JPS6388827A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS6388827A JPS6388827A JP23502686A JP23502686A JPS6388827A JP S6388827 A JPS6388827 A JP S6388827A JP 23502686 A JP23502686 A JP 23502686A JP 23502686 A JP23502686 A JP 23502686A JP S6388827 A JPS6388827 A JP S6388827A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ガス流通性を有する金属細線集合体を介し加熱ステージ
上に平置して被処理基板を加熱することによって、基板
温度を加熱ステージとほぼ等しい温度に昇温せしめ、且
つ該加熱された被処理基板の裏面側にもエツチングガス
を行きわたらせ、該エツチングガスの活性種によって該
被処理基板の両面を同時に効率良くエツチングするドラ
イエツチング方法。
上に平置して被処理基板を加熱することによって、基板
温度を加熱ステージとほぼ等しい温度に昇温せしめ、且
つ該加熱された被処理基板の裏面側にもエツチングガス
を行きわたらせ、該エツチングガスの活性種によって該
被処理基板の両面を同時に効率良くエツチングするドラ
イエツチング方法。
本発明は加熱状態において被処理基板の両面を同時にエ
ツチングするドライエツチング方法に係り、特に被処理
基板を加熱ステージ上に平置きする枚葉式のドライエツ
チング装置を用い基板加熱を効果的に行いながら両面エ
ツチングを行うドライエツチング方法に関する。
ツチングするドライエツチング方法に係り、特に被処理
基板を加熱ステージ上に平置きする枚葉式のドライエツ
チング装置を用い基板加熱を効果的に行いながら両面エ
ツチングを行うドライエツチング方法に関する。
半導体装置が高集積化されパターンが微細化されるに伴
って高精度エツチングの要求が高まっている。また量産
効果を高めるためにウェーハが大径化されて来ており、
大口径を有するウェーハに対して上記高精度エツチング
の要求を満たずために、最近では従来のバッチ式に変わ
って枚葉式のドライエツチング装置が多く用いられる。
って高精度エツチングの要求が高まっている。また量産
効果を高めるためにウェーハが大径化されて来ており、
大口径を有するウェーハに対して上記高精度エツチング
の要求を満たずために、最近では従来のバッチ式に変わ
って枚葉式のドライエツチング装置が多く用いられる。
一方、ウェーハが大径化した場合、ウェーハの片面即ち
主面のみをエツチングすると、ウェーハに反りを生じて
その後のプロセスに支障をきたすという問題があるので
、ウェーハの主面のみでなく裏面側も同時にエツチング
することが必要になって来ている。
主面のみをエツチングすると、ウェーハに反りを生じて
その後のプロセスに支障をきたすという問題があるので
、ウェーハの主面のみでなく裏面側も同時にエツチング
することが必要になって来ている。
上記枚葉式ドライエツチング装置は、被処理基板が加熱
ステージ」二に平置きされてエツチングが行われるので
、上記要求に応えて被処理基板の裏面側も同時にエツチ
ングする際には、該被処理基板を加熱ステージ上に浮か
せて載置し、被処理基板の裏面側にもエツチングガスを
流通させなければならないが、この際のステージを介し
ての基板加熱が効果的に行われることがエツチングレー
トの低下を回避するために要望される。
ステージ」二に平置きされてエツチングが行われるので
、上記要求に応えて被処理基板の裏面側も同時にエツチ
ングする際には、該被処理基板を加熱ステージ上に浮か
せて載置し、被処理基板の裏面側にもエツチングガスを
流通させなければならないが、この際のステージを介し
ての基板加熱が効果的に行われることがエツチングレー
トの低下を回避するために要望される。
第２図はエツチングガスの活性種を用いる枚葉式のドラ
イエツチング装置の代表例としてダウンフロラ（ｄｏｗ
ｎ −ｆ ｌｏｗ）型マイクロ（μ）波プラズマエツチ
ング装置を示した模式側断面図である。
イエツチング装置の代表例としてダウンフロラ（ｄｏｗ
ｎ −ｆ ｌｏｗ）型マイクロ（μ）波プラズマエツチ
ング装置を示した模式側断面図である。
同図において、５１はμ波発生装置、５２は導波管、５
３はプラズマ発生室、５４はエツチング室、５５はガス
導入口、５６ガス流通孔、５７は真空排気口、１は加熱
ステージ、２はヒータ、３は被処理基板、４は活性種を
含んだエツチングガスを示す。
３はプラズマ発生室、５４はエツチング室、５５はガス
導入口、５６ガス流通孔、５７は真空排気口、１は加熱
ステージ、２はヒータ、３は被処理基板、４は活性種を
含んだエツチングガスを示す。
この装置においては、ガス導入口５５から流入されたエ
ツチングガスがプラズマ発生室５３において導波管５２
を介して照射されるμ波によって活性化され、該活性種
を含んだエツチングガスがガス流通孔５６を介しエツチ
ング室５４内の加熱ステージ１上に載置された被処理基
板３上に注ぎかげられ、該エツチングガス４中の活性種
によって被処理基板３のエツチングがなされる。
ツチングガスがプラズマ発生室５３において導波管５２
を介して照射されるμ波によって活性化され、該活性種
を含んだエツチングガスがガス流通孔５６を介しエツチ
ング室５４内の加熱ステージ１上に載置された被処理基
板３上に注ぎかげられ、該エツチングガス４中の活性種
によって被処理基板３のエツチングがなされる。
この装置を同図に示すように通常に使用した際には、加
熱ステージ１に密着している被処理基板３の裏面側はエ
ツチングされない。
熱ステージ１に密着している被処理基板３の裏面側はエ
ツチングされない。
従って、表面と同時に裏面もエツチングしようとする場
合には、裏面側にもエツチングガスが供給されるように
被処理基板３を加熱ステージ１上に浮かせて搭載しなけ
ればならない。
合には、裏面側にもエツチングガスが供給されるように
被処理基板３を加熱ステージ１上に浮かせて搭載しなけ
ればならない。
第２図は、従来上記枚葉式μ波プラズマエツチング装置
着を用いて行われていた両面エツチング方法を示した模
式側断面図である。
着を用いて行われていた両面エツチング方法を示した模
式側断面図である。
同図に示すように従来は、加熱ステージ１の上面に剣山
状の突起５を複数本設け、該剣山状突起５上に被処理基
板３を載置することにより該被処理基板基Ｗ、３を加熱
ステージ１から浮かせ、これによって被処理基板３の裏
面側へのエツチングガス４の流通が図られていた。
状の突起５を複数本設け、該剣山状突起５上に被処理基
板３を載置することにより該被処理基板基Ｗ、３を加熱
ステージ１から浮かせ、これによって被処理基板３の裏
面側へのエツチングガス４の流通が図られていた。
しかしながら上記従来の方法によると両面エツチングは
可能になるが、被処理基板３と加熱ステージ１との熱的
な接触が複数の剣山状突起５を介しての点接触になるた
めに熱の伝達効率が悪く、被処理基板３の温度が低くな
ってエツチングレートが低下するという問題を生ずる。
可能になるが、被処理基板３と加熱ステージ１との熱的
な接触が複数の剣山状突起５を介しての点接触になるた
めに熱の伝達効率が悪く、被処理基板３の温度が低くな
ってエツチングレートが低下するという問題を生ずる。
本発明が解決しようとする問題点は、上記のように従来
枚葉式ドライエツチング装置を用いて両面エツチングを
行う際、エツチングレートの低下を生じていたことであ
る。
枚葉式ドライエツチング装置を用いて両面エツチングを
行う際、エツチングレートの低下を生じていたことであ
る。
上記問題点は、加熱ステージ（１）上にガス流通性を有
する金属細線集合体（６）を介して被処理基板（３）を
平置きし、プラズマで励起されたエツチングガス（４）
の活性種によって該被処理基板（３）の両面を同時にエ
ツチングする本発明によるドライエツチング方法によっ
て解決される。
する金属細線集合体（６）を介して被処理基板（３）を
平置きし、プラズマで励起されたエツチングガス（４）
の活性種によって該被処理基板（３）の両面を同時にエ
ツチングする本発明によるドライエツチング方法によっ
て解決される。
即ち本発明のドライエツチング方法においては、被処理
基板がガス流通性を有する金属細線集合体を介して加熱
ステージ上に平置搭載され、該金属細線集合体を介して
の熱伝導によって被処理基板が加熱され、エツチングが
行われる。
基板がガス流通性を有する金属細線集合体を介して加熱
ステージ上に平置搭載され、該金属細線集合体を介して
の熱伝導によって被処理基板が加熱され、エツチングが
行われる。
そして上記金属細線集合体は、多数本の金属細線により
形成される綿状体或いは網状体によって構成され、加熱
ステージ及び被処理基板とそれぞれの面に表出している
多数の金属細線の側面における線接触部の総和によって
熱的に接触するので、該接触部における熱抵抗は従来に
比べ大幅に減少し、且つ金属細線集合体内の熱抵抗は、
相互に接触する金属細線の熱伝導により充分に低く保た
れるので、加熱ステージから被処理基板への熱の伝達効
率は極めて良好に保たれる。
形成される綿状体或いは網状体によって構成され、加熱
ステージ及び被処理基板とそれぞれの面に表出している
多数の金属細線の側面における線接触部の総和によって
熱的に接触するので、該接触部における熱抵抗は従来に
比べ大幅に減少し、且つ金属細線集合体内の熱抵抗は、
相互に接触する金属細線の熱伝導により充分に低く保た
れるので、加熱ステージから被処理基板への熱の伝達効
率は極めて良好に保たれる。
また上記構造の金属細線集合体においては、集合してい
る多数本の金属細線の間隙部を介して被処理基板基板の
裏面全域上にエツチングガスが円滑に供給されるので、
該裏面のエツチングレートが表面に比べて低下すること
はない。
る多数本の金属細線の間隙部を介して被処理基板基板の
裏面全域上にエツチングガスが円滑に供給されるので、
該裏面のエツチングレートが表面に比べて低下すること
はない。
以上により本発明によれば、枚葉式のドライエツチング
装置を用い、エツチングレートを通常より低下させずに
、被処理基板の両面エツチングを行うことが可能になる
。
装置を用い、エツチングレートを通常より低下させずに
、被処理基板の両面エツチングを行うことが可能になる
。
以下本発明を一実施例について、第１図に示す模式側断
面図を参照し具体的に説明する。
面図を参照し具体的に説明する。
同図において、１はアルミニウム（ＡＩ）よりなる加熱
ステージ、２は加熱ステージに埋込まれたヒータ、３は
被処理基板、４は活性化されたエツチングガス、６はＡ
１ワイヤ製スポンジ（へ１細線による綿状体）、５１は
μ波発生装置、５２は導波管、５３はＡｌよりなるプラ
ズマ発生室、５４は旧よりなるエツチング室、５５はエ
ツチングガスを流入するガス導入口、５６はプラズマを
遮蔽し且つエツチングガスを通過させるガス流通孔、５
７はエツチング室内を所定のエツチングガス圧に減圧す
る真空排気口を示す。
ステージ、２は加熱ステージに埋込まれたヒータ、３は
被処理基板、４は活性化されたエツチングガス、６はＡ
１ワイヤ製スポンジ（へ１細線による綿状体）、５１は
μ波発生装置、５２は導波管、５３はＡｌよりなるプラ
ズマ発生室、５４は旧よりなるエツチング室、５５はエ
ツチングガスを流入するガス導入口、５６はプラズマを
遮蔽し且つエツチングガスを通過させるガス流通孔、５
７はエツチング室内を所定のエツチングガス圧に減圧す
る真空排気口を示す。
本発明の方法においては同図に示すように、被処理基板
３が金属細線集合体例えばへ１細線よりなる綿状体であ
るＡＩワイヤ製スポンジ６を介して加熱ステージ１上に
平置搭載され、加熱ステージ１からの熱伝導によって所
定の温度に加熱され、上部のガス流通孔５６から流下（
ｄｏｗｎ−ｆｌｏｗ）する活性化されたエツチングガス
４に含まれる活性種によってエツチングされる。
３が金属細線集合体例えばへ１細線よりなる綿状体であ
るＡＩワイヤ製スポンジ６を介して加熱ステージ１上に
平置搭載され、加熱ステージ１からの熱伝導によって所
定の温度に加熱され、上部のガス流通孔５６から流下（
ｄｏｗｎ−ｆｌｏｗ）する活性化されたエツチングガス
４に含まれる活性種によってエツチングされる。
この際、エツチングガスはスポンジ６を構成するＡＩワ
イヤの隙間を通して被処理基板３の裏面側全域にも円滑
に供給され裏面側も表面とほぼ等しいエツチングレート
で、均一にエツチングが行われる。
イヤの隙間を通して被処理基板３の裏面側全域にも円滑
に供給され裏面側も表面とほぼ等しいエツチングレート
で、均一にエツチングが行われる。
また、加熱ステージ１から被処理基板３への熱の伝達は
上記ＡＩワイヤ製スポンジ６を介して効率的に行われ、
被処理基板３は加熱ステージ１とほぼ等しい温度に加熱
される。
上記ＡＩワイヤ製スポンジ６を介して効率的に行われ、
被処理基板３は加熱ステージ１とほぼ等しい温度に加熱
される。
上記実施例に示す装置構成において、加熱ステージを約
１００℃に昇温し、４弗化炭素（ＣＦｔ） ：酸素（０
□＞＝（８〜１０）：１ｏ）混合ガスをエツチングガス
ニ用イ、約ＩＫ−のμ波で活性化したエツチングガスの
エツチング室５４内の圧力を０．６〜１５ Ｔｏｒｒに
保った状態で、被処理基板３の両面上に形成された多結
晶シリコン（ポリＳｉ）層のエツチング処理を行い、両
面共に、加熱ステージ上に直に被処理基板を載置した場
合とほぼ等しい４０００人／ｍｉｎ程度のエツチングレ
ートが得られている。
１００℃に昇温し、４弗化炭素（ＣＦｔ） ：酸素（０
□＞＝（８〜１０）：１ｏ）混合ガスをエツチングガス
ニ用イ、約ＩＫ−のμ波で活性化したエツチングガスの
エツチング室５４内の圧力を０．６〜１５ Ｔｏｒｒに
保った状態で、被処理基板３の両面上に形成された多結
晶シリコン（ポリＳｉ）層のエツチング処理を行い、両
面共に、加熱ステージ上に直に被処理基板を載置した場
合とほぼ等しい４０００人／ｍｉｎ程度のエツチングレ
ートが得られている。
あお本発明の方法は、上記μ被プラズマエツチング装置
に限らず、枚葉式の高周波プラズマエツチング装置にも
勿論適用される。
に限らず、枚葉式の高周波プラズマエツチング装置にも
勿論適用される。
また金属細線集合体の材質はエツチングガスの種類によ
って上記ＡＩ以外の金属が用いられる。
って上記ＡＩ以外の金属が用いられる。
以上説明のように本発明の方法によれば、枚葉式プラズ
マエツチング装置を用いて被処理基板の両面を同時にエ
ツチングする際に、加熱ステージから被処理基板への熱
の伝達を効率良く行い且つ裏面全域へのエツチングガス
の供給を円滑に行うことができるので、速いエツチング
レートで被処理基板の両面を均一にエツチングすること
ができる。
マエツチング装置を用いて被処理基板の両面を同時にエ
ツチングする際に、加熱ステージから被処理基板への熱
の伝達を効率良く行い且つ裏面全域へのエツチングガス
の供給を円滑に行うことができるので、速いエツチング
レートで被処理基板の両面を均一にエツチングすること
ができる。
第１図は本発明の方法の一実施例の模式側断面図、
第２図はダウンフロラ型μ波プラズマエツチング装置の
模式側断面図、 第３図は両面エツチングに際しての従来方法の模式側断
面図である。 図において、 １は加熱ステージ、 ２はヒータ、 ３は被処理基板、 ４は活性化されたエツチングガス、 ６は＾１ワイヤ製スポンジ、 ５１はμ波発生装置、 ５２は導波管、 ５３はプラズマ発生室、 ５４はエツチング室、 ５５はガス導入口、 ５６はガス流通孔、 ５７は真空排気口 を示す。
模式側断面図、 第３図は両面エツチングに際しての従来方法の模式側断
面図である。 図において、 １は加熱ステージ、 ２はヒータ、 ３は被処理基板、 ４は活性化されたエツチングガス、 ６は＾１ワイヤ製スポンジ、 ５１はμ波発生装置、 ５２は導波管、 ５３はプラズマ発生室、 ５４はエツチング室、 ５５はガス導入口、 ５６はガス流通孔、 ５７は真空排気口 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）加熱ステージ（１）上にガス流通性を有する金属細
線集合体（６）を介して被処理基板（３）を平置きし、
プラズマで励起されたエッチングガス（４）の活性種に
よって該被処理基板（３）の両面を同時にエッチングす
ることを特徴とするドライエッチング方法。 ２）上記金属細線集合体（６）が金属毛による綿状体よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のド
ライエッチング方法。 ３）上記金属細線集合体（６）が金属網の集合体よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライ
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23502686A JPS6388827A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23502686A JPS6388827A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388827A true JPS6388827A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16979978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23502686A Pending JPS6388827A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388827A (ja) |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23502686A patent/JPS6388827A/ja active Pending
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