KR20070029323A

KR20070029323A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20070029323A
Application number: KR1020050083982A
Authority: KR
Inventors: 유제문
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-09-09
Filing date: 2005-09-09
Publication date: 2007-03-14

Abstract

본 발명은 반도체 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되 상기 배기부는 상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관 및 상기 배기관에 결합되어 상기 배기관 내부에 이동되는 가스에 포함되어 있는 반응 부산물을 걸러내는 집진 부재를 포함하며, 상기 집진 부재는 상기 배기관과 결합하고 상기 배기관 내 흐르는 유체가 이동되는 통로가 형성되는 하우징과 상기 하우징의 내측벽으로부터 상기 하우징 내부 중심으로 돌출되는 복수의 집진판들을 포함한다.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 파우더와 같은 반응 부산물들을 걸러주는 집지 장치를 배기관에 설치함으로써 반응 부산물에 의한 배기관 내벽의 오염 방지, 배기관에 설치되는 밸브 및 펌프와 같은 흡입 장치 등이 오염되어 오동작하거나 교체되는 것을 방지한다.

배기관, 집진 장치, 반응 부산물, 확산 장치, 화학 기상 증착 장치.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 집진 부재 및 히팅 부재를 도시한 구성도이다.

도 3은 도 2에 도시된 집진 부재의 단면(A-A')를 도시한 단면도이다.

도 4는 도 2에 도시된 집진 부재 및 히팅 부재의 작용 및 효과를 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 반도체 제조 장치 180 : 배기부

110 : 처리실 182 : 배기관

112 : 공정 튜브 184 : 벤트 라인

120 : 매니 폴드 186 : 흡입 부재

130 : 웨이퍼 보우트 188 : 압력 측정부

140 : 가스 공급관 200 : 집진 부재

150 : 캡 플랜지 210 : 하우징

160 : 엘리베이터 장치 220 : 집진판들

170 : 히터 230 : 히팅 부재

본 발명은 반도체 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 반도체 기판 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 확산 공정은 반도체 기판 표면에 열에너지를 이용하여 불순물 원자를 기판 표면 내부로 주입시켜 불순물 층을 형성하는 공정이며, 화학 기상 증착 공정은 반응성 가스를 챔버 내에 주입시켜 적당한 활성 및 열 에너지를 가하여 화학 반응을 유도함으로써 기판 표면에 소정의 박막을 형성시키는 공정이다.

이러한 확산 공정 및 화학 기상 증착 공정을 수행하는 반도체 기판 처리 장치는 보통 공정 챔버, 웨이퍼 보우트, 복수의 가스 공급관들, 배기관, 그리고 벤트 라인을 포함한다. 상기 공정 챔버에는 적어도 하나의 공정 튜브가 설치되어 있으며, 공정이 개시되면 상기 튜브 내부로 복수의 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보우트가 삽입되고, 상기 공정 튜브 내부가 외부와 밀폐된다. 이때, 상기 공정 챔버는 배기관에 결합된 펌프에 의해 소정의 감압 상태로 감압되고, 공정 가스가 상기 가스 공급관에 의해 상기 공정 챔버 내부로 공급되어 웨이퍼들 상에 분사된다. 여기서, 상기 배기관은 지속적으로 상기 공정 가스를 배출함으로써 상기 공정 챔버 내부의 감압 상태를 유지시킨다.

웨이퍼들 상에 소정의 박막이 형성되면, 상기 웨이퍼 보우트를 상기 공정 챔 버로부터 분리하기 위하여 상기 공정 챔버 내부의 압력을 상압으로 상승시킨다. 이를 위해 상기 가스 공급관을 통해 상기 공정 챔버 내부로 질소가스 또는 불활성 가스를 포함하는 퍼지 가스가 상기 가스 공급관에 의해 상기 공정 챔버 내부로 공급되면서, 상기 배기관에 연결된 상기 벤트 라인에 의해 상기 공정 챔버 내부의 상기 퍼지 가스가 배출된다. 상기 공정 챔버 내부의 압력이 상압으로 상승되면, 상기 웨이퍼 보우트는 상기 공정 튜브로부터 분리된다.

상기와 같은 기판 처리 장치에서는 공정 완료 후 퍼지 가스가 설정시간 동안 공급되고, 공정 챔버 내부의 압력이 상압보다 높아지면 벤트 라인이 개방되어, 이를 통해 상기 공정 챔버 내의 퍼지 가스 및 공정 가스를 외부로 배기한다.

그리나, 상기 배기관의 내벽에는 점차 반응 부산물들이 증착되어 점차 상기 배기관의 배기 효율이 떨어진다. 이는 상기 배기관을 통해 배출되는 상기 가스에는 파우더와 같은 공정 부산물들이 포함되어 있으며, 이러한 공정 부산물들은 온도가 높은 곳에서 온도가 낮은 곳으로 이동하는 성질이 있어 상기 배기관의 배기시 고온의 반응 부산물들이 상대적으로 온도가 낮은 상기 배기관의 내벽에 흡착되어 점차 배관의 내경을 감소시키기 때문이다. 여기서, 종래의 배기관에는 공정 부산물들의 제거 및 필터링할 수 있는 어떠한 수단도 제공되어 있지 않으므로 공정 부산물에 의한 배기관 내벽의 오염을 방지할 수 없었다.

상기 배기관의 배기 효율이 감소되면, 상기 배기관으로 배기되는 가스가 역류하거나 상기 흡입 부재에 의한 감압이 원활히 이루어지지 않아 기판 처리 장치의 기능을 감소시키는 원인이 되며, 상기 배기관에 공정 부산물들이 상기 배기관에 결 합되는 흡입 부재 및 밸브 등을 오염시켜 상기 흡입 부재 및 상기 밸브의 오동작 및 작동 정지의 원인이 된다.

또한, 상기 배기관의 내벽에 오염물질이 증착됨에 따라 상기 배기관의 내경이 점차 작아지므로 상기 배기관이 배기를 수행함에 있어서 상기 배기관에 부하되는 배기 압력이 증가하게 된다. 그리하여, 상기 배기관은 상기 공정 챔버의 배기를 수행함에 있어서 상기 배기관이 과부하 되어 상기 배기관의 연결부위 등에서 리크(leak)가 발생될 수 있다.

상술한 문제점으로 해결하기 위한 본 발명의 목적은 파우더와 같은 반응 부산물에 의한 배기관 내벽의 오염을 방지하는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 반응 부산물에 의한 펌프와 같은 흡입 부재 및 밸브 등의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 배기관에 리크(leak)가 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되 상기 배기부는 상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관 및 상기 배기관에 결합되어 상기 배기관 내부에 이동되는 가스에 포함되어 있는 반응 부산물을 걸러 내는 집진 부재를 포함하며, 상기 집진 부재는 상기 배기관과 결합하고 상기 배기관 내 흐르는 유체가 이동되는 통로가 형성되는 하우징과 상기 하우징의 내측벽으로부터 상기 하우징의 내부를 향하도록 돌출되는 복수의 집진판들을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 집진판들은 상기 하우징의 내측벽 일측으로부터 상기 하우징 내부 중심으로 돌출되는 제 1 걸림판들과 상기 하우징의 내측벽 일측과 대향되고 상기 하우징의 내측벽 타측으로부터 상기 하우징 내부를 향하도록 돌출되는 제 2 걸림판들을 포함하되, 상기 제 1 걸림판은 상기 제 2 걸림판들 사이에 위치한다. 이러한 상기 집진판들은 상기 하우징의 내측벽에 접촉하는 곡선부와 상기 곡선부의 끝단을 연결하는 직선부를 갖는 형상이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기관에는 상기 집진 부재가 위치하는 상기 배기관의 전단에 결합되어 상기 배기관을 가열하는 히팅 부재를 포함하여 상기 집진 장치가 공정 부산물을 집진하는 효율을 증가시킨다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상술한 기판 처리 장치는 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행한다.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예를 첨부한 도면 도 1 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 다음의 실시예 는 저압 화학 기상 증착 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 저압의 공정 챔버 내에서 공정을 수행하고 웨이퍼를 상기 공정 챔버로부터 언로딩시 상기 공정 챔버 내부를 상압으로 유지하여야 하는 모든 반도체 제조 장치에 적용가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 처리실(110)과 배기부(180)를 갖는다. 처리실(110)은 웨이퍼에 소정의 박막을 증착시키는 공정을 수행하고, 배기부(180)는 처리실(110)에 사용되는 공정 가스 및 불활성 가스의 배기 및 처리실(110) 내부의 압력 조절 기능을 수행한다.

처리실(110)은 공정 튜브(112), 매니 폴드(120), 웨이퍼 보우트(130), 가스 공급관(140), 캡 플랜지(150), 엘리베이터 장치(160), 그리고 히터(170)를 포함한다.

공정 튜브(112)는 외측 및 내측 튜브(112a, 112b)를 포함한다. 공정 튜브(112)는 외부와 밀폐되어 웨이퍼가 처리될 수 있도록 공간을 제공한다. 공정 튜브(112)는 일반적으로 석영(quartz) 재질로서, 외측 튜브(112a)는 상부가 돔(dome) 형상이고 하부가 개방된 원통형이다. 또한, 내측 튜브(112b)는 외측 튜브(112a) 내부에서 상부 및 하부가 개방된 원통형으로 제작된다.

매니 폴드(120)는 공정 튜브(112)의 하부에 결합되어 공정 튜브(112)를 지지 한다. 매니 폴드(120)의 상측에는 매니 폴드(120)의 외주면으로부터 연장되어 외측 튜브(112b)를 지지하기 위한 외측 받침대(미도시됨)가 형성되며, 매니 폴드(120)의내주면에는 매니 폴드(120)의 내주면으로부터 연장되어 내측 튜브(112a)를 지지하는 내측 받침대(미도시됨)이 형성된다. 또한, 매니 폴드(120)에는 후술할 가스 공급관(140) 및 배기관(210)이 연결된다.

웨이퍼 보우트(130)는 복수의 웨이퍼들을 수평으로 안착시킨다. 이를 위해, 웨이퍼 보우트(130)는 수평으로 놓여진 상부판(미도시됨) 및 하부판(미도시됨)을 가지며, 상기 상부판 및 상기 하부판 사이에는 복수의 지지대(미도시됨)들이 설치된다. 상기 지지대에는 웨이퍼들이 삽입될 수 있는 슬롯들이 형성되어, 상기 슬롯에 복수의 웨이퍼들이 수평으로 배치된다.

가스 공급관(140)은 매니 폴드(120) 일측에 연결되어 공정 튜브(112) 내부로 소정의 가스를 공급한다. 본 실시예는 가스 공급관(140)이 제 1 및 제 2 가스 공급관(142, 144)을 포함하는 경우를 설명한다. 제 1 가스 공급관(142)은 공정 튜브(112) 내로 소정의 공정 가스를 공급하는 라인이며, 제 2 가스 공급관(144)은 공정 튜브(112) 내로 질소 가스 또는 불활성 가스 등을 포함하는 퍼지 가스를 공급하는 라인이다. 가스 공급관(140)은 적어도 하나로 제공되며, 공정에 따라 사용되는 가스들에 대응되도록 그 수가 증가될 수 있다.

캡 플랜지(150)는 엘리베이터 장치(160)가 웨이퍼 보우트(130)를 공정 튜브(112) 내부로 이동시키거나 공정 튜브(112)로부터 외부로 이동시킬 때 웨이퍼 보우트(130)를 지지하고, 웨이퍼 보우트(130)가 공정 튜브(112) 내부로 인입되었을 때 매니 폴드(120)와 밀착하여 공정 튜브(112) 내부를 외부와 밀폐시키는 기능을 수행한다. 이를 위해 캡 플랜지(150)의 상부면에는 웨이퍼 보우트(130)를 장착되기 위한 안착부(미도시됨)가 형성되고, 캡 플랜지(150)의 하부에는 엘리베이터 장치(160)의 연결 부재(162)와 연결된다.

엘리베이터 장치(160)는 연결 부재(162), 리드 스크류(164), 그리고 모터(166)를 포함한다. 연결 부재(162)는 일측이 캡 플랜지(150)의 하부에 결합되고, 다른 일측이 리드 스크류(164)에 결합된다. 연결 부재(162)가 리드 스크류(164)에 결합되는 일측에는 홀(미도시됨)이 형성되며, 상기 홀의 내주면에는 리드 스크류(164)의 표면에 형성되는 나사산에 상응하는 나사산이 형성된다. 그리하여, 상기 홀에 리드 스크류(164)가 삽입되고, 리드 스크류(164)가 모터(166)에 의해 회전되면 연결 부재(162)는 리드 스크류(164)에 형성된 나사산을 따라 회전됨으로써 상하로 이동하게 된다.

히터(170)는 외측 튜브(112b) 외부면을 따라 환형으로 배치되어, 상기 공정 튜브(112)를 공정 온도로 유지될 수 있도록 가열한다.

배기부(180)는 배기관(182) 및 벤트 라인(184), 흡입 부재(186), 압력 측정부(188), 집진 장치(200), 그리고 히팅 부재(230)를 포함한다. 배기관(182)은 처리실(110) 내부에 잔류하는 가스를 외부로 배출하여 처리실(110) 내부의 압력을 감압하는 기능을 수행함과 동시에 상기 가스에 포함되어 있는 공정 부산물들을 배출한다. 벤트 라인(184)은 처리실(110) 내부에 공급된 질소 가스 또는 불활성 가스 등의 퍼지 가스를 외부로 배출하여 감압되어 있는 처리실(110) 내부의 압력을 상압으 로 상승시키는 기능을 수행한다.

배기관(182)에는 밸브(182a), 압력 측정부(188), 흡입 부재(186), 그리고 집진 장치(200) 및 히팅 부재(230)가 설치된다. 밸브(182a)는 일반적으로 전기적인 신호에 의해 제어되는 자동 밸브(auto valve)이거나 작업자의 조작에 의해 제어되는 수동 밸브(manual valve)이며, 배기관(182)에 결합되어 배기관(182a)을 개폐하는 기능을 한다.

압력 측정부(188)는 배기관(182)을 통해 배출되는 공정 부산물 등을 포함하는 가스의 압력을 측정한다. 예컨대, 압력 측정 장치(188)는 압력 센서를 포함하며, 배기관(182)으로 배출되는 상기 공정 부산물의 배출 압력을 측정하여, 이를 작업자가 인지하도록 기판 처리 장치(100) 일측에 구비되는 디스플레이부(미도시됨)에 표시한다.

흡입 부재(186)는 예컨대, 고분자 진공 펌프로서 배기관(182) 상에 결합되고 배기관(182)에 압력을 제공함으로써, 처리실(110) 내부의 잔류하는 공정 부산물들을 외부로 배출시킨다. 그리하여, 처리실(110) 내부의 압력을 공정상 요구되는 소정의 저압 상태로 감압시키는 기능을 수행한다.

벤트 라인(184)은 배기관(182)으로부터 분기되고, 처리실(110) 내부에 제공되는 질소 가스 또는 불활성 가스 등을 포함하는 퍼지 가스를 배기한다. 벤트 라인(220)에 결합되는 밸브(220)는 고온의 가스들에 견딜 수 있는 고온용 밸브를 사용하는 것이 바람직하다.

집진 장치(200)는 하우징(210)과 복수의 집진판들(220)을 포함하는 구성이 며, 히팅 부재(230)는 배기관(180)에 결합되는 집진 장치(200)의 전단에서 배기관(180)을 가열시킨다. 집진 장치(200) 및 히팅 부재(230)의 구성에 대한 상세한 설명은 도 2 및 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2는 도 1에 도시된 집진 부재 및 히팅 부재를 도시한 구성도이고, 도 3은 도 2에 도시된 집진 부재의 단면(A-A')를 도시한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 집진 부재(200)는 하우징(210)과 집진판들(220)을 포함한다. 하우징(210)은 배기관(182)들 사이에 위치하여 배기관(182)에 결합되는 구성이다. 예컨대, 하우징(210)은 내부에 유체가 흐를 수 있도록 통로가 형성된 원통형이고, 양 끝단에는 배기관(182)과 볼트와 같은 고정 부재(미도시됨)에 의해 서로 밀착되어 고정될 수 있도록 결합부(미도시됨)가 제공된다.

집진판들(220)은 제 1 걸림판들(222)과 제 2 걸림판들(224)을 포함한다. 제 1 걸림판들(222)은 하우징(210)의 내측벽 일측으로부터 하우징(210) 내부 중심으로 돌출되며, 제 2 걸림판들(224)은 제 1 걸림판들(222)이 구비되는 하우징(210)의 일측과 마주보는 하우징(210) 내측벽의 타측으로부터 하우징(210) 내부 중심으로 돌출되어 제 1 걸림판들(222)과 대향되도록 한다. 이때, 제 1 및 제 2 걸림판들(222, 224) 각각은 서로 지그재그 방식으로 배치되어 하우징(210) 내부를 흐르는 유체의 흐름이 제 1 및 제 2 걸림판들(222, 224)을 교대로 충돌하면서 이동되도록 한다.

또한, 제 1 및 제 2 걸림판들(222, 224)들 각각은 하우징(210)의 내부 중심까지 돌출되지 않는 것이 바람직하다. 예컨대, 도 3을 참조하면, 제 1 및 제 2 걸림판들(222, 224)들은 하우징(210)의 내측벽으로부터 하우징(210)의 중심으로 돌출 될 때 하우징(210) 내부 중심 이상으로 연장되지 않도록 구비된다. 즉, 각각의 집진판(220)들은 불완전한 반원형으로서, 하우징(210)의 내측벽과 상응하는 곡선부와 상기 곡선부의 끝단을 연결하는 직선부를 갖는 형상이다. 이것은 집진판(220)들이 배기관(1820)의 내부 중심 이상으로 돌출되면 흡입 부재(도 1의 참조번호(186))에 펌핑에 의해 배기관(182)의 배기를 수행할 때 집진판(220)들에 의해 배기가 과도하게 방해받기 때문이다.

히팅 부재(230)는 집진 부재(200)가 위치하는 배기관(182)의 전단에 구비된다. 히팅 부재(230)는 전원 공급부(미도시됨)로부터 소정의 전원을 인가받아 배기관(182)을 소정의 온도로 가열하여, 집진 부재(200)로 이동하는 유체에 포함되는 공정 부산물들이 집진 부재(220) 전단 내벽에 흡착되는 것을 방지하고, 상기 공정 부산물들이 집진 부재(200)를 향해 효율적으로 이동되도록 한다. 이것은 집진 부재(220)로 이동하는 상기 공정 부산물들이 집진 부재(200)의 전단에서 집진판들(220)에 의해 흐름이 방해를 받으므로 집진 부재(200) 전단에 집중적으로 흡착되어 배기관(182)의 내벽을 오염시키므로, 온도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하는 공정 부산물의 특성을 이용하여 히팅 부재(230)가 집진 부재(200)의 전단에 설치하여 배기관(182)을 가열해줌으로써 집진 부재(200)의 설치에 따른 집진 부재(200) 전단의 오염 방지 및 집진 부재(200)의 집진 효율을 상승시킨다.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 작용 및 효과를 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.

도 4는 도 2에 도시된 집진 부재 및 히팅 부재의 작용 및 효과를 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 처리실(도 1의 참조번호(110))에서 소정의 공정이 진행되면, 공정 가스가 상기 처리실 내부로 공급되어 웨이퍼 상에 분사된다. 이때, 상기 처리실 내부의 압력을 유지시켜주기 위해서 상기 처리실 내 가스를 배기관(182)을 통해 외부로 배출한다. 여기서, 상기 가스의 배기는 배기관(182)에 설치된 흡입 부재(도 1의 참조번호(186))에 의해 강제적으로 배출된다.

배기관(182)을 통해 배출되는 상기 가스는 집진 장치(200)로 유입된다. 여기서, 집진 장치(200) 전단에 설치되어 있는 히팅 부재(230)는 집진 장치(200)로 이동되는 상기 가스에 포함되어 있는 공정 부산물들이 집진 장치(200) 전단에 흡착되어 배기관(182) 내부를 오염시키는 것을 방지하고, 집진 장치(200)로 공정 부산물이 효율적으로 이동되도록 한다.

집진 장치(200)로 유입된 상기 공정 부산물들은 제 1 걸림판들(222)에 충돌하여 제 1 걸림판들(222) 표면에 흡착되어 1차적으로 상기 공정 부산물들을 걸러준다. 상기 가스는 제 1 걸림판들(222)에 의해 그 흐름이 전환되어 제 1 걸림판들(222)과 대향되어 위치하는 제 2 걸림판들(224)을 향해 이동한다. 제 2 걸림판들(224)은 제 1 걸림판들(222)과 같이 상기 공정 부산물들을 2차적으로 걸러준다. 상기 가스는 다시 제 2 걸림판들(224)에 의해 그 흐름이 전환되어 제 1 걸림판들(222)을 향해 이동한다.

이러한 과정을 반복하면서 상기 공정 부산물들은 반복해서 걸러지며, 집진 장치(220)를 통과하여 배기관(182)으로 배출될 때 상기 가스에 포함되어 있는 공정 부산물들은 제 1 및 제 2 걸림판들(222, 224)에 의해 대부분 걸러지게 된다.

이상으로 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위가 상술한 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 배기관 상에 집진 장치의 위치 및 결합 방식은 다양하게 적용가능할 수 있으며, 벤트 라인에도 집진 장치의 설치가 가능하다.

본 발명의 기술적 사상은 반도체의 기판을 처리하는 장치에 있어서 장치 내부의 가스를 배기하는 배기관에서 파우더와 같은 공정 부산물들을 효과적으로 걸러주기 위한 기판 처리 장치를 제공함에 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 파우더와 같은 반응 부산물들을 걸러주는 집진 장치를 배기관에 설치함으로써 반응 부산물에 의한 배기관 내벽의 오염 방지, 배기관에 설치되는 밸브 및 펌프와 같은 흡입 장치 등이 오염되어 오동작하거나 교체되는 것을 방지한다.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 부산물들에 의해 배기관이 오염되어 배기관에 배기 압력이 과부하되는 것을 방지하여 배기관에 리크(leak)가 발생되는 것을 방지한다.

Claims

반도체 기판을 처리하는 장치에 있어서,

소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되;

상기 배기부는,

상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관과;

상기 배기관에 결합되어 반응 부산물을 걸러내는 집진 부재를 포함하며;

상기 집진 부재는 상기 배기관과 결합하고, 상기 배기관 내 흐르는 유체가 이동되는 통로가 형성되는 하우징과;

상기 하우징의 내측벽으로부터 돌출되는 복수의 집진판들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 처리실은 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 집진판들은,

상기 하우징의 내측벽 일측으로부터 상기 하우징 내부 중심으로 돌출되는 제 1 걸림판들과;

상기 하우징의 내측벽 일측과 대향되고 상기 하우징의 내측벽의 타측으로부터 상기 제 1 걸림판들과 대향되어 상기 하우징 내부를 향해 돌출되는 제 2 걸림판들을 포함하되;

상기 제 1 걸림판은 상기 제 2 걸림판들 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

각각의 상기 집진판들은,

상기 하우징의 내측벽에 접촉하는 곡선부와

상기 곡선부의 양 끝단을 연결하는 직선부를 갖는 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 배기부에는,

상기 집진 부재가 위치하는 상기 배기관의 전단에 결합되어 상기 배기관을 가열하는 히팅 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.