JP2002334870A - 高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法 - Google Patents
高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2002334870A JP2002334870A JP2001140194A JP2001140194A JP2002334870A JP 2002334870 A JP2002334870 A JP 2002334870A JP 2001140194 A JP2001140194 A JP 2001140194A JP 2001140194 A JP2001140194 A JP 2001140194A JP 2002334870 A JP2002334870 A JP 2002334870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- remote plasma
- process chamber
- plasma cleaning
- cleaning gas
- remote
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
チャンバー内の天井中心部に付着する二酸化シリコン等
の反応生成物を効率よくクリーニングする。 【解決手段】半導体ウエハ1に成膜を行うプロセスチャ
ンバー2内のリモートプラズマクリーニングガス導入口
5の下点に整流板13を取り付け、水平に導入されたリ
モートプラズマクリーニングガスをこの整流板13に当
ててプロセスチャンバー2の天井部に向けて迂回させ、
プロセスチャンバー2内での滞留時間を長くすることに
よって、成膜の際にプロセスチャンバー2の天井中心部
に多く生成する二酸化シリコン膜12等の反応生成物と
リモートプロセスクリーニングガスとの反応を促進させ
た後、気化した反応生成物を排気口6から除去するクリ
ーニング方法である。
Description
に薄膜を形成する高密度プラズマCVD装置のクリーニ
ング方法に関するもので、特に、成膜プロセス中にプロ
セスチャンバーの内壁に生成した反応生成物を除去する
ために、プロセスチャンバー以外のリモート(遠隔)プ
ラズマチャンバーで生成された活性種をプロセスチャン
バー内に導入することによって、プロセスチャンバー内
のクリーニングを行う高密度プラズマCVD装置のリモ
ートプラズマクリーニング方法に関する。
度プラズマによるCVD装置を用いて半導体ウエハ上に
シリコン酸化膜などの絶縁体薄膜の成膜が行われてい
る。この成膜は、プラズマCVD装置のプロセスチャン
バー内に供給される各種のプロセスガスが高密度プラズ
マによって活性化され、半導体ウエハ上に薄膜形成され
ることによって行われる。しかし、この薄膜形成反応
は、半導体ウエハ上のみならず同時にプロセスチャンバ
ーの内壁でも発生し、反応生成物となって内壁面に付着
する。これらの付着物は、半導体ウエハの成膜プロセス
を繰り返すうちに次第に積層されて行き、やがて、剥離
して巨大なゴミとなって半導体ウエハ上に落下し、次工
程の製造プロセスに悪影響を与えている。
応生成物を除去する方法として、プロセスチャンバー内
を成膜可能な状態にしたまま、次の半導体ウエハが供給
されるまでの間にクリーニングガスを供給し、反応生成
物を気化して排出する方法がある。例えば、反応生成物
がシリコン酸化物の場合には、クリーニングガスとして
NF3を使用し、プラズマによって発生するF(フッ
素)ラジカルがシリコン酸化物を気化して除去する方法
である。
するため電極等の部品が損傷を受けることがあり、部品
交換を定期的に行わなければならないという問題があ
る。この問題を解決するために、リモートプラズマクリ
ーニング方法が開発されている。この方法は、特開平1
0−149989号公報に示されているように、クリー
ニングガスとしてNF3を使用し、このクリーニングガ
スをプラズマにより活性化するためのチャンバーをプロ
セスチャンバーから離れた場所に設け、このリモートチ
ャンバーで発生したFラジカルを圧力調整弁を介してプ
ロセスチャンバーに導入し、反応生成物の除去を行う方
法である。
プロセスチャンバーのクリーニングには、このリモート
プラズマクリーニング方法が適している。しかし、従来
のプロセスチャンバーの構造では、このリモートプラズ
マクリーニング方法を適用してもプロセスチャンバー内
壁に付着した反応生成物を十分に除去できないことが判
明してきた。その理由を以下に説明する。
におけるプロセスチャンバーの構造例を示す概略断面図
である。図3に示すように、プロセスチャンバー2の内
部には、半導体ウエハ1を静電チャックするためのステ
ージ4と、プロセスチャンバー2の天井部に設けられプ
ロセスガスを導入するためのトップノズル3と、プロセ
スチャンバー2の側壁の対向位置に設けた2個所のリモ
ートプラズマクリーニングガス導入口5と、このガス導
入口5よりも低い位置に設けられリモートプラズマクリ
ーニングガスによって気化した反応生成物を排出する排
気口6とを備えている。
側には渦巻き形状の上部電極8が設けられ、ステージ4
を兼ねた下部電極9との間に磁界を発生させるようにな
っている。また、プロセスチャンバー2の外側壁を囲む
ように高周波コイル7が設けられ、トップノズル3から
供給されるプロセスガスをプラズマ化し成膜を行うよう
になっている。
スチャンバー内にリモートプラズマクリーニングガスを
導入した時のガス流れを示す図で、クリーニングガス流
れを矢印で示している。ここでは、二酸化シリコン膜を
半導体ウエハに成膜する場合を例にとって説明する。ま
ず、リモートプラズマチャンバー10においてクリーニ
ングガスであるNF3を活性化し、生成されたFラジカ
ルを含むリモートプラズマクリーニングガスを、圧力調
整弁(図示せず)や配管11を介してプロセスチャンバ
ー2に導入する。配管11はプロセスチャンバー2の手
前で2本に分岐され、クリーニングガスはそれぞれプロ
セスチャンバー2の対向位置に設けられた2個所のリモ
ートプラズマクリーニングガス導入口5からプロセスチ
ャンバー2に導入される。
ジカルによって、プロセスチャンバー2の内壁に付着し
た反応生成物、この場合は二酸化シリコン膜がクリーニ
ングされ、気化して排気口6から排出されて行く。しか
し、このクリーニング方法を用いても、依然として二酸
化シリコン膜からなる巨大ゴミが除去されずに残存する
という問題は解消されず、発明者等の調査により巨大ゴ
ミの発生個所を特定したところ、プロセスチャンバー天
井の中心部に付着する二酸化シリコン膜がクリーニング
不十分のまま順次積層されて残存し、これが剥離して巨
大ゴミとなって半導体ウエハ上に落下するということが
判明した。特に、図3に示すように、プロセスチャンバ
ー2の天井部は、プロセスガス用のトップノズル3が存
在することもあり、天井部の中心から天井部半径の約1
/4以内の範囲に二酸化シリコン膜12が多く付着して
いることが確認されている。
うに、Fラジカルを含むクリーニングガスの流れは、2
個所のリモートプラズマクリーニングガス導入口5から
導入された後、排気口6に向けてほとんど最短距離で流
れてしまい、プロセスチャンバー天井部のクリーニング
効率が極めて悪いことがその原因であることが分かっ
た。
プラズマCVD装置においては、リモートプラズマクリ
ーニング方法を用いることによって、プロセスチャンバ
ーに損傷を与えることなく反応生成物のクリーニングを
可能とし、特に、高密度プラズマによるCVD装置のク
リーニングに対しては優れた方法である。しかし、プロ
セスチャンバー内を流れるクリーニングガスの指向性が
悪いと、プロセスチャンバー内でクリーニングガスによ
る反応生成物の気化が十分に行われずに少しずつ残存
し、半導体ウエハの成膜プロセスを何枚か重ねているう
ちに、次第に積み重なって巨大な付着物が生成されてし
まうことになる。
いて、プロセスチャンバー内の天井部のクリーニング効
率が悪いという問題を解決するためになされたもので、
導入口からのリモートプラズマクリーニングガスをプロ
セスチャンバー天井の中心部に向けて導くことによっ
て、天井中心部に付着する二酸化シリコン等の反応生成
物を効率よく除去することのできるクリーニング方法を
提供する。
ンバー内にプロセスガスを流し、高密度プラズマを発生
させて半導体ウエハの成膜を行い、成膜後、プロセスチ
ャンバー内にリモートプラズマクリーニングガスを導入
し、プロセスチャンバー内壁に付着した反応生成物をク
リーニングして排気除去する高密度プラズマCVD装置
のリモートプラズマクリーニング方法において、リモー
トプラズマクリーニングガス導入口から導入されたリモ
ートプラズマクリーニングガスをプロセスチャンバー天
井部に向けて迂回させ、プロセスチャンバー天井部に多
く付着する反応生成物とリモートプロセスクリーニング
ガスとの反応を促進させた後、気化した反応生成物を排
気口から除去するマクリーニング方法である。
ニングガス導入口の下点に整流板を設け、プロセスチャ
ンバー内に水平に導入されたリモートプラズマクリーニ
ングガスをこの整流板に当て、プロセスチャンバー天井
部の中心方向に向きを変えて流すクリーニング方法であ
る。
ートプラズマクリーニングガス導入口とクリーニングさ
れた反応生成物を排気する排気口とをそれぞれチャンバ
ー径の対向する位置に設け、リモートプラズマクリーニ
ングガスを天井部に迂回させることによって導入口から
排気口に至るリモートプラズマクリーニングガスの流路
を長くして反応生成物との反応を促進させるクリーニン
グ方法である。
可変させ、導入されたリモートプラズマクリーニングガ
スがプロセスチャンバー天井部に当たる範囲を調整する
ことを可能とし、また、前記整流板は、リモートプラズ
マクリーニングガス導入口の下点に設けられた回転軸に
取り付けられて角度を可変することができ、また、前記
整流板は、その先端部の高さが、半導体ウエハを固定す
るステージの高さ以下となるように取り付けてリモート
プラズマクリーニングガスを流すようにし、また、前記
整流板は、その延長線が、プロセスチャンバーの半径を
rとしてプロセスチャンバー天井部中心から(1/4)
r〜(3/4)rの範囲に達するように取り付けてリモ
ートプラズマクリーニングガスを流すようにしている。
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明のリモー
トプラズマクリーニング方法に使用する高密度プラズマ
CVD装置のプロセスチャンバーの一実施の形態を示す
概略断面図である。なお、従来例と同じ部品は、同じ符
号を用いて説明する。
の内部には、半導体ウエハ1を静電チャックするための
ステージ4と、プロセスチャンバー2の天井部に設けら
れプロセスガスを導入するためのトップノズル3と、プ
ロセスチャンバー2の側壁の1個所に設けられたリモー
トプラズマクリーニングガス導入口5と、このリモート
プラズマクリーニングガス導入口5とほぼ対向する位置
でかつこの導入口5より低い位置に設けられた排気口6
とを備え、排気口6からリモートプラズマクリーニング
ガスによって気化した反応生成物を排出するようになっ
ている。一方、プロセスチャンバー2の上部外側には渦
巻き形状の上部電極8が設けられ、ステージ4を兼ねた
下部電極9との間に磁界を発生させるようになってい
る。また、プロセスチャンバー2の側壁を囲むように高
周波コイル7が設けられ、トップノズル3から供給され
るプロセスガスをプラズマ化し半導体ウエハ1上に成膜
を行うようになっている。
ーには、プロセスチャンバー2に導入されるリモートプ
ラズマクリーニングガスの指向性を向上させるために、
リモートプラズマクリーニングガス導入口5に整流板1
3が設けられている。整流板13は、リモートプラズマ
クリーニングガス導入口5の下点に取り付けられ、この
取り付け位置に設けられた回転軸を支点として取り付け
角度θは可変できるようになっている。
成する二酸化シリコン膜12は、天井部半径をrとすれ
ば、天井部中心から約(3/4)r以内の範囲に生成さ
れ、特に(1/4)r以内の範囲に多くが生成されるこ
とが判明している。そこで、リモートプラズマクリーニ
ングガス導入口5から水平に導入されるリモートプラズ
マクリーニングガスを整流板13に当て、ガス流の向き
を変えてプロセスチャンバー2の天井部中心から(1/
4)r〜(3/4)rの範囲内に導き、リモートプラズ
マクリーニングガスのプロセスチャンバー2内の経路を
長くすることによって、クリーニングガスと反応生成物
との反応時間を長くとれるようにしている。また、整流
板13の取り付け角度θは、整流板13の延長線がプロ
セスチャンバー2の天井部中心から(1/4)r〜(3
/4)rの範囲内に存在する角度とすればよい。つま
り、整流板13の取り付け角度θは、プロセスチャンバ
ー2の天井部内壁からリモートプラズマクリーニングガ
ス導入口5の下点までの距離をLとすれば、次の式で求
められる。
(3/4)・(r/L) また、整流板13の先端の位置は、半導体ウエハ1のプ
ロセスチャンバー2への搬入、搬出の邪魔にならないよ
うに、ステージ4上のウエハ載置位置と同じか、あるい
はやや低く設けるのがよい。また、整流板13の材質は
加工し易いアルミニウムを使用する。
ついて説明する。図2は、上記した本発明のプロセスチ
ャンバー内にリモートプラズマクリーニングガスを導入
した時のガス流れを示す図で、ガス流れを矢印で示して
いる。ここでは二酸化シリコン膜を半導体ウエハに成膜
する場合を例にとって説明する。まず、成膜の終了した
半導体ウエハをプロセスチャンバーから搬出し、次の半
導体ウエハが搬入されるまでのタイミングを利用し、リ
モートプラズマチャンバー10でNF3を活性化して得
られたFラジカルを含むリモートプラズマクリーニング
ガスを、配管11を介してプロセスチャンバー2に導入
する。Fラジカルを含むクリーニングガスは、プロセス
チャンバー2の1個所に設けられたリモートプラズマク
リーニングガス導入口5からプロセスチャンバー2に導
入される。
ニングガスは、整流板13に当たってプロセスチャンバ
ー天井部に向けて方向を変え、天井部に当たった後はほ
ぼ天井部に沿って流れ、その後、排気口6に向かって流
れて行く。このように、リモートプラズマクリーニング
ガスが天井部を迂回して流れるようになったため、反応
生成物とリモートプラズマクリーニングガスとの接触時
間が長くなり、クリーニング時間を充分取ることができ
るので反応生成物の除去が促進される。このように、プ
ロセスチャンバー内に導入されたFラジカルを含むクリ
ーニングガスによって、プロセスチャンバー2の天井部
に付着した反応生成物、この場合は二酸化シリコン膜が
効率よくクリーニングされ、気化して排気口6から排出
されて行く。
れたほとんどのリモートプラズマクリーニングガスは、
導入口より下部にある排気口に向かって流れてしまい、
プロセスチャンバー内に滞留している時間はほとんどな
い状態であった。
マクリーニングガス導入口に整流板を設けたことによっ
て、プロセスチャンバーに導入されたリモートプラズマ
クリーニングガスはプロセスチャンバーの天井部中心方
向に向かって流れ、天井部中心付近に多く付着している
反応生成物に対しクリーニングする時間を長く取ること
ができるようになったため、天井部に付着した反応生成
物を十分に気化した状態で効率よく排気し除去すること
ができる。
バーの概略断面図である。
バー内のリモートプラズマクリーニングガスの流れを示
す図である。
る。
マクリーニングガスの流れを示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 プロセスチャンバー内にプロセスガスを
流し、高密度プラズマを発生させて半導体ウエハの成膜
を行い、成膜後、プロセスチャンバー内にリモートプラ
ズマクリーニングガスを導入し、プロセスチャンバー内
壁に付着した反応生成物をクリーニングして排気除去す
る高密度プラズマCVD装置のリモートプラズマクリー
ニング方法において、リモートプラズマクリーニングガ
ス導入口から導入されたリモートプラズマクリーニング
ガスをプロセスチャンバー天井部に向けて迂回させ、プ
ロセスチャンバー天井部に多く付着する反応生成物とリ
モートプロセスクリーニングガスとの反応を促進させた
後、気化した反応生成物を排気口から除去することを特
徴とする高密度プラズマCVD装置のリモートプラズマ
クリーニング方法。 - 【請求項2】 リモートプラズマクリーニングガス導入
口の下点に整流板を設け、プロセスチャンバー内に水平
に導入されたリモートプラズマクリーニングガスをこの
整流板に当て、プロセスチャンバー天井部の中心方向に
向きを変えて流すことを特徴とする請求項1記載の高密
度プラズマCVD装置のリモートプラズマクリーニング
方法。 - 【請求項3】 前記整流板を備えたリモートプラズマク
リーニングガス導入口とクリーニングされた反応生成物
を排気する排気口とをそれぞれチャンバー径の対向する
位置に設け、リモートプラズマクリーニングガスを天井
部に迂回させることによって導入口から排気口に至るリ
モートプラズマクリーニングガスの流路を長くして反応
生成物との反応を促進させることを特徴とする請求項1
または2記載の高密度プラズマCVD装置のリモートプ
ラズマクリーニング方法。 - 【請求項4】 前記整流板の取り付け角度を可変させ、
導入されたリモートプラズマクリーニングガスがプロセ
スチャンバー天井部に当たる範囲を調整することを特徴
とする請求項2記載の高密度プラズマCVD装置のリモ
ートプラズマクリーニング方法。 - 【請求項5】 前記整流板は、リモートプラズマクリー
ニングガス導入口の下点に設けられた回転軸に取り付け
られて角度を可変することを特徴とする請求項4記載の
高密度プラズマCVD装置のリモートプラズマクリーニ
ング方法。 - 【請求項6】 前記整流板の先端部の高さが、半導体ウ
エハを固定するステージの高さ以下となるように整流板
を取り付けてリモートプラズマクリーニングガスを流す
ことを特徴とする請求項2記載の高密度プラズマCVD
装置のリモートプラズマクリーニング方法。 - 【請求項7】 前記整流板の延長線が、プロセスチャン
バーの半径をrとしてプロセスチャンバー天井部中心か
ら(1/4)r〜(3/4)rの範囲に達するように整
流板を取り付けてリモートプラズマクリーニングガスを
流すことを特徴とする請求項2記載の高密度プラズマC
VD装置のリモートプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001140194A JP4733856B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001140194A JP4733856B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002334870A true JP2002334870A (ja) | 2002-11-22 |
JP4733856B2 JP4733856B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=18986839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001140194A Expired - Fee Related JP4733856B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4733856B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218877A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
WO2010137397A1 (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
KR101232085B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2013-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막증착장치의 세정장치 |
JP2013207301A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Aixtron Se | Cvd反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法 |
TWI460028B (zh) * | 2010-10-01 | 2014-11-11 | Wonik Ips Co Ltd | 基板處理裝置的清洗方法 |
KR101559031B1 (ko) | 2010-07-15 | 2015-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09249976A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-09-22 | Novellus Syst Inc | 基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法 |
JPH10149989A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-06-02 | Applied Komatsu Technol Inc | 高出力遠隔励起源を用いた堆積チャンバクリーニング技術 |
JP2001053008A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001140194A patent/JP4733856B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09249976A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-09-22 | Novellus Syst Inc | 基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法 |
JPH10149989A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-06-02 | Applied Komatsu Technol Inc | 高出力遠隔励起源を用いた堆積チャンバクリーニング技術 |
JP2001053008A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101232085B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2013-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막증착장치의 세정장치 |
JP2008218877A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
WO2010137397A1 (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
JP5179658B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2013-04-10 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
KR101559031B1 (ko) | 2010-07-15 | 2015-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
TWI460028B (zh) * | 2010-10-01 | 2014-11-11 | Wonik Ips Co Ltd | 基板處理裝置的清洗方法 |
JP2013207301A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Aixtron Se | Cvd反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4733856B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4217299B2 (ja) | 処理装置 | |
JP5100936B2 (ja) | 基板処理チャンバ、堆積装置およびガス分配器 | |
US8382938B2 (en) | Gate valve cleaning method and substrate processing system | |
WO2004102650A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003197615A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JP4114972B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10950445B2 (en) | Deposition of metal silicide layers on substrates and chamber components | |
JP2003264169A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2002334870A (ja) | 高密度プラズマcvd装置のリモートプラズマクリーニング方法 | |
JPH10280151A (ja) | Cvd装置のクリーニング方法 | |
KR102584068B1 (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP3492289B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2949874B2 (ja) | Ecrプラズマcvd装置ドライクリーニングの方法 | |
JP2006319042A (ja) | プラズマクリーニング方法、成膜方法 | |
JPH11312672A (ja) | プラズマcvd装置及び成膜方法並びにクリーニング方法 | |
JP2006253733A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JPH10116822A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
JPH07335563A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPH11307521A (ja) | プラズマcvd装置及びその使用方法 | |
JP3574558B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0669032B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH04318175A (ja) | バイアスecrプラズマcvd装置 | |
JPH11204293A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10242134A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2001131752A (ja) | プラズマクリーニング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050516 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080415 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110425 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |