KR20070087698A - 고전력 원격 여기원을 사용하는 증착 챔버의 세정 방법 및증착 장치 조립체 - Google Patents

고전력 원격 여기원을 사용하는 증착 챔버의 세정 방법 및증착 장치 조립체 Download PDF

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Abstract

전자 장치 제조시에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법에 있어서, 증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 전달하는 단계와, 반응종을 형성하기 위해 높은 전력원을 사용하여 원격 챔버 내의 전조 가스를 활성화시키는 단계와, 상기 반응종을 상기 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동시키는 단계와, 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동하는 반응종을 사용하여 상기 증착 챔버의 내부를 세정하는 단계를 포함하고 있다.
증착 챔버, 원격 챔버, 플라즈마, 세정, 반응종, 전구체 가스

Description

고전력 원격 여기원을 사용하는 증착 챔버의 세정 방법 및 증착 장치 조립체{DEPOSITION CHAMBER CLEANING METHOD AND DEPOSITION APPARATUS USING A HIGH POWER REMOTE EXCITATION SOURCE}
도 1은 본 발명을 구체화한 고전력 PECVD 시스템의 블록 선도.
도 2는 잔존 세정 가스 양의 백분율 대 인가 전력의 그래프.
플라즈마 보조의 화학 반응은 반도체와 평판 디스플레이 산업에서 널리 사용되어 왔다. 이와 같은 분야에서 널리 사용되고 있는 하나의 방법으로는 플라즈마-강화 화학 증착(PECVD : Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법인데, 이 방법은 능동-매트릭스 액정 디스플레이(AMLCDs : Active-matrix Liquid Crystal Displays)용 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 사용되는 공정이다. PECVD에 따라, 기판은 한 쌍의 평행한 플레이트 전극이 설치된 진공 증착 챔버 내에 위치된다. 하부 전극과 같은 전극 중의 하나는 기판을 고정하는 서셉터(susceptor)로 불리어진다. 상부 전극과 같은 다른 전극은 가스 유입 분기관 또는 샤워 헤드로 작용한다. 증착시에, 반응 가스가 상부 전극을 통해 챔버 내부로 유동하고 무선 주파수 (RF) 전압이 전극들 사이에 인가되어 반응 가스내에 플라즈마를 발생시킨다. 이러한 플라즈마는 반응 가스를 분해시키고 기판 표면상에 재료 층으로 증착되게 한다.
이러한 시스템에 있어서 기판의 표면상에 재료를 우선적으로 증착하도록 설계되었다 하더라도, 상기 시스템은 챔버내의 다른 내측 표면 위에도 또한 일부의 재료를 증착한다. 따라서, 반복적으로 사용한 후에 이러한 시스템은 챔버 내에 조성되어 있는 증착된 재료층을 제거하기 위해 세정되어져야 한다. 챔버와 챔버내의 노출된 부품을 세정하기 위해서는, 통상적으로 현장형(in-situ) 건식 세정 공정이 사용된다. 현장형 세정 공정의 기술에 따라, 챔버 내에 전구체(precursor) 가스가 공급된다. 이어서, 챔버 내부의 전구체 가스에 글로우(glow) 방전 플라즈마를 국부적으로 가함으로써, 반응종(reactive species)이 발생된다. 상기 반응종은 상기 표면 상의 공정 증착물과 함께 휘발성 화합물을 형성함으로써 챔버 표면을 세정시킨다.
이러한 통상의 세정 기술은 몇가지의 단점을 갖는다. 첫째, 상기 반응종을 발생시키기 위해 챔버 내에 플라즈마를 사용하는 것이 비효율적이다. 따라서, 적합한 세정 속도를 얻기 위해 상당히 높은 전력을 사용하는 것이 필요하다. 그러나, 고전력 수치는 챔버 내의 본체에 손상을 가할 수 있으며, 그 결과 사용 수명을 단축시킬 수 있다. 이와 같이, 손상된 본체를 교체하는데에는 비교적 많은 비용이 들기 때문에, 증착 시스템을 사용하여 처리한 제품의 기판별 소요 비용을 증가시킬 수 있다. 현재, 기판별 소요 비용이 구매자에게 상당히 중요한 반도체 제조 산업에서, 세정 공정시에 손상된 부품을 주기적으로 교체하는 데에 따른 작동 비용의 증가는 매우 바람직하지 못하다.
종래의 현장형 건식 세정 공정이 지닌 또 다른 문제점은 만족스러운 세정 속도를 달성하기 위해서는 고전력 수치가 요구되며, 그러한 높은 전력은 다른 시스템 부품에 손상을 줄 수 있거나 또는 챔버 내부 표면을 물리적으로 문질러 닦음으로서만 제거될 수 있는 잔류물 또는 부산물을 생성한다는 것이다. 한 실시예로서, 챔버나 공정 키트 부품(가열기, 샤워 헤드, 고정 링등과 같은)이 알루미늄으로 제조된 증착 시스템에서, NF3 플라즈마가 내부 표면을 세정하는데 사용된다. 세정 공정 중에, 소정량의 AlxFy이 형성된다. 상기 형성되는 양은 높은 플라즈마 에너지 레벨에 의한 이온 충격에 의해 크게 증가된다. 따라서, 많은 양의 AlxFy이 시스템 내에서 형성된다. 유감스럽게도, 상기 재료 AlxFy는 공지된 임의의 화학 공정에 의해서는 에칭될 수 없고, 표면을 물리적으로 문질러 닦음으로써 제거될 수 있다.
하나의 해결책은 원격(remote) 챔버내에서 플라즈마를 여기시키는 것이다. 상기 방법에서, 공정 챔버의 외부에서 원격의 여기원(excitation source)을 사용하여 반응종을 생성시킨다. 상기 반응종은 예를들어, 챔버의 건식 세정과 같은 특정 공정의 수행을 도와주도록 공정 챔버에 공급된다.
이러한 방법은 몇가지 단점을 갖는다. 첫째, 상기 시스템에서 사용되는 인가된 플라즈마 전력 수치(500-1500 와트)로 일반적으로 NF3인 공급 가스를 완벽하게 분할(breakdown)할 수는 없다. 플라즈마에 의해 분할되지 않은 이러한 공급 가스가 시스템의 외부로 분출될 때 환경에 악영향을 끼칠 수 있다. 구매자는 때때로 환경에 대한 영향을 무시할 수 있거나 환경에 도움을 주는 제품을 선호한다.
둘째, 상기 시스템에 사용되는 인가된 압력 수치는 일반적으로 낮다. 그 결과는 플라즈마가 다소 덜 국부적이라는(less locallized) 것이다. 그러한 부족한 국부화(localization)로 인한 바람직하지 못한 결과는 원격의 여기 챔버 내부 또는 그 부근의 특정 부품이 고온 플라즈마에 의해 연소된다는 것이다. 예를 들어, 이는 증착 챔버에 원격 챔버를 연결하는 관의 목 부근, 특히 원격 챔버에 인접한 쪽의 관에서 발생한다.
셋째, 상기 시스템내에서 사용되는 (500-1500와트의) 전력 수치를 갖는 마이크로파 에너지에 의한 플라즈마의 개시(initiation)에는 상기 플라즈마의 안정을 위한 복잡한 자동 동조(tuning) 절차를 필요로 한다. 즉, 상기 플라즈마는 자동 동조없이는 소멸될 것이다.
본 발명의 한 실시 양태에서, 본 발명은 전자 소자를 제조하는 데에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 전달하는 단계와, 반응종을 형성하기 위해 약 3000와트 내지 약 12000와트의 전력을 사용하여 원격 챔버내의 전구체 가스를 활성화하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 반응종을 원격 챔버로부터 증착 챔버 내부로 유동시키는 단계와, 증착 챔버의 내부를 세정하기 위해 원격 챔버로부터 증착 챔버 내부로 유동된 반응종을 사용하는 단계를 포함한다.
상기 방법의 시행은 다음의 단계를 포함한다. 전구체 가스의 활성화 단계는 원격의 활성화원(activation source)을 사용하여 시행된다. 전구체 가스는 모든 할로겐과 그 할로겐의 가스상 화합물로 구성되는 가스 군으로부터 선택될 수 있고, 염소, 불소, 및 이들의 가스상 화합물로 구성되는 가스 군으로부터 선택될 수 있다. 원격의 활성화원은 마이크로파 에너지원이다. 상기 방법은 원격의 활성화챔버 내부로 캐리어(carrier) 가스를 유동시키는 단계를 더 포함하며, 상기 캐리어 가스는 질소, 아르곤, 헬륨, 수소, 및 산소로구성되는 가스 군으로부터 선택된다.
또 다른 실시 양태에 있어서, 본 발명은 공정 챔버의 세정 방법에 관한 것이다. 상기 방법의 단계들은 원격 챔버와 공정챔버 사이에 압력차가 발생하도록 공정 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내로 전구체 가스를 전달하는 단계와, 반응종을 형성하기 위해 약 3000와트 내지 약 12000와트의 전력을 사용하여 원격 챔버 내의 전구체 가스를 활성화시키는 단계를 포함한다. 또 다른 단계들은 원격 챔버로부터 공정 챔버 내로 반응종을 유동시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 시행은 다음 단계를 포함한다. 원격 챔버로부터 공정 챔버 내로 유동된 반응종을 추가로 여기시키기 위해 국부적인 활성화원을 사용하는 단계와, 공정 챔버내에서의 세정 처리를 위해 국부적인 활성화원에 의해 추가로 여기된 반응종을 사용하는 단계를 포함한다. 압력차는 적어도 약 4.5torr이며, 원격 챔버 내의 압력은 적어도 약 15torr이다.
본 발명의 또 다른 실시 양태에서, 본 발명은 세정용 전구체 가스원에 연결될 수 있는 증착 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 증착 챔버, 증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버, 상기 원격 챔버 내부로 고 전력의 에너지를 전달하는 고전력의 활성화원, 전구체 가스가 반응종을 형성하도록 활성화원에 의해 활성화되는 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 원격 가스 공급부로부터 유동시키기 위한 제 1 도관, 및 반응종을 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동시키기 위한 제 2 도관을 포함한다.
본 발명의 실시는 다음의 단계를 따른다. 상기 장치는 원격 챔버 내부로의 전구체 가스의 유동을 제어하는 밸브 및 흐름 제어 기구와, 전구체 가스와 상이한 캐리어 가스의 원격 챔버 내부로의 유동을 제어하는 밸브 및 흐름 제어 기구를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시 양태에서, 본 발명은 전자 소자의 제조시에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법의 단계는 증착 챔버 외부의 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 전달하는 단계와, 반응종을 형성하기 위해 원격 챔버 체적으로 리터당 약 12,000와트 내지 약 48,000와트의 전력을 사용하여 원격 챔버 내의 전구체 가스를 활성화 시키는 단계를 포함한다. 또 다른 단계는 반응종을 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동시키는 단계와, 증착 챔버의 내부를 세정하기 위해 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동하는 반응종을 사용하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시 양태에 있어서, 본 발명은 전자 소자의 제조에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 증착 챔버 외부의 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 전달하는 단계와, 반응종을 형성하기 위해 고정형(fixed) 동조 고전력 플라즈마 공급원을 사용하여 약 3,000와트 내지 약 12,000와 트의 전력을 사용하여 원격 챔버 내의 전구체 가스를 활성화시키는 단계를 포함한다. 또 다른 단계는 반응종을 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동시키는 단계와, 증착 챔버의 내부를 세정하기 위해 원격 챔버로부터 증착 챔버 내부로 유동하는 반응종을 사용하는 단계를 포함한다.
본원 발명의 실시예에서는 어플라이드 고마츠 테크놀로지(Applied Komatsu Technology)에 의해 제조되어 개조된 모델 AKT-1600 PECVD 시스템을 사용하였다. AKT-1600 PECVD 시스템은 능동 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCDs)의 제조에 사용되도록 설계된 것이다. 비정질 실리콘, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및 산질화물(oxynitride) 필름을 증착하기 위해 사용될 수 있는 다수의 공정 챔버를 갖는 모듈 방식(module system)이다. 그러나, 본 발명은 상용화된 기타 증착 시스템에 이용될 수도 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따라 변경된 PECVD 시스템은 증착 챔버(10)를 포함하고 있으며, 그 내부에는 증착 가스를 유입하기 위한 가스 유입 분기관(또는 샤우어 헤드)(12) 및 상부에 재료가 증착되는 기판(16)을 고정하기 위한 서셉터(14)가 있다. 평행한 판의 형태인 두가지의 가스 유입 분기관(12)와 서셉터(14)는 각각 상부 및 하부 전극으로 작동한다. 하부 전극 및 챔버 몸체가 접지에 연결된다. RF 발생기(38)는 매칭(matching) 네트워크(40)를 통해 상부 전극에 RF 전력을 공급한다. RF 발생기(38)는 상부 및 하부 전극 사이의 플라즈마를 발생시키는데 사용된다.
서셉터(14)는 증착시에 기판을 가열시키기 위한 저항 가열기(18)를 포함한다. 외측의 가열기 제어 모듈(20)은 서셉터를 적절한 온도로 가열 및 유지시키기 위해 가열기에 전력을 가한다.
챔버(10) 외부에, 증착시에 사용되는 가스를 함유하는 가스 공급원(32)이 있다. 사용되어지는 가스는 기판상에 증착되는 물질에 따라 달라진다. 상기 공정 가스는 입구 포오트를 통해 가스 분기관 내로 유동하고 이어서 샤우어 헤드를 통해 챔버 내부로 흐른다. 전자식으로 작동하는 밸브 및 흐름 제어 기구(34)는 가스 공급원으로부터 챔버 내부로의 가스 유동을 제어한다. 또한 챔버를 진공화하는데 사용되는 진공 펌프(36)는 출구 포오트를 통해 챔버에 연결된다.
본 발명에 따라, 제 2 가스 공급 시스템도 입구 포오트(33)를 통해 챔버에 또한 연결된다. 상기 제 2 가스 공급 시스템은 연속 증착공정 이후에, 챔버의 내부를 세정하기 위해 사용되는 가스를 공급한다. 세정이라 하면, 챔버의 내부 표면으로부터 증착된 재료를 제거하는 것을 의미한다. 가스의 혼합이 바람직하다면 제 1 및 제 2 가스 공급원을 조합할 수도 있다.
제 2 가스 공급 시스템은 전구체 가스 공급원(44), 증착 챔버의 외부 및 일정 거리에 위치된 원격의 활성 챔버(46), 원격의 활성화 챔버내의 전구체 가스를 활성화하기 위한 전력원(48), 전자식으로 작동되는 밸브 및 흐름 제어 기구(50) 그리고, 증착 챔버에 원격 챔버를 연결하는 도관 또는 파이프(57)를 포함한다.
흐름 제한기(59)는 파이프(57) 내에서 사용된다. 흐름 제한기(59)는 원격 챔버(46)와 증착 챔버(10) 사이의 통로 어디에도 위치될 수 있다. 이러한 흐름 제 한기는 원격 챔버(46)와 증착 챔버(10) 사이에 압력차가 존재하도록 한다.
밸브 및 흐름 제어 기구(50)는 사용자가 선택한 유량으로 전구체 가스원(44)으로부터 가스를 원격의 활성화 챔버(46) 내부로 전달한다. 전력원(48)은 유입 포오트(33)를 경유하여 증착 챔버 내부로 도관(57)을 통해 유동하는 반응종을 형성하기위해 전구체 가스를 활성화시킨다. 즉, 상부 전극 및 샤우어 헤드(12)는 증착 챔버 내부로 반응 가스를 전달하는데 사용된다. 전술한 실시예에서, 원격의 챔버는 사파이어 관이며, 전력원은 사파이어 관으로 출력되는 2.54㎓ 마이크로파 에너지를 공급한다.
선택적으로, 또 다른 밸브 및 흐름 제어 기구(53)를 통해 원격의 활성화 챔버에 연결된 2차 캐리어 가스원(52)이 있을 수 있다. 2차 캐리어 가스는 활성화된 반응종의 증착 챔버로의 전달을 도와준다. 이용되는 특정 세정 공정에 적합한 임의의 적절한 비반응 가스가 그러한 2차 캐리어 가스로 사용될 수 있다. 예를 들어, 2차 캐리어 가스는 아르곤, 질소, 헬륨, 수소, 또는 산소 등이 있다. 또한, 활성화된 반응종의 증착 챔버로의 전달에 도움을 주는 것 이외에도, 상기 캐리어 가스는 세정 공정에 도움을 주거나 증착 챔버내의 플라즈마를 개시하거나 안정화하는데 도움을 준다.
전술한 실시예에서, 상기 전구체 가스는 NF3이다. 활성화된 반응종의 유량은 분당 약 2리터이며, 공정 챔버의 압력은 약 0.5 Torr이다. 전구체 가스를 활성화시키기 위해서, 마이크로파 공급원은 원격 활성화 챔버에 약 3,000 내지 약 12,000와트를 전달한다. 5,000와트의 수치는 많은 응용예에 사용될 수 있다.
원격의 활성화 챔버는 가능한 높은 압력에서 유지된다. 즉, 원격 챔버와 증착 챔버 사이의 압력차는 가능한 커야 하며, 예를 들어 적어도 4.5Torr이다. 원격의 챔버내의 압력은 예를들어, 약 5 Torr 내지 약 20 Torr로 높으며, 특히 약 15 Torr이다. 증착 챔버 내의 압력은 예를 들어 약 0.1 Torr 내지 2 Torr이며, 특히 약 0.5 Torr이다. 흐름 제한기(59)는 증착 챔버(10)의 압력에 대해 부정적인 영향을 끼치지 않으면서 높은 압력의 플라즈마가 유지될 수 있도록 하기 위해 사용된다. 흐름 제한기(59)는 소형의 오리피스 또는 일련의 소형 오리피스일 수 있으며, 또한 감소(reduction) 밸브 또는 니이들 밸브와 같이 압력차를 발생시키는 기타 장치가 될 수도 있다. 흐름 제한기(59)는 증착 챔버(10)에 파이프(57)가 유입되는 지점 또는 그 부근에 위치한다.
원격 챔버에 대한 이러한 전력 및 압력의 선택은 몇가지의 잇점을 갖는다. 먼저, 선택된 높은 전력은 원격 챔버 내의 가스의 실질적으로 완전한 활성화를 초래하여, 환경에 악영향을 미치는 전구체 가스의 극소량만이 챔버 밖으로 배출되게 한다.
둘째, 본 발명자는 활성화 양(量)의 백분율이 예상보다 훨씬 더 큰 것을 발견했다. 도 2를 참조하면, 가스 분할(또는 활성화된 가스) 분율이 15Torr의 압력에서 인가된 전력에 대해 그래프로 도시되어 있다. 배율(scaling)을 달리하면, 상기 곡선은 세정 속도와 더욱 동일하게 보여질 것이다. 낮은 전력에서 볼 수 있는 바와 같이, 가스 분할은 거의 선형이다. 본 발명자는 2000와트 이상과 같이 높은 전력에서 가스 분할 백분율이 100% 분할에 근접하기 이전에 비선형 전이 영역을 통과하는 것을 알아냈다. 이는 MW RPS(마이크로파 원격 전력원)으로 표시된 까만 원형 점들의 곡선으로 도시되어 있다. 이는 예상보다 더 큰 가스 분할을 초래한다. 전이 영역의 정확한 위치는 가스압 및 가스 흐름과 같은 인자에 따라 달라진다는 것을 주지하여야 한다.
전술한 전력 범위는 원격 챔버의 크기에 따라 부분적으로 달라진다고 간주된다. 약 3000 내지 12000와트의 전력 범위는 1/4리터의 원격 챔버 체적에 근거하며 약 12000 내지 48000와트/리터의 전력 밀도에 상응한다. 상기 수치는 다른 크기의 챔버에 따라 비례적으로 축소되거나 확대된다. 상기 전력 및 압력 범위가 바람직한 세 번째 이유는 고압이 플라즈마가 더욱 더 국부화된다는 것이다. 따라서, 고압의 플라즈마는 원격의 챔버로부터 덜 확산될 것이며, 특히 증착 챔버에 원격 챔버를 연결하는 파이프가 덜 연소되게 할 것이다.
상기 전력 및 압력 범위가 바람직한 네번째 이유는 플라즈마 안정성 때문이다. 높은 전력의 마이크로파 플라즈마는 낮은 플라즈마 보다 더 안정적이고 동조하기가 용이하다. 예를 들어, 낮은 전력의 플라즈마는 플라즈마의 개시시에 복잡한 자동 동조과정을 필요로 한다. 만일 이러한 것이 사용되지 않는다면, 낮은 전력의 플라즈마는 소멸할 것이다. 만일 높은 전력이 플라즈마를 개시하는데 사용된다면, 보다 용이한 고정형 동조과정이 개시와 최적 동조 모두에 사용될 수 있을 것이다.
따라서, 원격의 플라즈마 활성화 챔버 내에서 고 전력 및 고압의 플라즈마의 조합은 예상외로 효과적이고 국부적이며 안정한 플라즈마를 초래하게 한다.
공급 가스로서 NF3를 사용함으로써, 실리콘(Si), 도핑된 실리콘, 실리콘 질화물(Si3N4), 및 실리콘 산화물(SiO2)로 증착된 챔버를 세정시킬 수 있다. 증착된 필름의 세정 속도는 (15 Torr의 원격 챔버 압력과 5000와트의 원격 챔버전력과 360℃의 서셉터 온도에서 2000sccm의 NF3 유동에서) 실리콘 질화물에 대해서는 1 미크론/분으로, 예를들어 실리콘 질화물에 대해서는 1 미크론/분으로 나타났다. 상기 세정 속도는 13.56㎒ RF 의 약 3킬로와트의 전력 수치에 의해 국부적인 플라즈마를 발생시킨 종래의 세정 속도보다 예를 들어 2배 이상 빠르다.
일반적으로, 반응 가스(전구체 가스)는 통상적으로 사용하는 할로겐 및 할로겐 화합물을 포함하여 광범위한 선택 범위를 가진다. 예를 들어, 반응 가스는 NF3, CF4, SF6, C2F6, CCl4, C2Cl6 와 같은 염소, 불소 또는 그 화합물이다. 물론, 사용되는 특정 가스는 제거되는 증착 물질에 따라 달라진다. 예를 들어, 텅스텐 증착 시스템에서, 증착된 텅스텐을 에칭하거나 제거하여 세정하는데에는 일반적으로 불소 화합물 가스가 사용된다.
선택된 전력 수치, 유량, 및 압력은 시스템에 따라 달라지며, 공정이 진행되는 특정 시스템에 맞게 최적화되어야 할 필요가 있다. 특정 시스템의 최적의 성능을 이루기 위해 공정 조건을 적절히 조정하는 것은 소위 당업자가 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예를 PECVD 시스템과 관련하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 국한되지 않은 보다 광범위한 적용을 갖는다. 예를 들어, (주 진공 챔버 내부인) 국부적인 활성화원에 연결되어 사용되는 원격 활성화원(즉, 주 진공 챔버 외부)의 개념은 PVD, CVD, 이온 도핑, 포토레지스트 스트리핑, 기판 세정, 플라즈마 에칭과 같은 목적중 하나의 목적을 달성하기 위한 시스템 내에서 사용될 수 있다.

Claims (21)

  1. 전자 소자 제조시에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서,
    증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내로 전구체 가스를 전달하는 단계와,
    반응종을 형성하기 위해 3,000 내지 12,000와트의 전력을 사용하여 원격 챔버 내의 전구체 가스를 활성화시키는 단계와,
    상기 반응종을 상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버 내로 유동시키는 단계 및,
    상기 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동하는 반응종을 사용하여 상기 증착 챔버의 내부를 세정하는 단계를 포함하고 있는 챔버의 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전구체 가스를 활성화시키는 단계는 원격 활성화원을 사용함으로써 수행되어지는 챔버의 세정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 전구체 가스는 모든 할로겐과 그 할로겐의 가스상 화합물로 구성된 가스 군으로부터 선택되는 챔버의 세정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 전구체 가스는 염소, 불소, 및 이들의 가스상 화합물로 구성된 가스 군으로부터 선택되는 챔버의 세정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 전구체 가스는 NF3인 챔버의 세정 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 원격 활성화원은 마이크로파 에너지 공급원인 챔버의 세정 방법.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 원격 활성화 챔버 내부로 캐리어 가스를 유동시키는 단계를 더 포함하는 챔버의 세정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 질소, 아르곤, 헬륨, 수소, 및 산소로 구성되는 가스 군으로부터 선택되는 챔버의 세정 방법.
  9. 공정 챔버를 세정하기 위한 방법으로서,
    원격 챔버와 공정 챔버 사이에 압력 차가 생기도록 상기 공정 챔버의 외부에 있는 상기 원격 챔버 내부로 전구체 가스를 전달하는 단계와,
    반응종을 형성하기 위해 3,000 내지 12,000와트의 전력을 사용하여 상기 원격 챔버 내의 상기 전구체 가스를 활성화시키는 단계, 및
    상기 반응종을 상기 원격 챔버로부터 상기 공정 챔버 내부로 유동시키는 단계를 포함하고 있는 챔버의 세정 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 원격 챔버로부터 상기 공정 챔버 내부로 유동된 상기 반응종을 추가로 여기시키기 위한 국부적인 활성화원을 사용하는 단계, 및
    상기 공정 챔버내에서의 상기 세정 공정의 수행중에 상기 국부적인 활성화 원에 의해 추가로 여기된 상기 반응종을 사용하는 단계를 더 포함하고 있는 챔버의 세정 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 압력 차는 4.5 Torr 이상인 챔버의 세정 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 원격 챔버내의 압력은 5 내지 20 Torr인 챔버의 세정 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 원격 챔버 내의 압력은 15Torr 내지 20Torr인 챔버의 세정 방법.
  14. 증착 장치 조립체로서,
    증착 챔버와,
    상기 증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버와,
    상기 원격 챔버 내로 에너지를 전달하는 활성화원과,
    전구체 가스를, 원격 가스 공급원으로부터, 상기 활성화원에 의해 상기 전구 체 가스를 활성화하여 반응종을 형성하는 상기 원격 챔버 내부로 유동시키는 제 1 도관,
    상기 반응종을 상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버 내로 유동시키는 제 2 도관, 및
    상기 제 2 도관내에 위치되어, 상기 원격 챔버와 상기 증착 챔버 사이에 압력차를 생성하는 흐름 제한기를 포함하고 있는 증착 장치 조립체.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 원격 챔버 내부로의 전구체 가스의 흐름을 제어하는 밸브 및 흐름 제어 기구를 더 포함하고 있는 증착 장치 조립체.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 흐름 제한기는 감속 밸브인 증착 장치 조립체.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 활성화원은 리터당 12,000와트와 리터당 48,000와트 사이의 전력으로 에너지를 전달하는 증착 장치 조립체.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 전구체 가스와 상이한 캐리어 가스가 상기 원격 챔버 내로 유동하는 것을 제어하는 밸브 및 흐름 제어 기구를 더 포함하고 있는 증착 장치 조립체.
  19. 전자 소자 제조에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서,
    증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내로 전구체 가스를 전달하는 단계와,
    반응종을 형성하기 위해 상기 원격 챔버 체적의 리터당 12,000 내지 리터당 48,000와트의 전력을 사용하여 상기 원격 챔버 내의 상기 전구체 가스를 활성화시키는 단계와,
    압력차에 의해서 상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버 내로 상기 반응종을 유동시키는 단계 및,
    상기 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동하는 반응종을 사용하여 상기 증착 챔버의 내부를 세정하는 단계를 포함하고 있는 챔버의 세정 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 압력 차는 4.5 Torr 이상인 챔버의 세정 방법.
  21. 전자 소자 제조에 사용되는 증착 챔버를 세정하기 위한 방법으로서,
    증착 챔버의 외부에 있는 원격 챔버 내로 전구체 가스를 전달하는 단계와,
    반응종을 형성하기 위해 고정형 동조 고전력 플라즈마 공급원을 사용하는 3,000 내지 12,000와트의 전력을 사용하여 상기 원격 챔버 내의 상기 전구체 가스를 활성화시키는 단계와,
    상기 원격 챔버로부터 상기 증착 챔버 내로 상기 반응종을 유동시키는 단계 및,
    상기 원격 챔버로부터 증착 챔버 내로 유동하는 상기 반응종을 사용하여 상기 증착 챔버의 내부를 세정하는 단계를 포함하고 있는 챔버의 세정 방법.
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