JPS6110238A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS6110238A JPS6110238A JP9956785A JP9956785A JPS6110238A JP S6110238 A JPS6110238 A JP S6110238A JP 9956785 A JP9956785 A JP 9956785A JP 9956785 A JP9956785 A JP 9956785A JP S6110238 A JPS6110238 A JP S6110238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processed
- plasma
- temperature
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ処理方法に関するものであり、特にプ
ラズマエツチング方法に関するものである。
ラズマエツチング方法に関するものである。
従来、被処理体例えば半導体ウェハが収納されたベルジ
ャ内にプラズマを満たしこのプラズマにより上記被処理
体をエツチング加工する方法が知られている。該方法に
使用される装置としては、第１図に示すように石英から
なるベルジャ２１及び該ベルジャ内に収納される。被処
理体２３を設置する設置台（ステージ）２２、上記ベル
ジャ２１内にプラズマを吸引するだめの吸引パルプ２４
％上記ベルジャ２１外にプラズマを排気するだめの排気
パルプ２４とからなる装置３０が知られてぃ上記した従
来技術においては被処理体２３表面のエツチングスピー
ドに差が生じ均一なエツチング加工ができないという問
題がある。例えばφ９０シリコンウェハ表面の約３５０
ＯＡ厚のポリシリコン膜をエツチングしてポリシリコン
配線を形成する場合ウェハの中央部が周辺部に比べてエ
ツチングスピードが遅くなりウェハ周辺部の配線幅と中
央部の配線幅とで約０５μの差が生じてしまう。
ャ内にプラズマを満たしこのプラズマにより上記被処理
体をエツチング加工する方法が知られている。該方法に
使用される装置としては、第１図に示すように石英から
なるベルジャ２１及び該ベルジャ内に収納される。被処
理体２３を設置する設置台（ステージ）２２、上記ベル
ジャ２１内にプラズマを吸引するだめの吸引パルプ２４
％上記ベルジャ２１外にプラズマを排気するだめの排気
パルプ２４とからなる装置３０が知られてぃ上記した従
来技術においては被処理体２３表面のエツチングスピー
ドに差が生じ均一なエツチング加工ができないという問
題がある。例えばφ９０シリコンウェハ表面の約３５０
ＯＡ厚のポリシリコン膜をエツチングしてポリシリコン
配線を形成する場合ウェハの中央部が周辺部に比べてエ
ツチングスピードが遅くなりウェハ周辺部の配線幅と中
央部の配線幅とで約０５μの差が生じてしまう。
尚、被処理体をプラズマを用いて処理する方法について
は、特開昭５３−６８１７１に記載されである。
は、特開昭５３−６８１７１に記載されである。
本発明の目的は、被処理体をプラズマ処理する時生じる
被処理体の不均一な処理をなくし被処理体の処理精度を
向上させることができるプラズマ処理方法を提供するこ
とである。
被処理体の不均一な処理をなくし被処理体の処理精度を
向上させることができるプラズマ処理方法を提供するこ
とである。
次に本発明の一実施例を説明する。まず、被処理体をベ
ルジャ内圧収納し、該被処理体に温度勾配が生じるよう
忙該被処理体を加熱しながら上記ベルジャ内圧封入され
たプラズマにより上記被処環体を処理する。上記被処理
体として、その表面にポリシリコン膜が形成されたシリ
コンウェハを用い該ウェハのポリシリコン膜をエツチン
グする場合、該ウェハ中央部がその周辺部よりも高い温
度忙なるような温度勾配が生じるように上記シリコンウ
ェハを加熱する。例えばウェハ中央部を５０〜７０穆度
に加熱し周辺部は２５程度に加熱する。又、上記のよう
な処理方法において用いられる装置の一実施例として、
第２図に示すような装置を使用することができる。同図
において、１は真空排気、プラズマ閉じ込めのための石
英からなるベルジャ、４は半導体ウェハ３を設置するス
テンレスからなるステージ、６，７．８はそれぞれ上記
ステージ４中に備えられた温度制御可能なヒーター、９
は上記ベルジャ内へのプラズマ吸引用の吸引バルブ、１
０はプラズマ排気用の排気バルブ、１１は上記ベルジャ
１とステージ４とをシールするシーリングである。上記
のような装置においてまず被処理体としてその表面にポ
リシリコン膜が形成されたシリコンウェハ３をステージ
４上Ｋｉｔき、上記ステージ４中のヒーター６．７゜８
を加熱するその時、上記シリコンウェハ・３の中央部の
温度が周辺部よりも高くなるように上記ヒーター６．７
．８の中央のヒーター６を一番強く熱する。ウェハの中
央部は５０〜７０程度、周辺部は２５程度に加熱する。
ルジャ内圧収納し、該被処理体に温度勾配が生じるよう
忙該被処理体を加熱しながら上記ベルジャ内圧封入され
たプラズマにより上記被処環体を処理する。上記被処理
体として、その表面にポリシリコン膜が形成されたシリ
コンウェハを用い該ウェハのポリシリコン膜をエツチン
グする場合、該ウェハ中央部がその周辺部よりも高い温
度忙なるような温度勾配が生じるように上記シリコンウ
ェハを加熱する。例えばウェハ中央部を５０〜７０穆度
に加熱し周辺部は２５程度に加熱する。又、上記のよう
な処理方法において用いられる装置の一実施例として、
第２図に示すような装置を使用することができる。同図
において、１は真空排気、プラズマ閉じ込めのための石
英からなるベルジャ、４は半導体ウェハ３を設置するス
テンレスからなるステージ、６，７．８はそれぞれ上記
ステージ４中に備えられた温度制御可能なヒーター、９
は上記ベルジャ内へのプラズマ吸引用の吸引バルブ、１
０はプラズマ排気用の排気バルブ、１１は上記ベルジャ
１とステージ４とをシールするシーリングである。上記
のような装置においてまず被処理体としてその表面にポ
リシリコン膜が形成されたシリコンウェハ３をステージ
４上Ｋｉｔき、上記ステージ４中のヒーター６．７゜８
を加熱するその時、上記シリコンウェハ・３の中央部の
温度が周辺部よりも高くなるように上記ヒーター６．７
．８の中央のヒーター６を一番強く熱する。ウェハの中
央部は５０〜７０程度、周辺部は２５程度に加熱する。
このような状態で上記ウェハ３表面のポリシリコン膜を
ベルジャ１内に吸引したプラズマでエツチングする。
ベルジャ１内に吸引したプラズマでエツチングする。
上記のような装置を用いれば、ヒーター６．７゜８のそ
れぞれの温度を適度に調整することＫよりシリコンウェ
ハ３内に温度勾配を与えることができる％に上記したよ
うに中央の４−タ−６を一番強く熱することにより被処
理体であるシリコンウェハ３の中央部の温度を周辺部よ
りも高くてることができる。
れぞれの温度を適度に調整することＫよりシリコンウェ
ハ３内に温度勾配を与えることができる％に上記したよ
うに中央の４−タ−６を一番強く熱することにより被処
理体であるシリコンウェハ３の中央部の温度を周辺部よ
りも高くてることができる。
上記したような方法及び装置によれば本発明の目的が達
成できる理由は以下の通りである。プラズマのエツチン
グスピードは被処理体の温度が高いほど速くなるため被
処理体に温度勾配が生じるように該被処理体を加熱する
と、被処理体の高い温度に加熱された部分のプラズマエ
ツチングのスピードが速くなり被処理体を均一にプラズ
マ処理することができるのである。上記のように被処理
体としてのシリコンウェハ３を用いる場合は、ウェハ中
央部のエツチングスピードが速くなりウェハ周辺部のエ
ツチングスピードとの差がなくなり従ってシリコンウェ
ハ表面のポリシリコン膜を均一にプラズマエツチングす
ることができるのである。尚、上記被処理体の加熱温度
としては１００℃以下が適切である。さらＫ、上記した
装置においては被処理体（ウェハ）を設置するステージ
中に温度制御可能な複数のヒーターが備えられかつ、こ
のヒーターの所定部分のみを他のヒーターよりも強く加
熱することができるため上記被処理体に温度勾配が生じ
るよ５に上記被処理体を加熱することなどができるので
ある。
成できる理由は以下の通りである。プラズマのエツチン
グスピードは被処理体の温度が高いほど速くなるため被
処理体に温度勾配が生じるように該被処理体を加熱する
と、被処理体の高い温度に加熱された部分のプラズマエ
ツチングのスピードが速くなり被処理体を均一にプラズ
マ処理することができるのである。上記のように被処理
体としてのシリコンウェハ３を用いる場合は、ウェハ中
央部のエツチングスピードが速くなりウェハ周辺部のエ
ツチングスピードとの差がなくなり従ってシリコンウェ
ハ表面のポリシリコン膜を均一にプラズマエツチングす
ることができるのである。尚、上記被処理体の加熱温度
としては１００℃以下が適切である。さらＫ、上記した
装置においては被処理体（ウェハ）を設置するステージ
中に温度制御可能な複数のヒーターが備えられかつ、こ
のヒーターの所定部分のみを他のヒーターよりも強く加
熱することができるため上記被処理体に温度勾配が生じ
るよ５に上記被処理体を加熱することなどができるので
ある。
本発明は、４９に選択酸化方式を用いたＭＩＳ型素子の
製造に有効に使用し得る。該ＭＩＳ型素子のゲート部の
ポリシリコン膜をエツチング加工する時従来のようにウ
ェハの周辺部のポリシリコン膜と周辺部のポリシリコン
膜とでその幅に０５μの差が生じると特性上０．０２Ｖ
のＶｔｈ差となる。
製造に有効に使用し得る。該ＭＩＳ型素子のゲート部の
ポリシリコン膜をエツチング加工する時従来のようにウ
ェハの周辺部のポリシリコン膜と周辺部のポリシリコン
膜とでその幅に０５μの差が生じると特性上０．０２Ｖ
のＶｔｈ差となる。
本発明によればこの幅の差がＯとなり特性上Ｖｔｈ差も
なくなる。％にメモリ等の高集積度且つ微細なパターン
を要求される製品にとってＶｔｈのバラツキは歩留九対
して至命的で、これが解決出来る有効な方法として本発
明が有効に利用できる。
なくなる。％にメモリ等の高集積度且つ微細なパターン
を要求される製品にとってＶｔｈのバラツキは歩留九対
して至命的で、これが解決出来る有効な方法として本発
明が有効に利用できる。
さらに、本発明は、上記した一実施例に限定されるもの
ではなく例えば上記被処理体はその表面にポリシリコン
膜が形成されたゲルマニウム基板、サファイア基板ある
いはセラミック基板でも良い。
ではなく例えば上記被処理体はその表面にポリシリコン
膜が形成されたゲルマニウム基板、サファイア基板ある
いはセラミック基板でも良い。
又、上記ポリシリコン膜のかわりにシリコンナイトライ
ド膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）あるいはアルミニウム層。
ド膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）あるいはアルミニウム層。
ゲルマニウム膜等でもよい。さらに被処理体としてシリ
コン基板を用い、該シリコン基板自身に溝を形成する場
合に本発明のプラズマエツチングを応用しても良い。又
、上記装置におけるヒーターの数は多いほど良い。又、
上記ヒーターのかわりにレーザーなどによる加熱あるい
は赤外線電球などＫよる加熱でも良い。
コン基板を用い、該シリコン基板自身に溝を形成する場
合に本発明のプラズマエツチングを応用しても良い。又
、上記装置におけるヒーターの数は多いほど良い。又、
上記ヒーターのかわりにレーザーなどによる加熱あるい
は赤外線電球などＫよる加熱でも良い。
以上説明してきたように本発明は被処理体表面を均一に
エツチング加工する時に有効に利用できるが、逆に、被
エッチ物表面を故意に不均一にエツチング加工したい場
合例えば上記シリコンウェハ上のポリシリコン膜を同一
ウェハ表面上において異なった幅にエツチング加工する
こともできる。
エツチング加工する時に有効に利用できるが、逆に、被
エッチ物表面を故意に不均一にエツチング加工したい場
合例えば上記シリコンウェハ上のポリシリコン膜を同一
ウェハ表面上において異なった幅にエツチング加工する
こともできる。
この場合も上記実施例と同様に複数のヒーターの所定箇
所を適度忙温度調整することＫより被処理体に温度勾配
を与えることＫより達成できる。例えばシリコンウェハ
周辺の温度を中央部よりも強く加熱することにより中央
部のポリシリコン膜幅の狭い微細な膜を形成することが
できる。
所を適度忙温度調整することＫより被処理体に温度勾配
を与えることＫより達成できる。例えばシリコンウェハ
周辺の温度を中央部よりも強く加熱することにより中央
部のポリシリコン膜幅の狭い微細な膜を形成することが
できる。
第１図は従来のプラズマエッチ装置の断面図、第２図は
本発明の一実施例に用いるプラズマエッチ装置の断面図
である。 １．２１・・・ベルジャ、３．２３・・・ウェハ、４゜
２２・・・ステージ、６，７．８・・・ヒーター、９，
１０゜２４゜２５・・パルプ、１１．２６・・・シーリ
ング。 代理人 弁理士 小 川 勝 九二二第 １ 図
本発明の一実施例に用いるプラズマエッチ装置の断面図
である。 １．２１・・・ベルジャ、３．２３・・・ウェハ、４゜
２２・・・ステージ、６，７．８・・・ヒーター、９，
１０゜２４゜２５・・パルプ、１１．２６・・・シーリ
ング。 代理人 弁理士 小 川 勝 九二二第 １ 図
Claims (1)
- １、被処理体内に温度勾配が生じるように上記被処理体
を加熱手段により加熱しながら上記被処理体をプラズマ
処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9956785A JPS6110238A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9956785A JPS6110238A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | プラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP708879A Division JPS5599726A (en) | 1979-01-26 | 1979-01-26 | Method and device for plasma treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110238A true JPS6110238A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=14250703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9956785A Pending JPS6110238A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482747B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-11-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and plasma treatment apparatus |
| US6794302B1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dynamic feed forward temperature control to achieve CD etching uniformity |
| KR100772270B1 (ko) | 2006-08-02 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 휨 현상의 방지를 위한 급속 열처리 장치 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112445A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Gas etching means |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP9956785A patent/JPS6110238A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112445A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Gas etching means |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482747B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-11-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma treatment method and plasma treatment apparatus |
| US6794302B1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dynamic feed forward temperature control to achieve CD etching uniformity |
| KR100772270B1 (ko) | 2006-08-02 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 휨 현상의 방지를 위한 급속 열처리 장치 및 방법 |
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