JP2005101309A - クリーニング方法及びクリーニング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CVD装置11のプロセスチャンバー12のクリーニング方法であって、リモートプラズマ発生装置30において活性化したガスを前記プロセスチャンバー12に導入し、該プロセスチャンバーにおいて更に前記ガスを活性化し、前記プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させ、排気するものである。
【選択図】 図1
Description
Claims (7)
- プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法であって、リモートプラズマ源において活性化したガスを前記プロセスチャンバーに導入し、該プロセスチャンバーにおいて前記ガスを再活性化し、前記プロセスチャンバー内の堆積物と反応させて、排気することを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。
- プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法であって、
プロセスチャンバーに供給するガスを第1のプラズマ源にて活性化する第1の活性化ステップと、
前記活性化したガスを第2のプラズマ源にて前記プロセスチャンバー内で再活性化する第2の活性化ステップと、
この第2の活性化ステップで再活性化したガスと前記プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させるステップと、
前記の反応したものを排気する排気ステップと、
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法であって、
さらに、前記の排気したガスを無害化する除害ステップを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。 - 請求項2又は3記載のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法であって、
さらに、前記第1の活性化ステップと前記第2の活性化ステップとの間に設けられ、前記第1のプラズマ源からの活性化ガスを複数の配管にて導出し、それぞれの配管に設けた複数の第3のプラズマ源でさらに活性化して前記第2の活性化ステップに移行させる第3の活性化ステップを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング方法。 - プラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置であって、
プロセスチャンバーに供給するガスを活性化する第1のプラズマ源と、
前記活性化したガスを前記プロセスチャンバー内にて、再活性化する第2のプラズマ源と、
この第2のプラズマ源で再活性化したガスと前記プロセスチャンバー内の堆積物とを反応させたものを排気する排気手段と、
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置。 - 請求項5記載のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置であって、
さらに、前記の排気したガスを無害化する除害装置を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置。 - 請求項5又は6記載のプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置であって、
さらに、前記第1のプラズマ源と前記第2のプラズマ源との間に設けられ、前記第1のプラズマ源からの活性化ガスを複数の配管にて導出し、それぞれの配管でさらに活性化して前記第2のプラズマ源に供給する第3のプラズマ源を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置のプロセスチャンバーのクリーニング装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003333553A JP3855982B2 (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | クリーニング方法及びクリーニング装置 |
US10/946,361 US20050082001A1 (en) | 2003-09-25 | 2004-09-21 | Cleaning method and cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003333553A JP3855982B2 (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | クリーニング方法及びクリーニング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005101309A true JP2005101309A (ja) | 2005-04-14 |
JP3855982B2 JP3855982B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=34461532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003333553A Expired - Fee Related JP3855982B2 (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | クリーニング方法及びクリーニング装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050082001A1 (ja) |
JP (1) | JP3855982B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006121117A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマクリーニング方法および成膜方法 |
WO2011141986A1 (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-17 | 株式会社アルバック | プラズマ成膜装置及び成膜方法 |
JP2012511104A (ja) * | 2008-12-04 | 2012-05-17 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入制御のための励起ガス注入 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7651955B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
US7601652B2 (en) * | 2005-06-21 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for treating substrates and films with photoexcitation |
US20060286819A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for silicon based dielectric deposition and clean with photoexcitation |
US20060286774A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials. Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
US7648927B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
JP4282650B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2009-06-24 | エルピーダメモリ株式会社 | プラズマ処理装置 |
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CN101796215A (zh) * | 2007-07-17 | 2010-08-04 | 应用材料股份有限公司 | 通过压力控制远程等离子体源改进清洁率 |
US8262800B1 (en) | 2008-02-12 | 2012-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning deposition reactors |
TWI386987B (zh) * | 2008-03-25 | 2013-02-21 | Advanced Semiconductor Eng | 電漿清洗裝置、用於電漿清洗裝置之載具及電漿清洗之方法 |
EP2311065B1 (en) * | 2008-07-09 | 2014-09-10 | TEL Solar AG | Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method |
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CN115210468B (zh) * | 2019-12-04 | 2024-09-10 | 阿特利耶博世股份有限公司 | 冗余泵送系统和利用此泵送系统的泵送方法 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2003
- 2003-09-25 JP JP2003333553A patent/JP3855982B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-21 US US10/946,361 patent/US20050082001A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3855982B2 (ja) | 2006-12-13 |
US20050082001A1 (en) | 2005-04-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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