JPH0774104A - 反応炉 - Google Patents
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- JPH0774104A JPH0774104A JP23910593A JP23910593A JPH0774104A JP H0774104 A JPH0774104 A JP H0774104A JP 23910593 A JP23910593 A JP 23910593A JP 23910593 A JP23910593 A JP 23910593A JP H0774104 A JPH0774104 A JP H0774104A
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- reaction gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、成膜プロセスの終了後、反応ガス管
内に反応ガスを滞留させることなく、さらに次の成膜プ
ロセス開始を速やかに成し得るようにする。 【構成】吹出口１０Ａ及び１０Ｂに真空弁１３Ａ及び１
３Ｂを設置した反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂ内を真空引
管１１Ａ及び１１Ｂにより真空引きし、さらに反応ガス
供給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガス供給管１２Ａ及び１
２Ｂから不活性ガスを供給することにより、反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内の残留ガスを短時間内に十分に排除
し得る。
内に反応ガスを滞留させることなく、さらに次の成膜プ
ロセス開始を速やかに成し得るようにする。 【構成】吹出口１０Ａ及び１０Ｂに真空弁１３Ａ及び１
３Ｂを設置した反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂ内を真空引
管１１Ａ及び１１Ｂにより真空引きし、さらに反応ガス
供給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガス供給管１２Ａ及び１
２Ｂから不活性ガスを供給することにより、反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内の残留ガスを短時間内に十分に排除
し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図４） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１） 作用 実施例（図１〜図３） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は反応炉に関し、例えば減
圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置に適用して
好適なものである。
圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置に適用して
好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ製造工程において、
シリコン基板上に薄膜形成する場合、例えば図４に示す
ような縦型減圧ＣＶＤ装置１が用いられる。この縦型減
圧ＣＶＤ装置１はチヤンバ２の内側に反応ガスが導入さ
れるインナーチユーブ３を設け、この中で気相の化学反
応による薄膜形成がなされる。ここでウエハの搬入及び
搬出は、反応炉の下面に位置する蓋４の取り付けられた
炉口５からなされる。
シリコン基板上に薄膜形成する場合、例えば図４に示す
ような縦型減圧ＣＶＤ装置１が用いられる。この縦型減
圧ＣＶＤ装置１はチヤンバ２の内側に反応ガスが導入さ
れるインナーチユーブ３を設け、この中で気相の化学反
応による薄膜形成がなされる。ここでウエハの搬入及び
搬出は、反応炉の下面に位置する蓋４の取り付けられた
炉口５からなされる。
【０００４】また縦型減圧ＣＶＤ装置１の下部には、真
空ポンプ（図示せず）によりチヤンバ２内の排気及び真
空引きをするようにされた排気管６が配管され、さらに
化学気相成長させる気体を導入する反応ガス管７Ａ及び
７Ｂとが配管されている。ここで排気管６とチヤンバ２
との間及び反応ガス管７Ａ及び７Ｂのチヤンバ２内への
入口部のフランジ８とチヤンバ２との間は、オーリング
９により真空シールされている。
空ポンプ（図示せず）によりチヤンバ２内の排気及び真
空引きをするようにされた排気管６が配管され、さらに
化学気相成長させる気体を導入する反応ガス管７Ａ及び
７Ｂとが配管されている。ここで排気管６とチヤンバ２
との間及び反応ガス管７Ａ及び７Ｂのチヤンバ２内への
入口部のフランジ８とチヤンバ２との間は、オーリング
９により真空シールされている。
【０００５】例えば縦型減圧ＣＶＤ装置１において、ジ
クロルシラン及びアンモニアの２種類の反応ガスを使用
して薄膜形成した場合、成膜プロセス終了後、２種類の
反応ガスをそれぞれ供給した反応ガス管７Ａ及７Ｂは、
チヤンバ２内に配管されている窒素ガス管（図示せず）
より供給される窒素ガス等が反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内
に流入することにより管内の反応ガスの排除がなされて
いた。
クロルシラン及びアンモニアの２種類の反応ガスを使用
して薄膜形成した場合、成膜プロセス終了後、２種類の
反応ガスをそれぞれ供給した反応ガス管７Ａ及７Ｂは、
チヤンバ２内に配管されている窒素ガス管（図示せず）
より供給される窒素ガス等が反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内
に流入することにより管内の反応ガスの排除がなされて
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来のような
チヤンバ２内からの窒素ガス等のみによる管内の反応ガ
ス排除の方法では、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内に微量の
反応ガスが残留することになり、この残留ガスが反応ガ
ス管７Ａ及び７Ｂ内部からチヤンバ２内へ漏れ出し、チ
ヤンバ２内の反応ガス管７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及
び１０Ｂ下部に位置するフランジ８付近において化学反
応による反応物を付着させるようになる。こうしてでき
た反応物は、比較的低い温度(200〔℃〕程度) において
反応生成されるため、反応物としては脆く剥がれやす
い。このためこの反応物が、成膜プロセスの最中に剥が
れチヤンバ２内にパーテイクルとして飛散することがあ
る。さらに反応ガス中に含まれる塩素及び水分等の化学
反応によりガス管が腐食することもあり、この腐食によ
る錆もパーテイクルとなつてチヤンバ２内を汚染するこ
とになる。
チヤンバ２内からの窒素ガス等のみによる管内の反応ガ
ス排除の方法では、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内に微量の
反応ガスが残留することになり、この残留ガスが反応ガ
ス管７Ａ及び７Ｂ内部からチヤンバ２内へ漏れ出し、チ
ヤンバ２内の反応ガス管７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及
び１０Ｂ下部に位置するフランジ８付近において化学反
応による反応物を付着させるようになる。こうしてでき
た反応物は、比較的低い温度(200〔℃〕程度) において
反応生成されるため、反応物としては脆く剥がれやす
い。このためこの反応物が、成膜プロセスの最中に剥が
れチヤンバ２内にパーテイクルとして飛散することがあ
る。さらに反応ガス中に含まれる塩素及び水分等の化学
反応によりガス管が腐食することもあり、この腐食によ
る錆もパーテイクルとなつてチヤンバ２内を汚染するこ
とになる。
【０００７】そこで従来は、これら付着された反応物を
成膜プロセス終了後に手作業により除去していたのであ
るが、除去作業中にチヤンバ２内の高温にさらされると
いう問題があつた。また残留ガスを排除するために成膜
プロセス終了後に、チヤンバ２内を排気管６より真空引
きし、チヤンバ２内及び反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の残
留ガスを排除するという方法も考えられるが、チヤンバ
２内の全容量を真空引きし、さらに真空解除するという
作業には大変時間がかかり、生産効率を著しく低下させ
るので生産工程には導入できないという問題があつた。
成膜プロセス終了後に手作業により除去していたのであ
るが、除去作業中にチヤンバ２内の高温にさらされると
いう問題があつた。また残留ガスを排除するために成膜
プロセス終了後に、チヤンバ２内を排気管６より真空引
きし、チヤンバ２内及び反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の残
留ガスを排除するという方法も考えられるが、チヤンバ
２内の全容量を真空引きし、さらに真空解除するという
作業には大変時間がかかり、生産効率を著しく低下させ
るので生産工程には導入できないという問題があつた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、成膜プロセスの終了後、反応ガス管内に反応ガスを
滞留させることなく、さらに次の成膜プロセス開始を速
やかに成し得る反応炉を提案しようとするものである。
で、成膜プロセスの終了後、反応ガス管内に反応ガスを
滞留させることなく、さらに次の成膜プロセス開始を速
やかに成し得る反応炉を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、化学反応に用いる所定の原料ガス
を反応室２内に供給する反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂに
継ぎ合わされ、この反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂと真空
排気手段６とを連結する管状の真空引管１２と、反応ガ
ス供給管７Ａ及び７Ｂに継ぎ合わされ、この反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガスを供給する管状の不活
性ガス供給管１３Ａ及び１３Ｂとを備えるようにする。
め本発明においては、化学反応に用いる所定の原料ガス
を反応室２内に供給する反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂに
継ぎ合わされ、この反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂと真空
排気手段６とを連結する管状の真空引管１２と、反応ガ
ス供給管７Ａ及び７Ｂに継ぎ合わされ、この反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガスを供給する管状の不活
性ガス供給管１３Ａ及び１３Ｂとを備えるようにする。
【００１０】
【作用】吹出口１０Ａ及び１０Ｂに逆止弁１４Ａ及び１
４Ｂを設置した反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂ内を真空引
管１２Ａ及び１２Ｂにより真空引きし、さらに反応ガス
供給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガス供給管１３Ａ及び１
３Ｂから不活性ガスを供給することにより、反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内の残留ガスを短時間内に十分に排除
し得る。
４Ｂを設置した反応ガス供給管７Ａ及び７Ｂ内を真空引
管１２Ａ及び１２Ｂにより真空引きし、さらに反応ガス
供給管７Ａ及び７Ｂ内に不活性ガス供給管１３Ａ及び１
３Ｂから不活性ガスを供給することにより、反応ガス供
給管７Ａ及び７Ｂ内の残留ガスを短時間内に十分に排除
し得る。
【００１１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１２】図４との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、１１は縦型減圧ＣＶＤ装置を示し、ジク
ロルシランを供給する反応ガス管７Ａ及びアンモニアを
供給する反応ガス管７Ｂに反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の
残存ガスの排除を目的とした真空引管１２Ａ及び１２Ｂ
と新たに配管した窒素ガス管１３Ａ及び１３Ｂとを継ぎ
合わせ、さらに反応ガス管７の吹出口１０Ａ及び１０Ｂ
に逆止弁１４Ａ及び１４Ｂを取り付けたことを除いて、
両装置は同様の構成を有する。
図１において、１１は縦型減圧ＣＶＤ装置を示し、ジク
ロルシランを供給する反応ガス管７Ａ及びアンモニアを
供給する反応ガス管７Ｂに反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の
残存ガスの排除を目的とした真空引管１２Ａ及び１２Ｂ
と新たに配管した窒素ガス管１３Ａ及び１３Ｂとを継ぎ
合わせ、さらに反応ガス管７の吹出口１０Ａ及び１０Ｂ
に逆止弁１４Ａ及び１４Ｂを取り付けたことを除いて、
両装置は同様の構成を有する。
【００１３】真空引管１２Ａ及び１２Ｂは、反応ガス管
７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２とチヤンバ２との間
の位置に継ぎ合わせられ、この真空引管１２Ａ及び１２
Ｂが排気管６と連結されることにより、排気管６に接続
された真空ポンプにより管内が吸引され、反応ガス管７
Ａ及び７Ｂ内を真空引きできるようになされている。す
なわち反応ガス管７Ａには真空引管１２Ａが、反応ガス
管７Ｂには真空引管１２Ｂが継ぎ合わされており、それ
ぞれ真空引管１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びバルブ
Ｖ６の開閉により、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内からの真
空引管１２Ａ及び１２Ｂへのガスの流出が制御されるよ
うになされている。
７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２とチヤンバ２との間
の位置に継ぎ合わせられ、この真空引管１２Ａ及び１２
Ｂが排気管６と連結されることにより、排気管６に接続
された真空ポンプにより管内が吸引され、反応ガス管７
Ａ及び７Ｂ内を真空引きできるようになされている。す
なわち反応ガス管７Ａには真空引管１２Ａが、反応ガス
管７Ｂには真空引管１２Ｂが継ぎ合わされており、それ
ぞれ真空引管１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びバルブ
Ｖ６の開閉により、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内からの真
空引管１２Ａ及び１２Ｂへのガスの流出が制御されるよ
うになされている。
【００１４】さらに窒素ガスを供給する窒素ガス管１３
Ａ及び１３Ｂを反応ガス管７Ａ及び７Ｂのそれぞれのバ
ルブＶ１及びＶ２とチヤンバ２との間の位置に継ぎ合わ
せ、反応ガス管７Ａ及び７Ｂに窒素ガスが供給できるよ
うになされている。すなわち反応ガス管７Ａには窒素ガ
ス管１３Ａが、反応ガス管７Ｂには窒素ガス管１３Ｂが
継ぎ合わされており、それぞれ窒素ガス管１３Ａ及び１
３Ｂのバルブ３及びバルブＶ４の開閉により、反応ガス
管７Ａ及び７Ｂ内への窒素ガス管１３Ａ及び１３Ｂから
の窒素ガスの流入が制御されるようになされている。
Ａ及び１３Ｂを反応ガス管７Ａ及び７Ｂのそれぞれのバ
ルブＶ１及びＶ２とチヤンバ２との間の位置に継ぎ合わ
せ、反応ガス管７Ａ及び７Ｂに窒素ガスが供給できるよ
うになされている。すなわち反応ガス管７Ａには窒素ガ
ス管１３Ａが、反応ガス管７Ｂには窒素ガス管１３Ｂが
継ぎ合わされており、それぞれ窒素ガス管１３Ａ及び１
３Ｂのバルブ３及びバルブＶ４の開閉により、反応ガス
管７Ａ及び７Ｂ内への窒素ガス管１３Ａ及び１３Ｂから
の窒素ガスの流入が制御されるようになされている。
【００１５】ここでチヤンバ２内に引き込まれた反応ガ
ス管７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及び１０Ｂには、それ
ぞれに小型の逆止弁１４Ａ及び１４Ｂが取り付けられて
おり、この逆止弁１４Ａ及び１４Ｂは反応ガス管７Ａ及
び７Ｂ内の圧力が0.02〔 kg/cm2 〕以下の場合において
は、常に閉じられており、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の
圧力が0.02〔 kg/cm2 〕以上になると開くように設定さ
れている。従つて反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内が真空引き
された場合は、管内の圧力が負の圧力になるため逆止弁
１４Ａ及び１４Ｂは閉じられたままということになる。
これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂの特定の区間、すな
わち反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂの間の区間を真空引きすることが
できる。
ス管７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及び１０Ｂには、それ
ぞれに小型の逆止弁１４Ａ及び１４Ｂが取り付けられて
おり、この逆止弁１４Ａ及び１４Ｂは反応ガス管７Ａ及
び７Ｂ内の圧力が0.02〔 kg/cm2 〕以下の場合において
は、常に閉じられており、反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内の
圧力が0.02〔 kg/cm2 〕以上になると開くように設定さ
れている。従つて反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内が真空引き
された場合は、管内の圧力が負の圧力になるため逆止弁
１４Ａ及び１４Ｂは閉じられたままということになる。
これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂの特定の区間、すな
わち反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂの間の区間を真空引きすることが
できる。
【００１６】以上の構成において、図２に示すようなタ
イミングチヤートを用いて、縦型減圧ＣＶＤ装置１１に
よる成膜プロセスの場合を例にとり、反応ガス管７Ａ及
び７Ｂ内の残留ガス排除の動作手順を各管のバルブ開閉
動作を中心に説明する。最初の作業待機のときには、各
管にそれぞれ設置された７個のバルブのうち、真空引管
１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びＶ６のみが開けられ
る。これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内が真空引管１
２Ａ及び１２Ｂに接続された真空ポンプにより真空引き
されることになる。
イミングチヤートを用いて、縦型減圧ＣＶＤ装置１１に
よる成膜プロセスの場合を例にとり、反応ガス管７Ａ及
び７Ｂ内の残留ガス排除の動作手順を各管のバルブ開閉
動作を中心に説明する。最初の作業待機のときには、各
管にそれぞれ設置された７個のバルブのうち、真空引管
１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びＶ６のみが開けられ
る。これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂ内が真空引管１
２Ａ及び１２Ｂに接続された真空ポンプにより真空引き
されることになる。
【００１７】このとき逆止弁１４Ａ及び１４Ｂには負の
圧力がかかるので、逆止弁１４Ａ及び１４Ｂは閉じたま
まの状態となり、これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂの
バルブＶ１及びＶ２と逆止弁１４Ａ及び１４Ｂの間の特
定区間内が真空引きされ、この区間内の残留ガスが排除
されることになる。またこの特定区間内は、小容量なの
で真空引きは短時間のうちに完了する。これによりチヤ
ンバ２内に残留ガスが拡散するおそれがなくなり、フラ
ンジ８付近に反応ガスによる反応物が付着することもな
くなる。ここで排気管６及び真空引管１２Ａ及び１２Ｂ
に共通に取り付けられた真空ポンプは、作業待機期間と
作業期間を通じて常時動作状態にあり、これによつてチ
ヤンバ２内と反応ガス管７Ａ及び７Ｂとを真空引きする
ようになされている。
圧力がかかるので、逆止弁１４Ａ及び１４Ｂは閉じたま
まの状態となり、これにより反応ガス管７Ａ及び７Ｂの
バルブＶ１及びＶ２と逆止弁１４Ａ及び１４Ｂの間の特
定区間内が真空引きされ、この区間内の残留ガスが排除
されることになる。またこの特定区間内は、小容量なの
で真空引きは短時間のうちに完了する。これによりチヤ
ンバ２内に残留ガスが拡散するおそれがなくなり、フラ
ンジ８付近に反応ガスによる反応物が付着することもな
くなる。ここで排気管６及び真空引管１２Ａ及び１２Ｂ
に共通に取り付けられた真空ポンプは、作業待機期間と
作業期間を通じて常時動作状態にあり、これによつてチ
ヤンバ２内と反応ガス管７Ａ及び７Ｂとを真空引きする
ようになされている。
【００１８】作業開始になると、真空引管１２Ａ及び１
２ＢのバルブＶ５及びＶ６が閉じられ窒素ガス管１３Ａ
及び１３ＢのバルブＶ３及びＶ４が開かれることによ
り、反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂ間に窒素ガスが導かれ、これによ
りガス管内の残留ガスが排除される。またこれにより反
応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆止弁１
４Ａ及び１４Ｂ間に酸素等の気体が侵入するのが防がれ
ることになる。
２ＢのバルブＶ５及びＶ６が閉じられ窒素ガス管１３Ａ
及び１３ＢのバルブＶ３及びＶ４が開かれることによ
り、反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂ間に窒素ガスが導かれ、これによ
りガス管内の残留ガスが排除される。またこれにより反
応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆止弁１
４Ａ及び１４Ｂ間に酸素等の気体が侵入するのが防がれ
ることになる。
【００１９】この状態において成膜プロセスを目的とす
るウエハがチヤンバ２内に炉口５より搬入され、チヤン
バ２の蓋４が閉じられると、窒素ガス管１３Ａ及び１３
ＢのバルブＶ３及びＶ４が閉じられる。次に排気管６の
バルブＶ７が開けられ、チヤンバ２内は所定の真空状態
(7.5×10-2〜7.5 〔 Torr 〕) にまで達するようにされ
る。チヤンバ２内が所定の真空状態になつた所で、反応
ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２を開けて反応
ガスをチヤンバ２内に供給させることにより成膜プロセ
スが開始される。
るウエハがチヤンバ２内に炉口５より搬入され、チヤン
バ２の蓋４が閉じられると、窒素ガス管１３Ａ及び１３
ＢのバルブＶ３及びＶ４が閉じられる。次に排気管６の
バルブＶ７が開けられ、チヤンバ２内は所定の真空状態
(7.5×10-2〜7.5 〔 Torr 〕) にまで達するようにされ
る。チヤンバ２内が所定の真空状態になつた所で、反応
ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２を開けて反応
ガスをチヤンバ２内に供給させることにより成膜プロセ
スが開始される。
【００２０】成膜プロセスが終了すると、反応ガス管７
Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と排気管６のバルブＶ
７が閉じられ、従来より設置されている窒素ガス管（図
示せず）から窒素ガスが供給され、これによりチヤンバ
２内の真空が解除される。ここで成膜プロセスの終了し
たウエハは、炉口５よりチヤンバ２外へ搬出されるこに
なる。これと並行して成膜プロセス終了後、反応ガス管
７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２が閉じられると、真
空引管１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びＶ６が開けら
れ、反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂ間の特定区間が真空引きされるこ
とにより、チヤンバ２は当初の作業待機状態に戻る。さ
らに引き続いて窒素ガスによる反応ガス管７Ａ及び７Ｂ
内のガス排除がなされ、以下上述したのと同様の作業が
繰り返されることにより、成膜プロセスが連続してなさ
れていくことになる。
Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と排気管６のバルブＶ
７が閉じられ、従来より設置されている窒素ガス管（図
示せず）から窒素ガスが供給され、これによりチヤンバ
２内の真空が解除される。ここで成膜プロセスの終了し
たウエハは、炉口５よりチヤンバ２外へ搬出されるこに
なる。これと並行して成膜プロセス終了後、反応ガス管
７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２が閉じられると、真
空引管１２Ａ及び１２ＢのバルブＶ５及びＶ６が開けら
れ、反応ガス管７Ａ及び７ＢのバルブＶ１及びＶ２と逆
止弁１４Ａ及び１４Ｂ間の特定区間が真空引きされるこ
とにより、チヤンバ２は当初の作業待機状態に戻る。さ
らに引き続いて窒素ガスによる反応ガス管７Ａ及び７Ｂ
内のガス排除がなされ、以下上述したのと同様の作業が
繰り返されることにより、成膜プロセスが連続してなさ
れていくことになる。
【００２１】以上の構成によれば、作業待機の期間中に
おいても、成膜プロセス終了後、直ちに反応ガス管７内
を真空引きし、さらに窒素ガスにより反応ガス管７内の
ガス排除がなされることにより、反応ガス管７内に反応
ガスが残留することがなくなり、これにより反応ガス管
７Ａ及び７Ｂより拡散する残留ガスによるチヤンバ２内
の不要生成物の発生を未然に防ぐことができ、従つて反
応物でなるパーテイクルの発生を防ぐことができる。
おいても、成膜プロセス終了後、直ちに反応ガス管７内
を真空引きし、さらに窒素ガスにより反応ガス管７内の
ガス排除がなされることにより、反応ガス管７内に反応
ガスが残留することがなくなり、これにより反応ガス管
７Ａ及び７Ｂより拡散する残留ガスによるチヤンバ２内
の不要生成物の発生を未然に防ぐことができ、従つて反
応物でなるパーテイクルの発生を防ぐことができる。
【００２２】さらに反応ガス管７内を窒素ガスによりガ
ス排除することにより、外部よりの気体及び水分の侵入
を防ぐことができ、これにより例えば反応ガス中の塩素
と水分等によるチヤンバ２内の腐食を未然に防ぐことが
できる。この結果、作業待機中においてチヤンバ２内全
体を真空引きせずともチヤンバ２に通じる反応ガス管７
Ａ及び７Ｂの特定区間を真空引きすることにより、チヤ
ンバ２内に残留ガスを拡散させることがなくなり、これ
により残留ガスにより生成される反応物除去の作業を省
くことができる。
ス排除することにより、外部よりの気体及び水分の侵入
を防ぐことができ、これにより例えば反応ガス中の塩素
と水分等によるチヤンバ２内の腐食を未然に防ぐことが
できる。この結果、作業待機中においてチヤンバ２内全
体を真空引きせずともチヤンバ２に通じる反応ガス管７
Ａ及び７Ｂの特定区間を真空引きすることにより、チヤ
ンバ２内に残留ガスを拡散させることがなくなり、これ
により残留ガスにより生成される反応物除去の作業を省
くことができる。
【００２３】なお上述の実施例においては、縦型減圧Ｃ
ＶＤ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、横型減圧ＣＶＤ装置に関しても同
様に適応させることができる。また上述の実施例におい
ては、減圧ＣＶＤ装置に本発明を適用する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、反応ガスを使用する
ＲＩＥ(Reactive IonEtching)装置等の真空機器にも適
用することができる。
ＶＤ装置に本発明を適用する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、横型減圧ＣＶＤ装置に関しても同
様に適応させることができる。また上述の実施例におい
ては、減圧ＣＶＤ装置に本発明を適用する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、反応ガスを使用する
ＲＩＥ(Reactive IonEtching)装置等の真空機器にも適
用することができる。
【００２４】さらに上述の実施例においては、２本の反
応ガス管７Ａ及び７Ｂそれぞれに対して、真空引管１
２、窒素ガス管１３がそれぞれ２本づつ配管されている
が、本発明はこれに限らず、例えば図３に示すように１
本の真空引管１２（あるいは１本の窒素ガス管１３）の
片端を二股にして、反応ガス管７Ａ及び７Ｂに継ぎ合わ
せるようにしても良い。この場合は、真空引管１２（あ
るいは窒素ガス管１３）のバルブはＶ５（あるいはＶ
３）１個で良いことになる。
応ガス管７Ａ及び７Ｂそれぞれに対して、真空引管１
２、窒素ガス管１３がそれぞれ２本づつ配管されている
が、本発明はこれに限らず、例えば図３に示すように１
本の真空引管１２（あるいは１本の窒素ガス管１３）の
片端を二股にして、反応ガス管７Ａ及び７Ｂに継ぎ合わ
せるようにしても良い。この場合は、真空引管１２（あ
るいは窒素ガス管１３）のバルブはＶ５（あるいはＶ
３）１個で良いことになる。
【００２５】また上述の実施例においては、反応ガスを
供給するガス管は反応ガス管７Ａ及び７Ｂの２本となつ
ているが、使用される反応ガスの種類とそれにより必要
とされる反応ガス管の数に応じて、１本あるいは３本以
上であつても良い。この場合反応ガス管に継ぎ合わせら
れる真空引き管及び窒素ガス管の本数は、それぞれ反応
ガス管の本数に応じた本数が配管されることになる。
供給するガス管は反応ガス管７Ａ及び７Ｂの２本となつ
ているが、使用される反応ガスの種類とそれにより必要
とされる反応ガス管の数に応じて、１本あるいは３本以
上であつても良い。この場合反応ガス管に継ぎ合わせら
れる真空引き管及び窒素ガス管の本数は、それぞれ反応
ガス管の本数に応じた本数が配管されることになる。
【００２６】また上述の実施例においては、反応ガス管
７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及び１０Ｂに取り付けられ
た逆止弁１４Ａ及び１４Ｂを順方向動作させる圧力は、
0.02〔 kg/cm2 〕以上に設定しているが、本発明はこれ
に限らず、逆止弁１４Ａ及び１４Ｂの順方向動作圧力を
他の適当な値に自由に設定してもよい。
７Ａ及び７Ｂの吹出口１０Ａ及び１０Ｂに取り付けられ
た逆止弁１４Ａ及び１４Ｂを順方向動作させる圧力は、
0.02〔 kg/cm2 〕以上に設定しているが、本発明はこれ
に限らず、逆止弁１４Ａ及び１４Ｂの順方向動作圧力を
他の適当な値に自由に設定してもよい。
【００２７】また上述の実施例においては、反応ガス管
７Ａ及び７Ｂのバルブと逆止弁１４Ａ及び１４Ｂ間のガ
ス排除をするガスとして窒素ガスを使用しているが、本
発明はこれに限らず、他の反応性の低いガス、例えばヘ
リウムなどを使用してもよい。
７Ａ及び７Ｂのバルブと逆止弁１４Ａ及び１４Ｂ間のガ
ス排除をするガスとして窒素ガスを使用しているが、本
発明はこれに限らず、他の反応性の低いガス、例えばヘ
リウムなどを使用してもよい。
【００２８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、反応ガス
管に真空引管と窒素ガス管を新たに配管し、さらにチヤ
ンバ内の反応ガス管の吹出口に逆止弁を設けたことによ
り、作業待機時にチヤンバ内に通じる反応ガス管内に反
応ガスを残留させないようにする。これによりチヤンバ
内に残留ガスによる反応物が付着するのを防ぎ、これら
の反応物からなるパーテイクルがチヤンバ内に飛散する
のを防ぐことができる。
管に真空引管と窒素ガス管を新たに配管し、さらにチヤ
ンバ内の反応ガス管の吹出口に逆止弁を設けたことによ
り、作業待機時にチヤンバ内に通じる反応ガス管内に反
応ガスを残留させないようにする。これによりチヤンバ
内に残留ガスによる反応物が付着するのを防ぎ、これら
の反応物からなるパーテイクルがチヤンバ内に飛散する
のを防ぐことができる。
【図１】本発明による縦型減圧ＣＶＤ装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】バルブ開閉動作を示す略線図である。
【図３】他の実施例の説明に供す断面図である。
【図４】従来の縦型減圧ＣＶＤ装置を示す断面図であ
る。
る。
１、１１……縦型減圧ＣＶＤ装置、２……チヤンバ、３
……インナーチユーブ、４……蓋、５……炉口、６……
排気管、７Ａ、７Ｂ……反応ガス管、８……フランジ、
９……オーリング、１０Ａ、１０Ｂ……吹出口、１２
Ａ、１２Ｂ……真空引管、１３Ａ、１３Ｂ……窒素ガス
管、１４Ａ、１４Ｂ……逆止弁。
……インナーチユーブ、４……蓋、５……炉口、６……
排気管、７Ａ、７Ｂ……反応ガス管、８……フランジ、
９……オーリング、１０Ａ、１０Ｂ……吹出口、１２
Ａ、１２Ｂ……真空引管、１３Ａ、１３Ｂ……窒素ガス
管、１４Ａ、１４Ｂ……逆止弁。
Claims (5)
- 【請求項１】化学反応に用いる所定の原料ガスを反応室
内に供給する反応ガス供給管に継ぎ合わされ、当該反応
ガス供給管と真空排気手段とを連結する管状部材の真空
引管と、 上記反応ガス供給管に継ぎ合わされ、当該反応ガス供給
管内に不活性ガスを供給する管状部材の不活性ガス供給
管とを具えることを特徴とする反応炉。 - 【請求項２】上記反応室内に位置する上記反応ガス供給
管の先端部に真空引き用の逆止弁を設け、当該逆止弁は
上記反応ガス供給管内の圧力が0.02〔 kg/cm2 〕以上の
場合に開く ことを特徴とする請求項１に記載の反応炉。 - 【請求項３】上記反応室内における上記化学反応が終了
すると、上記反応ガス供給管の弁を閉じて反応ガスの供
給を停止すると共に、上記真空引管の弁を開いて真空引
きすることにより、上記反応ガス供給管内に残留する反
応ガスを除去した後、上記真空引管の弁を閉じさらに上
記不活性ガス供給管の弁を開くことにより、当該不活性
ガス供給管内より供給される不活性ガスを上記反応ガス
供給管内に満たし、当該反応ガス供給管内に外部より不
要ガスが流入するのを防ぐことを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の反応炉。 - 【請求項４】上記化学反応を化学気相成長とすることを
特徴とする請求項１に記載の反応炉。 - 【請求項５】上記化学反応を反応性イオンエツチングと
することを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23910593A JPH0774104A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23910593A JPH0774104A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 反応炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774104A true JPH0774104A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=17039886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23910593A Pending JPH0774104A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774104A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143207A (en) * | 1996-09-18 | 2000-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Wide-range thermistor material and method for producing it |
| WO2001033616A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Procede et appareil de depot de couches minces |
| WO2002082523A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement thermique |
| KR102545757B1 (ko) * | 2022-06-17 | 2023-06-20 | 주성엔지니어링(주) | 박막형성방법, 기판처리방법, 및 기판처리장치 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP23910593A patent/JPH0774104A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143207A (en) * | 1996-09-18 | 2000-11-07 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Wide-range thermistor material and method for producing it |
| WO2001033616A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Procede et appareil de depot de couches minces |
| WO2002082523A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement thermique |
| US6814572B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-11-09 | Tokyo Electron Limited | Heat treating method and heat treating device |
| KR102545757B1 (ko) * | 2022-06-17 | 2023-06-20 | 주성엔지니어링(주) | 박막형성방법, 기판처리방법, 및 기판처리장치 |
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