JP2837423B2 - 半導体基板の前処理方法 - Google Patents
半導体基板の前処理方法Info
- Publication number
- JP2837423B2 JP2837423B2 JP8906589A JP8906589A JP2837423B2 JP 2837423 B2 JP2837423 B2 JP 2837423B2 JP 8906589 A JP8906589 A JP 8906589A JP 8906589 A JP8906589 A JP 8906589A JP 2837423 B2 JP2837423 B2 JP 2837423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- oxide film
- sacrificial oxide
- substrate
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置製造工程における半導体基板の前処理方法
に関し， 表面に凹凸のない，理想的な半導体基板を得ることを
目的とし， 半導体基板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工
程と，この犠牲酸化膜を剥離することにより，研磨時に
付着した半導体基板の表面の汚染物を取り除く工程と，
半導体基板を真空中で高温熱処理することにより，半導
体基板の表面の凹凸をなくし，平坦化する工程とからな
るように構成する。
に関し， 表面に凹凸のない，理想的な半導体基板を得ることを
目的とし， 半導体基板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工
程と，この犠牲酸化膜を剥離することにより，研磨時に
付着した半導体基板の表面の汚染物を取り除く工程と，
半導体基板を真空中で高温熱処理することにより，半導
体基板の表面の凹凸をなくし，平坦化する工程とからな
るように構成する。
本発明は，半導体基板の前処理方法，特に，半導体装
置製造工程における半導体基板の前処理方法に関する。
置製造工程における半導体基板の前処理方法に関する。
近年，半導体装置が‖集積化，‖速度化するのに伴
い，半導体装置の製造工程において，使用する半導体基
板の表面の凹凸を極力なくす必要が生じている。
い，半導体装置の製造工程において，使用する半導体基
板の表面の凹凸を極力なくす必要が生じている。
シリコン基板を用いた半導体装置の製造を例として説
明すると，従来の半導体基板の前処理は，シリコン基板
上に犠牲酸化膜を形成し，これをエッチングにより剥離
することにより，シリコン基板表面に付着した汚染物を
取り除いていた。
明すると，従来の半導体基板の前処理は，シリコン基板
上に犠牲酸化膜を形成し，これをエッチングにより剥離
することにより，シリコン基板表面に付着した汚染物を
取り除いていた。
従来の方法では，犠牲酸化膜とシリコン基板表面との
界面には，酸化前のシリコン基板の凹凸を反映して,10
Å前後のデコボコが残ってしまうため，シリコン基板上
に犠牲酸化膜を形成し，これをエッチングにより剥離す
るだけでは，シリコン基板表面の凹凸をなくすことはで
きない，という問題があった。
界面には，酸化前のシリコン基板の凹凸を反映して,10
Å前後のデコボコが残ってしまうため，シリコン基板上
に犠牲酸化膜を形成し，これをエッチングにより剥離す
るだけでは，シリコン基板表面の凹凸をなくすことはで
きない，という問題があった。
このため，このシリコン基板上にMOSFETのゲート絶縁
膜を形成した場合，ゲート絶縁膜も凹凸を漏ったものと
なり，局所的にみると膜厚が異なってしまう，という問
題もあった。
膜を形成した場合，ゲート絶縁膜も凹凸を漏ったものと
なり，局所的にみると膜厚が異なってしまう，という問
題もあった。
本発明は，上記の問題点を解消して，表面に凹凸のな
い，理想的な半導体基板を得ることのできる，半導体基
板の前処理方法を提供することを目的とする。
い，理想的な半導体基板を得ることのできる，半導体基
板の前処理方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために，本発明に係る半導体基
板の前処理方法は，半導体基板の表面を酸化して犠牲酸
化膜を形成する工程と，この犠牲酸化膜を剥離すること
により，研磨時に付着した半導体基板の表面の汚染物を
取り除く工程と，半導体基板を真空中で高温熱処理する
ことにより，半導体基板の表面の凹凸をなくし，平坦化
する工程とからなるように構成する。
板の前処理方法は，半導体基板の表面を酸化して犠牲酸
化膜を形成する工程と，この犠牲酸化膜を剥離すること
により，研磨時に付着した半導体基板の表面の汚染物を
取り除く工程と，半導体基板を真空中で高温熱処理する
ことにより，半導体基板の表面の凹凸をなくし，平坦化
する工程とからなるように構成する。
本発明に係る半導体基板の前処理方法は，まず，半導
体基板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成し，この犠牲
酸化膜を剥離することにより，研磨時に付着した半導体
基板の表面の汚染物を取り除く。
体基板の表面を酸化して犠牲酸化膜を形成し，この犠牲
酸化膜を剥離することにより，研磨時に付着した半導体
基板の表面の汚染物を取り除く。
次に，この半導体基板を真空中で高温熱処理する。そ
うすると，半導体基板を構成する原子が表面拡散し，半
導体基板の表面の凹凸がなくなり，半導体基板の表面が
平坦化される。
うすると，半導体基板を構成する原子が表面拡散し，半
導体基板の表面の凹凸がなくなり，半導体基板の表面が
平坦化される。
半導体基板の表面の平坦化をより完全に行うために
は，半導体基板を真空中で高温熱処理する際に，半導体
基板を構成する原子の拡散を阻害しないようにするため
に，超高真空中で行う必要がある。
は，半導体基板を真空中で高温熱処理する際に，半導体
基板を構成する原子の拡散を阻害しないようにするため
に，超高真空中で行う必要がある。
半導体基板を超高真空中で高温熱処理すると，半導体
基板の表面が平坦化される理由は，次のように考えられ
る。
基板の表面が平坦化される理由は，次のように考えられ
る。
半導体基板を超高真空中で高温熱処理することによ
り，半導体基板を構成する原子が表面拡散しやすくな
り，この原子が半導体基板の表面をマイグレーションす
る。
り，半導体基板を構成する原子が表面拡散しやすくな
り，この原子が半導体基板の表面をマイグレーションす
る。
マイグレーションした原子が，半導体基板の表面の凸
部を埋め，この結果，半導体基板の表面の凹凸がなくな
り，平坦化される。
部を埋め，この結果，半導体基板の表面の凹凸がなくな
り，平坦化される。
半導体基板を超高真空中で高温熱処理する際に，半導
体基板表面の半導体基板を構成する原子の拡散を阻害し
ないように，半導体基板上に汚染物が存在しないように
すると，半導体基板の表面の平坦化をより完全にするこ
とができる。
体基板表面の半導体基板を構成する原子の拡散を阻害し
ないように，半導体基板上に汚染物が存在しないように
すると，半導体基板の表面の平坦化をより完全にするこ
とができる。
第１図〜第４図は，本発明の一実施例の各工程を説明
する図である。
する図である。
第１図〜第４図において,1はシリコン基板,2は犠牲酸
化膜,3はディップ槽,4はエッチング液,5はチャンバ,6は
ヒータ,7は表面原子,8は保護酸化膜である。
化膜,3はディップ槽,4はエッチング液,5はチャンバ,6は
ヒータ,7は表面原子,8は保護酸化膜である。
以下，第１図〜第４図を用いて，本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
（工程1,第１図参照） シリコン基板１の表面を熱酸化することにより，犠牲
酸化膜２を形成する。
酸化膜２を形成する。
（工程2,第２図参照） 表面に犠牲酸化膜２が形成されたシリコン基板１をエ
ッチング液4,例えば,HF溶液を満たしたディップ槽３中
に浸漬させ，工程１（第１図）においてシリコン基板１
の表面に形成された犠牲酸化膜２を剥離する。
ッチング液4,例えば,HF溶液を満たしたディップ槽３中
に浸漬させ，工程１（第１図）においてシリコン基板１
の表面に形成された犠牲酸化膜２を剥離する。
このとき，シリコン基板１の研磨時の汚染物が取り除
かれる。
かれる。
（工程3,第３図参照） シリコン基板１をチャンバ５内にセットし，チャンバ
５内を１×10-8以下の超真空に引く，と共に，ヒータ６
により，シリコン基板１を1000℃以上，好ましくは,100
0〜1200℃に加熱する。
５内を１×10-8以下の超真空に引く，と共に，ヒータ６
により，シリコン基板１を1000℃以上，好ましくは,100
0〜1200℃に加熱する。
このようにすると，シリコン基板１の表面原子７が表
面拡散しやすくなり，半導体基板１の表面をマイグレー
ションする。そして，マイグレーションした表面原子７
が，シリコン基板１の表面の凸部を埋め，この結果，シ
リコン基板１の表面の凹凸がなくなり，平坦化される。
面拡散しやすくなり，半導体基板１の表面をマイグレー
ションする。そして，マイグレーションした表面原子７
が，シリコン基板１の表面の凸部を埋め，この結果，シ
リコン基板１の表面の凹凸がなくなり，平坦化される。
なお，この時にシリコン原子を蒸着やガス状態で供給
することにより，より低い温度で平坦化させることもで
きる。
することにより，より低い温度で平坦化させることもで
きる。
（工程4,第４図参照） 例えば，オゾンを導入することにより，チャンバ５内
を酸化雰囲気にして，シリコン基板１の表面に，厚さ15
〜20Åの自然酸化膜を形成し，これを保護酸化膜８とす
る。
を酸化雰囲気にして，シリコン基板１の表面に，厚さ15
〜20Åの自然酸化膜を形成し，これを保護酸化膜８とす
る。
保護酸化膜８は，シリコン基板１の平坦性を維持す
る，と共に，汚染を防止する役割を果たす。
る，と共に，汚染を防止する役割を果たす。
本発明に係る半導体基板の前処理方法によれば，表面
に,1アトミック・ハイト程度しか凹凸のない，理想的な
半導体基板を得ることが可能となる。
に,1アトミック・ハイト程度しか凹凸のない，理想的な
半導体基板を得ることが可能となる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例の各工程を示す図 である。 第１図〜第４図において 1:シリコン基板 2:犠牲酸化膜 3:ディップ槽 4:エッチング液 5:チャンバ 6:ヒータ 7:表面原子 8:保護酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/302
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板（１）の表面を酸化して犠牲酸
化膜（２）を形成する工程と， この犠牲酸化膜（２）を剥離することにより，研磨時に
付着した半導体基板（１）の表面の汚染物を取り除く工
程と， 半導体基板（１）を真空中で高温熱処理することによ
り，半導体基板（１）の表面の凹凸をなくし，平坦化す
る工程 とからなることを特徴とする半導体基板の前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8906589A JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8906589A JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267935A JPH02267935A (ja) | 1990-11-01 |
| JP2837423B2 true JP2837423B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=13960454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8906589A Expired - Fee Related JP2837423B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 半導体基板の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837423B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6447604B1 (en) * | 2000-03-13 | 2002-09-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices |
| TWI275168B (en) * | 2003-06-06 | 2007-03-01 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method for making the same |
| US7063992B2 (en) | 2003-08-08 | 2006-06-20 | Solid State Measurements, Inc. | Semiconductor substrate surface preparation using high temperature convection heating |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8906589A patent/JP2837423B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02267935A (ja) | 1990-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05251292A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03283636A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| US5897362A (en) | Bonding silicon wafers | |
| JP2837423B2 (ja) | 半導体基板の前処理方法 | |
| JPH0126171B2 (ja) | ||
| US4752505A (en) | Pre-metal deposition cleaning for bipolar semiconductors | |
| JPS5917243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0391561A3 (en) | Forming wells in semiconductor devices | |
| JP3484961B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPS62136827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0393233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3272908B2 (ja) | 半導体多層材料の製造方法 | |
| JPH071791B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| KR960000518B1 (ko) | 모스펫트(mosfet) 제조방법 | |
| JPS61258434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6288328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0673350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100227641B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 | |
| JPH05308070A (ja) | シリコン酸化膜形成法 | |
| JP3282265B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60117717A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03184343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH027516A (ja) | 半導体に於ける不純物の拡散方法 | |
| JPS6225251B2 (ja) | ||
| JPH0714827A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |