JPH10149989A - 高出力遠隔励起源を用いた堆積チャンバクリーニング技術 - Google Patents

高出力遠隔励起源を用いた堆積チャンバクリーニング技術

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JPH10149989A
JPH10149989A JP9290256A JP29025697A JPH10149989A JP H10149989 A JPH10149989 A JP H10149989A JP 9290256 A JP9290256 A JP 9290256A JP 29025697 A JP29025697 A JP 29025697A JP H10149989 A JPH10149989 A JP H10149989A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電子デバイス製造に使用される堆積チャンバを
クリーニングするための方法。 【解決手段】 堆積チャンバ外の遠隔チャンバ内に前駆
体ガスを供給し、高出力源を用いて遠隔チャンバ内で前
駆体ガスを活性化して反応種を形成し、反応種を遠隔チ
ャンバから堆積チャンバ内に流入させ、遠隔チャンバか
ら堆積チャンバ内に流入させた反応種を用いて堆積チャ
ンバ内部をクリーニングすることからなる方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、堆積チャンバクリ
ーニングに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ化学反応は半導体およびフラッ
トディスプレイの分野で広範に使用されている。その１
例であるプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は、アク
ティブマトリックス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）用
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造に使用されるプロ
セスである。ＰＥＣＶＤでは、１対の平行板電極を備え
た真空堆積チャンバ内に基板が配される。これらの電極
の一方、例えば一般にサセプタと呼ばれている下部電極
は、基板を保持する。他方の電極すなわち上部電極はガ
ス吸気マニフォールドもしくはシャワーヘッドとして機
能する。堆積中に反応ガスが上部電極を通ってチャンバ
に流入し、高周波（ＲＦ）電圧が電極間に印加され、こ
れによって反応ガス中にプラズマが形成される。プラズ
マは反応ガスを分解させ、物質層を基板表面上に堆積さ
せる。
【０００３】このようなシステムは、物質を基板表面上
に優先的に堆積させるように設計されたものではなく、
チャンバ内の他の内表面上にも物質をいくらか堆積させ
る。したがって、度重なる使用の後、これらのシステム
はチャンバ内に堆積した物質堆積層を除去するためにク
リーニングしなければならない。チャンバおよびチャン
バ内に露出した部品をクリーニングするために、インシ
チュウクリーニングプロセスが一般に用いられている。
このインシチュウの技術では、前駆体ガスがチャンバに
供給される。ついで、グロー放電プラズマをチャンバ内
の前駆体ガスに局所的に印加することにより、反応種が
生成される。この反応種は、チャンバ表面上のプロセス
堆積物と揮発性化合物を形成することによってこれらの
表面をクリーニングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このインシチュウクリ
ーニング技術にはいくつかの短所がある。第１に、この
反応種を生成させるためにチャンバ内でプラズマを用い
るのは効率的でない。すなわち、許容できるクリーニン
グ速度を得るためには比較的高い出力が必要である。し
かし、出力レベルが高ければチャンバ内部のハードウェ
アを損傷させ易く、この結果、その使用寿命が顕著に短
くなる。損傷したハードウェアの交換は極めて高価とな
ることがあり、これにより、堆積システムを用いて処理
される製品の基板あたりのコストが顕著に上昇しかねな
い。現在、競争の激しい半導体製造業界において、基板
あたりのコストはコストに敏感な購入者にとって重要で
あり、クリーニングプロセス中に破損した部品を定期的
に交換しなければならないことによる運転経費の上昇は
極めて好ましくない。
【０００５】従来のインシチュウドライクリーニングプ
ロセスのもう１つの欠点は、許容可能なクリーニング速
度を達成するために必要な高い出力レベルが、他のシス
テム部品を損傷させたり、あるいはチャンバの内表面を
物理的にワイピングする（拭う）ことによってしか除去
できない残留物や副産物を発生させ易いことである。例
えば、チャンバやプロセスキット部品（例えば、ヒー
タ、シャワーヘッド、クランピングリング等）がアルミ
ニウム製である堆積システムにおいては、内表面をクリ
ーニングするためにＮＦ3プラズマを用いることが多
い。このクリーニングプロセスにおいては、いくらかの
量のＡｌxＦyが形成される。その形成量は高プラズマエ
ネルギ値に由来するイオン衝撃によって大幅に増大す
る。したがって、かなりの量のＡｌxＦyがシステム中に
形成され得る。残念なことに、この物質は公知の化学プ
ロセスのいずれによってもエッチング除去できないた
め、物理的に表面をワイピングすることによって除去し
なければならない。
【０００６】１つの解決法は遠隔チャンバ内でプラズマ
を励起することである。この方法ではプロセスチャンバ
の外の遠隔励起源を使用することによって反応種を発生
させる。この反応種はプロセスチャンバに供給され、特
定のプロセス、例えばチャンバのドライクリーニングの
実施を促進する。
【０００７】この方法にはいくつかの短所がある。第１
に、このようなシステムに用いられる印加プラズマ出力
値（典型的には５００〜１５００ワット）は典型的には
ＮＦ3である供給ガスを完全に分解するものではない。
プラズマによって分解されない供給ガスがシステムから
排出されると環境に悪影響を与える可能性がある。購入
者は環境への影響が極少ないか有益であるような製品を
好むことが多い。
【０００８】第２に、このようなシステムに使用される
印加圧力値は一般に低い。その影響でプラズマはほとん
ど局在化されない。局在化の欠如による好ましくない影
響として、遠隔励起チャンバ内およびその近傍のある種
の部品が熱プラズマによって燃焼することもある。例え
ば、これは、遠隔チャンバと堆積チャンバとを接続する
管のネック部近傍、特に管の遠隔チャンバ側部分で起こ
る可能性がある。
【０００９】第３に、このようなシステムに用いられる
出力値（典型的には５００〜１５００ワット）を有する
マイクロ波エネルギを用いてプラズマを発生させるに
は、一般に複雑な自動同調手順が必要となる。さもなけ
れば、このようなプラズマは不安定となるためである。
すなわち、このようなプラズマは自動同調なしでは消滅
してしまう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は１つの特徴とし
て、電子デバイス製造に使用される堆積チャンバをクリ
ーニングするための方法に関する。本方法のステップに
は、堆積チャンバ外の遠隔チャンバ内に前駆体ガスを供
給するステップと、約３０００ワット〜約１２０００ワ
ットの出力を用いて遠隔チャンバ内で前駆体ガスを活性
化して反応種を形成するステップとが含まれる。その他
のステップには、反応種を遠隔チャンバから堆積チャン
バ内に流入させるステップと、遠隔チャンバから堆積チ
ャンバ内に流入させた反応種を用いて堆積チャンバ内部
をクリーニングするステップとが含まれる。
【００１１】本方法の実施態様には以下のものが含まれ
る。前駆体ガスを活性化させるステップは、遠隔活性源
を用いて実施される。前駆体ガスは、全てのハロゲン
と、これらの気体化合物とから成る気体群より選択され
るものであり、また、塩素、フッ素、およびこれらの気
体化合物から成る気体群より選択されてもよい。遠隔活
性源はマイクロ波エネルギ源である。本方法において
は、さらにキャリアガスを遠隔活性チャンバに流入さ
せ、このキャリアガスは窒素、アルゴン、ヘリウム、水
素、および酸素から成る気体群より選択されるものとし
てもよい。
【００１２】本発明はもう１つの特徴として、プロセス
チャンバをクリーニングするための方法に関する。本発
明のステップには、プロセスチャンバ外の遠隔チャンバ
とプロセスチャンバとの間に差圧が生じるように遠隔チ
ャンバ内に前駆体ガスを供給するステップと、約３００
０ワット〜約１２０００ワットの出力を用いて遠隔チャ
ンバ内で前駆体ガスを活性化して反応種を形成するステ
ップとが含まれる。その他のステップには、反応種を遠
隔チャンバからプロセスチャンバ内に流入させるステッ
プが含まれる。
【００１３】本方法の実施態様には以下のものが含まれ
る。遠隔チャンバからプロセスチャンバ内に流入した反
応種を局所活性源を用いてさらに励起するステップと、
局所活性源でさらに励起された反応種を用いてプロセス
チャンバ内のクリーニングプロセスを実施するステップ
とが含まれてもよい。差圧は少なくとも約４．５Ｔｏｒ
ｒであり、遠隔チャンバ内の圧力は少なくとも約１５Ｔ
ｏｒｒである。
【００１４】本発明はまた１つの特徴として、クリーニ
ング用前駆体ガス源に接続することのできる堆積装置に
関する。この装置は、堆積チャンバと、堆積チャンバの
外にある遠隔チャンバと、遠隔チャンバ内に高出力のエ
ネルギを供給することのできる高出力活性源と、前駆体
ガスを遠隔ガス供給源からこれが活性源によって活性化
されて反応種を形成する遠隔チャンバ内に流入させるた
めの第１の導管と、反応種を遠隔チャンバから堆積チャ
ンバ内に流入させるための第２の導管とを有している。
【００１５】本方法の実施態様には以下のものが含まれ
る。装置は、遠隔チャンバ内への前駆ガスの流れを制御
するバルブおよびフロー制御機構、および遠隔チャンバ
内へ流入する前駆体ガスとは異なるキャリアガスの流れ
を制御するバルブおよびフロー制御機構を有していても
よい。
【００１６】本発明はまた別の特徴として、電子デバイ
ス製造に用いられる堆積チャンバをクリーニングするた
めの方法に関する。本方法には、堆積チャンバ外の遠隔
チャンバ内に前駆体ガスを供給するステップと、遠隔チ
ャンバ容積１リットルあたり約１２０００ワット〜約４
８０００ワットの出力を用いて遠隔チャンバ内で前駆体
ガスを活性化して反応種を形成するステップとが含まれ
る。その他のステップには、反応種を遠隔チャンバから
堆積チャンバ内に流入させ、遠隔チャンバから堆積チャ
ンバ内に流入させた反応種を用いて堆積チャンバ内部を
クリーニングするステップが含まれる。
【００１７】本発明はまた別の特徴として、電子デバイ
ス製造に用いられる堆積チャンバをクリーニングするた
めの方法に関する。本方法には、堆積チャンバ外の遠隔
チャンバ内に前駆体ガスを供給するステップと、固定同
調高出力プラズマ源を用い約３０００ワット〜約１２０
００ワットの出力を用いて遠隔チャンバ内で前駆体ガス
を活性化して反応種を形成するステップとが含まれる。
他のステップとしては、反応種を遠隔チャンバから堆積
チャンバ内に流入させ、遠隔チャンバから堆積チャンバ
内に流入させた反応種を用いて堆積チャンバ内部をクリ
ーニングするステップが含まれる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下の実施態様においては、ここ
に記載のように改変したアプライドコマツテクノロジー
社製のモデルＡＫＴ−１６００ＰＥＣＶＤシステムを用
いた。ＡＫＴ−１６００ＰＥＣＶＤはアクティブマトリ
ックス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）製造用に設計さ
れたものである。これは、アモルファスシリコン、窒化
シリコン、酸化シリコンおよび酸窒化物フィルムを堆積
するために使用できる複数のプロセスチャンバを備えた
モジュラーシステムである。しかし、本発明は商業的に
入手可能なあらゆる堆積システムを用いて行うことがで
きる。
【００１９】図１を参照すると、本発明に従って改変し
たＰＥＣＶＤシステムは、堆積チャンバ１０と、その内
部に設けられたガス導入用のガス吸気マニホールド（も
しくはシャワーヘッド）１２と、物質をその上に堆積さ
せる基板１６を保持するためのサセプタ１４とを有して
いる。吸気マニフォールド１２およびサセプタ１４は共
に平行板の形態を有しており、それぞれ上部電極、下部
電極としても機能する。下部電極とチャンバ本体は接地
されている。高周波発振器３８は整合ネットワーク４０
を介して高周波出力を上部電極に供給する。高周波発振
器３８は、上部電極と下部電極の間にプラズマを発生さ
せるために使用される。
【００２０】サセプタ１４は堆積中に基板を加熱するた
めの抵抗ヒータ１８を有している。外部ヒータ制御モジ
ュール２０がヒータを駆動し、システムで実行するプロ
セスにより指示される適切な温度レベルにサセプタを到
達させかつ維持する。
【００２１】チャンバ１０の外部には堆積中に使用され
るガスを含むガス供給源３２が設けられる。使用される
特定のガスは基板上に堆積すべき物質に依存する。プロ
セスガスは吸気口を通ってガスマニフォールド内に流入
し、さらにシャワーヘッドを通ってチャンバ内に流入す
る。電子操作されるバルブおよびフロー制御機構３４は
ガス供給源からチャンバ内へのガスの流れを制御する。
また、減圧ポンプ３６が排気口を介してチャンバに接続
されており、チャンバ内を減圧するために使用される。
【００２２】本発明によれば、第２のガス供給系も吸気
口３３を介してチャンバに接続される。この第２のガス
供給系は一連の堆積作業後にチャンバ内部をクリーニン
グするために使用されるガスを供給する。ここで「クリ
ーニング」とは、チャンバ内表面からの堆積物質の除去
を意味する。また、ガスの混合が所望される場合は第１
および第２のガスの供給を組み合わせることもできる。
【００２３】第２のガス供給系は、前駆体ガス供給源４
４、堆積チャンバ外に間隔を置いて位置する遠隔活性チ
ャンバ４６、遠隔活性チャンバ内の前駆体ガスを活性化
するための出力源４８、電子操作されるバルブおよびフ
ロー制御機構５０、および遠隔チャンバを堆積チャンバ
に接続する導管もしくはパイプ５７を含む。
【００２４】流量絞り５９がフローパイプ５７中に使用
されている。流量絞り５９は遠隔チャンバ４６と堆積チ
ャンバ１０との間の流路のいずれの位置に配してもよ
い。このような流量絞りによって遠隔チャンバ４６と堆
積チャンバ１０との間に差圧を存在させることが可能に
なる。
【００２５】バルブおよびフロー制御機構５０は使用者
が選択した流量でガスを前駆体ガス供給源４４から遠隔
活性チャンバ４６内に供給する。出力源４８は前駆体ガ
スを活性化して反応種を形成し、これは次いで導管５７
を通って吸気口３３を介して堆積チャンバ内に流入す
る。換言すれば、上部電極すなわちシャワーヘッド１２
を用いて反応ガスを堆積チャンバ内に供給する。記載さ
れた実施例においては、遠隔チャンバはサファイア管で
あり、出力源は２．５４ＧＨｚのマイクロ波エネルギで
あって、その出力はサファイア管に向けられる。
【００２６】また、微量キャリアガス供給源５２を設
け、これをもう１つのバルブおよびフロー制御機構５３
を介して遠隔活性チャンバに接続してもよい。微量キャ
リアガスは活性種の堆積チャンバへの輸送を促進する。
これは、共に使用される特定のクリーニングプロセスに
適応する適当な非反応性ガスのうちのいずれかとするこ
とができる。例えば、微量キャリアガスは、アルゴン、
窒素、ヘリウム、水素、もしくは酸素等とすることがで
きる。活性種の堆積チャンバへの輸送を促進することに
加え、キャリアガスはクリーニングプロセスの促進もし
くは堆積チャンバ内のプラズマの発生および／もしくは
安定化を助長することもできる。
【００２７】記載された実施例において、前駆体ガスは
ＮＦ3である。活性種の流量は約２リットル／分であ
り、プロセスチャンバ圧は約０．５Ｔｏｒｒである。前
駆体ガスを活性化するために、マイクロ波供給源は約３
０００〜１２０００ワットを遠隔活性チャンバに供給す
る。多くの用途では５００ワットの値を使用することが
できる。
【００２８】遠隔活性チャンバはできるだけ高い圧力に
保持される。換言すれば、遠隔チャンバと堆積チャンバ
との間の差圧をできるだけ大きくし、少なくとも、例え
ば４．５Ｔｏｒｒとすることができる。遠隔チャンバの
圧力は、例えば約５Ｔｏｒｒ〜約２０Ｔｏｒｒ、特に約
１５Ｔｏｒｒというように、高めにすることができる。
堆積チャンバの圧力は、例えば約０．１Ｔｏｒｒ〜約２
Ｔｏｒｒ、特に約０．５Ｔｏｒｒとすることができる。
流量絞り５９を用いることにより、堆積チャンバ１０の
圧力に悪影響を与えることなく、高圧プラズマを維持す
ることが可能になる。流量絞り５９は例えば１つの小さ
なオリフィスもしくは一連の小さなオリフィスとするこ
とができるが、例えば減圧弁もしくはニードル弁等、差
圧を形成する装置のいずれかを使用することもできる。
流量絞り５９はパイプ５７が堆積チャンバ１０に入る位
置もしくはその近傍に配することができる。
【００２９】この遠隔チャンバに対する出力および圧力
の選択はいくつかの利点を有している。第１に、選択さ
れた高出力によって遠隔チャンバ内でガスのほぼ完全な
活性化が行われ、この結果、環境に悪影響を与えるよう
な前駆体ガスのチャンバからの排出量が少なくなる。
【００３０】第２に、本発明者等は活性化量百分率が予
想を遙かに超えるものであることを見出した。図２に
は、圧力１５Ｔｏｒｒにおける印加出力に対するガス分
解（もしくは活性化ガス）百分率を示す。尺度を変えれ
ば、この曲線は清浄速度とほぼ同様となる。低出力にお
いてはガス分解はほぼ直線的であることが認められる。
本発明者等は、高出力、例えば２０００ワットを超える
領域では、ガス分解百分率は１００％分解に漸近的に接
近する前に非直線的遷移域を通過することを見出した。
これは、ＭＷＲＰＳ（マイクロ波遠隔出力源）と表示さ
れた、データ点を記入した曲線から認められる。この結
果、予想を遙かに超えるガス分解が得られる。遷移域の
正確な位置はガス圧やガス流のような他の要素にも依存
することに留意されたい。
【００３１】上述の出力範囲は遠隔チャンバの寸法にも
部分的に依存すると考えることができる。約３０００〜
１２０００ワットの出力範囲は１／４リットルの遠隔チ
ャンバ容積に基づくものであり、出力密度約１２０００
〜４８０００ワット／リットルに対応する。これらの値
は他の寸法のチャンバについては増大および減少する。
【００３２】この出力および圧力範囲が有利であること
の第３の理由は、高圧プラズマがより局在化することに
ある。すなわち、高圧プラズマが遠隔チャンバから拡散
したり、特に遠隔チャンバと堆積チャンバとを接続する
配管を燃焼させたりする可能性が低くなる。
【００３３】この出力および圧力範囲が有利であること
の第３の理由はプラズマ安定性にある。高出力マイクロ
波プラズマは低出力プラズマよりも安定であり同調させ
やすい。例えば、低出力プラズマはプラズマ発生開始中
に複雑な自動同調手順を必要とする。これを使用しなけ
れば低出力プラズマは消滅してしまう。プラズマを起こ
すために高出力を使用すれば、より簡単な固定同調手順
を用いて発生開始および最適な同調を行うことができ
る。
【００３４】したがって、遠隔プラズマ活性チャンバ内
で高出力および高圧プラズマを組み合わせることによ
り、予期できないほど効率的な局在化された安定なプラ
ズマが得られる。
【００３５】ＮＦ3を供給ガスとして用いることによ
り、本発明者等は、シリコン（Ｓｉ）、ドープされたシ
リコン、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）および酸化シリコン
（ＳｉＯ2）が堆積したチャンバをクリーニングするこ
とができた。堆積フィルムあたりのクリーニング速度は
窒化シリコン（遠隔チャンバ圧１５Ｔｏｒｒ、遠隔チャ
ンバ出力５０００ワットおよびサセプタ温度３６０℃に
おいて２０００ｓｃｃｍのＮＦ3を流した場合）につい
ては１ミクロン／分に達しており、例えば窒化シリコン
については１ミクロン／分であった。これらのクリーニ
ング速度は、例えば、１３．５６ＭＨｚ高周波において
約３キロワットの出力値の局在化プラズマを用いるに過
ぎない従来のクリーニングプロセスよりも２倍速い。
【００３６】一般に、反応ガスは、一般的に使用される
ハロゲンおよびハロゲン化合物を含む広範な選択肢から
選ぶことができる。例えば、反応ガスは塩素、フッ素も
しくはＮＦ3、ＣＦ4、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＣＣｌ4、Ｃ2Ｃ
ｌ6等、それらの化合物とすることができる。当然なが
ら、使用される特定のガスは、除去される堆積物質に依
存する。例えば、タングステン堆積システムにおいて
は、堆積したタングステンをエッチングおよび／もしく
は除去するために、フッ素ガスが典型的に使用される。
【００３７】選択された出力値、流量、および圧力はシ
ステムに特有であり、したがって、プロセスが実行され
る特定のシステムのために最適化する必要があることに
留意されたい。特定のシステムについて性能の最適化を
達成するためにプロセス条件を適切に調整することは当
業者の能力の範囲内である。
【００３８】上述の実施例はＰＥＣＶＤシステムに関す
るものであるが、本発明はより広範な用途を有してい
る。例えば、遠隔活性源（すなわち、主真空チャンバ外
のもの）の概念は局所活性源（すなわち、主真空チャン
バ内のもの）と組み合わせて使用することにより、ＰＶ
Ｄ、ＣＶＤ、イオンドービング、フォトレジストストリ
ッピング、基板クリーニング、プラズマエッチングのい
ずれかのために設計されたシステムにおいて使用するこ
とができる。
【００３９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、遠隔チャンバ内でプラズマを励起する際の従来技
術における欠点が解決される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実現する高出力ＰＥＣＶＤシステムの
ブロック図である。
【図２】印加出力に対するクリーニングガス分解百分率
を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…堆積チャンバ、４４…前駆体ガス供給源、４６…
遠隔活性チャンバ、４８…出力源、５０…バルブおよび
フロー制御機構、５２…キャリアガス供給源、５３…バ
ルブおよびフロー制御機構、５７…導管、、５９…流量
絞り。
フロントページの続き (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス アルトス ヒルズ， ムリエタ レ ーン 12000

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 堆積チャンバをクリーニングするための
    方法であって、 プロセスチャンバ外の遠隔チャンバとプロセスチャンバ
    との間に差圧が生じるように、堆積チャンバ外の遠隔チ
    ャンバ内に前駆体ガスを供給する、供給のステップと、 約３０００ワット〜約１２０００ワットの出力を用いて
    遠隔チャンバ内で前駆体ガスを活性化して反応種を形成
    する、前駆体活性化のステップと、 反応種を遠隔チャンバから堆積チャンバ内に流入させ
    る、流入のステップとを備える方法。
  2. 【請求項２】 前記前駆体活性のステップが、遠隔活性
    源（リモートアクティベーションソース）を用いて行わ
    れる請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 該前駆体ガスが、全てのハロゲンと、こ
    れらの気体化合物から成る気体群より選択される請求項
    ２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 該前駆体ガスが、塩素と、フッ素と、こ
    れらの気体化合物とから成る気体群より選択される請求
    項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 該前駆体ガスがＮＦ3である請求項４に
    記載の方法。
  6. 【請求項６】前記遠隔活性源がマイクロ波エネルギ源で
    ある請求項２に記載の方法。
  7. 【請求項７】 該キャリアガスを遠隔チャンバに流入さ
    せるステップを更に備える請求項２に記載の方法。
  8. 【請求項８】 該キャリアガスが、窒素と、アルゴン
    と、ヘリウムと、水素と、酸素とから成る気体群より選
    択される請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】前記遠隔チャンバからプロセスチャンバ内
    に流入した該反応種を局所活性源を用いて更にに励起す
    るステップと、 前記局所活性源でさらに励起された該反応種を用いてプ
    ロセスチャンバ内のクリーニングプロセスを実施するス
    テップとを更に備える請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 該差圧が、約５Ｔｏｒｒ〜約２０Ｔｏ
    ｒｒである請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記遠隔チャンバ内の圧力が少なくと
    も約１５Ｔｏｒｒである請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 堆積装置組立体であって、 堆積チャンバと、 前記堆積チャンバの外にある遠隔チャンバと、 前記遠隔チャンバ内にエネルギを供給することのできる
    活性源（アクティベーションソース）と、 反応種を形成するための活性源による活性化が行われる
    前記遠隔チャンバの中に、遠隔ガス供給源から前駆体ガ
    スを流入させるための第１の導管と、 該反応種を前記遠隔チャンバから前記堆積チャンバ内に
    流入させるための第２の導管とを備える堆積装置組立
    体。
  13. 【請求項１３】 前記第２の導管に流量絞りを更に備え
    る請求項１２に記載の堆積装置組立体。
  14. 【請求項１４】 前記活性源が、約１２０００ワット／
    リットル〜約４８０００ワット／リットルの出力のエネ
    ルギを供給するように設計されている請求項１２に記載
    の堆積装置組立体。
  15. 【請求項１５】 電子デバイス製造に用いられる堆積チ
    ャンバをクリーニングするための方法であって、 堆積チャンバ外の遠隔チャンバ内に前駆体ガスを供給す
    るステップと、 遠隔チャンバ容積１リットルあたり約１２０００ワット
    〜約４８０００ワットの出力を用いて遠隔チャンバ内で
    前駆体ガスを活性化して反応種を形成するステップと、 反応種を遠隔チャンバから堆積チャンバ内に流入させる
    ステップと、 遠隔チャンバから堆積チャンバ内に流入させた反応種を
    用いて堆積チャンバ内部をクリーニングするステップと
    を備える方法。
  16. 【請求項１６】 該差圧が少なくとも約４．５Ｔｏｒｒ
    である請求項１又は１５のいずれかに記載の方法。
  17. 【請求項１７】 電子デバイス製造に用いられる堆積チ
    ャンバをクリーニングするための方法であって、 堆積チャンバ外の遠隔チャンバ内に前駆体ガスを供給す
    るステップと、 固定同調高出力プラズマ源を使用し、約３０００ワット
    〜約１２０００ワットの出力を用いて遠隔チャンバ内で
    前駆体ガスを活性化して反応種を形成するステップと、 反応種を遠隔チャンバから堆積チャンバ内に流入させる
    ステップと、 遠隔チャンバから堆積チャンバ内に流入させた反応種を
    用いて堆積チャンバ内部をクリーニングするステップと
    を備える方法。
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