JP2006202945A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体製造装置の排気能力の低下を抑制することにより、良好な膜質を形成することができるとともに排気管のクリーニング頻度を低減することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 プラズマCVD装置11は、ウエハ12に成膜処理を施すために用いられるチャンバ13と、チャンバ13内に成膜およびクリーニング処理するために用いるガスを導入する導入管16と、ガスを用いてプラズマを発生させる一対の上部及び下部電極22,19と、高周波電源14と、チャンバ13内のガスを排気するための排気管17とを有する。排気管17には、一対の第1及び第2排気管電極31,32が配設されている。クリーニングガス15bを用いて第1及び第2排気管電極31,32間にプラズマを発生させて、排気管17内に堆積した副生成物33と活性化した第2反応性ガス35とを反応させる。
【選択図】 図1
【解決手段】 プラズマCVD装置11は、ウエハ12に成膜処理を施すために用いられるチャンバ13と、チャンバ13内に成膜およびクリーニング処理するために用いるガスを導入する導入管16と、ガスを用いてプラズマを発生させる一対の上部及び下部電極22,19と、高周波電源14と、チャンバ13内のガスを排気するための排気管17とを有する。排気管17には、一対の第1及び第2排気管電極31,32が配設されている。クリーニングガス15bを用いて第1及び第2排気管電極31,32間にプラズマを発生させて、排気管17内に堆積した副生成物33と活性化した第2反応性ガス35とを反応させる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば、成膜処理に用いられる半導体製造装置に関する。
半導体製造装置の1つに、例えば、半導体基板上にシリコン酸化膜や窒化膜を形成するためのプラズマCVD装置がある。プラズマCVD装置100は、図3に示すように、半導体基板101に成膜処理を施すために用いられるチャンバ102と、チャンバ102内に成膜するためのガスを導入するガス導入口103と、チャンバ102内に設けられ成膜するためのガスを用いてプラズマを発生させる一対の電極104と、一対の電極104のうち一方の電極に接続された高周波電源105と、チャンバ102内の使用後のガスの排気に用いられる排気管106とを有する。
プラズマCVD装置100による成膜処理では、まずガス導入口103からチャンバ102内にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成するための原料ガスを導入し、次に高周波電源105によって一対の電極104に高周波電圧を印加することにより電極104間にプラズマを発生させ、次にプラズマが発生した所にある原料ガスを活性化し、半導体基板101上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜する。このとき、活性化した原料ガスがチャンバ102内に流れたことにより、チャンバ102の内壁102aや電極104などにシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が副生成物107となって付着する。この付着した副生成物107を除去するために、成膜処理のあとにクリーニング処理を行う(例えば、特許文献1)。
クリーニング処理は、ガス導入口103からチャンバ102内にクリーニングをするために用いられるクリーニングガスを導入し、電極104間にプラズマを発生させてチャンバ内壁102aや電極104に付着した副生成物107と活性化したクリーニングガスとを反応させて、付着した副生成物107の除去を行っている。
しかしながら、チャンバの内壁102aや電極104などプラズマによる活性化したクリーニングガスが行き届き易い範囲に付着した副生成物107は大半が除去されるが、上記一対の電極104から離れた排気管106に付着した副生成物107は、活性化したクリーニングガスが排気管106内に行き届きにくく除去しにくい。半導体基板101に成膜処理を繰り返し行ったことにより、排気管106の中に副生成物107が繰り返し堆積すると、排気管106の孔径が小さくなり、ガスの排気能力が低下する。排気能力が低下すると、成膜中の原料ガスを排気しにくくなり、これにより成膜する環境状態が劣化することがあった。環境状態が劣化して、半導体基板101上に成膜される膜質が悪化したことによる半導体基板101の不良を抑制するために、定期的にプラズマCVD装置100を停止して排気管106のクリーニングを実施しなければならず、稼働率が低下するという問題があった。
本発明は、このような従来の技術の有する未解決な課題に着目してなされたものであって、半導体製造装置の排気能力の低下を抑制することにより、良好な膜質を形成することができるとともに排気管のクリーニング頻度を低減することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体製造装置は、第1の膜が形成されるべき半導体基板を支持するためのチャンバと、前記第1の膜の基となる第1のガスへの電圧の印加によってプラズマを発生させることにより、第2の膜を発生しつつ、前記半導体基板に前記第1の膜を形成する一対の第1電極と、前記チャンバに接続され前記形成後の前記チャンバ内に残っている第1のガスを排気するための排気管と、前記排気管内に設けられ、前記排気のときに前記排気管の内周面に付着した前記第2の膜を除去するために、前記排気管内に導入されるクリーニング用の第2のガスを用いてプラズマを発生させる一対の第2電極と、を有する。
この構成によれば、排気管内に設けられている第2の電極によってクリーニング用の第2のガスを用いてプラズマを発生させることにより、排気管内に活性化したクリーニング用のガスを届かせ、これにより、半導体基板に繰り返し成膜処理したときに排気管内に付着して堆積した第2の膜と活性化したクリーニング用の第2のガスとを反応させやすくし、付着した第2の膜を除去する。この結果、排気管の孔径が狭くなることを抑制することができ、排気能力が低下することを抑制することができる。よって、半導体基板への成膜する環境状態を悪化させずに良好な膜質を形成することが可能となり、この結果、プラズマCVD装置を停止して排気管のクリーニングを行う頻度を低減することができ、稼働率の低下を抑制することができる。
本発明に係る半導体製造装置は、前記一対の第2の電極は、前記チャンバと前記排気管とが接続された領域近傍に設けられていることが望ましい。
この構成によれば、チャンバと排気管とが接続された領域近傍に一対の第2電極が設けられているので、活性化した成膜ガスがより接触しやすい所の排気管の口元に堆積した第2の膜を除去することが可能となる。よって、排気管の排気能力が低減することをより抑制することができる。
本発明に係る半導体製造装置は、前記一対の第2電極は、前記排気管の内周面内に埋め込まれていることが望ましい。
この構成によれば、排気管の内周面内に一対の第2電極が埋め込まれているので、排気管の孔径を狭くすることなく、チャンバ内のガスを外部に排気することが可能となる。よって、ガスの排気能力が低減することを抑制することができる。
以下、本発明に係る半導体製造装置の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、半導体製造装置としてのプラズマCVD装置の構造を示す模式断面図である。以下、プラズマCVD装置の構造を、図1を参照しながら説明する。
図1に示すように、プラズマCVD装置11は、半導体基板であるウエハ12に薄膜を形成するために用いられ、所定の温度及び真空状態(減圧状態)に維持されるチャンバ13と、高周波電源14と、第1のガスである生成ガス15aなどを導入する導入管16と、生成ガス15aなどを排気する排気管17と、チャンバ内のガスを外部に排出するための真空ポンプ18とを有する。
チャンバ13内の下方には、ウエハ12を載置するためのステージを構成する下部電極19が配置されている。下部電極19には、例えば、ウエハ12を固定するための吸引機構(図示せず)が設けられており、下部電極19の上面にウエハ12を密着固定することが可能となっている。また下部電極19には、下面略中央部に下部電極軸19aが接続されている。この下部電極軸19aは、チャンバ13の下面壁13aを貫通して配置されており、その一旦側がグランド電位20に接続されている。下部電極軸19aと下面壁13aとの間には、チャンバ13内を真空状態に確保するために、シーリングなどのシール材21が配設されている。
チャンバ13の下側には、排気口13bを介して、チャンバ13内のガスを排気するための排気管17が接続されている。排気管17には、チャンバ13内を真空状態(減圧状態)に維持したり、チャンバ13内のガスを外部に排出するための真空ポンプ18が接続されている。排出するガスは、チャンバ13内で成膜処理するときに使用した生成ガスや、チャンバ内をクリーニングするときに使用した第2のガスであるクリーニングガスである。チャンバ13内のガスは、排気管17を介して真空ポンプ18によって吸引される。
一方、チャンバ13内の上方には、下部電極19と向かい合わせの位置に上部電極22が設けられている。上部電極22には、その上面略中央部に上部電極軸22aが接続されている。上部電極軸22aは、チャンバ13の上面壁13cを貫通して配置されている。上部電極軸22aの一端側には、チャンバ13の外部に配設された高周波電源14が接続されている。上部電極22と下部電極19とは、プラズマを発生させるための一対の第1電極として用いられる。
上部電極軸22aには、例えば、生成ガス15aやクリーニングガス15bを導入するための導入管16が接続されている。導入管16から生成ガス15aやクリーニングガス15bを導入することにより、上部電極22からガス15a,15bを噴出すことが可能となっており、減圧状態に維持されたチャンバ13内には、生成ガス15aやクリーニングガス15bが充填されるようになっている。
生成ガス15aは、例えば、ウエハ12上にシリコン酸化(SiO2)膜を生成する場合には、モノシラン(SiH4)、一酸化ニ窒素(N2O)、窒素(N2)、酸素(O2)、アルゴン(Ar)等である。シリコン窒化(Si3N4)膜を形成する場合には、モノシラン(SiH4)、アンモニア(NH3)、窒素(N2)、酸素(O2)、アルゴン(Ar)等が挙げられる。つまり、生成ガス15aは、形成する膜に応じてそれぞれ変更して使用する。なお、導入管16を直接チャンバ13に接続することにより、上部電極22を介すことなくチャンバ13内にそれぞれのガスを導入するようにしてもよい。
高周波電源14は、チャンバ13内に導入したガスをプラズマ化(活性化)させるための高周波(RF)を発生させることが可能になっている。そして、高周波電源14によって発生した高周波(RF)を基に、上部電極22に高周波電界を発生させる。この電界をトリガとしてチャンバ13内に導入した、例えば生成ガス15aを励起させて、反応性の高いプラズマ状態(以下、「反応性ガス」という。)にする。そして、反応性ガスの作用によって、ウエハ12の表面にシリコン酸化膜を堆積させる。
一対の電極である上部電極22及び下部電極19と、高周波電源14とを含めてプラズマを発生させる装置となり、上部電極22と下部電極19との間にプラズマ放電を発生させることが可能となっている。
排気管17には、その内周面に一対の第2電極である第1排気管電極31と第2排気管電極32とが配設されている。第1及び第2排気管電極31,32は、排気管17のうち、第2の膜である副生成物が多く堆積する排気口13b近傍に設けられている。第1排気管電極31には、下部電極19と同様にグランド電位20が接続されている。第2排気管電極32には、上部電極22と同様に高周波電源14が接続されている。第1及び第2排気管電極31,32は、例えば、排気管17の内の凹状に湾曲した内周面に沿って埋め込まれている。よって、排気管17の孔径を狭くすることなくガスの排気を行うことが可能となっている。
一対の第1及び第2排気管電極31,32間にクリーニングガスを用いてプラズマを発生させることにより、活性化した反応性ガスを排気管17内に行き届かせることができる。よって、この反応性ガスと排気管17内に堆積した副生成物とを反応させることが可能となり、チャンバ13内に堆積した副生成物を除去する際に除去されなかった排気管17内の副生成物であっても、除去することができる。
図2は、プラズマCVD装置を用いてクリーニング処理を行う手順を示す工程図である。以下、プラズマCVD装置の排気管におけるクリーニング処理方法を、図2を参照しながら説明する。
図2に示すように、工程1では、ウエハ12に成膜処理を施す。まず、チャンバ13内の下部電極19上にウエハ12を載置して固定する。次に、真空ポンプ18によってチャンバ13内の気体を外部に排出することによって、チャンバ13内を一定の真空状態(減圧状態)に維持する。次に、導入管16から、例えば、シリコン酸化膜を成膜するための生成ガス15aを導入する。導入する生成ガス15aは、例えば、モノシラン(SiH4)、一酸化ニ窒素(N2O)、窒素(N2)、酸素(O2)、アルゴン(Ar)等である。
次に、高周波電源14によって発生した高周波(RF)を基に、上部電極22に高周波電界を発生させる。この電界をトリガとして、上部電極22と下部電極19との間に滞留する生成ガス15aを励起させて、活性化した反応性ガスにする。そして、反応性ガスの作用によって、ウエハ12の表面にシリコン酸化膜を堆積させる。
工程2では、ウエハ12への成膜処理に伴ってチャンバ13内に副生成物33が付着する。詳しくは、工程1によってウエハ12に成膜処理を施した際に、上部電極22及び下部電極19間の放電によって活性化した反応性ガスが、成膜すべきウエハ12以外のチャンバ13の内壁や上部及び下部電極22,19、排気管17内に接触し、副生成物33となって付着する。この副生成物33が、例えば、一定の厚みに堆積すると、自重や応力によって剥離したり飛散したりする。この副生成物33が、例えば、成膜するウエハ12に付着すると、回路の断線や短絡の原因となる。
工程3では、チャンバ13内の生成ガス15aを排気する。まず、導入管16からチャンバ13内への生成ガス15aの導入を停止する。次に、真空ポンプ18によって、チャンバ13内に滞留する生成ガス15a(使用後のガス)を排気管17を介して外部に排気する。このとき、活性化した反応性ガスが排気管17を通過する際に、排気管17の内周面に副生成物として更に付着する場合がある。生成ガス15aがチャンバ13内からなくなったあと、ウエハ12を排出する。
工程4では、チャンバ13内にクリーニングガス15bを導入する。なお、チャンバ13内に付着した副生成物33のクリーニング処理は、成膜処理を行うたびに実施してもよいし、数回の成膜処理を行ったあとに実施するようにしてもよい。まず、真空ポンプ18によって、チャンバ13内の気体を外部に排出することによって、チャンバ13内を一定の真空状態(減圧状態)に維持する。次に、導入管16からチャンバ13内に、クリーニングガス15bを導入する。クリーニングガス15bは、例えば、フッ素系のガスであり、三フッ化窒素(NF3)、六フッ化エタン(C2F6)、四フッ化炭素(CF4)などである。また、クリーニング効果を損なわない範囲で、例えば、副生成物33の量、厚み、組成などに応じて、酸素(O2)や不活性ガスであるアルゴン(Ar)などのガスを混合して用いてもよい。
工程5では、チャンバ13内及び排気管17内に堆積した副生成物33を除去するためのプラズマ処理(プラズマ洗浄)を行う。まず、高周波電源14によって発生した高周波を基に、上部電極22に高周波電界を発生させる。この電界をトリガとして、導入したクリーニングガス15bを励起させて、活性化した第1反応性ガス34にする。導入した、例えば三フッ化フッ素(NF3)などは、窒素(N2)やフッ素(F2)などに分解され、チャンバ13内壁や上部及び下部電極22,19に付着した副生成物33と反応する。
また、上記した上部及び下部電極22,19によってプラズマ処理を行うと同時に、第1及び第2排気管電極31,32によってプラズマ処理を行って、排気管17内に堆積した副生成物33の除去を行う。まず、排気管17の中に設けられた、第1排気管電極31と第2排気管電極32とによって、第1及び第2排気管電極31,32間に滞留するクリーニングガス15bを活性化させて、第2反応性ガス35にする。その後、第2反応性ガス35が、排気管17内に堆積した副生成物33に接触する。
工程6では、第1反応性ガス34及び第2反応性ガス35と接触した副生成物33を、例えば、揮発性の四フッ化ケイ素(SiF4)などとしてガス化し、真空ポンプ18によって排気管17を介して外部に排出する。その結果、チャンバ13内や上部及び下部電極22,19などとともに、排気管17内に堆積した副生成物33が除去される。
第1及び第2排気管電極31,32によって行うクリーニング処理は、成膜処理の都度行うようにしてもよいし、複数回の成膜処理の後に行うようにしてもよい。また、上部及び下部電極22,19によるクリーニング処理とは別に、排気管17の中だけをクリーニング処理するようにしてもよい。
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)本実施形態によれば、排気管17内に設けられている第1及び第2排気管電極31,32によってクリーニングガス15bを用いてプラズマを発生させることにより、排気管17内に活性化した第2反応性ガス35を届かせ、これにより、繰り返し成膜処理したときに堆積した排気管17内の副生成物33と活性化した第2反応性ガス35とを反応させやすくし、付着した副生成物33を除去する。この結果、排気管17の孔径が狭くなることを抑制することができ、排気能力の低下を抑制することができる。よって、ウエハ12への成膜する環境状態を悪化させずに良好な膜質を形成することが可能となり、この結果、プラズマCVD装置11を停止して排気管17のクリーニングを行う頻度を低減することができ、稼働率の低下を抑制することができる。
(1)本実施形態によれば、排気管17内に設けられている第1及び第2排気管電極31,32によってクリーニングガス15bを用いてプラズマを発生させることにより、排気管17内に活性化した第2反応性ガス35を届かせ、これにより、繰り返し成膜処理したときに堆積した排気管17内の副生成物33と活性化した第2反応性ガス35とを反応させやすくし、付着した副生成物33を除去する。この結果、排気管17の孔径が狭くなることを抑制することができ、排気能力の低下を抑制することができる。よって、ウエハ12への成膜する環境状態を悪化させずに良好な膜質を形成することが可能となり、この結果、プラズマCVD装置11を停止して排気管17のクリーニングを行う頻度を低減することができ、稼働率の低下を抑制することができる。
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
(変形例1)前記実施形態では、第1及び第2排気管電極31,32は、排気管17のうち、副生成物が多く堆積する排気口13b近傍に設けられていた。これを、副生成物33の堆積状態に応じて、排気管17の延在方向に沿って第1及び第2排気管電極31,32の配設範囲を広げるようにしてもよい。これによれば、広範囲に亘ってプラズマを発生させることが可能となり、排気管17に堆積する副生成物33をより多く除去することができるので、排気能力を低下させずにチャンバ13内のガスを外部に排気することができる。
(変形例1)前記実施形態では、第1及び第2排気管電極31,32は、排気管17のうち、副生成物が多く堆積する排気口13b近傍に設けられていた。これを、副生成物33の堆積状態に応じて、排気管17の延在方向に沿って第1及び第2排気管電極31,32の配設範囲を広げるようにしてもよい。これによれば、広範囲に亘ってプラズマを発生させることが可能となり、排気管17に堆積する副生成物33をより多く除去することができるので、排気能力を低下させずにチャンバ13内のガスを外部に排気することができる。
11…半導体製造装置であるプラズマCVD装置、12…半導体基板であるウエハ、13…チャンバ、13a…下面壁、13b…排気口、13c…上面壁、14…高周波電源、15a…第1のガスである生成ガス、15b…第2のガスであるクリーニングガス、16…導入管、17…排気管、18…真空ポンプ、19…第1電極を構成する下部電極、19a…下部電極軸、20…グランド電位、21…シール材、22…第1電極を構成する上部電極、22a…上部電極軸、31…第2電極を構成する第1排気管電極、32…第2電極を構成する第2排気管電極、33…第2の膜である副生成物、34…第1反応性ガス、35…第2反応性ガス。
Claims (3)
- 第1の膜が形成されるべき半導体基板を支持するためのチャンバと、
前記第1の膜の基となる第1のガスへの電圧の印加によってプラズマを発生させることにより、第2の膜を発生しつつ、前記半導体基板に前記第1の膜を形成する一対の第1電極と、
前記チャンバに接続され前記形成後の前記チャンバ内に残っている第1のガスを排気するための排気管と、
前記排気管内に設けられ、前記排気のときに前記排気管の内周面に付着した前記第2の膜を除去するために、前記排気管内に導入されるクリーニング用の第2のガスを用いてプラズマを発生させる一対の第2電極と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置であって、
前記一対の第2の電極は、前記チャンバと前記排気管とが接続された領域近傍に設けられていることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体製造装置であって、
前記一対の第2電極は、前記排気管の内周面内に埋め込まれていることを特徴とする半導体製造装置。
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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