KR101232085B1 - 박막증착장치의 세정장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전계 발광 소자의 보호막을 형성시키기 위해 박막증착장치를 이용할 시에 박막 형성부에 구비되는 UV 투과창을 효율적으로 세정시킬 수 있도록 개선된 플라즈마 유입관, 플라즈마 유도판, 플라즈마 유도셔터를 포함하는 것을 제공한다.
플라즈마 유입관, 플라즈마 유도판, 플라즈마 유도셔터

Description

박막증착장치의 세정장치{Cleaning apparatus of Apparatus for Making Thin Film}
도 1은 종래 박막증착장치의 개략적인 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 제 3 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도.
도 5는 도 4에 도시한 플라즈마 유도셔터의 플라즈마 유도홀을 확대하여 나타낸 정면도.
도 6은 도 4에 도시한 플라즈마 유도셔터의 플라즈마 유도홀을 확대하여 나타낸 측면도.
*도면의 주요부분에 대한 설명*
101 : 기판 102 : 챔버
104 : 기판 고정부 105 : 보호막
106 : 박막 형성부 106a : UV 투과창
106b : 히터 106c : 광매체
108 : 노즐부 110 : 플라즈마 발생부
112, 212 : 플라즈마 유입관 200, 300, 400 : 박막증착장치
314 : 플라즈마 유도판 412 : 플라즈마 유도셔터
412a : 플라즈마 유도홀
본 발명은 박막증착장치에 관한 것이다.
박막(Thin Film)이란, 기계가공으로는 실현 불가능한 두께 수 ㎛ 이하의 엷은 막을 말한다. 이에는, 수면의 기름막, 비누방울이 아롱진 막, 금속 표면의 녹, 함석, 생철의 아연막, 주석막 등이 속하지만, 이 밖에 여러 가지 금속이나 반도체 또는 절연물 등을 재료로 삼아 금속박막, 반도체박막, 절연박막, 화합물 반도체박막, 자성박막, 유전체박막, 집적회로, 초전도박막 등이 소정의 진공증착법("증기건조법"이라고도 함)을 위시하여 전기도금법, 기체 또는 액체 속의 산화법, 화합물 열분해법, 전자빔 증착법, 레이저빔 증착법 등에 의해 만들어진다.
물질은 박막상태가 되면 물리적, 화학적 성질이 크게 변한다.
예를 들면, 불에 타지 않는 금속도 박막으로 만들면 타는 경우가 있다. 박막화된 물질은 일반적으로 점성이 커지고 표면장력이 작아지며, 빛의 간섭에 의해 착색현상이 일어난다. 이러한 물질의 박막화 특성은 각종 이화학 원리의 실험이나 이화학기계 제작에 원용되고 있다.
한편, 실용적인 예로는 광학렌즈의 반사방지막이 유명하며, 전자장치의 초소형화 경향에 힘입어, 초소형 박막 전자회로의 제조 및 전자부품의 박막화가 활발히 추진되고 있다.
이처럼 박막화를 추진함으로써 제품은 소형, 경량화가 가능하게 되며, 박막화된 구조는 얇고 표면적이 커지기 때문에 열 발산이 좋아져서 큰 전력을 다룰 수 있다는 장점이 있다.
또한, 박막화 구조는 인덕턴스를 감소시키고, 고주파 특성을 좋게 하며, 얇고 치밀한 보호막으로서 성능이 뛰어나다.
자성체의 박막화는 히스테리시스 반전의 고속화를 가능하게 하고, 발광 박막같이 고휘도의 것을 만들 수 있는 등의 잇점이 있다.
또한, 박막화 구조는 재료가 적게 들고, 소형의 것을 동시에 대량 생산할 수 있는 잇점이 있다.
전술한 바와 같이, 반도체 박막은 통상적으로 증착에 의한 방법을 이용하여 제조된다.
증착은 도금 물질계 및 응고 방법에 따라 물리 증착 (physical vapor deposition : PVD)과 화학 증착(chemical vapor deposition; CVD)으로 나눈다.
이런 증착에는 여러 가지의 방법이 존재하지만, 산업체의 현장에서 주로 채용되는 방법으로는 진공증착(Vaccum Evaporation)과 증착도금(Deposition Plating)을 들 수 있다.
진공증착은 진공 중에서 코팅시키고자 하는 물질을 물리적 방법 또는 화학적 방법으로 기화 또는 승화시켜서 원자 또는 분자 단위로 기판 표면에 응고되도록 함으로써 피막을 형성시키는 방법이다.
이러한 진공증착 방식은 거의 모든 물품에 적용할 수 있다는 것이 장점이며, 심지어 천에 알루미늄을 붙이거나 플라스틱에 은을 붙일 수도 있다. 예를 들어, 광학렌즈의 반사방지 피막의 경우 플루오르화마그네슘 등을 대상 렌즈에 진공 증착시키는 경우가 있다.
또 다른 방법인 증착도금은 화학적 기상도금 또는 화학 증착이라고도 하며,고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술이다.
상세하게는, 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에서 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온 반응하고, 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속 화합물 층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데, 이때 Chamber상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착 방법이다.
이러한 증착 도금 방식은, 반도체 박막을 포함하여 근래에 활발히 제조되고 있는 평면디스플레이(Flat Panel Display)용 기판에도 널리 적용된다. 참고로, 평면디스플레이(Flat Panel Display)란 PDP, LCD 및 OLED 등을 모두 포함하는 용어로 정의한다.
여기서는, 평면디스플레이중 OLED(Organic Light Emitting Diodes)를 하나의 일예로 들어 반도체 박막을 형성하는 과정을 설명하기로 한다.
도 1은 종래 박막증착장치의 개략적인 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 하나의 일예인 VUV-CVD를 이용한 박막증착장치(100)는 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 노즐부(108), 플라즈마 발생부(110), 플라즈마 유입관(112)등이 설치된다.
먼저, 챔버(102)는 이후에 진술할 기판(101)상에 형성된 발광부(103)인 유기물을 수분 침투로부터 방지하기 위해서 보호막(passivation layer, 105)을 형성시키기 위한 하나의 수용부로 설치된다.
또한, 기판 고정부(104)는 기판 고정대(104a)와 기판 지지대(104b)가 구비되어, 전술한 발광부(103)인 유기물을 포함하고 있는 기판(101)을 지지 및 고정하게 된다.
또한, 박막 형성부(106)는 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비되어, 전술한 유기물인 발광부(103)를 포함하고 있는 기판(101)을 향해 빛을 조사하게 된다. 이때, 도시하지는 않았지만 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)중 어느 하나의 불활성 가스를 주입하게 된다.
또한, 노즐부(108)는 박막 형성부(106)에 의해서 조사된 보호막 증착 재료를 기판(101)상에 보호막으로 증착시킬 때, 국부적으로 발생하는 산소 침투를 방지하기 위하여 보호막의 표면을 균일하게 하는 소정의 염공을 구비하고, 이러한 염공을 통해서 기판(101)상의 발광부(103)에 수분 및 산소로부터 방지하는 침투 방지막인 SiO2, Si3N4, Al2O3, SiOC, SION등의 보호막(105)을 형성시키게 된다.
여기서, 종래 하나의 일예인 VUV-CVD 장치를 이용하여 보호막(105)을 형성시 킬 경우에는 막 증착 후 합성 석영(SiO2)등으로 제작된 UV 투과창(106a)을 플라즈마로 세정하는 공정이 필요하게 된다.
다시말하면, 플라즈마 발생부(110)에 내장된 소정 양의 플라즈마를 챔버(102) 내부로 보냄으로써, 챔버(102) 내부의 하부에 위치한 오염된 UV 투과창(106a)을 세정하게 된다.
그러나, 종래 하나의 일예인 VUV-CVD를 이용한 박막증착장치(100)는 플라즈마 유입관(112)이 플라즈마 발생부(110)와 챔버(102)의 길이방향으로 수평되게 설치되므로, 플라즈마 발생부(110)로부터 발생되어 플라즈마 유입부(112)로 유입된 플라즈마가 챔버내부로 유입될 경우에 오염된 UV 투과창(106a)을 세정하는 데에는 장시간이 걸리게 되고, 세정이 덜 된 UV 투과창(106a)을 더욱 깨끗하게 하기 위해서는 주기적으로 UV 투과창(106a)을 분리하여 세정액에 담그거나, 화약약품등을 이용하여 닦아주는 작업이 많이 필요하게 되므로 제조공정시간이 증가하게 되어 결국에는 제조비용의 상승을 불러오게 된다.
또한, 이러한 구조는 기판(101)에 조사된 자외선과 챔버(102)내에 주입된 가스의 반응으로 인하여 기판(101)의 표면에 박막이 형성되고, 기판(101) 뿐만 아니라 챔버(102)의 내벽 및 UV 투과창(106a)에도 박막이 형성된다. 이때, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되면 자외선의 투과율이 점점 나빠지게 되어 가스의 반응속도 및 증착재료의 반응속도가 낮아져 결국에는 기판(101)의 표면에 형성되는 보호막의 증착속도가 떨어지게 된다. 이에따라, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시 간이 증가하게 되어 제조비용의 상승을 불러오게 되고, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성은 떨어지게 된다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 전계 발광 소자의 보호막을 형성시키기 위해 박막증착장치를 이용할 시에, 박막 형성부에 구비되는 UV 투과창을 효율적으로 세정시킬 수 있도록 개선된 플라즈마 유입관, 플라즈마 유도판, 플라즈마 유도셔터를 구비함으로써, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시간을 단축시켜 제조비용의 상승을 억제시키는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 챔버와 챔버 내부에 설치된 박막 형성부 및 박막 형성부의 방향으로 마주보게 설치된 플라즈마 유입관을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 챔버 내벽의 하단에 박막 형성부가 설치되고, 챔버 외벽에 플라즈마 유입관이 박막 형성부의 방향으로 비스듬하게 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 형성부에 UV 투과창, 광매체, 히터가 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 유입관에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부가 연결되어 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 챔버와 챔버 내부로 플라즈마를 운송하는 플라즈마 유입관과 챔버 내부에 설치된 박막 형성부 및 플라즈마 유입관에서 운송된 플라즈마를 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도판을 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 챔버 내벽의 하단에 박막 형성부가 설치되고, 챔버 외벽에 플라즈마 유입관이 설치되며, 박막 형성부와 플라즈마 유입관의 사이에 위치하여 플라즈마 유입관을 감싸는 형태이면서 박막 형성부의 방향으로 비스듬하게 플라즈마 유도판이 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 형성부에 UV 투과창, 광매체, 히터가 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 유입관에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부가 연결되어 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 챔버와 챔버 내부에 설치된 박막 형성부 및 챔버 내부로 플라즈마를 운송하면서 플라즈마를 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도셔터를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 챔버 내벽의 하단에 박막 형성부가 설치되고, 챔버 외벽에 챔버의 길이방향과 수평이 되도록 플라즈마 유도셔터가 평행하게 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 형성부에 UV 투과창, 광매체, 히터가 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 유도셔터에 플라즈마를 공급하 는 플라즈마 발생부가 연결되어 설치되는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세히 설명하기로 한다.
<제 1 실시예>
도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 박막증착장치는 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치와 동일하게 설치된다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치는 플라즈마 발생부와 연결된 플라즈마 유입관이 박막 형성부의 방향으로 마주보도록 비스듬하게 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치를 자세하게 살펴보면 다음 도 2와 같다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치(200)는 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)와 동일하게 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 노즐부(108), 플라즈마 발생부(110), 플라즈마 유입관(212)등이 구비된다.
이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치(200)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들은 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들과 동일하므로, 이것들에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치(200)는 플라즈마 유입관(212)이 박막 형성부의 방향으로 마주보게 설치된다.
더욱 자세하게 말하면, 챔버(102) 내벽의 하단에 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비된 박막 형성부(106)가 설치되고, 챔버(102) 외벽에 플라즈마 유입관(212)이 박막 형성부(106)의 방향으로 비스듬하게 설치된다.
이와같은 본 발명에 따른 하나의 일예인 박막증착장치(200)는 플라즈마 유입관(212)이 플라즈마 발생부(110)와 비스듬하게 연결되어 박막 형성부(106)의 방향으로 마주보도록 설치되므로, 플라즈마 발생부(110)로부터 발생되어 플라즈마 유입관(212)으로 유입된 플라즈마가 챔버(102) 내부로 유입될 경우에, 오염된 UV 투과창(106a)을 직접적으로 유입시키게 되어 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 오염된 UV 투과창(106a)을 세정하는 데에 걸리는 시간을 단축시킬 수가 있게 된다.
이에따라, 세정이 덜 된 UV 투과창(106a)을 더욱 깨끗하게 하기 위해서 주기적으로 실시하는 UV 투과창(106a)을 분리하여 세정액에 담그는 작업, 혹은 화약약품등을 이용하여 닦아주는 작업의 소요시간을 단축시킬 수가 있으므로, 제조공정시간을 감소시켜 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있게 된다.
또한, 이러한 구조는 기판(101)에 조사된 자외선과 챔버(102)내에 주입된 가스의 반응으로 인하여 기판(101)의 표면, 챔버(102)의 내벽, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 특히, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 자외선의 투과율이 개선되어 가스의 반응속도 및 증착재료의 반응속도가 증가함으로써, 결국에는 기판(101)의 표면에 형성되는 보호막(105)의 증착속도가 빨라지게 된다.
이에따라, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시간을 단축시킬 수가 있어 제조비용의 상승을 억제할 수가 있고, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성은 향상된다.
한편, 본 발명에 따른 박막증착장치의 구조를 개선하여 박막 형성부에 구비된 UV 투과창을 세정시킬 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 다른 일예인 박막증착장치를 살펴보면 다음 도 3과 같다.
<제 2 실시예>
도 3은 본 발명에 따른 제 2 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 박막증착장치는 도 1 및 도 2에 도시하여 전술한 박막증착장치와 동일하게 설치된다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치는 플라즈마 유입관에서 운송된 플라즈마를 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도판이 더 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치를 살펴보면 다음 도 3과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치(300)는 도 1 및 도 2에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100, 도2의 200)와 동일하게 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 노즐부(108), 플라즈마 발생부(110), 플라즈마 유입관(112)등이 구비된다.
이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치(300)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들은 도 1 및 도 2에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100, 도2의 200)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들과 동일하므로, 이것들에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치(300)는 플라즈마 유입관(112)에서 운송된 플라즈마를 박막 형성부(106)의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도판(314)이 더 설치된다.
더욱 자세하게 말하면, 챔버(102) 내벽의 하단에 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비된 박막 형성부(106)가 설치되고, 챔버(102) 외벽에 플라즈마 유입관(112)이 설치되며, 박막 형성부(106)와 플라즈마 유입관(112)의 사이에 위치하여 플라즈마 유입관(112)을 감싸는 형태이면서 박막 형성부(106)의 방향으로 비스듬하게 플라즈마 유도판(314)이 설치된다.
이와같은 본 발명에 따른 다른 하나의 일예인 박막증착장치(300)는 플라즈마 유입관(112)이 플라즈마 발생부(110)와 챔버(102)의 길이방향과 수평이 되도록 평행하게 연결되고, 플라즈마 유도판(314)이 플라즈마 유입관(112)과 소정 간격으로 이격되어 플라즈마 유입관(112)을 감싸는 형태이면서 박막 형성부(106)의 방향으로 비스듬하게 설치된다. 이때, 플라즈마 발생부(110)로부터 발생되어 플라즈마 유입관(112)으로 유입된 플라즈마가 챔버(102) 내부로 유입될 경우에, 플라즈마 유도판(314)에 의해서 유입된 플라즈마가 굴절되어, 오염된 UV 투과창(106a)을 세정시키게 되므로, 이것역시 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 오염된 UV 투과창(106a)을 세정하는 데에 걸리는 시간을 단축시킬 수가 있게 된다.
이에따라, 세정이 덜 된 UV 투과창(106a)을 더욱 깨끗하게 하기 위해서 주기적으로 실시하는 UV 투과창(106a)을 분리하여 세정액에 담그는 작업, 혹은 화약약품등을 이용하여 닦아주는 작업의 소요시간을 단축시킬 수가 있으므로, 제조공정시간을 감소시켜 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있게 된다.
또한, 이러한 구조는 기판(101)에 조사된 자외선과 챔버(102)내에 주입된 가스의 반응으로 인하여 기판(101)의 표면, 챔버(102)의 내벽, UV 투과창(106a)에 박 막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 특히, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 이것역시 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 자외선의 투과율이 개선되어 가스의 반응속도 및 증착재료의 반응속도가 증가함으로써, 결국에는 기판(101)의 표면에 형성되는 보호막(105)의 증착속도가 빨라지게 된다.
이에따라, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시간을 단축시킬 수가 있어 제조비용의 상승을 억제할 수가 있고, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성은 향상된다.
한편, 본 발명에 따른 박막증착장치의 구조를 또 다르게 개선하여 박막 형성부에 구비된 UV 투과창을 세정시킬 수가 있는데, 이러한 본 발명에 따른 또 다른 일예인 박막증착장치를 살펴보면 다음 도 4와 같다.
<제 3실시예>
도 4는 본 발명에 따른 제 3 실시예로써, 박막증착장치의 개략적인 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 박막증착장치는 도 1 내지 도 3에 도시하여 전술한 박막증착장치와 동일하게 설치된다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치는 챔버 내부로 플라즈마를 운송하면서 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도셔터가 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치를 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치(400)는 도 1 및 도 2에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100, 도2의 200)와 동일하게 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 노즐부(108), 플라즈마 발생부(110), 플라즈 마 유도셔터(412)등이 구비된다.
이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치(400)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들은 도 1 및 도 2에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100, 도2의 200)의 각각의 구성요소들의 기능 및 그것들간의 유기적인 관계들과 동일하므로, 이것들에 대한 각각의 부연설명들은 이하 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치(400)는 챔버 내부로 플라즈마를 운송하면서 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도셔터(412)가 더 설치된다.
더욱 자세하게 말하면, 챔버(102) 내벽의 하단에 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비된 박막 형성부(106)가 설치되고, 챔버(102) 외벽에 챔버(102)의 길이방향과 수평이 되도록 플라즈마 유도셔터(412)가 평행하게 설치된다. 이때, 플라즈마 유도셔터(412)는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 하나의 원형을 이루는 몸체로 이루어지고, 그 내부에 플라즈마 유도홀(412a)이 형성되어 플라즈마 발생부(110)로부터 전송된 플라즈마를 박막 형성부(106)의 방향으로 보내게 된다.
이와같은 본 발명에 따른 또 다른 하나의 일예인 박막증착장치(400)는 플라즈마 유입관(112)이 플라즈마 발생부(110)와 챔버(102)의 길이방향과 수평이 되도록 평행하게 연결되고, 플라즈마 유도셔터(412)에 구비된 플라즈마 유도홀(412a)이 박막 형성부(106)의 방향으로 마주보게 형성되므로, 플라즈마 발생부(110)로부터 발생되어 플라즈마 유입관(112)으로 유입된 플라즈마가 챔버(102) 내부로 유입될 경우에, 플라즈마 유도셔터(412)에 구비된 플라즈마 유도홀(412a)에 의해서 유입된 플라즈마가 굴절되어, 오염된 UV 투과창(106a)을 세정시키게 되므로, 이것역시 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 오염된 UV 투과창(106a)을 세정하는 데에 걸리는 시간을 단축시킬 수가 있게 된다.
이에따라, 세정이 덜 된 UV 투과창(106a)을 더욱 깨끗하게 하기 위해서 주기적으로 실시하는 UV 투과창(106a)을 분리하여 세정액에 담그는 작업, 혹은 화약약품등을 이용하여 닦아주는 작업의 소요시간을 단축시킬 수가 있으므로, 제조공정시간을 감소시켜 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있게 된다.
또한, 이러한 구조는 기판(101)에 조사된 자외선과 챔버(102)내에 주입된 가스의 반응으로 인하여 기판(101)의 표면, 챔버(102)의 내벽, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 특히, UV 투과창(106a)에 박막이 형성되는 것을 최소화시키므로, 이것역시 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 자외선의 투과율이 개선되어 가스의 반응속도 및 증착재료의 반응속도가 증가함으로써, 결국에는 기판(101)의 표면에 형성되는 보호막(105)의 증착속도가 빨라지게 된다.
이에따라, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시간을 단축시킬 수가 있어 제조비용의 상승을 억제할 수가 있고, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성은 향상된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막증착장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 박막 형성부에 구비되는 UV 투과창을 효율적으로 세정시킬 수 있도록 개선된 플라즈마 유입관, 플라즈마 유도판, 플라즈마 유도셔터를 구비함으로써, 전계 발광 소자를 제작하기 위한 제조공정시간을 단축시켜 제조비용의 상승을 억제시킬 수 있는 효과가 있다.
둘째, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

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  9. 챔버와;
    상기 챔버 내부에 설치된 박막 형성부 및
    상기 챔버 내부로 플라즈마를 운송하면서 상기 플라즈마를 상기 박막 형성부의 방향으로 유도하는 플라즈마 유도셔터를 포함하는 박막증착장치의 세정장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 챔버 내벽의 하단에 상기 박막 형성부가 설치되고,
    상기 챔버 외벽에 상기 챔버의 길이방향과 수평이 되도록 상기 플라즈마 유도셔터가 평행하게 설치되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치의 세정장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 박막 형성부에 UV 투과창, 광매체, 히터가 구비되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치의 세정장치.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 플라즈마 유도셔터에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부가 연결되어 설치되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치의 세정장치.
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