JP3855982B2

JP3855982B2 - クリーニング方法及びクリーニング装置

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Publication number: JP3855982B2
Application number: JP2003333553A
Authority: JP
Inventors: 利和杉浦
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-09-25
Filing date: 2003-09-25
Publication date: 2006-12-13
Anticipated expiration: 2023-09-25
Also published as: US20050082001A1; JP2005101309A

Description

本発明は、プラズマ処理装置のプロセスチャンバー内に堆積した不要なＣＶＤ膜を除去する、プラズマを利用したクリーニング方法及びクリーニング装置に関する。

従来、半導体基板にＣＶＤ薄膜を形成するＣＶＤ装置におけるクリーニング方法は、例えばプラズマＣＶＤ法による酸化シリコン膜の製造方法を例にとると、表面を絶縁した電極を上下に平行に配置し、一定温度に保たれ真空容器内にＣＶＤ膜を堆積するシリコン基板等を搬入し、容器内を真空に引いた後、モノシランと亜酸化窒素を流す。ガスの流量と圧力が所定値に達した後、前記電極に高周波（ＲＦ）を印加し、一定時間保持して酸化シリコン膜を気相成長した後、ＲＦ印加を停止する。真空容器内のガスを真空引きすることによって排出した後、シリコン基板を搬出する（例えば特開平6-25859号公報参照）。

その後に、容器内に付着した余分な酸化シリコン膜をプラズマクリーニング法によってクリーニングする。すなわち、真空容器内から基板を搬出した後、Ｃ2Ｆ6，ＣＦ4，ＮＦ3等のフッ素系のエッチングガスと、Ｏ2またはＡｒとの混合ガスを流し、ＲＦを印加することによって真空容器内に形成された余分な酸化シリコン膜をエッチング除去するプラズマクリーニングを行う。

ここで、ＣＶＤ装置のチャンバークリーニングについて説明する。ＣＶＤ装置の薄膜形成用チャンバー（以下、プロセスチャンバーという）のクリーニングでは、ＣＶＤのプロセスでチャンバー内に堆積した酸化膜、窒化膜といった堆積物を、クリーニングガスと反応させて除去する。

クリーニング方法としては、幾つか方法があるが、ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ（インサイチュープラズマという、プロセスチャンバーの中でプラズマを立てる）によるクリーニング形式と、プロセスチャンバー外でプラズマ化したガスでクリーニングを行うリモートプラズマとに大きく２つに分けられる。

クリーニングガスとしては、ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8，Ｃ4Ｆ8，ＮＦ3が代表的なものであり、ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ方式では主にＣ2Ｆ6が利用されており、リモートプラズマ方式ではＮＦ3が利用されている。
特開平６‐２５８５９号公報

ところで、上述したプラズマクリーニングに用いるクリーニングガスは、地球温暖化ガスとして挙げられるもので、環境の観点からは無害化（除害）を必要とする。

プロセスチャンバー内でプラズマを立てるｉｎ−ｓｉｔｕ方式の場合、クリーニングガスのプラズマへの分解効率は３０〜５０％であり、実際にクリーニングへ寄与する利用効率は１５〜３０％程度である。従って、使用したクリーニングガスの半分以上はそのまま排出している。このときのクリーニングガスは温暖化ガスであり、除害する必要がある。

温暖化ガス削減の1つの解決策として、ＮＦ3のリモートプラズマがある。この方式は、ＮＦ3を９０％以上分解できるため、排気ガス中の温暖化ガスを削減することが可能である。しかしながら、プロセスチャンバー外でプラズマ化したＮＦ3ガスを配管でプロセスチャンバー内に導くためプロセスチャンバー内に入るまでに管璧などに衝突して、活性エネルギーが失われる結果不活性となり、ＮＦ3はＮ2，Ｆ2，Ｆ^＊，Ｆ^＊2などに分解され、ＮＦ3のクリーニングへの利用効率は１０％前後と非常に低いものになっている。すなわち、ＮＦ3自身の分解効率は高いが、その殆んどはＦ2へと変化し利用されないまま工場のスクラバー施設で除害されてしまう。つまり、ＮＦ3の利用効率は極めて低いという問題がある。

そこで、本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、リモートプラズマ方式の温暖化ガス削減のメリットを維持した上で、クリーニングガスの利用効率を上げることが可能なクリーニング方法及びクリーニング装置を提供することを目的とするものである。

本発明のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法は、第1のプラズマ源にて、クリーニングガスを活性化させる工程と、前記活性化されたクリーニングガスを、第３のプラズマ源にて再活性化させる工程と、前記再活性化されたクリーニングガスを、第２のプラズマ源にて再々活性化させる工程と、前記再々活性化されたクリーニングガスを、前記プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させることにより、該堆積物をガス化させる工程と、前記再々活性化されたクリーニングガスと、前記堆積物とが反応したものを排気させる工程と、を含み、前記第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源と前記第２のプラズマ源の間とをつなぐ複数の配管にそれぞれ設置され、かつ、該第３のプラズマ源は、該第１のプラズマ源よりも、前記プロセスチャンバーに近い位置に設けられていること、を具備することを特徴とする。

本発明のこのような方法によれば、リモートプラズマ源で例えばフッ素（Ｆ）を含むガスをプラズマ化（活性化）し、プラズマ処理装置のプロセスチャンバー内に誘導する過程で、不活性になってしまったガスを、再度、プロセスチャンバー内でプラズマ化（再活性化）し、クリーニングガスの堆積物との反応を高め、ガスの利用効率を上げることが可能となる。

このような構成によれば、リモートプラズマ源でフッ素（Ｆ）を含むガスをプラズマ化し、プラズマ処理装置のプロセスチャンバー内に誘導する過程で、不活性になってしまったガスをチャンバー直前で再び活性化してプロセスチャンバーに導入でき、プロセスチャンバー内では、再々度プラズマ化（活性化）し、ガスのクリーニングへの利用効率をより一層上げることが可能となる。

本発明は、前記プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法において、第２のプラズマ源にて再々活性化させる工程は、前記プロセスチャンバー内で、in-situプラズマ法にて、再々活性化することを特徴とする。

本発明のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置は、クリーニングガスを活性化させる第1のプラズマ源と、前記活性化されたクリーニングガスを再活性化させる第３のプラズマ源と、前記再活性化されたクリーニングガスを再々活性化させる第２のプラズマ源と、前記第２のプラズマ源を有する前記プロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバーにて前記再々活性化されたクリーニングガスと前記プロセスチャンバー内の堆積物との反応物を排気させる排気装置と、を含み、前記第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源と前記第２のプラズマ源の間とをつなぐ複数の配管にそれぞれ設置され、かつ、該第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源よりも、前記プロセスチャンバーに近い位置に設けられていること、を具備することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、リモートプラズマ源でフッ素（Ｆ）を含むガスをプラズマ化し、プラズマ処理装置のプロセスチャンバー内に誘導する過程で、不活性になってしまったガスを、再度、プロセスチャンバー内でプラズマ化（活性化）し、ガスのクリーニングへの利用効率を上げることが可能となる。

本発明をCVD装置に適用したの実施例について図面を参照して説明する。

本発明によるCVD装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法は、リモートプラズマ源において活性化したガスを前記プロセスチャンバーに導入し、該プロセスチャンバーにおいて前記ガスを再活性化し、プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させて、排気するものである。

図１は本発明の実施例１のクリーニング方法を説明する図である。本実施例は、ＣＶＤ装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法を説明するが、ＣＶＤ装置としてプラズマＣＶＤ装置を用いた場合におけるクリーニング装置を例として示している。

図１に示すように、クリーニング装置１０は、プラズマＣＶＤ装置１１と、リモートプラズマ発生装置３０とを有して構成されている。プラズマＣＶＤ装置１１は、真空状態（減圧状態）に維持されるプロセスチャンバー１２を備えており、プロセスチャンバー１２の下面壁１２ｃに形成された排気路１３を介して、さらに高真空ポンプ１４及び低真空ポンプ１５（並びに除害装置１６）を介して内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態）に維持されるようになっている。なお、除害装置１６は、ＣＶＤ膜形成前やクリーニング後の排気プロセスにおいて、排気したガスを無害化して外部に導出するための装置である。

また、プロセスチャンバー１２の内部には、例えば、シリコンウエハなどの表面にシリコン薄膜を堆積（蒸着を含む）する基板Ｐを載置するための載置台を構成する下部電極１７が配置されている。この下部電極１７は、プロセスチャンバー１２の下面壁１２ｃを貫通して配置されている。なお、図示しないが、下部電極１７と下面壁１２ｃとの間には、プロセスチャンバー１２内の真空度を確保するために、シールリングなどのシール部材が配設されている。

一方、プロセスチャンバー１２の上方には、上部電極１８が設けられており、その基端部分１９が、プロセスチャンバー１２の上面壁１２ａを貫通して、プロセスチャンバー１２外部に配設された高周波電源２０に接続されている。この上部電極１８には、図示しないが、高周波印加コイルなどの高周波印加装置２１が設けられており、この高周波印加装置２１と高周波電源２０の間には、マッチング回路２２が配設されている。これにより、高周波電源２０により発生した高周波を損失なく高周波印加コイルなどの高周波印加装置２１へ伝播できるようになっている。

また、プロセスチャンバー１２の壁、例えば上面壁１２ａには、原料ガス供給路２３が形成されており、図示しない原料ガス供給源から、原料ガスが、減圧状態に維持されたプロセスチャンバー１２内に導入されるように構成されている。なお、原料ガス供給路２３は上部電極１８に通じ、原料ガスが上部電極１８を通してプロセスチャンバー１２内に流れ込むようにしてもよい。プロセスチャンバー１２、高周波電源２０及び高周波印加装置２１、下部電極１７及び上部電極１８は、ＣＶＤプラズマ源兼プラズマクリーニング時の第２のプラズマ源を構成するものである。

さらに、プロセスチャンバー１２の側部には、フッ素系のクリーニングガスをプラズマ化するリモートプラズマ源としてのリモートプラズマ発生装置３０が備えられている。そして、このリモートプラズマ発生装置３０によってプラズマ化されたクリーニングガスは、ガス導入路を構成する配管３１を介して、プロセスチャンバー１２の例えば側面壁１２ｂからチャンバー１２内部に導入されるように構成されている。

なお、リモートプラズマ発生装置３０は、ＣＶＤ膜形成時には使用されないが、成膜後の基板Ｐを搬出した後にチャンバー内をプラズマクリーニングする時に第１のプラズマ源として使用される。また、前述のプロセスチャンバー１２、高周波電源２０及び高周波印加装置２１、下部電極１７及び上部電極１８からなるプラズマ源は、ＣＶＤ膜形成時のプラズマ源として機能する一方、プラズマクリーニング時には前出のリモートプラズマ源で生成される活性化（プラズマ化）したガスをチャンバー１２内で更に活性化させる第２のプラズマ源として機能するものである。

このように構成される本発明に係るクリーニング装置１０におけるプラズマＣＶＤ装置１１は、下記のように動作する。

先ず、プロセスチャンバー１２の下部電極１７の載置台上に、例えば、シリコンウエハなどの表面にシリコン薄膜を蒸着するための基板Ｐを載置する。

そして、プロセスチャンバー１２の下面壁１２ｃに形成された排気路１３を介し、ポンプ１４，１５などを介して内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態）例えば、１０〜２０００Ｐａの減圧状態に維持する。そして、原料ガス供給源（図示略）から、原料ガス供給路２３を介して、原料ガスが、減圧状態に維持されたプロセスチャンバー１２内に導入される。

この場合、原料ガス供給源（図示略）から供給される原料ガスとしては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を成膜する際には、モノシラン（ＳｉＨ4）、Ｎ2Ｏ、Ｎ2、Ｏ2、Ａｒ等を供給し、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4など）を成膜する際には、モノシラン（ＳｉＨ4）、ＮＨ3、Ｎ2、Ｏ2およびＡｒを供給すればよい。しかしながら、この原料ガスとしては、これに限定されるものではなく、成膜する薄膜の種類などに応じて、例えば、原料ガスとして、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン；Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4)等、同伴ガスとして、Ｏ2、Ｏ3など適宜変更して使用することができる。

そして、高周波電源２０により発生した高周波を高周波印加コイルなどの高周波印加装置２１から上部電極１８に高周波電界を発生させ、この電界をトリガとして原料ガスを励起させて、反応性の高いプラズマ状態（以下、活性化した反応性ガスという）とする。そして、この反応性ガスの作用によって、下部電極１７に設置されたシリコンウエハなどの基板Ｐの表面にシリコン薄膜を形成する。

ところで、このようなプラズマＣＶＤ装置１０では、成膜工程の際に、プロセスチャンバー１２内の放電によって、成膜すべき半導体基板Ｐ以外のプロセスチャンバー１２の内壁、電極などの表面にも、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの薄膜材料が付着して堆積物が形成される。この堆積物が、一定の厚さまで成長すると自重、応力などによって剥離、飛散して、これが成膜工程の際に、異物として、半導体基板Ｐへの微粒子の混入、汚染の原因となる。その結果、高品質な薄膜が製造できず、半導体回路の断線や短絡の原因となり、歩留まりも低下する虞れがある。

このため、プラズマＣＶＤ装置１１のクリーニング装置１０では、リモートプラズマ発生装置３０によって、フッ素系のクリーニングガスを例えばＮＦ3をプラズマ化し、配管３１を介して、減圧状態に維持されたプロセスチャンバー１２内に導入する。そして、リモートプラズマ発生装置３０では、高周波電界を形成してクリーニングガスが活性化した反応性ガスとなり、例えばＮＦ3はＮ2，Ｆ2，Ｆ^＊，Ｆ^＊2などに分解され、プロセスチャンバー１２の内壁や電極などの表面に付着し堆積したＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの堆積物と反応して、揮発性のＳｉＦ4として堆積物をガス化することによって、ポンプ１４，１５により排気ガスとして排気路１３を介し、更に除害装置１６を経てプロセスチャンバー１２の外部に排出されるようになっている。

このクリーニング方法においては、リモートプラズマ源であるリモートプラズマ発生装置３０でクリーニングガスが活性化した反応性ガスに分解され、その反応性ガスがプロセスチャンバー１２内に導入されるが、その際、５０ｃｍ程度の長さの配管３１の内壁に活性化したクリーニングガスが接触及び、衝突してしまい活性エネルギーが失われる結果、チャンバー１２の堆積物と反応してガス化する効率が低下するので、これを防ぐべく、本発明のクリーニング装置１０では、リモートプラズマ発生装置３０内で活性化したガスをプロセスチャンバー１２内に誘導すると同時に、プロセスチャンバー１２でｉｎ−ｓｉｔｕプラズマを行い、リモートプラズマ発生装置３０内で活性化したガスを更に活性化（即ち、再活性化）する。このクリーニングガスの再活性化は、リモートプラズマにて生成された活性化した反応性ガスをプロセスチャンバー１２内に導入し、高周波電源２０による高周波（ＲＦ）を高周波印加装置２１に供給して上部電極１８に印加することによって行われる。

つまり、本発明では、リモートプラズマ源でフッ素（Ｆ）を含むガスをプラズマ化し、ＣＶＤプロセスチャンバー内に誘導する過程で、不活性になってしまったガスを、再度、プロセスチャンバー内でプラズマ化（活性化）し、ガスのクリーニングへの利用効率を上げることに特徴がある。

この場合、リモートプラズマ発生装置３０によってプラズマ化されるフッ素系のクリーニングガスとしては、ＮＦ3のほかに、例えば、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8などが挙げられる。

また、クリーニングガスは、本発明の効果を損なわない範囲で、適宜他のガスを混合して用いることができる。このような他のガスとしては、たとえば、Ｏ2、Ａｒなどが挙げられる。このような他のガスの配合量は特に限定されず、ＣＶＤ装置１１のプロセスチャンバー１２の内壁などに付着した堆積物（付着物）の量、厚さ、Ｆを含むガスの種類、堆積物の組成などに対応して決定する。

図２は本発明の実施例１のクリーニング方法の原理を説明する図である。

第１のプラズマ源であるリモートプラズマ発生装置３０にＮＦ3などのフッ素（Ｆ）を含むクリーニングガスを導入し、プラズマ化する。例えばＮＦ3はＮ2，Ｆ2，Ｆ^＊，Ｆ^＊2などに分解される。これらの活性化したガスやＦ2は、第２のプラズマ源を有するプロセスチャンバー１２に導入され、第２のプラズマ源によってプロセスチャンバー１２内に再びプラズマを立てることによって、Ｆ2プラズマを生成して、プロセスチャンバー１２の内壁などに堆積した余分な堆積物との反応を促進させる。ここで、プロセスチャンバー１２において第２のプラズマにてｉｎ−ｓｉｔｕプラズマを立てなければ第１のプラズマ源で分離したガスのうち、Ｆ2の多くはそのまま使われずに排気されることになってしまうのを、本発明のクリーニング方法によればＦ2を効率的にクリーニングに利用することができ、ガスの利用効率を上げることができる。

図３は本発明の実施例２のクリーニング方法を説明するクリーニング装置である。図１と同一部分には同一符号を付して説明する。

図３においては、クリーニング装置１０Ａは、プラズマＣＶＤ装置１１と、リモートプラズマ発生装置３０と、両装置間をつなぐ複数の複数の配管にそれぞれ設けた複数のプラズマ源３６〜３９とを有して構成されている。すなわち、第１のプラズマ源であるリモートプラズマ発生装置３０からの活性化ガスを複数（図では４本）の配管３２〜３５にて導出し、配管３２〜３５それぞれのプロセスチャンバー１２に近い位置に、複数（図では４つ）の第３のプラズマ源３６〜３９を設け、さらに活性化して、プロセスチャンバー１２に構成された前記第２のプラズマ源に供給する構成としたものである。

図３におけるクリーニング動作は次のようになる。

プロセスチャンバーに供給するクリーニングガス例えばＮＦ3を第１のプラズマ源であるリモートプラズマ発生装置３０にて活性化した後、その活性化した分解ガス例えばＮ2，Ｆ2，Ｆ^＊，Ｆ^＊2を複数の配管３２〜３５にて導出し、それぞれの配管に設けた複数の第３のプラズマ源であるプラズマ発生源３６〜３９でさらに再活性化してプロセスチャンバー１２内に導入し、更にプロセスチャンバー１２に構成された第２のプラズマ源にてプロセスチャンバー１２内でｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ法にて再々活性化する。そして、第２のプラズマ源で活性化したガスと前記プロセスチャンバー１２内の堆積物とを反応させ、その反応したものをポンプ１４，１５にて排気し、更に、排気したガスを除害装置１６にて無害化して外部に排出する。

図３の実施例によれば、第１のプラズマ源であるリモートプラズマ発生装置３０と、プロセスチャンバー１２に構成された第２のプラズマ源との間を、複数の配管３２〜３５で結合し、これら第１，第２のプラズマ源を結ぶ複数の配管３２，３３，３４，３５それぞれに、複数の第３のプラズマ源３６，３７，３８，３９を設けることにより、リモートプラズマ発生装置３０で活性化したクリーニングガスを、プロセスチャンバー１２の直前のプラズマ源３６〜３９でさらに再活性化した後、プロセスチャンバー１２に構成されている前記第２のプラズマ源で再々活性化する。これにより、リモートプラズマ源で効率よく分解（分解率１００％）された活性化ガスを、複数の配管３２〜３５によりチャンバー１２の例えば側面壁１２ｂから均等に導入できると共に、分解したガスをチャンバー１２内に不活性化することなく導入でき、更にプロセスチャンバー１２内でｉｎ−ｓｉｔｕプラズマにて再々活性化することにより、図１の実施例に比べてチャンバー内の堆積物をより効率的に反応させ、堆積物を効果的にガス化して排出することが可能となる。

尚、本発明の上記実施例では、プラズマ源として、プラズマ生成にはＲＦ（Radio Frequencyの略）の高周波電界を使用した場合であるが、これに代えて、プラズマ源として、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonanceの略、電子サイクロトロン共鳴）を用いて高真空下で高密度，高活性なプラズマを生成し、これを用いたＣＶＤ法やプラズマクリーニングを行っても良い。

本発明の上記実施例では、プラズマＣＶＤ装置のプロセスチャンバー内に堆積した不要な堆積物をクリーニング除去するのに、プラズマＣＶＤで成膜用に用いる高周波電源２０を含む第２のプラズマ源をプラズマクリーニング用として兼用しているが、クリーニング用高周波電源（例えばプラズマＣＶＤ成膜用高周波とは異なった周波数又は出力を有している高周波電源）を別に設けた構成としてもよい。

また、第２のプラズマ源としてプラズマＣＶＤ成膜用とは別のクリーニング用高周波電源及び高周波印加装置を用いれば、ＣＶＤ装置としてプラズマＣＶＤ法によるＣＶＤ装置を使用する場合に限定されず、プラズマＣＶＤ法以外（常圧，減圧，光励起，熱分解などのＣＶＤ法）のＣＶＤ装置におけるチャンバー内の堆積物を効率的に除去することも可能である。

本発明は、以上述べた実施例に限るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で各実施例を適宜変更して実施することができる。

本発明の実施例１のクリーニング方法を説明する構成図。本発明の実施例１のクリーニング方法の原理を説明する図本発明の実施例２のクリーニング方法を説明する構成図。

符号の説明

１０，１０Ａ…クリーニング装置、１１…ＣＶＤ装置、１２…プロセスチャンバー、１６…除害装置、１７…下部電極、１８…上部電極、２０…高周波電源、２１…高周波印加装置、１２，１７，１８，２０及び２１…第２のプラズマ源、３０…リモートプラズマ発生装置（第１のプラズマ源）、３１…配管、３２〜３５…配管、３６〜３９…プラズマ発生源（第３のプラズマ源）。

Claims

プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法であって、
第1のプラズマ源にて、クリーニングガスを活性化させる工程と、
前記活性化されたクリーニングガスを、第３のプラズマ源にて再活性化させる工程と、
前記再活性化されたクリーニングガスを、第２のプラズマ源にて再々活性化させる工程と、
前記再々活性化されたクリーニングガスを、前記プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させることにより、該堆積物をガス化させる工程と、
前記再々活性化されたクリーニングガスと、前記堆積物とが反応したものを排気させる工程と、を含み、
前記第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源と前記第２のプラズマ源の間とをつなぐ複数の配管にそれぞれ設置され、かつ、該第３のプラズマ源は、該第１のプラズマ源よりも、前記プロセスチャンバーに近い位置に設けられていること、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。
請求項１記載において、
第２のプラズマ源にて再々活性化させる工程は、前記プロセスチャンバー内で、in-situプラズマ法にて、再々活性化することを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。
プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置であって、
クリーニングガスを活性化させる第1のプラズマ源と、
前記活性化されたクリーニングガスを再活性化させる第３のプラズマ源と、
前記再活性化されたクリーニングガスを再々活性化させる第２のプラズマ源と、
前記第２のプラズマ源を有する前記プロセスチャンバーと、
前記プロセスチャンバーにて前記再々活性化されたクリーニングガスと前記プロセスチャンバー内の堆積物との反応物を排気させる排気装置と、を含み、
前記第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源と前記第２のプラズマ源の間とをつなぐ複数の配管にそれぞれ設置され、かつ、該第３のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源よりも、前記プロセスチャンバーに近い位置に設けられていること、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置。