JP2004241566A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【目的】本発明は、処理室にてウエハ処理が行われていない間、排気配管に付着した副生成物によるパーティクルが、処理室内に逆流するという問題を解決し、排気配管からの逆流物質による歩留まりの低下を低減する基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気する。
【選択図】 図1
【解決手段】基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はウエハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものであり、特にその排気システムに関わるものである。
【0002】
【従来技術】
半導体製造装置などの基板処理装置は、基板への異物混入を防止するため真空状態で基板処理が実施されており、そのため前記基板処理装置には、処理室内の雰囲気を排気する排気システムが設けられている。図5は従来の基板処理装置の排気システムの概略図である。
【0003】
図5において、排気システム3は、基板を処理する処理室201に接続される排気管231と、前記排気管231を開閉するバルブ2と、前記バルブ2の下流に設けた真空ポンプ246と、前記バルブ2の上流の排気管231に接続された大気圧ベントライン6と、前記大気圧ベントライン6を開閉するバルブ7と、前記バルブ2をバイパスするスロー排気ライン8と、前記スロー排気ライン8を開閉するバルブ9などから構成されている。ここで、処理室201の雰囲気が排気される方向に従って、処理室201側を上流と呼び、真空ポンプ246側を下流と呼ぶ。
【0004】
処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの混入や大気成分の混入を防止し、処理室201内の汚染を防止するために、処理室201は密閉され、図示しないガス供給ポートから不活性ガスが処理室201内に供給される。このとき、バルブ2及びバルブ9は閉じられ、バルブ7が開かれているので、ガス供給ポートから供給された不活性ガスは、不活性ガスの供給流量に従って、真空ポンプ246が接続されてない大気圧ベントライン6から排出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の排気システム3では、処理室201内を大気圧状態で不活性ガスにてパージし、前記不活性ガスは大気圧ベントライン6に向かって押し流されることになるので、大気圧ベントライン6や排気管231、スロー排気ライン8などの排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて処理室201内に逆流して、処理室内を汚染し、基板の歩留まりを悪化させる問題があった。即ち、前記大気圧ベントライン6からの不活性ガスの排出では、処理室から排気配管に向かう積極的なガスの流れが生じないので、排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて処理室201内に逆流しやすくなる。また、一般的に、配管内のガスの流速は、管の中心部分に比べて管の内壁部分が遅いため、大気圧ベントライン6の内壁に堆積した副生成物によるパーティクルが処理室側に逆流する可能性がさらに高くなり、パーティクルの処理室201への逆流がさらに増大する要因となっていた。
【0006】
そこで、本発明は、処理室にてウエハ処理が行われていない間、排気配管に付着した副生成物によるパーティクルが、処理室201内に逆流するという問題を解決し、排気配管からの逆流物質による歩留まりの低下を低減する基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決するため、本発明は、基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の基板処理装置の構成を図面を用いて説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図3は、本発明に適用される処理装置の外観斜視図である。尚、この図は透視図として描かれている。また、図4は図3に示す処理装置の側面図である。
【0009】
本発明の処理装置は、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したポッド(基板収納容器)100を、外部から筐体101内へ挿入するため、およびその逆に筐体101内から外部へ払出すためのI/Oステージ(保持具授受部材)105が筐体101の前面に付設され、筐体101内には挿入されたポッド100を保管するためのカセット棚(載置手段)109が敷設されている。また、ウエハ200の搬送エリアであり、後述のボート(基板保持手段)217のローディング、アンローディング空間となるN2パージ室(気密室)102が設けられている。ウエハ200に処理を行なうときのN2パージ室102の内部は、ウエハ200の自然酸化膜を防止するためにN2ガスなどの不活性ガスが充満されるように、N2パージ室102は密閉容器となっている。
【0010】
上述したポッド100としては、現在FOUPというタイプが主流で使用されており、ポッド100の一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことで大気からウエハ200を隔離して搬送でき、蓋体を取り去る事でポッド100内へウエハ200を入出させることができる。このポッド100の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とN2パージ室102の雰囲気とを連通させるために、N2パージ室102の前面側には、ポッドオープナ(開閉手段)108が設けられている。ポッドオープナ108、カセット棚109、およびI/Oステージ105間のポッド100の搬送は、カセット移載機114によって行なわれる。このカセット移載機114によるポッド100の搬送空間には、筐体101に設けられたクリーンユニット(図示せず)によって清浄化した空気をフローさせるようにしている。
【0011】
N2パージ室102の内部には、複数のウエハ200を多段に積載するボート217と、ウエハ200のノッチ(又はオリエンテーションフラット)の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置106と、ポッドオープナ108上のポッド100と基板位置合わせ装置106とボート217との間でウエハ200の搬送を行なうウエハ移載機(搬送手段)112とが設けられている。また、N2パージ室102の上部にはウエハ200を処理するための処理炉202が設けられており、ボート217はボートエレベータ(昇降手段)115によって処理炉202へローディング、又は処理炉202からアンローディングすることができる。
【0012】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。先ず、AGVやOHTなどにより筐体101の外部から搬送されてきたポッド100は、I/Oステージ105に載置される。I/Oステージ105に載置されたポッド100は、カセット移載機114によって、直接ポッドオープナ108上に搬送されるか、または、一旦カセット棚109にストックされた後にポッドオープナ108上に搬送される。ポッドオープナ108上に搬送されたポッド100は、ポッドオープナ108によってポッド100の蓋体を取外され、ポッド100の内部雰囲気がN2パージ室102の雰囲気と連通される。
【0013】
次に、ウエハ搬送機112によって、N2パージ室102の雰囲気と連通した状態のポッド100内からウエハ200を取出す。取出されたウエハ200は、基板位置合わせ装置106によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれ、位置合わせ後、ボート217へ搬送される。
【0014】
ボート217へのウエハ200の搬送が完了したならば、処理室201を密閉する炉口シャッタ116を開けて、ボートエレベータ115の昇降動作によりウエハ200を搭載したボート217を処理室内にローディングする。
その後、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施され、処理後は上述の逆の手順で、ウエハ200およびポッド100は筐体101の外部へ払出される。
【0015】
次に、本発明で用いる処理装置の処理炉202の詳細を図2に示す。
【0016】
図2に示すように、処理炉202は、アウタチューブ205よりなる反応管と、排気管231およびガス供給管232、170、171、172、173、174が設けられたマニホールド209と、マニホールド209の下端部(炉口161)を蓋し処理室201を密閉するシールキャップ219と、ウエハを多段に保持するウエハ保持体としてのボート217と、ボート217の回転機構156と、図示しないヒータ素線又は断熱部材よりなりウエハ200を加熱する加熱・断熱手段207と、各種バルブの開閉及び各種ガス流量制御手段等を制御する制御装置162等から構成される。
【0017】
この処理炉202の構成において、第1の処理ガスは、第1のガス供給源180から供給され、ガス流量制御手段としてのMFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187でその流量が調節された後、ガス供給管170、171、172、173、174より処理室201に導入される。第2の処理ガスは、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182から供給され、ガス流量制御手段としてのMFC188、MFC189でその流量が調節された後、ガス供給管232より処理室201に導入される。また、処理室201内の雰囲気は、前記排気管231に接続された排気装置(例えば真空ポンプ246)により、処理室201から排気される。
【0018】
次に図1において、本発明で用いる基板処理装置の排気システム4を説明する。
【0019】
図1において、排気システム4は、基板を処理する処理室201に接続される排気管231と、前記排気管231を開閉するバルブ2と、前記バルブ2の下流に設けた真空ポンプ246と、前記バルブ2の上流の排気管231に接続された大気圧ベントライン6と、前記大気圧ベントライン6を開閉するバルブ7と、前記バルブ2をバイパスするスロー排気ライン8と、前記スロー排気ライン8を開閉するバルブ9と、前記バルブ2をバイパスするバイパスライン10と、前記バイパスライン10を開閉するバルブ11などから構成されている。
【0020】
次に本発明で用いる基板処理装置による基板処理の一例を説明する。
【0021】
本発明は基板処理の一例として、ウエハなどの基板に、poly−SiGe膜を成膜する場合を説明する。
【0022】
未処理のウエハを保持したボート217は、前記ボート217の昇降動作により、処理室201に挿入される。次に、制御装置162からの命令によりバルブ9を開けて、処理室201内の雰囲気をスロー排気ライン8から徐々に排気し、処理室内圧力の急激な変化によるパーティクルの巻き上げを防止する。処理室201内が所定の圧力になった後、制御装置162からの命令により、バルブ2を開けて、処理室201の圧力を0.1Pa程度に減圧する。そして、前記制御装置162により加熱・断熱手段207を制御し、処理室201内の温度、ひいてはウエハ200の温度を500℃程度に維持する。その後、前記制御装置162からの命令により、前記回転機構156が駆動され、前記ボート217を所定の回転数で回転する。
【0023】
第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182には、処理ガスとして、それぞれGeH4、H2、SiH4が封入されており、それぞれのガス供給源にはMFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187、MFC188、MFC189が設けられている。前記制御装置162からの命令で、前記MFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187、MFC188、MFC189の開度が調節された後、ガス供給管を開閉するバルブ190、191、192、193、194、195、196が開かれる。処理ガスとしてH2又はHe希釈したSiH4ガスをガス供給管232から処理室201に供給し、GeH4ガスをガス供給管170、171、172、173、174から処理室201に供給し、50Pa程度の成膜圧力で、ウエハ200にpoly−SiGe膜を成膜する。
【0024】
上述のような基板処理が終了し、処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの混入や大気成分の混入を防止し、処理室201内の汚染を防止するために、処理室201は炉口シャッタ116又はシールキャップ219により密閉され、図示しないガス供給ポートから不活性ガスが処理室201内に供給される。このとき、制御装置162からの命令により、バルブ2、バルブ9、バルブ7を閉じ、バルブ11を開くようにするので、ガス供給ポートから供給された不活性ガスは、真空ポンプ246により吸引され、排気管231を通じて排気される。それゆえ、排気管231内に圧力勾配が形成され、処理室から排気配管に向かう不活性ガスの流れが生じるので、大気圧ベントライン6や排気管231、スロー排気ライン8などの排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルを処理室外へ排出できると共に、副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて逆流し、処理室201内を汚染することを防止できる。
【0025】
また、本発明によれば、処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの逆流を防止できるので、処理室内を清浄な雰囲気のままで維持でき、次回の基板処理に先立って、処理室内のパーティクルの排出処理を行う必要がなく、結果として、装置のスループットが向上する。
【0026】
なお、処理室201内の圧力は、ガス供給ポートから供給される不活性ガスの流量を制御して、大気圧、または若干の陰圧、若干の陽圧にしても良く、処理室201から排気管231へ向かう圧力勾配があればよい。また、バイパスライン10の管径は、使用条件により異なるが、不活性ガスの消費量の削減や処理室内のパーティクルの巻き上げなどを考慮し、排気コンダクタンスの小さな直径3mm程度のものを使用し、微量の排気量にて排気を行ってもよい。また、バイパスライン10には、排気コンダクタンスを調整するためのニードルバルブやオリフィス等の流量調節部材を設置し、圧力勾配を調整して、排気配管内に付着した副生成物などによるパーティクルが逆流しない程度の排気量に調節しても良い。また、ボートのローディングやアンローディングの際は、処理室201、N2パージ室102ともに略大気圧となっており、これら処理室201、N2パージ室102間の圧力差に起因するパーティクルの巻き上げを防止するため、処理室201へは微量の不活性ガスを供給(例えば1slm)し、バイパスライン10からの排気量も微量としている。また、大気圧ベントライン6は、比較的大きな管径を持っているため、例えば、装置メンテナンス時に処理室201内に大気が進入した後に処理室内を不活性ガスでパージする場合など、比較的大流量(例えば10slm)の不活性ガスを用いて処理室内をパージするときに使用する。
【0027】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気するようにしたので、排気管内に圧力勾配を形成でき、排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルの逆流を防止し、処理室内の汚染を防止できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【符号の説明】
2 バルブ
6 大気圧ベントライン
7 バルブ
8 スロー排気ライン
9 バルブ
10 バイパスライン
11 バルブ
201 処理室
202 処理炉
231 排気管
246 真空ポンプ
【産業上の利用分野】
本発明はウエハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものであり、特にその排気システムに関わるものである。
【0002】
【従来技術】
半導体製造装置などの基板処理装置は、基板への異物混入を防止するため真空状態で基板処理が実施されており、そのため前記基板処理装置には、処理室内の雰囲気を排気する排気システムが設けられている。図5は従来の基板処理装置の排気システムの概略図である。
【0003】
図5において、排気システム3は、基板を処理する処理室201に接続される排気管231と、前記排気管231を開閉するバルブ2と、前記バルブ2の下流に設けた真空ポンプ246と、前記バルブ2の上流の排気管231に接続された大気圧ベントライン6と、前記大気圧ベントライン6を開閉するバルブ7と、前記バルブ2をバイパスするスロー排気ライン8と、前記スロー排気ライン8を開閉するバルブ9などから構成されている。ここで、処理室201の雰囲気が排気される方向に従って、処理室201側を上流と呼び、真空ポンプ246側を下流と呼ぶ。
【0004】
処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの混入や大気成分の混入を防止し、処理室201内の汚染を防止するために、処理室201は密閉され、図示しないガス供給ポートから不活性ガスが処理室201内に供給される。このとき、バルブ2及びバルブ9は閉じられ、バルブ7が開かれているので、ガス供給ポートから供給された不活性ガスは、不活性ガスの供給流量に従って、真空ポンプ246が接続されてない大気圧ベントライン6から排出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の排気システム3では、処理室201内を大気圧状態で不活性ガスにてパージし、前記不活性ガスは大気圧ベントライン6に向かって押し流されることになるので、大気圧ベントライン6や排気管231、スロー排気ライン8などの排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて処理室201内に逆流して、処理室内を汚染し、基板の歩留まりを悪化させる問題があった。即ち、前記大気圧ベントライン6からの不活性ガスの排出では、処理室から排気配管に向かう積極的なガスの流れが生じないので、排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて処理室201内に逆流しやすくなる。また、一般的に、配管内のガスの流速は、管の中心部分に比べて管の内壁部分が遅いため、大気圧ベントライン6の内壁に堆積した副生成物によるパーティクルが処理室側に逆流する可能性がさらに高くなり、パーティクルの処理室201への逆流がさらに増大する要因となっていた。
【0006】
そこで、本発明は、処理室にてウエハ処理が行われていない間、排気配管に付着した副生成物によるパーティクルが、処理室201内に逆流するという問題を解決し、排気配管からの逆流物質による歩留まりの低下を低減する基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述した課題を解決するため、本発明は、基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の基板処理装置の構成を図面を用いて説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図3は、本発明に適用される処理装置の外観斜視図である。尚、この図は透視図として描かれている。また、図4は図3に示す処理装置の側面図である。
【0009】
本発明の処理装置は、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したポッド(基板収納容器)100を、外部から筐体101内へ挿入するため、およびその逆に筐体101内から外部へ払出すためのI/Oステージ(保持具授受部材)105が筐体101の前面に付設され、筐体101内には挿入されたポッド100を保管するためのカセット棚(載置手段)109が敷設されている。また、ウエハ200の搬送エリアであり、後述のボート(基板保持手段)217のローディング、アンローディング空間となるN2パージ室(気密室)102が設けられている。ウエハ200に処理を行なうときのN2パージ室102の内部は、ウエハ200の自然酸化膜を防止するためにN2ガスなどの不活性ガスが充満されるように、N2パージ室102は密閉容器となっている。
【0010】
上述したポッド100としては、現在FOUPというタイプが主流で使用されており、ポッド100の一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことで大気からウエハ200を隔離して搬送でき、蓋体を取り去る事でポッド100内へウエハ200を入出させることができる。このポッド100の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とN2パージ室102の雰囲気とを連通させるために、N2パージ室102の前面側には、ポッドオープナ(開閉手段)108が設けられている。ポッドオープナ108、カセット棚109、およびI/Oステージ105間のポッド100の搬送は、カセット移載機114によって行なわれる。このカセット移載機114によるポッド100の搬送空間には、筐体101に設けられたクリーンユニット(図示せず)によって清浄化した空気をフローさせるようにしている。
【0011】
N2パージ室102の内部には、複数のウエハ200を多段に積載するボート217と、ウエハ200のノッチ(又はオリエンテーションフラット)の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置106と、ポッドオープナ108上のポッド100と基板位置合わせ装置106とボート217との間でウエハ200の搬送を行なうウエハ移載機(搬送手段)112とが設けられている。また、N2パージ室102の上部にはウエハ200を処理するための処理炉202が設けられており、ボート217はボートエレベータ(昇降手段)115によって処理炉202へローディング、又は処理炉202からアンローディングすることができる。
【0012】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。先ず、AGVやOHTなどにより筐体101の外部から搬送されてきたポッド100は、I/Oステージ105に載置される。I/Oステージ105に載置されたポッド100は、カセット移載機114によって、直接ポッドオープナ108上に搬送されるか、または、一旦カセット棚109にストックされた後にポッドオープナ108上に搬送される。ポッドオープナ108上に搬送されたポッド100は、ポッドオープナ108によってポッド100の蓋体を取外され、ポッド100の内部雰囲気がN2パージ室102の雰囲気と連通される。
【0013】
次に、ウエハ搬送機112によって、N2パージ室102の雰囲気と連通した状態のポッド100内からウエハ200を取出す。取出されたウエハ200は、基板位置合わせ装置106によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれ、位置合わせ後、ボート217へ搬送される。
【0014】
ボート217へのウエハ200の搬送が完了したならば、処理室201を密閉する炉口シャッタ116を開けて、ボートエレベータ115の昇降動作によりウエハ200を搭載したボート217を処理室内にローディングする。
その後、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施され、処理後は上述の逆の手順で、ウエハ200およびポッド100は筐体101の外部へ払出される。
【0015】
次に、本発明で用いる処理装置の処理炉202の詳細を図2に示す。
【0016】
図2に示すように、処理炉202は、アウタチューブ205よりなる反応管と、排気管231およびガス供給管232、170、171、172、173、174が設けられたマニホールド209と、マニホールド209の下端部(炉口161)を蓋し処理室201を密閉するシールキャップ219と、ウエハを多段に保持するウエハ保持体としてのボート217と、ボート217の回転機構156と、図示しないヒータ素線又は断熱部材よりなりウエハ200を加熱する加熱・断熱手段207と、各種バルブの開閉及び各種ガス流量制御手段等を制御する制御装置162等から構成される。
【0017】
この処理炉202の構成において、第1の処理ガスは、第1のガス供給源180から供給され、ガス流量制御手段としてのMFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187でその流量が調節された後、ガス供給管170、171、172、173、174より処理室201に導入される。第2の処理ガスは、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182から供給され、ガス流量制御手段としてのMFC188、MFC189でその流量が調節された後、ガス供給管232より処理室201に導入される。また、処理室201内の雰囲気は、前記排気管231に接続された排気装置(例えば真空ポンプ246)により、処理室201から排気される。
【0018】
次に図1において、本発明で用いる基板処理装置の排気システム4を説明する。
【0019】
図1において、排気システム4は、基板を処理する処理室201に接続される排気管231と、前記排気管231を開閉するバルブ2と、前記バルブ2の下流に設けた真空ポンプ246と、前記バルブ2の上流の排気管231に接続された大気圧ベントライン6と、前記大気圧ベントライン6を開閉するバルブ7と、前記バルブ2をバイパスするスロー排気ライン8と、前記スロー排気ライン8を開閉するバルブ9と、前記バルブ2をバイパスするバイパスライン10と、前記バイパスライン10を開閉するバルブ11などから構成されている。
【0020】
次に本発明で用いる基板処理装置による基板処理の一例を説明する。
【0021】
本発明は基板処理の一例として、ウエハなどの基板に、poly−SiGe膜を成膜する場合を説明する。
【0022】
未処理のウエハを保持したボート217は、前記ボート217の昇降動作により、処理室201に挿入される。次に、制御装置162からの命令によりバルブ9を開けて、処理室201内の雰囲気をスロー排気ライン8から徐々に排気し、処理室内圧力の急激な変化によるパーティクルの巻き上げを防止する。処理室201内が所定の圧力になった後、制御装置162からの命令により、バルブ2を開けて、処理室201の圧力を0.1Pa程度に減圧する。そして、前記制御装置162により加熱・断熱手段207を制御し、処理室201内の温度、ひいてはウエハ200の温度を500℃程度に維持する。その後、前記制御装置162からの命令により、前記回転機構156が駆動され、前記ボート217を所定の回転数で回転する。
【0023】
第1のガス供給源180、第2のガス供給源181、第3のガス供給源182には、処理ガスとして、それぞれGeH4、H2、SiH4が封入されており、それぞれのガス供給源にはMFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187、MFC188、MFC189が設けられている。前記制御装置162からの命令で、前記MFC183、MFC184、MFC185、MFC186、MFC187、MFC188、MFC189の開度が調節された後、ガス供給管を開閉するバルブ190、191、192、193、194、195、196が開かれる。処理ガスとしてH2又はHe希釈したSiH4ガスをガス供給管232から処理室201に供給し、GeH4ガスをガス供給管170、171、172、173、174から処理室201に供給し、50Pa程度の成膜圧力で、ウエハ200にpoly−SiGe膜を成膜する。
【0024】
上述のような基板処理が終了し、処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの混入や大気成分の混入を防止し、処理室201内の汚染を防止するために、処理室201は炉口シャッタ116又はシールキャップ219により密閉され、図示しないガス供給ポートから不活性ガスが処理室201内に供給される。このとき、制御装置162からの命令により、バルブ2、バルブ9、バルブ7を閉じ、バルブ11を開くようにするので、ガス供給ポートから供給された不活性ガスは、真空ポンプ246により吸引され、排気管231を通じて排気される。それゆえ、排気管231内に圧力勾配が形成され、処理室から排気配管に向かう不活性ガスの流れが生じるので、大気圧ベントライン6や排気管231、スロー排気ライン8などの排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルを処理室外へ排出できると共に、副生成物などによるパーティクルが、排気管231を通じて逆流し、処理室201内を汚染することを防止できる。
【0025】
また、本発明によれば、処理室201にて基板処理が行われていない間、処理室201内へのパーティクルの逆流を防止できるので、処理室内を清浄な雰囲気のままで維持でき、次回の基板処理に先立って、処理室内のパーティクルの排出処理を行う必要がなく、結果として、装置のスループットが向上する。
【0026】
なお、処理室201内の圧力は、ガス供給ポートから供給される不活性ガスの流量を制御して、大気圧、または若干の陰圧、若干の陽圧にしても良く、処理室201から排気管231へ向かう圧力勾配があればよい。また、バイパスライン10の管径は、使用条件により異なるが、不活性ガスの消費量の削減や処理室内のパーティクルの巻き上げなどを考慮し、排気コンダクタンスの小さな直径3mm程度のものを使用し、微量の排気量にて排気を行ってもよい。また、バイパスライン10には、排気コンダクタンスを調整するためのニードルバルブやオリフィス等の流量調節部材を設置し、圧力勾配を調整して、排気配管内に付着した副生成物などによるパーティクルが逆流しない程度の排気量に調節しても良い。また、ボートのローディングやアンローディングの際は、処理室201、N2パージ室102ともに略大気圧となっており、これら処理室201、N2パージ室102間の圧力差に起因するパーティクルの巻き上げを防止するため、処理室201へは微量の不活性ガスを供給(例えば1slm)し、バイパスライン10からの排気量も微量としている。また、大気圧ベントライン6は、比較的大きな管径を持っているため、例えば、装置メンテナンス時に処理室201内に大気が進入した後に処理室内を不活性ガスでパージする場合など、比較的大流量(例えば10slm)の不活性ガスを用いて処理室内をパージするときに使用する。
【0027】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、基板を収容して処理する処理室と前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、前記排気管に第1のバルブを設け、前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、前記バイパスラインに第2のバルブを設け、前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気するようにしたので、排気管内に圧力勾配を形成でき、排気配管に付着した副生成物などによるパーティクルの逆流を防止し、処理室内の汚染を防止できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【符号の説明】
2 バルブ
6 大気圧ベントライン
7 バルブ
8 スロー排気ライン
9 バルブ
10 バイパスライン
11 バルブ
201 処理室
202 処理炉
231 排気管
246 真空ポンプ
Claims (1)
- 基板を収容して処理する処理室と
前記処理室に連結された排気管を有し、処理室内の雰囲気を排気する排気装置を有する基板処理装置において、
前記排気管に第1のバルブを設け、
前記第1のバルブをバイパスするバイパスラインを設け、
前記バイパスラインに第2のバルブを設け、
前記処理室にて、基板処理が行われていない間、前記第2のバルブを開き、前記排気管内の雰囲気を排気すること
を特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003028462A JP2004241566A (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003028462A JP2004241566A (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241566A true JP2004241566A (ja) | 2004-08-26 |
Family
ID=32955929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003028462A Pending JP2004241566A (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004241566A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073541A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2009158820A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
US7883581B2 (en) | 2008-04-14 | 2011-02-08 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
-
2003
- 2003-02-05 JP JP2003028462A patent/JP2004241566A/ja active Pending
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