JP4764574B2 - 処理装置の運転方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理装置の運転方法に関し、更に詳しくは、処理室内部等での不純物の付着、堆積を防止することができる処理装置の運転方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ドライエッチング技術においては、エッチングガスとしてフッ素原子を含む処理ガスが用いられている。ところが、近年、オゾン層の破壊や地球の温暖化等の地球の環境破壊が問題となってきている。その為、このような環境破壊を防止するために世界的に種々の環境保全対策が採られている。従来のドライエッチング技術で用いられてきたフッ素化合物もその長い大気寿命と大きな地球温暖化係数のため、極力排気量を低減することが急務となっている。
【０００３】
そこで、フッ素化合物を含む処理ガスの排気量を低減させる一つの方法として、処理装置において排気されるガスの一部を循環させ、処理ガスの利用効率を高める方法が提案されている。即ち、ガス排気機構を介して処理室内から排気されるガスの一部を処理室内に戻すガス循環機構を備えた処理装置が提案されている。このような処理装置の場合には、ガス循環機構を介して排気ガスの一部を処理室内に戻して循環させることによって排気ガス中の未使用の処理ガスを再利用するため、処理ガスの排気量及び使用量を低減することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ガス循環機構を介して排気ガスの一部を循環させると処理ガスの排気量及び使用量を低減することができるが、排気ガス中にはエッチングによる副生成物が不純物として含まれているため、排気ガスを循環させる間にガス循環機構においても不純物が付着、堆積することになる。そして、ガス循環機構の堆積物が循環流で剥離し、パーティクルの原因になるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、地球環境に負荷のかかるフッ素化合物を含む処理ガスを使用する場合にはガス循環機構を選択的に使用してフッ素化合物を循環使用してその排気を抑制すると共にガス循環機構及びガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができ、フッ素化合物を含まない処理ガスを使用する場合にはガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができる処理装置の運転方法を併せて提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の処理装置の運転方法は、ガス排気機構を通じて処理容器内を排気しつつ、ガス供給機構により第１ガス供給孔及び第２ガス供給孔から上記処理容器内にガスを供給してプラズマ処理を行う処理装置の運転方法であって、フッ素化合物を含まない第１の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔及び上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に上記第１の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気する非循環運転を選択し、フッ素化合物を含む第２の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔から上記処理容器内に上記第２の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気すると共に上記処理容器内から排気されるガスの一部をガス循環機構を通じて上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に戻す循環運転を選択し、上記非循環運転おいては少なくとも上記ガス排気機構に設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構を８０〜１２０℃に加熱し、上記循環運転においては上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構それぞれに設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構をそれぞれ８０〜１２０℃に加熱することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態の処理装置１０は、例えば図１に示すように、ウエハＷのエッチング処理を行う処理容器（以下、「処理室」と称す。）１１と、処理室１１内に配設されたサセプタ１２と、サセプタ１２の上方に配設され且つ処理ガスＱ１を処理室１１内へ供給するシャワーヘッド１３と、処理室１１内を所定の真空度まで減圧するガス排気機構１４とを備えて、シャワーヘッド１３には処理ガスＱ１等を供給するガス供給機構１５が接続されている。サセプタ１２には高周波電源１６がマッチングボックス１７を介して接続され、高周波電源１６から所定の高周波電力をサセプタ１２に印加し、シャワーヘッド１３から供給された処理ガスＱ１をプラズマ化してサセプタ１２上のウエハＷをエッチングする。
【００１５】
上記ガス供給機構１５はガス供給源１５１及び供給配管１５２を有している。供給配管１５２の上流にはバルブ１５３が設けられ、バルブ１５３を介して供給される処理ガスＱ１の流量を流量制御装置（マスフローコントローラ）１５４を介して制御する。この供給配管１５２のマスフローコントローラ１５４の上流側及び下流側には真空計１８Ａ、１８Ｂがそれぞれ設けられ、真空計１８Ａ、１８Ｂを介してマスフローコントローラ１５４の上流側及び下流側の圧力を測定する。
【００１６】
また、上記処理装置１０は終点検出器１９を備え、終点検出器１９を用いて処理室１１内のプラズマ発光を観察し、エッチングの終点を検出する。終点検出器１９には制御装置２０が接続され、制御装置２０を介して高周波電源１６を制御する。また、制御装置２０は運転中の処理装置１０の各部位を駆動制御する。
【００１７】
而して、上記ガス排気機構１４にはガス循環機構２１が接続され、ガス循環機構２１を介して排気ガスの一部を循環ガスＱ２としてシャワーヘッド１３へ戻し、シャワーヘッド１３を介して循環ガスＱ２を処理ガスＱ１と一緒に処理室１１内へ供給し、排気ガスに含まれている未反応の処理ガスＱ１を繰り返し利用する。これにより処理ガスＱ１の大気への排出量を抑制すると共に処理ガスＱ１の使用量を低減し、地球環境の負荷を軽減することができる。地球環境に負荷をかけない処理ガスＱ１を使用する場合にはガス循環機構２１は使用しなくても良い。そして、本実施形態では後述のようにガス排気機構１４及びガス循環機構２１に加熱手段２２がそれぞれ設けられ、これらの加熱手段２２によってガス排気機構１４及びガス循環機構２１を加熱し、これらの部分に対する不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制している。
【００１８】
上記ガス排気機構１４は、バルブ１４１を介して接続されたターボポンプ１４２と、ターボポンプ１４２に排気配管１４３及びバルブ１４４を介して接続されたドライポンプ１４５とを有し、後者のバルブ１４４を介してターボポンプ１４２の背圧を制御する。排気配管１４３には真空計１８Ｃが設けられ、真空計１８Ｃを介してターボポンプ１４２の背圧を測定する。排気配管１４３には加熱テープ２２Ａが加熱手段２２として被覆され、加熱テープ２２Ａによって排気配管１４３を介して排気ガスを所定の温度に加熱調整する。また、バルブ１４１、１４４には加熱体２２Ｂが加熱手段２２として設けられ（但し、バルブ１４１の加熱体図示せず）は、加熱体２２Ｂによってバルブ１４１、１４４を通過する排気ガスを所定の温度に加熱調整する。図１ではバルブ１４４全体を加熱体２２Ｂで被覆した例について図示してあるが、加熱体２２Ｂをバルブ１４１、１４４の可動部（例えば弁体）内に内蔵させたものであっても良い。また、排気配管１４３には温度計１４６が設けられ、温度計１４６によって排気ガスの温度を測定する。この測定値に基づいて制御装置２０が働き、加熱温度を制御する。このような加熱によってバルブ１４１、１４４やターボポンプ１４２、ドライポンプ１４５内での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００１９】
上記ガス循環機構２１は、図１に示すように、上流端が排気配管１４３のターボポンプ１４２とバルブ１４４間に接続され且つ下流端がシャワーヘッド１３に接続された循環配管２１１と、循環配管２１１に設けられた上流側のバルブ２１２及び下流側のバルブ２１３とを備えている。更に、循環配管２１１の下流端は図２、図３に示すように、四方に分岐し、これらの分岐管２１１Ａがシャワーヘッド１３に接続されている。分岐管２１１Ａの内径ｒは循環配管２１１の内径Ｒの約１／２に形成され、４本の分岐管２１１Ａの断面積の合計と本管の断面積とが実質的に等しくなっている。そして、バルブ２１２とバルブ２１３間の空間が後述するように循環ガスＱ２を一時的に貯留するバッファ空間として形成されている。ところが、ガス循環機構２１にはエッチングによる排気ガスの一部が循環するため、排気ガスに含まれているエッチング副生成物（不純物）が付着、堆積する。そのため、本実施形態ではガス循環機構２１に加熱手段２２が設けられ、この加熱手段２２によってガス循環機構２１を加熱し、ガス循環機構２１の各構成部材への不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制している。
【００２０】
即ち、循環配管２１１には加熱テープ２２Ａが加熱手段２２として被覆され、加熱テープ２２Ａによって循環配管２１１内の循環ガスＱ２を所定の温度に加熱調整する。また、バルブ２１２、２１３には加熱体２２Ｂが加熱手段２２として設けられ、加熱体２２Ｂによってバルブ２１２、２１３を通過する循環ガスＱ２を所定の温度に加熱調整する。図１ではバルブ２１２、２１３全体を加熱体２２Ｂで被覆した例について図示してあるが、加熱体２２Ｂをバルブ２１２、２１３の可動部（例えば弁体）内に内蔵させたものであっても良い。また、循環配管２１１には温度計２１４が設けられ、温度計２１４によって循環ガスＱ２の温度を測定する。この測定値に基づいて制御装置２０が働き、加熱温度を制御する。このように循環ガスＱ２を例えば少なくとも６０℃、好ましくは８０℃〜１２０℃に加熱することによって循環配管２１１やバルブ２１２、２１３内での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００２１】
上記ガス循環機構２１は上述のように循環配管２１１の分岐管２１１Ａを介してシャワーヘッド１３に接続され、シャワーヘッド１３を介して循環ガスＱ２を処理ガスＱ１と一緒に処理室１１内に供給することができる。そこで、シャワーヘッド１３の構造について図２、図３を参照しながら説明する。シャワーヘッド１３は、図２、図３に示すように、処理ガスＱ１を供給する処理ガス供給系統と、循環ガスＱ２を供給する循環ガス供給系統に分けて構成され、処理ガス供給系統と循環ガス供給系統は互いに独立してそれぞれのガスを供給することができる。
【００２２】
即ち、上記シャワーヘッド１３は、図２、図３に示すように、例えばアルマイトからなる電極板１３１を主体に構成されている。電極板１３１はそれぞれ同一外径に形成された第１電極板１３１Ａ、第２電極板１３１Ｂ及び第３電極板１３１Ｃからなり、これらの電極板１３１Ａ、１３１Ｂ、１３１Ｃは重合し、締結具１３１Ｄを介して一体化している。第１電極板１３１Ａの下面及び第３電極板１３１Ｃの上面にはそれぞれ凹陥部が形成されている。そして、上下の凹陥部は第１、第３電極板１３１Ａ、１３１Ｃ間に介在する板状の第２電極板１３１Ｂによって上下の空間に区画されている。後述するように上側の空間は処理ガス拡散空間１３１Ｅとして形成され、下側の空間は循環ガス拡散空間１３１Ｆとして形成されている。
【００２３】
また、図２に示すように第１電極板１３１Ａの中心には供給配管１５２が接続されていると共に供給配管１５２の周囲４箇所には循環配管２１１の分岐管２１１Ａが接続されている。第２、第３電極板１３１Ｂ、１３１Ｃには図３に示すようにそれぞれ複数の孔が互いに対応して形成され、これらの孔の間に円筒状のスペーサ１３２が介在している。スペーサ１３２と第２、第３電極板１３１Ｂ、１３１Ｃの接続部にはそれぞれＯリング等のシール部材が設けられている。従って、スペーサ１３２は処理ガス拡散空間１３１Ｅと処理室１１内を連通し、処理ガスＱ１を処理ガス拡散空間１３１Ｅから処理室１１内に供給する第１ガス供給孔１３３として形成されている。また、第１電極板１３１Ａと第２電極板１３１Ｂの間には循環配管２１１の分岐管２１１Ａに連通する円筒状のスペーサ１３４が４箇所に介在している。スペーサ１３４と第１、第２電極板１３１Ａ、１３１Ｂの接続部にはそれぞれＯリング等のシール部材が設けられている。従って、スペーサ１３４は循環配管２１１の分岐管２１１Ａと循環ガス拡散空間１３１Ｆを連通し、循環ガスＱ２を循環配管２１１から循環ガス拡散空間１３１Ｆ内へ供給する連通孔として形成されている。更に、第３電極板１３１Ｃには第１ガス供給孔１３３を囲むように配置された第２ガス供給孔１３５が形成され、循環ガス拡散空間１３１Ｆ内の循環ガスＱ２を第２ガス供給孔１３５から処理室１１内へ供給する。
【００２４】
第１ガス供給孔１３３と第２ガス供給孔１３５は例えば図４に示すように配置されている。第１ガス供給孔１３３は例えば略１ｍｍ径の大きさで４０個程度形成され、第２ガス供給孔１３５は例えば略１ｍｍ径の大きさで第１ガス供給孔１３３を囲んで３００個程度形成されている。第１、第２ガス供給孔１３３、１３５は電極板１３１全面に均等に割り振られ、第１ガス供給孔１３３の数と第２ガス供給孔１３５の数の比は、処理ガスＱ１の流量と循環ガスＱ２の流量の比と実質的に等しくなるように設定されている。
【００２５】
更に、本実施形態では図１〜図３に示すように、供給配管１５２と循環配管２１１とが連絡管２３によって連結されている。この連絡管２３にはバルブ２４が設けられ、このバルブ２４の開閉により供給配管１５２と循環配管２１１とを連通し、あるいは遮断する。例えば、循環ガスＱ２を使用せずに処理ガスＱ１のみでウエハＷの処理を行う時にはバルブ２４を開き、循環配管２１１のバルブ２１２、２１３を閉じる。この操作によって処理ガスＱ１は供給配管１５２及び循環配管２１１の分岐管２１１Ａの双方からシャワーヘッド１３の処理ガス拡散空間１３１Ｅ内及び循環ガス拡散空間１３１Ｆ内に流入する。処理ガス拡散空間１３１Ｅ内の処理ガスＱ１は第１ガス供給孔１３３を介して処理室１１内へ流入し、循環ガス拡散空間１３１Ｆ内の処理ガスＱ１は第２ガス供給孔１３５を介して処理室１１内へ流入する。従って、排気ガスを循環利用しない時でも処理ガスＱ１は第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に吹き出すため、第２ガス供給孔１３５内やその吹き出し口近傍に不純物が付着、堆積することを防止することができ、ひいてはパーティクルの発生を防止することができる。また、連絡管２３の少なくとも循環配管２１１側には加熱テープ２２Ａが被覆され、バルブ２４には加熱体２２Ｂが設けられれいる。これらの加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂによって連絡管２３及びバルブ２４を加熱し、これらの部分における不純物の付着、堆積を防止し、あるいは抑制することができる。図１に示すように連絡管２３全体を加熱テープ２２Ａで被覆しても良いことは云うまでもない。
【００２６】
次に、処理装置１０の運転方法について説明する。まずガス循環機構を使用する場合ついて説明する。例えばフッ素系の処理ガスを使用する場合には地球環境保全の観点から処理後の排気ガスを循環させる。排気ガスを循環させる場合には連絡管２３のバルブ２４を閉じ、ガス循環機構２１をガス供給配管１５２から遮断し、処理ガスＱ１と循環ガスＱ２がシャワーヘッド１３内で互いに混合することなくそれぞれのガスを第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から供給する態勢にする。然る後、処理ガス導入までの準備工程に入る。この工程ではガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４及びガス循環機構２１のバルブ２１２を開き、ガス循環機構２１の下流側のバルブ２１３は閉じておく。この状態でターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５が駆動し、処理室１１内及び循環配管２１１のバルブ２１３までの領域を例えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気する。ドライポンプ１４５はターボポンプ１４２の下流側領域及び循環配管２１１のバルブ２１３までの領域を排気する。この際、ガス排気機構１４及びガス循環機構２１の加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂに通電し、これらの部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱する。この加熱によりそれぞれの部分に不純物が付着、堆積し難く、パーティクル源を極力防止し、あるいは抑制することができる。この時の温度は温度計２１４によって制御温度になっているか否かを確認することができる。
【００２７】
次いで、処理ガスの導入及び安定化工程に移行する。この工程では新たにバルブ１４４を閉じた状態でガス供給源２１の処理ガスＱ１をバルブ１５３及びマスフローコントローラ１５４を介して流量制御しながら供給すると、処理ガスＱ１はターボポンプ１４２を介してシャワーヘッド１３の処理ガス拡散空間１３１Ｅを経由し第１ガス供給孔１３３から処理室１１内に流入し、処理室１１から流出し、排気配管１４３及び循環配管２１１に到達し、それぞれの部分の圧力が例えば処理時の圧力２Ｔｏｒｒまで上がる。この時の圧力は真空計１８Ｃ、１８Ｄで確認する。循環配管２１１内の圧力が処理室１１及び排気配管１４３の圧力と等しくなった時点でガス循環機構２１の下流側のバルブ２１３を開き、処理室１１からの排気ガスの一部をガス循環機構２１を介してシャワーヘッド１３へ循環させると、循環ガスＱ２はシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆを経由し第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に戻り、排気ガスの循環が始まる。この時ガス排気機構１４の下流側のバルブ１４４を開き、このバルブ１４４を介してドライポンプ１４５の排気能力を調整し循環ガスＱ２の循環率を８０％に制御する。処理ガスＱ１及び循環ガスＱ２の流量が安定したか否かは真空計１８Ｃ、１８Ｄによって確認する。
【００２８】
ガス流量が安定した段階でウエハＷの処理工程に移行する。この工程では高周波電源１６から所定の高周波電力をマッチングボックス１７を介してサセプタ１２に印加し、処理室１１内の処理ガスＱ１をプラズマ化する。処理室１１内でウエハＷのエッチングを行うと、副生成物が不純物として発生し、不純物が処理室１１内で付着、堆積する。また、不純物は排気ガスと一緒にガス排気機構１４を介して処理室１１内から排気され、その８０％が循環配管２１１を介して処理室１１内へ戻って循環する。排気ガスが循環する間に、ガス排気機構１４（バルブ１４１、１４４、ターボポンプ１４２、及び排気配管１４３）及びガス循環機構２１（循環配管２１１、バルブ２１２、２１３）に不純物が付着し、堆積しようとする。ところが、本実施形態ではガス排気機構１４及びガス循環機構２１にそれぞれ加熱手段２２を設け、これらの部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱しているため、それぞれの部分に対して不純物が付着し、堆積し難く、パーティクルの発生を極力防止し、抑制することができ、ひいては処理装置１０の長期間に渡る運転が可能になる。
【００２９】
一枚目のウエハＷの処理が終了すると、ウエハの処理終了工程に移行する。この工程では高周波電源１６の印加を終了し、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じてバッファ空間内に循環ガスＱ２を処理時の圧力（２Ｔｏｒｒ）のままで封止する。この操作と同時にガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を全開して処理室１１内の残留ガスを排気する。この排気ガスには未処理の処理ガスＱ１が極めて僅かしか含まれていないため、従来と比較して環境負荷を格段に軽減することができる。
【００３０】
２枚目のウエハＷは以下の工程で処理する。２枚目のウエハＷを処理する段階では、ガス循環機構２１のバッファ空間内に循環ガスＱ２が処理時の圧力で封止されているため、１枚目のウエハＷを処理する時と同様にターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５を介して処理室１１内及び排気配管１４３内を減圧した後、ガス導入工程に移行する。ガス導入工程では、処理ガスＱ１を供給し、１枚目のウエハＷを処理する時と同様のバルブ操作で処理室１１内及び排気配管１４３内を処理時の圧力に調整し、それぞれの内部の圧力が処理時の圧力に達したことを真空計１８Ｃ、１８Ｄで確認する。この操作によって処理ガスＱ１の圧力は循環配管２１１のバッファ空間の循環ガスＱ２の圧力と等しくなる。次いで、バッファ空間での循環ガスＱ２の圧力調整を省略し、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を開き、排気ガスを循環させる。その後は１枚目のウエハＷと同様の手順で処理する。２枚目以降のウエハＷを処理する時にも排気ガスに含まれる不純物がガス排気機構１４及びガス循環機構２１の内部で付着、堆積しようとしても、それぞれの加熱手段２２によって不純物の付着、堆積を防止することができる。
【００３１】
次に、ガス循環機構を使用しない場合の運転方法ついて説明する。この場合には、窒素ガスや酸素ガス等の地球環境に負荷のかからない処理ガスＱ１を使用する。この場合にはガス循環機構２１を使用しないため、連絡管２３のバルブ２４を閉じたままではシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆがデッドスペースになり、処理中の不純物が第２ガス供給孔１３５内及びその近傍に付着し、パーティクルの発生源になる。そこで、本実施形態では連絡管２３のバルブ２４を開くと共にガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じる。この操作によりシャワーヘッド１３の第２ガス供給孔１３５をも利用して処理室１１内に処理ガスＱ１を供給することができる。以下、この場合の運転方法について説明する。
【００３２】
まず、上述したように連絡管２３のバルブ２４を開くと共にガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じる。次いで、処理ガス導入までの準備工程に入る。この工程ではガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を開く。この状態でターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５が駆動し、処理室１１内及び排気配管１４３内を例えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気する。ドライポンプ１４５はターボポンプ１４２の下流側領域を排気する。この際、少なくともガス排気機構１４の加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂに通電し、これらの部分を加熱する。この時の温度は温度計１４６によって制御温度になっているか否かを確認することができる。
【００３３】
次いで、処理ガスの導入及び安定化工程に移行する。この工程では新たにバルブ１４４を閉じた状態でガス供給源２１の処理ガスＱ１をバルブ２２及びマスフローコントローラ１５４を介して流量制御しながら供給すると、処理ガスＱ１はシャワーヘッド１３の第１ガス供給孔１３３から処理室１１内に流入すると共に第２ガス供給孔１３５からも処理室１１内に流入し、処理室１１からターボポンプ１４２を介して排気されて排気配管１４３に到達し、それぞれの部分の圧力が例えば処理時の圧力２Ｔｏｒｒまで上がる。処理ガスＱ１の流量が安定したか否かは真空計１８Ｃ、１８Ｄによって確認する。
【００３４】
ガス流量が安定した段階でウエハＷの処理工程に移行する。この工程では高周波電源１６から所定の高周波電力をマッチングボックス１６を介してサセプタ１２に印加し、処理室１１内の処理ガスＱ１をプラズマ化する。処理室１１内でウエハＷのエッチングを行うと、副生成物が不純物として発生し、不純物が処理室１１内で付着、堆積する。この際、本実施形態では連絡管２３及びバルブ２４を設け、循環ガスＱ２を使用しない時にはバルブ２４を開いて供給配管１５２と循環配管２１１とを連通し、処理ガスＱ１を第２ガス供給孔１３５からも供給するため、シャワーヘッド１３の第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から処理ガスＱ１が吹き出し、第１ガス供給孔１３３のみならず第２ガス供給孔１３５及びこれらの周辺で不純物が付着する虞がない。連絡管２３を設けてない場合には循環ガス用の第２ガス供給孔１３５を使用しないため、循環ガス拡散空間１３１Ｆからのガス噴出がなく、この部分がデッドスペースとなって処理室１１内で発生した不純物が第２ガス供給孔１３５及びその周辺に付着堆積し、パーティクル源になる。
【００３５】
不純物は排気ガスに伴ってガス排気機構１４（バルブ１４１、１４４、ターボポンプ１４２、及び排気配管１４３）を通過する間にこれらの部分に付着し、堆積しようとする。ところが、本実施形態ではガス排気機構１４には加熱手段２２を設け、この部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱するため、それぞれの部分に不純物が付着、堆積し難く、パーティクル源を極力防止し、あるいは抑制することができる。
【００３６】
また、ガス循環機構２１における不純物の付着は、処理室１１内を窒素ガス等のパージガスを用いて処理室１１内のガスをパージする際に、ガス循環機構２１を介して窒素ガスの一部を循環させることによっても抑制することができる。
【００３７】
しかしながら、ウエハＷの処理を継続していると処理室１１内には不純物が付着、堆積し、また、加熱手段２２を用いてガス排気機構１４及びガス循環機構２１を加熱してこれらの部分での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制しているとはいえ、これらの部分でも不純物が付着、堆積する。そのため、クリーニングを行う。そこで、処理装置のクリーニング運転について説明する。
【００３８】
クリーニングガスとしては例えばＮＦ３、ＣｌＦ３等の従来公知のガスを使用することができる。尚、ＣｌＦ３ガスをクリーニングガスとして使用する場合にはプラズマを立てる必要はない。本実施形態では酸素ガスのプラズマを用いてクリーニングする場合について説明する。まず、処理室１１内にパージガスを供給すると共にその一部をガス循環機構２１を介して循環させ、処理室１１内及びガス排気機構１４、ガス循環機構２１の残留ガスをパージする。次いで、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じ、この状態でガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を開き、ターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５によって処理室１１内を所定の圧力まで減圧する。
【００３９】
次いで、ガス供給源２１から酸素ガスを流量制御しながらシャワーヘッド１３から処理室１１４内に供給する。この際、バルブ１４１、１４４を介してターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５の排気能力を調整し、処理室１１内の酸素ガスの圧力がクリーニング時の圧力まで上昇した時点で高周波電源１６からサセプタ１２に所定の高周波電力を印加して酸素ガスをプラズマ化する。この酸素プラズマは処理室１１内に付着、堆積した不純物と反応してＣＯ、ＣＯ２等のガス生成物を発生し、これらのガスが放電作用により活性化する。この際、終点検出器１９が例えば活性化ガス（例えばＣＯ）からのプラズマ発光の特定波長を検出するため、処理室１１内部のクリーニング作用を確認することができる。そして、これらのガス生成物は徐々にガス排気機構１４を介して外部へ排気される。この際、活性化ガスはガス排気機構１４も同時にクリーニングする。クリーニングが進むと、ガス生成物が減少し、やがて終点検出器１９による活性化ＣＯの検出がなくなる。この時点でクリーニングが終了したことになる。
【００４０】
処理室１１のクリーニング後、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を開き、ガス循環機構２１を働かせると、排気ガス（酸素プラズマを含むガス）の一部（例えば８０％）がシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆを経由し第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に戻り、処理室１１とガス循環機構２１間を循環する。この間に、酸素プラズマは循環配管２１１、バルブ２１２、２１３に付着、堆積した不純物及びシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆ内に付着、堆積した不純物と反応し、上述のようにＣＯ、ＣＯ２等のガス生成物を発生し、終点検出器１９が再び活性化ガスの特定波長を検出するため、ガス循環機構２１及びシャワーヘッド１３のクリーニング作用を確認することができる。
これらのガス生成物は徐々にガス排気機構１４を介して外部へ排気され、クリーニングが終了すると、終点検出器１９による活性化ガスの検出がなくなり、ガス循環機構２１及びシャワーヘッド１３のクリーニングを終了する。
【００４１】
以上説明したように本実施形態によれば、ガス排気機構１４とガス循環機構２１に加熱手段２２をそれぞれ設け、加熱手段２２によってこれらの部分を少なくとも６０℃、好ましくは８０℃〜１２０℃に加熱するようにしたため、ガス排気機構１４及びガス循環機構２１での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。また、ガス供給機構１５の供給配管１５２とガス循環機構２１の循環配管２１１を連絡管２３を介して連通し、この連絡管２３にバルブ２４を設けてガス供給機構１５をシャワーヘッド１３の第２ガス供給孔１３５にも連通可能に構成し、循環ガスＱ２を使用しない時にはバルブ２４を開いて第１、第２ガス供給孔１３３、１３５の双方から処理ガスＱ１を供給するようにしたため、ウエハＷを処理する時に処理ガスＱ１は必ず第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から処理室１１内に吹き出し、第２ガス供給孔１３５及びこの近傍での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、処理装置１０をプラズマクリーニングする時には、ガス供給機構１５を介してクリーニングガスを処理室１１内に供給してプラズマ化して処理室１１内をクリーニングし、クリーニング終了後、連絡管２３のバルブ２４を開いてガス循環機構２１を処理室１１に連通し、ガス供給機構１５を介してクリーニングガスを処理室１１内に供給してプラズマ化し、このプラズマ化したガスをガス循環機構２１を介して循環させてガス循環機構２１をクリーニングするようにしたため、ガス循環機構２１に不純物が付着しても処理装置１０を解体することなく確実にクリーニングして除去することができる。この際、処理室１１内及びガス循環機構２１のクリーニング終了時点を終点検出器１９を介して検出するプラズマ発光強度に基づいて判断するようにしたため、確実にクリーニングの終了時点を知ることができる。
【００４３】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限さるものではなく、必要に応じて適宜設計変更することができる。上記実施形態では不純物の付着を防止しあるいは抑制する手段として加熱手段２２をガス排気機構１４及びガス循環機構２１に設けた場合について説明したが、加熱手段に代えてガス排気機構１４及びガス循環機構２１の一部に冷却手段を設け、冷却手段によって排気ガス及び循環ガスＱ２を強制的に冷却して不純物を捕捉するようにしても良い。また、循環ガスＱ２の流速を速めることによっても不純物の付着を抑制することができる。また、上記実施形態では処理装置１０をクリーニングする場合に処理室１１とガス循環機構２１を個別にこの順序でクリーニングする例を挙げたが、処理室１１とガス循環機構２１を同時にクリーニングしても良い。この場合にも終点検出器を介してクリーニングの終点を検出することができる。また、クリーニングガスの種類によってはプラズマを立てなくても良い。また、上記実施形態ではエッチング装置を例に挙げて説明したが、それ以外のＣＶＤ装置等にも本発明を適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、地球環境に負荷のかかるフッ素化合物を含む処理ガスを使用する場合にはガス循環機構を選択的に使用してフッ素化合物を循環使用してその排気を抑制すると共にガス循環機構及びガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができ、フッ素化合物を含まない処理ガスを使用する場合にはガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができる処理装置の運転方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示す処理装置のシャワーヘッドを示す斜視図である。
【図３】図２に示すシャワーヘッドの内部構造を示す断面図である。
【図４】図２に示すシャワーヘッドの第１、第２ガス供給孔の配置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 処理装置
１１ 処理室
１４ ガス排気機構
１３ シャワーヘッド
１５ ガス供給機構
２１ ガス循環機構
２２ 加熱手段
２２Ａ 加熱テープ
２２Ｂ 加熱体
２３ 連絡管
２４ バルブ
１３３ 第１ガス供給孔
１３５ 第２ガス供給孔
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理装置の運転方法に関し、更に詳しくは、処理室内部等での不純物の付着、堆積を防止することができる処理装置の運転方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ドライエッチング技術においては、エッチングガスとしてフッ素原子を含む処理ガスが用いられている。ところが、近年、オゾン層の破壊や地球の温暖化等の地球の環境破壊が問題となってきている。その為、このような環境破壊を防止するために世界的に種々の環境保全対策が採られている。従来のドライエッチング技術で用いられてきたフッ素化合物もその長い大気寿命と大きな地球温暖化係数のため、極力排気量を低減することが急務となっている。
【０００３】
そこで、フッ素化合物を含む処理ガスの排気量を低減させる一つの方法として、処理装置において排気されるガスの一部を循環させ、処理ガスの利用効率を高める方法が提案されている。即ち、ガス排気機構を介して処理室内から排気されるガスの一部を処理室内に戻すガス循環機構を備えた処理装置が提案されている。このような処理装置の場合には、ガス循環機構を介して排気ガスの一部を処理室内に戻して循環させることによって排気ガス中の未使用の処理ガスを再利用するため、処理ガスの排気量及び使用量を低減することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ガス循環機構を介して排気ガスの一部を循環させると処理ガスの排気量及び使用量を低減することができるが、排気ガス中にはエッチングによる副生成物が不純物として含まれているため、排気ガスを循環させる間にガス循環機構においても不純物が付着、堆積することになる。そして、ガス循環機構の堆積物が循環流で剥離し、パーティクルの原因になるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、地球環境に負荷のかかるフッ素化合物を含む処理ガスを使用する場合にはガス循環機構を選択的に使用してフッ素化合物を循環使用してその排気を抑制すると共にガス循環機構及びガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができ、フッ素化合物を含まない処理ガスを使用する場合にはガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができる処理装置の運転方法を併せて提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の処理装置の運転方法は、ガス排気機構を通じて処理容器内を排気しつつ、ガス供給機構により第１ガス供給孔及び第２ガス供給孔から上記処理容器内にガスを供給してプラズマ処理を行う処理装置の運転方法であって、フッ素化合物を含まない第１の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔及び上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に上記第１の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気する非循環運転を選択し、フッ素化合物を含む第２の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔から上記処理容器内に上記第２の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気すると共に上記処理容器内から排気されるガスの一部をガス循環機構を通じて上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に戻す循環運転を選択し、上記非循環運転おいては少なくとも上記ガス排気機構に設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構を８０〜１２０℃に加熱し、上記循環運転においては上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構それぞれに設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構をそれぞれ８０〜１２０℃に加熱することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態の処理装置１０は、例えば図１に示すように、ウエハＷのエッチング処理を行う処理容器（以下、「処理室」と称す。）１１と、処理室１１内に配設されたサセプタ１２と、サセプタ１２の上方に配設され且つ処理ガスＱ１を処理室１１内へ供給するシャワーヘッド１３と、処理室１１内を所定の真空度まで減圧するガス排気機構１４とを備えて、シャワーヘッド１３には処理ガスＱ１等を供給するガス供給機構１５が接続されている。サセプタ１２には高周波電源１６がマッチングボックス１７を介して接続され、高周波電源１６から所定の高周波電力をサセプタ１２に印加し、シャワーヘッド１３から供給された処理ガスＱ１をプラズマ化してサセプタ１２上のウエハＷをエッチングする。
【００１５】
上記ガス供給機構１５はガス供給源１５１及び供給配管１５２を有している。供給配管１５２の上流にはバルブ１５３が設けられ、バルブ１５３を介して供給される処理ガスＱ１の流量を流量制御装置（マスフローコントローラ）１５４を介して制御する。この供給配管１５２のマスフローコントローラ１５４の上流側及び下流側には真空計１８Ａ、１８Ｂがそれぞれ設けられ、真空計１８Ａ、１８Ｂを介してマスフローコントローラ１５４の上流側及び下流側の圧力を測定する。
【００１６】
また、上記処理装置１０は終点検出器１９を備え、終点検出器１９を用いて処理室１１内のプラズマ発光を観察し、エッチングの終点を検出する。終点検出器１９には制御装置２０が接続され、制御装置２０を介して高周波電源１６を制御する。また、制御装置２０は運転中の処理装置１０の各部位を駆動制御する。
【００１７】
而して、上記ガス排気機構１４にはガス循環機構２１が接続され、ガス循環機構２１を介して排気ガスの一部を循環ガスＱ２としてシャワーヘッド１３へ戻し、シャワーヘッド１３を介して循環ガスＱ２を処理ガスＱ１と一緒に処理室１１内へ供給し、排気ガスに含まれている未反応の処理ガスＱ１を繰り返し利用する。これにより処理ガスＱ１の大気への排出量を抑制すると共に処理ガスＱ１の使用量を低減し、地球環境の負荷を軽減することができる。地球環境に負荷をかけない処理ガスＱ１を使用する場合にはガス循環機構２１は使用しなくても良い。そして、本実施形態では後述のようにガス排気機構１４及びガス循環機構２１に加熱手段２２がそれぞれ設けられ、これらの加熱手段２２によってガス排気機構１４及びガス循環機構２１を加熱し、これらの部分に対する不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制している。
【００１８】
上記ガス排気機構１４は、バルブ１４１を介して接続されたターボポンプ１４２と、ターボポンプ１４２に排気配管１４３及びバルブ１４４を介して接続されたドライポンプ１４５とを有し、後者のバルブ１４４を介してターボポンプ１４２の背圧を制御する。排気配管１４３には真空計１８Ｃが設けられ、真空計１８Ｃを介してターボポンプ１４２の背圧を測定する。排気配管１４３には加熱テープ２２Ａが加熱手段２２として被覆され、加熱テープ２２Ａによって排気配管１４３を介して排気ガスを所定の温度に加熱調整する。また、バルブ１４１、１４４には加熱体２２Ｂが加熱手段２２として設けられ（但し、バルブ１４１の加熱体図示せず）は、加熱体２２Ｂによってバルブ１４１、１４４を通過する排気ガスを所定の温度に加熱調整する。図１ではバルブ１４４全体を加熱体２２Ｂで被覆した例について図示してあるが、加熱体２２Ｂをバルブ１４１、１４４の可動部（例えば弁体）内に内蔵させたものであっても良い。また、排気配管１４３には温度計１４６が設けられ、温度計１４６によって排気ガスの温度を測定する。この測定値に基づいて制御装置２０が働き、加熱温度を制御する。このような加熱によってバルブ１４１、１４４やターボポンプ１４２、ドライポンプ１４５内での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００１９】
上記ガス循環機構２１は、図１に示すように、上流端が排気配管１４３のターボポンプ１４２とバルブ１４４間に接続され且つ下流端がシャワーヘッド１３に接続された循環配管２１１と、循環配管２１１に設けられた上流側のバルブ２１２及び下流側のバルブ２１３とを備えている。更に、循環配管２１１の下流端は図２、図３に示すように、四方に分岐し、これらの分岐管２１１Ａがシャワーヘッド１３に接続されている。分岐管２１１Ａの内径ｒは循環配管２１１の内径Ｒの約１／２に形成され、４本の分岐管２１１Ａの断面積の合計と本管の断面積とが実質的に等しくなっている。そして、バルブ２１２とバルブ２１３間の空間が後述するように循環ガスＱ２を一時的に貯留するバッファ空間として形成されている。ところが、ガス循環機構２１にはエッチングによる排気ガスの一部が循環するため、排気ガスに含まれているエッチング副生成物（不純物）が付着、堆積する。そのため、本実施形態ではガス循環機構２１に加熱手段２２が設けられ、この加熱手段２２によってガス循環機構２１を加熱し、ガス循環機構２１の各構成部材への不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制している。
【００２０】
即ち、循環配管２１１には加熱テープ２２Ａが加熱手段２２として被覆され、加熱テープ２２Ａによって循環配管２１１内の循環ガスＱ２を所定の温度に加熱調整する。また、バルブ２１２、２１３には加熱体２２Ｂが加熱手段２２として設けられ、加熱体２２Ｂによってバルブ２１２、２１３を通過する循環ガスＱ２を所定の温度に加熱調整する。図１ではバルブ２１２、２１３全体を加熱体２２Ｂで被覆した例について図示してあるが、加熱体２２Ｂをバルブ２１２、２１３の可動部（例えば弁体）内に内蔵させたものであっても良い。また、循環配管２１１には温度計２１４が設けられ、温度計２１４によって循環ガスＱ２の温度を測定する。この測定値に基づいて制御装置２０が働き、加熱温度を制御する。このように循環ガスＱ２を例えば少なくとも６０℃、好ましくは８０℃〜１２０℃に加熱することによって循環配管２１１やバルブ２１２、２１３内での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００２１】
上記ガス循環機構２１は上述のように循環配管２１１の分岐管２１１Ａを介してシャワーヘッド１３に接続され、シャワーヘッド１３を介して循環ガスＱ２を処理ガスＱ１と一緒に処理室１１内に供給することができる。そこで、シャワーヘッド１３の構造について図２、図３を参照しながら説明する。シャワーヘッド１３は、図２、図３に示すように、処理ガスＱ１を供給する処理ガス供給系統と、循環ガスＱ２を供給する循環ガス供給系統に分けて構成され、処理ガス供給系統と循環ガス供給系統は互いに独立してそれぞれのガスを供給することができる。
【００２２】
即ち、上記シャワーヘッド１３は、図２、図３に示すように、例えばアルマイトからなる電極板１３１を主体に構成されている。電極板１３１はそれぞれ同一外径に形成された第１電極板１３１Ａ、第２電極板１３１Ｂ及び第３電極板１３１Ｃからなり、これらの電極板１３１Ａ、１３１Ｂ、１３１Ｃは重合し、締結具１３１Ｄを介して一体化している。第１電極板１３１Ａの下面及び第３電極板１３１Ｃの上面にはそれぞれ凹陥部が形成されている。そして、上下の凹陥部は第１、第３電極板１３１Ａ、１３１Ｃ間に介在する板状の第２電極板１３１Ｂによって上下の空間に区画されている。後述するように上側の空間は処理ガス拡散空間１３１Ｅとして形成され、下側の空間は循環ガス拡散空間１３１Ｆとして形成されている。
【００２３】
また、図２に示すように第１電極板１３１Ａの中心には供給配管１５２が接続されていると共に供給配管１５２の周囲４箇所には循環配管２１１の分岐管２１１Ａが接続されている。第２、第３電極板１３１Ｂ、１３１Ｃには図３に示すようにそれぞれ複数の孔が互いに対応して形成され、これらの孔の間に円筒状のスペーサ１３２が介在している。スペーサ１３２と第２、第３電極板１３１Ｂ、１３１Ｃの接続部にはそれぞれＯリング等のシール部材が設けられている。従って、スペーサ１３２は処理ガス拡散空間１３１Ｅと処理室１１内を連通し、処理ガスＱ１を処理ガス拡散空間１３１Ｅから処理室１１内に供給する第１ガス供給孔１３３として形成されている。また、第１電極板１３１Ａと第２電極板１３１Ｂの間には循環配管２１１の分岐管２１１Ａに連通する円筒状のスペーサ１３４が４箇所に介在している。スペーサ１３４と第１、第２電極板１３１Ａ、１３１Ｂの接続部にはそれぞれＯリング等のシール部材が設けられている。従って、スペーサ１３４は循環配管２１１の分岐管２１１Ａと循環ガス拡散空間１３１Ｆを連通し、循環ガスＱ２を循環配管２１１から循環ガス拡散空間１３１Ｆ内へ供給する連通孔として形成されている。更に、第３電極板１３１Ｃには第１ガス供給孔１３３を囲むように配置された第２ガス供給孔１３５が形成され、循環ガス拡散空間１３１Ｆ内の循環ガスＱ２を第２ガス供給孔１３５から処理室１１内へ供給する。
【００２４】
第１ガス供給孔１３３と第２ガス供給孔１３５は例えば図４に示すように配置されている。第１ガス供給孔１３３は例えば略１ｍｍ径の大きさで４０個程度形成され、第２ガス供給孔１３５は例えば略１ｍｍ径の大きさで第１ガス供給孔１３３を囲んで３００個程度形成されている。第１、第２ガス供給孔１３３、１３５は電極板１３１全面に均等に割り振られ、第１ガス供給孔１３３の数と第２ガス供給孔１３５の数の比は、処理ガスＱ１の流量と循環ガスＱ２の流量の比と実質的に等しくなるように設定されている。
【００２５】
更に、本実施形態では図１〜図３に示すように、供給配管１５２と循環配管２１１とが連絡管２３によって連結されている。この連絡管２３にはバルブ２４が設けられ、このバルブ２４の開閉により供給配管１５２と循環配管２１１とを連通し、あるいは遮断する。例えば、循環ガスＱ２を使用せずに処理ガスＱ１のみでウエハＷの処理を行う時にはバルブ２４を開き、循環配管２１１のバルブ２１２、２１３を閉じる。この操作によって処理ガスＱ１は供給配管１５２及び循環配管２１１の分岐管２１１Ａの双方からシャワーヘッド１３の処理ガス拡散空間１３１Ｅ内及び循環ガス拡散空間１３１Ｆ内に流入する。処理ガス拡散空間１３１Ｅ内の処理ガスＱ１は第１ガス供給孔１３３を介して処理室１１内へ流入し、循環ガス拡散空間１３１Ｆ内の処理ガスＱ１は第２ガス供給孔１３５を介して処理室１１内へ流入する。従って、排気ガスを循環利用しない時でも処理ガスＱ１は第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に吹き出すため、第２ガス供給孔１３５内やその吹き出し口近傍に不純物が付着、堆積することを防止することができ、ひいてはパーティクルの発生を防止することができる。また、連絡管２３の少なくとも循環配管２１１側には加熱テープ２２Ａが被覆され、バルブ２４には加熱体２２Ｂが設けられれいる。これらの加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂによって連絡管２３及びバルブ２４を加熱し、これらの部分における不純物の付着、堆積を防止し、あるいは抑制することができる。図１に示すように連絡管２３全体を加熱テープ２２Ａで被覆しても良いことは云うまでもない。
【００２６】
次に、処理装置１０の運転方法について説明する。まずガス循環機構を使用する場合ついて説明する。例えばフッ素系の処理ガスを使用する場合には地球環境保全の観点から処理後の排気ガスを循環させる。排気ガスを循環させる場合には連絡管２３のバルブ２４を閉じ、ガス循環機構２１をガス供給配管１５２から遮断し、処理ガスＱ１と循環ガスＱ２がシャワーヘッド１３内で互いに混合することなくそれぞれのガスを第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から供給する態勢にする。然る後、処理ガス導入までの準備工程に入る。この工程ではガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４及びガス循環機構２１のバルブ２１２を開き、ガス循環機構２１の下流側のバルブ２１３は閉じておく。この状態でターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５が駆動し、処理室１１内及び循環配管２１１のバルブ２１３までの領域を例えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気する。ドライポンプ１４５はターボポンプ１４２の下流側領域及び循環配管２１１のバルブ２１３までの領域を排気する。この際、ガス排気機構１４及びガス循環機構２１の加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂに通電し、これらの部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱する。この加熱によりそれぞれの部分に不純物が付着、堆積し難く、パーティクル源を極力防止し、あるいは抑制することができる。この時の温度は温度計２１４によって制御温度になっているか否かを確認することができる。
【００２７】
次いで、処理ガスの導入及び安定化工程に移行する。この工程では新たにバルブ１４４を閉じた状態でガス供給源２１の処理ガスＱ１をバルブ１５３及びマスフローコントローラ１５４を介して流量制御しながら供給すると、処理ガスＱ１はターボポンプ１４２を介してシャワーヘッド１３の処理ガス拡散空間１３１Ｅを経由し第１ガス供給孔１３３から処理室１１内に流入し、処理室１１から流出し、排気配管１４３及び循環配管２１１に到達し、それぞれの部分の圧力が例えば処理時の圧力２Ｔｏｒｒまで上がる。この時の圧力は真空計１８Ｃ、１８Ｄで確認する。循環配管２１１内の圧力が処理室１１及び排気配管１４３の圧力と等しくなった時点でガス循環機構２１の下流側のバルブ２１３を開き、処理室１１からの排気ガスの一部をガス循環機構２１を介してシャワーヘッド１３へ循環させると、循環ガスＱ２はシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆを経由し第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に戻り、排気ガスの循環が始まる。この時ガス排気機構１４の下流側のバルブ１４４を開き、このバルブ１４４を介してドライポンプ１４５の排気能力を調整し循環ガスＱ２の循環率を８０％に制御する。処理ガスＱ１及び循環ガスＱ２の流量が安定したか否かは真空計１８Ｃ、１８Ｄによって確認する。
【００２８】
ガス流量が安定した段階でウエハＷの処理工程に移行する。この工程では高周波電源１６から所定の高周波電力をマッチングボックス１７を介してサセプタ１２に印加し、処理室１１内の処理ガスＱ１をプラズマ化する。処理室１１内でウエハＷのエッチングを行うと、副生成物が不純物として発生し、不純物が処理室１１内で付着、堆積する。また、不純物は排気ガスと一緒にガス排気機構１４を介して処理室１１内から排気され、その８０％が循環配管２１１を介して処理室１１内へ戻って循環する。排気ガスが循環する間に、ガス排気機構１４（バルブ１４１、１４４、ターボポンプ１４２、及び排気配管１４３）及びガス循環機構２１（循環配管２１１、バルブ２１２、２１３）に不純物が付着し、堆積しようとする。ところが、本実施形態ではガス排気機構１４及びガス循環機構２１にそれぞれ加熱手段２２を設け、これらの部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱しているため、それぞれの部分に対して不純物が付着し、堆積し難く、パーティクルの発生を極力防止し、抑制することができ、ひいては処理装置１０の長期間に渡る運転が可能になる。
【００２９】
一枚目のウエハＷの処理が終了すると、ウエハの処理終了工程に移行する。この工程では高周波電源１６の印加を終了し、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じてバッファ空間内に循環ガスＱ２を処理時の圧力（２Ｔｏｒｒ）のままで封止する。この操作と同時にガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を全開して処理室１１内の残留ガスを排気する。この排気ガスには未処理の処理ガスＱ１が極めて僅かしか含まれていないため、従来と比較して環境負荷を格段に軽減することができる。
【００３０】
２枚目のウエハＷは以下の工程で処理する。２枚目のウエハＷを処理する段階では、ガス循環機構２１のバッファ空間内に循環ガスＱ２が処理時の圧力で封止されているため、１枚目のウエハＷを処理する時と同様にターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５を介して処理室１１内及び排気配管１４３内を減圧した後、ガス導入工程に移行する。ガス導入工程では、処理ガスＱ１を供給し、１枚目のウエハＷを処理する時と同様のバルブ操作で処理室１１内及び排気配管１４３内を処理時の圧力に調整し、それぞれの内部の圧力が処理時の圧力に達したことを真空計１８Ｃ、１８Ｄで確認する。この操作によって処理ガスＱ１の圧力は循環配管２１１のバッファ空間の循環ガスＱ２の圧力と等しくなる。次いで、バッファ空間での循環ガスＱ２の圧力調整を省略し、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を開き、排気ガスを循環させる。その後は１枚目のウエハＷと同様の手順で処理する。２枚目以降のウエハＷを処理する時にも排気ガスに含まれる不純物がガス排気機構１４及びガス循環機構２１の内部で付着、堆積しようとしても、それぞれの加熱手段２２によって不純物の付着、堆積を防止することができる。
【００３１】
次に、ガス循環機構を使用しない場合の運転方法ついて説明する。この場合には、窒素ガスや酸素ガス等の地球環境に負荷のかからない処理ガスＱ１を使用する。この場合にはガス循環機構２１を使用しないため、連絡管２３のバルブ２４を閉じたままではシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆがデッドスペースになり、処理中の不純物が第２ガス供給孔１３５内及びその近傍に付着し、パーティクルの発生源になる。そこで、本実施形態では連絡管２３のバルブ２４を開くと共にガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じる。この操作によりシャワーヘッド１３の第２ガス供給孔１３５をも利用して処理室１１内に処理ガスＱ１を供給することができる。以下、この場合の運転方法について説明する。
【００３２】
まず、上述したように連絡管２３のバルブ２４を開くと共にガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じる。次いで、処理ガス導入までの準備工程に入る。この工程ではガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を開く。この状態でターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５が駆動し、処理室１１内及び排気配管１４３内を例えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気する。ドライポンプ１４５はターボポンプ１４２の下流側領域を排気する。この際、少なくともガス排気機構１４の加熱テープ２２Ａ及び加熱体２２Ｂに通電し、これらの部分を加熱する。この時の温度は温度計１４６によって制御温度になっているか否かを確認することができる。
【００３３】
次いで、処理ガスの導入及び安定化工程に移行する。この工程では新たにバルブ１４４を閉じた状態でガス供給源２１の処理ガスＱ１をバルブ２２及びマスフローコントローラ１５４を介して流量制御しながら供給すると、処理ガスＱ１はシャワーヘッド１３の第１ガス供給孔１３３から処理室１１内に流入すると共に第２ガス供給孔１３５からも処理室１１内に流入し、処理室１１からターボポンプ１４２を介して排気されて排気配管１４３に到達し、それぞれの部分の圧力が例えば処理時の圧力２Ｔｏｒｒまで上がる。処理ガスＱ１の流量が安定したか否かは真空計１８Ｃ、１８Ｄによって確認する。
【００３４】
ガス流量が安定した段階でウエハＷの処理工程に移行する。この工程では高周波電源１６から所定の高周波電力をマッチングボックス１６を介してサセプタ１２に印加し、処理室１１内の処理ガスＱ１をプラズマ化する。処理室１１内でウエハＷのエッチングを行うと、副生成物が不純物として発生し、不純物が処理室１１内で付着、堆積する。この際、本実施形態では連絡管２３及びバルブ２４を設け、循環ガスＱ２を使用しない時にはバルブ２４を開いて供給配管１５２と循環配管２１１とを連通し、処理ガスＱ１を第２ガス供給孔１３５からも供給するため、シャワーヘッド１３の第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から処理ガスＱ１が吹き出し、第１ガス供給孔１３３のみならず第２ガス供給孔１３５及びこれらの周辺で不純物が付着する虞がない。連絡管２３を設けてない場合には循環ガス用の第２ガス供給孔１３５を使用しないため、循環ガス拡散空間１３１Ｆからのガス噴出がなく、この部分がデッドスペースとなって処理室１１内で発生した不純物が第２ガス供給孔１３５及びその周辺に付着堆積し、パーティクル源になる。
【００３５】
不純物は排気ガスに伴ってガス排気機構１４（バルブ１４１、１４４、ターボポンプ１４２、及び排気配管１４３）を通過する間にこれらの部分に付着し、堆積しようとする。ところが、本実施形態ではガス排気機構１４には加熱手段２２を設け、この部分を例えば６０℃以上、好ましくは８０〜１２０℃まで加熱するため、それぞれの部分に不純物が付着、堆積し難く、パーティクル源を極力防止し、あるいは抑制することができる。
【００３６】
また、ガス循環機構２１における不純物の付着は、処理室１１内を窒素ガス等のパージガスを用いて処理室１１内のガスをパージする際に、ガス循環機構２１を介して窒素ガスの一部を循環させることによっても抑制することができる。
【００３７】
しかしながら、ウエハＷの処理を継続していると処理室１１内には不純物が付着、堆積し、また、加熱手段２２を用いてガス排気機構１４及びガス循環機構２１を加熱してこれらの部分での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制しているとはいえ、これらの部分でも不純物が付着、堆積する。そのため、クリーニングを行う。そこで、処理装置のクリーニング運転について説明する。
【００３８】
クリーニングガスとしては例えばＮＦ３、ＣｌＦ３等の従来公知のガスを使用することができる。尚、ＣｌＦ３ガスをクリーニングガスとして使用する場合にはプラズマを立てる必要はない。本実施形態では酸素ガスのプラズマを用いてクリーニングする場合について説明する。まず、処理室１１内にパージガスを供給すると共にその一部をガス循環機構２１を介して循環させ、処理室１１内及びガス排気機構１４、ガス循環機構２１の残留ガスをパージする。次いで、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を閉じ、この状態でガス排気機構１４のバルブ１４１、１４４を開き、ターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５によって処理室１１内を所定の圧力まで減圧する。
【００３９】
次いで、ガス供給源２１から酸素ガスを流量制御しながらシャワーヘッド１３から処理室１１４内に供給する。この際、バルブ１４１、１４４を介してターボポンプ１４２及びドライポンプ１４５の排気能力を調整し、処理室１１内の酸素ガスの圧力がクリーニング時の圧力まで上昇した時点で高周波電源１６からサセプタ１２に所定の高周波電力を印加して酸素ガスをプラズマ化する。この酸素プラズマは処理室１１内に付着、堆積した不純物と反応してＣＯ、ＣＯ２等のガス生成物を発生し、これらのガスが放電作用により活性化する。この際、終点検出器１９が例えば活性化ガス（例えばＣＯ）からのプラズマ発光の特定波長を検出するため、処理室１１内部のクリーニング作用を確認することができる。そして、これらのガス生成物は徐々にガス排気機構１４を介して外部へ排気される。この際、活性化ガスはガス排気機構１４も同時にクリーニングする。クリーニングが進むと、ガス生成物が減少し、やがて終点検出器１９による活性化ＣＯの検出がなくなる。この時点でクリーニングが終了したことになる。
【００４０】
処理室１１のクリーニング後、ガス循環機構２１のバルブ２１２、２１３を開き、ガス循環機構２１を働かせると、排気ガス（酸素プラズマを含むガス）の一部（例えば８０％）がシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆを経由し第２ガス供給孔１３５から処理室１１内に戻り、処理室１１とガス循環機構２１間を循環する。この間に、酸素プラズマは循環配管２１１、バルブ２１２、２１３に付着、堆積した不純物及びシャワーヘッド１３の循環ガス拡散空間１３１Ｆ内に付着、堆積した不純物と反応し、上述のようにＣＯ、ＣＯ２等のガス生成物を発生し、終点検出器１９が再び活性化ガスの特定波長を検出するため、ガス循環機構２１及びシャワーヘッド１３のクリーニング作用を確認することができる。
これらのガス生成物は徐々にガス排気機構１４を介して外部へ排気され、クリーニングが終了すると、終点検出器１９による活性化ガスの検出がなくなり、ガス循環機構２１及びシャワーヘッド１３のクリーニングを終了する。
【００４１】
以上説明したように本実施形態によれば、ガス排気機構１４とガス循環機構２１に加熱手段２２をそれぞれ設け、加熱手段２２によってこれらの部分を少なくとも６０℃、好ましくは８０℃〜１２０℃に加熱するようにしたため、ガス排気機構１４及びガス循環機構２１での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。また、ガス供給機構１５の供給配管１５２とガス循環機構２１の循環配管２１１を連絡管２３を介して連通し、この連絡管２３にバルブ２４を設けてガス供給機構１５をシャワーヘッド１３の第２ガス供給孔１３５にも連通可能に構成し、循環ガスＱ２を使用しない時にはバルブ２４を開いて第１、第２ガス供給孔１３３、１３５の双方から処理ガスＱ１を供給するようにしたため、ウエハＷを処理する時に処理ガスＱ１は必ず第１、第２ガス供給孔１３３、１３５から処理室１１内に吹き出し、第２ガス供給孔１３５及びこの近傍での不純物の付着、堆積を防止あるいは抑制することができる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、処理装置１０をプラズマクリーニングする時には、ガス供給機構１５を介してクリーニングガスを処理室１１内に供給してプラズマ化して処理室１１内をクリーニングし、クリーニング終了後、連絡管２３のバルブ２４を開いてガス循環機構２１を処理室１１に連通し、ガス供給機構１５を介してクリーニングガスを処理室１１内に供給してプラズマ化し、このプラズマ化したガスをガス循環機構２１を介して循環させてガス循環機構２１をクリーニングするようにしたため、ガス循環機構２１に不純物が付着しても処理装置１０を解体することなく確実にクリーニングして除去することができる。この際、処理室１１内及びガス循環機構２１のクリーニング終了時点を終点検出器１９を介して検出するプラズマ発光強度に基づいて判断するようにしたため、確実にクリーニングの終了時点を知ることができる。
【００４３】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限さるものではなく、必要に応じて適宜設計変更することができる。上記実施形態では不純物の付着を防止しあるいは抑制する手段として加熱手段２２をガス排気機構１４及びガス循環機構２１に設けた場合について説明したが、加熱手段に代えてガス排気機構１４及びガス循環機構２１の一部に冷却手段を設け、冷却手段によって排気ガス及び循環ガスＱ２を強制的に冷却して不純物を捕捉するようにしても良い。また、循環ガスＱ２の流速を速めることによっても不純物の付着を抑制することができる。また、上記実施形態では処理装置１０をクリーニングする場合に処理室１１とガス循環機構２１を個別にこの順序でクリーニングする例を挙げたが、処理室１１とガス循環機構２１を同時にクリーニングしても良い。この場合にも終点検出器を介してクリーニングの終点を検出することができる。また、クリーニングガスの種類によってはプラズマを立てなくても良い。また、上記実施形態ではエッチング装置を例に挙げて説明したが、それ以外のＣＶＤ装置等にも本発明を適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、地球環境に負荷のかかるフッ素化合物を含む処理ガスを使用する場合にはガス循環機構を選択的に使用してフッ素化合物を循環使用してその排気を抑制すると共にガス循環機構及びガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができ、フッ素化合物を含まない処理ガスを使用する場合にはガス排気機構における不純物の堆積を抑制し、防止することができる処理装置の運転方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示す処理装置のシャワーヘッドを示す斜視図である。
【図３】図２に示すシャワーヘッドの内部構造を示す断面図である。
【図４】図２に示すシャワーヘッドの第１、第２ガス供給孔の配置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０ 処理装置
１１ 処理室
１４ ガス排気機構
１３ シャワーヘッド
１５ ガス供給機構
２１ ガス循環機構
２２ 加熱手段
２２Ａ 加熱テープ
２２Ｂ 加熱体
２３ 連絡管
２４ バルブ
１３３ 第１ガス供給孔
１３５ 第２ガス供給孔
Claims (1)
- ガス排気機構を通じて処理容器内を排気しつつ、ガス供給機構により第１ガス供給孔及び第２ガス供給孔から上記処理容器内にガスを供給してプラズマ処理を行う処理装置の運転方法であって、
フッ素化合物を含まない第１の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔及び上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に上記第１の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気する非循環運転を選択し、
フッ素化合物を含む第２の処理ガスで上記プラズマ処理を行う場合には、上記第１ガス供給孔から上記処理容器内に上記第２の処理ガスを供給し、上記処理容器内から処理後のガスを排気すると共に上記処理容器内から排気されるガスの一部をガス循環機構を通じて上記第２ガス供給孔から上記処理容器内に戻す循環運転を選択し、
上記非循環運転おいては少なくとも上記ガス排気機構に設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構を８０〜１２０℃に加熱し、
上記循環運転においては上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構それぞれに設けられた加熱手段を介して上記ガス排気機構及び上記ガス循環機構をそれぞれ８０〜１２０℃に加熱する
ことを特徴とする処理装置の運転方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264529A JP4764574B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 処理装置の運転方法 |
| PCT/JP2002/008829 WO2003019639A1 (fr) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | Dispositif de traitement faisant intervenir un gaz de traitement et son mode d'utilisation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264529A JP4764574B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 処理装置の運転方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077897A JP2003077897A (ja) | 2003-03-14 |
| JP2003077897A5 JP2003077897A5 (ja) | 2008-10-16 |
| JP4764574B2 true JP4764574B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=19091113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264529A Expired - Fee Related JP4764574B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 処理装置の運転方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4764574B2 (ja) |
| WO (1) | WO2003019639A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5430662B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-03-05 | 京セラ株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
| JP5041009B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
| JP5689294B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP6078354B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6065762B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2017-01-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
| JP5764228B1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| JP5885870B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-03-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| JP6763274B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体 |
| JP7190888B2 (ja) | 2018-12-06 | 2022-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 配管加熱装置及び基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0997785A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
| JP3695865B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2005-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 真空排気装置 |
| JPH11162943A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP2000068212A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Ebara Corp | ガス循環機構を有する半導体製造方法及び装置 |
| JP3648144B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置，および，被処理体の処理方法 |
| JP2002217166A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Toshiba Corp | ガス処理装置のクリーニング方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264529A patent/JP4764574B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-30 WO PCT/JP2002/008829 patent/WO2003019639A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003019639A1 (fr) | 2003-03-06 |
| JP2003077897A (ja) | 2003-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080828 |
|
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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