにターボ分子ポンプ２５の回転を停止した状態
で、フッ素ラジカルＦ^*を用いたドライクリーニングを
行った場合には、パーティクル数が激減するという結果
が得られた。また、２回目のクリーニングでは、更にパ
ーティクル数が減少した。

【００３９】以上のように本実施形態にあっては、ター
ボ分子ポンプ２５の回転を停止した状態で、フッ素ラジ
カルＦ^*によるドライクリーニングを行うようにしたの
で、処理チャンバ２、スロットル弁チャンバ２２、ゲー
トバルブ２４及びターボ分子ポンプ２５の内部に付着・
堆積した副生成物や粉塵等が効果的に除去される。した
がって、ウェハＷに付着するパーティクルが低減され
る。また、このようなクリーニングを定期的に行うこと
により、ターボ分子ポンプ２５を取り外してメンテナン
スを行う必要が無くなり、安定した生産稼働が可能とな
る。

【００４０】なお、本実施形態においては、処理チャン
バ２内の圧力が１．８Ｔｏｒｒ程度となるようにフッ素
系ガスの流す量を設定したが、フッ素系ガスの流量は特
にこれに限られない。この場合、プラズマ放電によりフ
ッ素ラジカルＦ^*を効率よく生成するためには、フッ素
系ガスの流量は、処理チャンバ２内の圧力を０．５〜
５．０Ｔｏｒｒにするように設定するのが好ましい。

【００４１】また、フッ素系ガスとしてＮＦ₃ガスを使
用したが、他のフッ素系ガス、例えばＣＦ₄ガスやＣ₂Ｆ
₆ガスを使用してもよい。また、処理チャンバ２内にフ
ッ素ラジカルＦ^*を供給する際、フッ素系ガスと不活性
ガス（Ａｒガス）との混合ガスを供給した後、フッ素系
ガスのみを供給するようにしたが、特にこれに限られ
ず、最初からフッ素系ガスのみを供給してもよいし、あ
るいはフッ素系ガスと酸化系ガス（Ｏ₂ガス）との混合
ガスを供給してもよい。

【００４２】また、本実施形態のＣＶＤ装置１は、処理
チャンバ２の外部のリアクターキャビティ１８でフッ素
ラジカルＦ^*を生成し、処理チャンバ２内に供給するも
のであるが、本発明は、処理チャンバ内でフッ素ラジカ
ルＦ^*を発生させるＣＶＤ装置にも適用できる。また、
本実施形態のＣＶＤ装置１は、Ａｒガスにマイクロ波を
印加してプラズマを発生させるものであるが、本発明
は、フッ素系ガスに高周波やマイクロ波を印加してプラ
ズマを発生させるＣＶＤ装置にも適用できる。さらに、
本実施形態はＳｉＯ₂成膜用のＣＶＤ装置１であるが、
本発明は、他のＣＶＤ装置やエッチング装置等の半導体
製造装置にも適用できることは言うまでもない。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、主真空ポンプの作動を
停止させた状態で、処理チャンバ内を補助真空ポンプに
より主真空ポンプを介して真空引きしながら、処理チャ
ンバ内にフッ素ラジカルを生成するようにしたので、処
理チャンバだけでなく主真空ポンプの内部に付着・堆積
した副生成物も分解除去され、これによりウェハＷに付
着するパーティクルが低減される。また、このようなク
リーニングを定期的に行うことにより、安定した生産稼
働が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るクリーニング方法が適用される半
導体製造装置として高密度プラズマ（ＨＤＰ）式ＣＶＤ
装置を示す概略構成図である。

【図２】図１に示すＣＶＤ装置のクリーニングを行うと
きの当該ＣＶＤ装置の真空排気系の状態を示す概略図で
ある。

【図３】本発明に係るクリーニング方法の手順を示すフ
ローチャートである。

【図４】本発明に係るクリーニング方法を実施したとき
の一実験データを示す図である。

【符号の説明】

１…高密度プラズマ式ＣＶＤ装置、２…処理チャンバ、
２５…ターボ分子ポンプ（主真空ポンプ）、２８…ドラ
イポンプ（補助真空ポンプ）。

フロントページの続き (72)発明者太田殖千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内アプライドマテリアルズジャパン株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 BD01 DA09 4K030 CA04 DA06 5F004 AA15 BA20 BB11 BC03 BC08 DA01 DA02 DA17 DA26 5F045 AB32 AC01 AC02 AC11 AC16 BB14 DP03 EB06 EE06 EG05 EH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理チャンバと、この処理チャンバ内を
真空引きする主真空ポンプと、この主真空ポンプの下流
側に設けられ、前記処理チャンバ内を真空引きする補助
真空ポンプとを備えた半導体製造装置のクリーニング方
法であって、前記主真空ポンプの作動を停止させるステップと、前記主真空ポンプの作動を停止させた後、前記処理チャ
ンバ内を前記補助真空ポンプにより前記主真空ポンプを
介して真空引きしながら、フッ素系ガスを流して前記処
理チャンバ内にフッ素ラジカルを生成することによっ
て、クリーニングを行うステップとを含む半導体製造装
置のクリーニング方法。
【請求項２】前記フッ素系ガスを、前記処理チャンバ
内の圧力が０．５〜５．０Ｔｏｒｒになるような流量だ
け流す請求項１記載の半導体製造装置のクリーニング方
法。
【請求項３】前記フッ素系ガスとして、ＮＦ₃ガス、
ＣＦ₄ガス、Ｃ₂Ｆ₆ガスのいずれかを用いる請求項１ま
たは２記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
【請求項４】前記処理チャンバ内に前記フッ素ラジカ
ルを生成する際、まず不活性ガスを流してプラズマを発
生させ、その後前記フッ素系ガスのみを所定時間だけ流
す請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体製造装置の
クリーニング方法。
【請求項５】前記主真空ポンプとしてターボ分子ポン
プを使用する請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体
製造装置のクリーニング方法。