JPH06326181A - 半導体ウエハの冷却装置及びその冷却方法 - Google Patents

半導体ウエハの冷却装置及びその冷却方法

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JPH06326181A
JPH06326181A JP4713094A JP4713094A JPH06326181A JP H06326181 A JPH06326181 A JP H06326181A JP 4713094 A JP4713094 A JP 4713094A JP 4713094 A JP4713094 A JP 4713094A JP H06326181 A JPH06326181 A JP H06326181A
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JP
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wafer
cooling
semiconductor wafer
pedestal
electrostatic chuck
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JP4713094A
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Akihiro Hosokawa
昭弘 細川
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Applied Materials Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理済みの半導体ウエハを汚染することなし
に真空状態で急冷するために改善した半導体ウエハの冷
却装置及びその冷却方法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１６を冷却する受け台１４は、
半導体ウエハ１６の冷却中に受け台１４に半導体ウエハ
１６を確実に保持する静電チャック１２の部分と、半導
体ウエハ１６を冷却する熱伝導の部分との両方を含むウ
エハ冷却面１５を備えている。受け台１４におけるウエ
ハ冷却面１５の全体は鏡面仕上げになっており、ウエハ
冷却面１５と半導体ウエハ１６との間に密接させる。そ
のため、アルゴンやその他の不活性ガスなどの熱伝達媒
体を半導体ウエハ１６と受け台１４との間に配置する必
要なく、半導体ウエハ１６から水冷台１６に至る十分な
熱伝達がもたらされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造に関
し、より詳細には、集積回路の製造工程における半導体
ウエハの冷却装置及びその冷却方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ上に集積回路を製造する
ために要する種々の処理段階において、強熱が頻繁に適
用される。このような処理ステップの後では、通常、ウ
エハ温度が範囲５００〜８００℃に達しており、（例え
ば、標準的なプラスチック製のウエハ輸送器（carrier
）を用いて）半導体ウエハの輸送が困難となる上に、
比較的低いウエハ温度を要求する後続の処理ステップに
対する実行可能性を制限するので、半導体ウエハの冷却
を必要とする。ウエハ温度が範囲５００〜８００℃に達
していると、放射すなわち雰囲気に対する熱伝達によっ
て半導体ウエハは急速に冷却する。しかしながら、半導
体ウエハが冷却してウエハ温度が３００℃前後になる
と、放射による半導体ウエハの冷却速度はかなり小さく
なる。放射による冷却速度はウエハ温度の４乗に比例す
るので、半導体ウエハの冷却速度は小さくなる。すなわ
ち、ウエハ温度が減少するにつれて、放射による半導体
ウエハの冷却速度における減少量は大きくなる。
【０００３】検査及び／又は組立の付加的な処理のため
に標準的なプラスティック製のウエハ取扱いカセットに
半導体ウエハを載置させるには、処理済みの半導体ウエ
ハを範囲３００〜１００℃に冷却する必要がある。通
常、このような冷却処理は真空状態の冷却チャンバの内
部で実行する。このようなウエハ冷却を達成するため
に、現在の産業技術は次のステップを必要とする。
【０００４】１．汚染しないように雰囲気に対する露出
を最小限にしつつ、処理済みの半導体ウエハは真空状態
の冷却チャンバの内部にある水冷された受け台に移送さ
れる。
【０００５】２．処理済みの半導体ウエハと水冷された
受け台との間にアルゴンなどの不活性ガスを導入するこ
とにより、冷却チャンバ内の圧力は数bar （Torr）に増
大する。不活性ガスは、冷却水から水冷した受け台に熱
を伝達する熱伝達媒体をもたらす。ほとんどの応用例で
は、不活性ガスは半導体ウエハの裏面側に適用され、冷
却チャンバ内の圧力を最小限にしている。このような装
置では、半導体ウエハは機械式クランプによって受け台
に関連した位置に保持される。
【０００６】３．半導体ウエハが約１００℃に冷却され
るまで、冷却処理は進められる。そして、ウエハ処理系
の元圧（base pressure ）を増大させずに冷却チャンバ
は排気され、半導体ウエハは冷却チャンバから移送され
る。
【０００７】ウェハ冷却の間、水冷された受け台に対し
て半導体ウエハを保持するために、機械式ウエハクラン
プに代わって静電チャックを用いることも知られてい
る。静電チャックは、水冷された受け台の表面に一体的
に形成される。静電チャックが作動すると、水冷された
受け台の表面に静電荷が維持される。この受け台は、水
冷中の受け台の表面に半導体ウエハを引き付けて保持す
る。
【０００８】当業者に知られた形式の静電チャックは、
１９８０年１月１５日にBriglia に対して発行された"
U.S.Patent No.4,184,188, Substrate Clamping Techni
que In IC Fabrication Processes"に示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ウエハ
の冷却方法に関連しては、以下に示す問題が知られてい
る。
【００１０】１．冷却チャンバ内に不活性ガスを導入す
ることは、ガス運搬粒子（gas-borneparticles ）を冷
却チャンバ内に導入することにもなる。この粒子は半導
体ウエハを汚染するので、半導体ウエハによって生産さ
れるデバイスの個数を低減する。
【００１１】２．冷却チャンバ内の圧力を増大すること
は、冷却チャンバの底部及び側部に堆積した堆積物（se
diment）を浮かび上がらせて循環させるので、半導体ウ
エハを汚染する可能性を増大する。
【００１２】３．半導体ウエハの冷却を支援する不活性
ガスを導入して冷却チャンバ内の圧力を増大し、それか
ら、ウエハ冷却後に不活性ガスを除去して冷却チャンバ
内を真空引きする（pump down ）のに要する時間は、半
導体ウエハの冷却に要する時間を増大するので、処理ス
ループット時間を低減する。
【００１３】４．冷却中に半導体ウエハを所定の場所で
保持するために用いられるウエハクランプは、精密に製
造されなければならないので、冷却チャンバの製造コス
トに顕著な製造コストを付加する。
【００１４】５．静電チャックがウエハクランプに代わ
って用いられる場合、静電チャックと半導体ウエハとの
間にある受け台におけるウエハ冷却面の全面上に、静電
チャックは電気的絶縁層を備える必要がある。この絶縁
層は、弱い熱伝導体であるが熱的に伝導性のシリコンな
どのセラミック材料から形成されている。そのため、水
冷された受け台に半導体ウエハを保持することが可能で
あることから、機械式ウエハクランプの必要をなくする
（しかしながら、不活性ガスなどの熱伝導媒体の必要性
を解消していない）静電チャックは、冷却水から冷却し
た受け台に至る熱伝達を抑制する傾向があるので、半導
体ウエハの冷却処理をかなり遅くする。その上に、静電
チャックが熱伝達媒体を用いずに使用される場合、半導
体ウエハと水冷された受け台との間に比較的良好な熱伝
導性を達成するために、静電チャックは極めて薄くなけ
ればならない。しかしながら、静電チャックにおける薄
いセラミック製の絶縁層は、静電チャックを荷電させて
半導体ウエハを保持するために用いられた高電圧によっ
て容易に破壊される。そのため、静電チャックにおける
当業者の技術レベルは頻繁な点検を必要とするので、冷
却チャンバの作業休止時間に加えてウエハ処理スループ
ット時間を長時間化する。
【００１５】したがって、処理済みの半導体ウエハを汚
染することなく、真空状態の冷却チャンバ内で急冷可能
であることは有用である。
【００１６】そこで、本発明は、上記の問題点を解決
し、処理済みの半導体ウエハを汚染することなしに真空
状態で急冷するために改善した半導体ウエハの冷却装置
及びその冷却方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の好適な
実施例では、水冷された受け台が上部にウエハ冷却面を
備えている。このウエハ冷却面の小さい部分はセラミッ
ク材料から形成された静電チャックであり、その他の大
きい部分は熱伝導性の金属からなる部分である。水冷さ
れた受け台におけるセラミック材料からなる部分と金属
からなる部分とは共に同一の断面構造を有しており、半
導体ウエハと水冷された受け台の表面との間を密接させ
るために精密な鏡面仕上げで形成されている。そのた
め、半導体ウエハから水冷された受け台に至る熱伝達の
増大をもたらし、半導体ウエハの冷却を促進する。した
がって、本発明は、水冷された受け台に半導体ウエハを
保持する静電チャックを備えることにより、冷却チャン
バの設計にウエハクランプを組み込む必要性を解消す
る。また、本発明は、熱伝導性材料から形成されたウエ
ハ冷却面の重大な部分を有する受け台を備えるので、半
導体ウエハを急冷させる。高度に研磨された受け台の表
面は受け台と半導体ウエハとの接触を最大にするので、
半導体ウエハから水冷された受け台に至る最適な熱伝達
をもたらし、アルゴンやその他の不活性ガスなどの熱伝
導媒体を半導体ウエハと水冷された受け台との間に循環
させる必要をなくする。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係る実施例の構成及び作用に
ついて、図１ないし図５を参照して説明する。なお、図
面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複
する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の
ものと必ずしも一致していない。
【００１９】本発明は、半導体ウエハの改善した冷却方
法及びその冷却装置である。本発明は、ウエハ冷却面を
有するウエハ冷却用の受け台を提供する。このウエハ冷
却面は、受け台に半導体ウエハを保持する静電チャック
の部分と、半導体ウエハを冷却する熱伝達性の部分との
両方を備えている。受け台のウエハ冷却面は、受け台と
半導体ウエハとの間を密接するために鏡面仕上げになっ
ているので、半導体ウエハと受け台との間におけるアル
ゴンやその他の不活性ガスなどの熱伝達媒体の必要をな
くする。
【００２０】図１は、本発明の好適な実施例に係る改善
した受け台を備えた水冷装置の部分を示す平面図であ
る。図２は、図１のＢ−Ｂ線に沿って取り出した切断側
面図である。本発明の動作中では、処理済みの（したが
って高温の）ウエハ１６が冷却チャンバ１１の内部に移
送される。この冷却チャンバ１１内にあるリフタ１３
は、処理済みのウエハを拾い上げて当該ウェハを水冷さ
れた受け台１４上に配置する。このリフタは当業者に知
られた、どのような形式でもよく、本発明の操作または
理解にとって重大ではない。
【００２１】水冷された受け台１４は、大きい金属的熱
伝導性の点から主にアルミニウム金属またはアルミニウ
ム合金で構成される。これはウエハ冷却面１５を備え、
このウエハ冷却面１５の一部分は、受け台１４の表面上
の静電荷によって受け台１４に半導体ウエハ１６を保持
する静電チャック１２を組み込んでいる。処理済みの半
導体ウエハ１６が水冷された受け台１４上に配置された
後、電力が静電チャック１２に印加され、水冷された受
け台１４に処理済みのウエハ１６を保持する静電荷を発
生する。
【００２２】図１に示した本発明の実施例は、静電チャ
ック１２が水冷された受け台１４に半導体ウエハ１６を
保持するために三つの分離箇所を備えている。図１で
は、静電チャック１２は水冷された受け台１４において
利用できるウエハ冷却面１５の全体の中で小部分を占有
している。このように本発明は、ウエハ冷却面１５に半
導体ウエハ１６を固定するように作用する静電チャック
１２をもたらす。この静電チャック１２は、ウエハ冷却
面１５の最小限を占有するように構成されているので、
典型的な断熱性の静電チャック１２からの干渉によって
熱伝導が不必要に抑制されてはいない。受け台１４のウ
エハ冷却面１５に半導体ウエハ１６を引き付けて半導体
ウエハ１６と受け台１４のウエハ冷却面１５との間にお
ける接触を増大することにより、静電チャック１２は半
導体ウエハ１６と受け台１４との間における熱伝達を改
善し、ウエハ冷却面１５における大部分の熱伝導を妨害
しない。その上に、本発明に係る静電チャック１２の形
成材料は熱伝導性を有する必要はなく、静電チャック１
２は薄くなっている必要もない。このように、絶縁層を
いかなる望ましい材料で形成してもよいし、半導体ウエ
ハ１６と受け台１４との間における熱伝導を劣化するこ
となしに高電圧に耐えるのに要する厚さにすることがで
きるので、本発明は高電圧に耐える静電チャック１２を
もたらす。
【００２３】本発明が適用された応用例に要求されてい
るように、ウエハ冷却面１５上にある静電チャック１２
の構成及び組合せは、どのように実施されてもよい。図
１に示した本発明の好適な実施例では、水冷された受け
台１４におけるウエハ冷却面１５の三つの部分が、受け
台１４に半導体ウエハ１６を保持する静電取付（electr
ostatic attachment）のために設けられている。本発明
に係る他の実施例では、静電取付の多少の位置が設けら
れる。このような取付位置は、図１に示すような長方形
状である必要はなく、円状、正方形状、三角形状及び円
環状などであってもよい。
【００２４】電力配線１９は静電チャック１２に電力を
供給するために設置され、水冷された受け台１４のウエ
ハ冷却面１５に密接して半導体ウエハ１６を適切に維持
する。すなわち、ウエハ冷却面１５にウエハ１６を固定
するために、電力が静電チャック１２に供給される。半
導体ウエハ１６をウエハ冷却面１５から取り外させる
か、あるいはウエハ冷却面１５に設置させるために、電
力の供給が遮断される。このような電流の供給は、種々
の周知な手段によって制御されてもよい。
【００２５】熱は処理済み半導体ウエハ１６から受け台
１４に移動するので、受け台１４から熱を引き出すため
に、水供給管（water supply conduit）１７はアルミニ
ウム製の受け台１４の内部に水（あるいは、望ましけれ
ば他の冷却媒体）を連続的に循環させる。水供給管１７
と電力配線１９との両方が受け台１４の下部に配置され
ているので、冷却チャンバ１１は真空下に維持され得
る。図１に示した受け台１４は一例にすぎない。本発明
は、受け台内の冷却媒体の内部循環に依存しない受け台
を含む、どのような形式のウェハ冷却台にも容易に適用
することを見出している。
【００２６】本発明の好適な実施例では、静電チャック
１２の表面に接触した半導体ウエハ１６は、水冷された
受け台１４のウエハ冷却面１５における残りの部分とち
ょうど同一の高さにある。このように、処理済み半導体
ウエハ１６と水冷された受け台１４との間における実際
の接触領域を増大するのに役立つ極めて平坦な表面が設
けられている。水冷された受け台１４のウエハ冷却面１
５と静電チャック１２における半導体ウエハ１６の接触
面との両方は、同一平面である上に、半導体ウエハ１６
と水冷された受け台１４のウエハ冷却面１５との間にお
ける実際の接触領域をさらに増大する鏡面仕上げになっ
ている。
【００２７】図３は、半導体ウエハの周縁部と受け台の
表面との不整合が生じる、従来技術に係る半導体ウエハ
から受け台に至る熱伝導を示す略式図である。ウエハ冷
却のほとんどの応用例では、半導体ウエハと受け台との
間における実際の接触領域はかなり小さい、すなわち２
〜３％のオーダ上にあることが知られている。処理済み
半導体ウエハ１６は水冷された受け台１４の冷却面１５
に相対して厳密に平坦かつ平行な表面を有するので、こ
のような面対面の不整合と、半導体ウエハ１６と水冷さ
れた受け台１４との間における密接さの欠如（correspo
nding lack ofinimate contact ）とが生じる。このよ
うなことは、半導体ウエハ１６が高温処理を受けた後、
図３に示すようにウエハ１６が湾曲、歪曲または屈曲を
受けるときに確実になる。このようなウエハにおける平
坦化率（planarity ）の歪みは、半導体ウエハ１６と水
冷された受け台１４のウエハ冷却面１５との間に（図３
に矢印２０として示すように）隙間を発生する。真空が
断熱体として作用する真空チャンバ１１内に半導体ウエ
ハと受け台のウエハ冷却面１５との間の隙間が存在する
ことは、半導体ウエハ１６から受け台１４に至る熱伝達
を非常に困難にする。このため、知られた方法（approa
ch）はアルゴンやその他の不活性ガスなどの熱伝達媒体
を半導体ウエハ１６と受け台１４との間の隙間に使用
し、ウエハと受け台との間の隙間において半導体ウエハ
１６から受け台１４に至る熱伝達を改善し、もって、半
導体ウエハの冷却処理を速める。
【００２８】図３に示した矢印付きライン２２ａからな
る熱伝達のプロファイルでは、比較的長いラインはアル
ミニウム製の受け台１４のウエハ冷却面１５に密接した
半導体ウエハ１６の位置で増大した熱伝達を表し、より
短いラインは半導体ウエハ１６と受け台１４の冷却面１
５との間に隙間が存在する半導体ウエハ１６の位置で低
減した熱伝達を表す。
【００２９】図４は、本発明の好適な実施例に係る半導
体ウエハから受け台に至る熱伝達を示す略式図である。
図４では、静電チャック１２は受け台１４の冷却面１５
に半導体ウエハ１６を引き付けるために用いられる。静
電チャック１２によって誘導された静電荷は、半導体ウ
エハ１６を受け台１４のウエハ冷却面１５の形状（prof
ile ）に強制的に沿わさせる（comply）ので、半導体ウ
エハ１６と水冷された受け台１４との間における実際の
接触領域を増大させる。
【００３０】セラミック材料からなる層を含む静電チャ
ック１２が良好な熱伝導体ではないので、熱伝導性のウ
エハ冷却面１５を有し、ウエハ冷却面の最小部分のみが
静電チャックに対する吸引位置を与えるために用いられ
る水冷された受け台１４との組合せは、非常に重要であ
る。したがって、本発明は、静電チャック１２の長所を
利用して受け台の冷却面１５とのウエハ接触を改善して
いるので、熱伝達媒体の必要をなくしている。その上
に、本発明は、静電チャック１２の全表面領域を最小限
にするとともにウエハ冷却面１５を最大にするので、半
導体ウエハ１６から受け台に至る最大の熱伝達をもたら
す。
【００３１】図４に示されるように矢印付きライン２２
ｂからなる熱伝達プロファイルでは、より長いラインは
半導体ウエハ１６が受け台１４のウエハ冷却面１５に密
接している位置で増大した熱伝達を表し、より短いライ
ンは半導体ウエハ１６が静電チャック１２と接触する位
置で低減した熱伝達を表す。
【００３２】受け台１４におけるウエハ冷却面１５の全
体（すなわち、金属の冷却面の部分と絶縁的な静電チャ
ックの部分と）が高度に研磨されて鏡面仕上げになって
いる場合、静電チャック１２の使用によってウエハ冷却
面１５の接触領域に対する半導体ウエハ１６の増大によ
る熱伝達で得られる利点が、すでに見出されている。
【００３３】図５は、先行技術に係るウエハ冷却技術と
本発明に係るウエハ冷却技術とにおけるウエハ冷却プロ
ファイルを示すグラフである。図５では、第１のライン
４０は、熱伝達媒体を用いずに精密な表面仕上げがなさ
れている受け台上で半導体ウエハが冷却されているウエ
ハ冷却曲線（単位ｓｅｃの冷却時間に対応する単位℃の
冷却温度）を表す。このような表面仕上げは、表面粗さ
（Ｒa ）の用語で記述される。この表面粗さは、仮想的
な平坦面に対して上下に位置する表面における単位長さ
当たりの平均偏差（deviation ）である。本発明の目的
のために、表面粗さＲa を表現する長さは、２．５×１
０-5mm（１０-6inches）という単位用語を用いることに
する。図５にプロットされた第１のライン４０やその他
のラインには、例として記された表面粗さの値を得るた
めに知られた研磨技術が用いられている。
【００３４】現在の産業技術は、約６３Ｒa の受け台の
面をもたらす。図５に示したライン４０は、２５Ｒa の
精密な表面仕上げを有する受け台上の半導体ウエハの冷
却を表す。このような試行のためには半導体ウエハの冷
却速度が非常に遅いことが、図から分かる。
【００３５】第２のライン４４は、熱伝達媒体を用いて
２５Ｒa の表面仕上げを有する受け台上で半導体ウエハ
が冷却されたウエハ冷却曲線を表す。現在では、このよ
うな試行が半導体ウエハの冷却の技術段階である。熱伝
達媒体を含有することにより、半導体ウエハの冷却速度
が大きく改善されることが分かる。
【００３６】第３のライン４２は、熱伝導性媒体を用い
ずに２５Ｒa の表面仕上げを有する受け台上で半導体ウ
エハが冷却されたウエハ冷却曲線を表す。この受け台
は、静電チャック、すなわち受け台の全表面を含む既知
形式の静電チャックを備えている。熱伝達媒体を用いず
に半導体ウエハを冷却するために用いられる受け台にお
いて、静電チャックは幾分の改善をもたらすことが分か
る。しかしながら、この構成（configuration ）による
性能は当該技術状態における性能よりもかなり劣ってい
る。
【００３７】第４のライン４６は、熱伝達媒体を用いず
に１Ｒa の表面仕上げ（すなわち、鏡面仕上げ）を有す
る受け台上で半導体ウエハが冷却されているウエハ冷却
曲線を表す。この受け台は、ウエハ冷却面を含み、その
一部は本発明に係る静電チャックを含む。半導体ウエハ
の冷却に対する本発明の性能は本質的に当該技術状態の
性能に近づくことが、図から分かる。本発明は半導体ウ
エハの冷却技術における当該技術状態で必要な不活性ガ
スなどの熱伝達媒体を要しないことから、本発明は現在
の方法と比較して清浄な冷却処理を提供する。
【００３８】ここで本発明は好適な実施例を参照して説
明されているが、その他の応用例がここで上述した構成
に代用されていると、本発明の意図及び範囲から外れて
いないことを当業者が容易に認識することになる。した
がって、本発明は上述した特許請求の範囲によって限定
されるものではない。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、処理済みの半導体ウエ
ハを汚染することなしに真空状態で急冷するように改善
した半導体ウエハの冷却装置及びその冷却方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施例に係る改善した受け台を
備えた水冷装置の部分を示す平面図である。
【図２】本発明の好適な実施例に係る改善した受け台を
備えた水冷装置の部分において、図１のＢ−Ｂ線に沿っ
て取り出した切断側面図である。
【図３】半導体ウエハの周縁部と受け台の表面との不整
合が生じる、従来技術に係る半導体ウエハから受け台に
至る熱伝導を示す略式図である。
【図４】本発明の好適な実施例に係る半導体ウエハから
受け台に至る熱伝導を示す略式図である。
【図５】従来技術に係るウエハ冷却技術と本発明に係る
ウエハ冷却技術とにおけるウエハ冷却プロファイルを示
すグラフである。
【符号の説明】
１１…冷却チャンバ、１２…静電チャック、１３…リフ
タ、１４…受け台、１５…ウエハ冷却面、１６…半導体
ウエハ、１７…水供給管、１９…電力配線、２０，２２
ａ，２２ｂ…矢印、４０…第１のライン、４２…第３の
ライン、４４…第２のライン、４６…第４のライン。

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウエハ冷却面を有する受け台（pedesta
    l）と、 前記ウエハ冷却面の一部に配置されて前記ウエハ冷却面
    の表面領域よりも小さい表面領域を占有し、前記ウエハ
    冷却面にウエハを保持する少なくとも一つの静電チャッ
    クとを備える半導体ウエハの冷却装置。
  2. 【請求項２】 前記静電チャックに占有された前記ウエ
    ハ冷却面の一部は、前記受け台にウエハを固定するた
    め、前記ウエハ冷却面の最小量になっている請求項１記
    載の半導体ウエハの冷却装置。
  3. 【請求項３】 前記静電チャックは、前記受け台に前記
    ウエハを固定するために前記ウエハ冷却面の少なくとも
    二つの分離した部分（discrete portions ）を占有する
    請求項１記載の半導体ウエハの冷却装置。
  4. 【請求項４】 前記ウエハ冷却面は鏡面仕上げになって
    いる請求項１記載の半導体ウエハの冷却装置。
  5. 【請求項５】 前記鏡面仕上げは約１Ｒa （２．５×１
    ０-5mm）の表面粗さである請求項４記載の半導体ウエハ
    の冷却装置。
  6. 【請求項６】 前記鏡面仕上げは１Ｒa （２．５×１０
    -5mm）未満の表面粗さである請求項４記載の半導体ウエ
    ハの冷却装置。
  7. 【請求項７】 ウエハ冷却面を有する受け台を備え、 前記ウエハ冷却面は鏡面仕上げになっている半導体ウエ
    ハの冷却装置。
  8. 【請求項８】 前記鏡面仕上げは約１Ｒa （２．５×１
    ０-5mm）の表面粗さである請求項７記載の半導体ウエハ
    の冷却装置。
  9. 【請求項９】 前記鏡面仕上げは１Ｒa （２．５×１０
    -5mm）未満の表面粗さである請求項７記載の半導体ウエ
    ハの冷却装置。
  10. 【請求項１０】 前記ウエハ冷却面の部分に配置されて
    前記ウエハ冷却面の表面領域よりも小さい表面領域を占
    有し、前記ウエハ冷却面にウエハを保持する少なくとも
    一つの静電チャックをさらに備える請求項７記載の半導
    体ウエハの冷却装置。
  11. 【請求項１１】 前記静電チャックに占有された前記ウ
    エハ冷却面の一部は、前記受け台にウエハを固定するた
    め、前記ウエハ冷却面の最小量になっている請求項１０
    記載の半導体ウエハの冷却装置。
  12. 【請求項１２】 前記静電チャックは、前記受け台に前
    記ウエハを固定するために前記ウエハ冷却面の少なくと
    も二つの分離した部分を占有する請求項１０記載の半導
    体ウエハの冷却装置。
  13. 【請求項１３】 半導体ウェハを冷却する方法であっ
    て、 前記ウエハ冷却面の一部に配置されて前記ウエハ冷却面
    の表面領域よりも小さい表面領域を占有する少なくとも
    一つの静電チャックを用い、受け台のウエハ冷却面にウ
    エハを保持する工程を備える半導体ウエハの冷却方法。
  14. 【請求項１４】 前記静電チャックに占有された前記ウ
    エハ冷却面の一部は、前記受け台にウエハを固定するた
    め、前記ウエハ冷却面の最小量になっている請求項１３
    記載の半導体ウエハの冷却方法。
  15. 【請求項１５】 前記静電チャックは、前記受け台に前
    記ウエハを固定するために前記ウエハ冷却面の少なくと
    も二つの分離した部分を占有する請求項１３記載の半導
    体ウエハの冷却方法。
  16. 【請求項１６】 前記ウエハ冷却面は鏡面仕上げになっ
    ている請求項１３記載の半導体ウエハの冷却方法。
  17. 【請求項１７】 前記鏡面仕上げは約１Ｒa （２．５×
    １０-5mm）の表面粗さである請求項１６記載の半導体ウ
    エハの冷却方法。
  18. 【請求項１８】 前記鏡面仕上げは１Ｒa （２．５×１
    ０-5mm）未満の表面粗さである請求項１６記載の半導体
    ウエハの冷却方法。
  19. 【請求項１９】 半導体ウェハを冷却する方法であっ
    て、 鏡面仕上げになっているウエハ冷却面を有する受け台上
    で前記ウエハを冷却する工程を備える半導体ウエハの冷
    却方法。
  20. 【請求項２０】 前記鏡面仕上げは約１Ｒa （２．５×
    １０-5mm）の表面粗さである請求項１９記載の半導体ウ
    エハの冷却方法。
  21. 【請求項２１】 前記鏡面仕上げは１Ｒa （２．５×１
    ０-5mm）未満の表面粗さである請求項１９記載の半導体
    ウエハの冷却方法。
  22. 【請求項２２】 前記ウエハ冷却面の一部に配置されて
    前記ウエハ冷却面の表面領域よりも小さい表面領域を占
    有し、前記ウエハ冷却面にウエハを保持する少なくとも
    一つの静電チャックをさらに備える請求項１９記載の半
    導体ウエハの冷却方法。
  23. 【請求項２３】 前記静電チャックに占有された前記ウ
    エハ冷却面の一部は、前記受け台にウエハを固定するた
    め、前記ウエハ冷却面の最小量になっている請求項２２
    記載の半導体ウエハの冷却方法。
  24. 【請求項２４】 前記静電チャックは、前記受け台に前
    記ウエハを固定するために前記ウエハ冷却面の少なくと
    も二つの分離した部分を占有している請求項２２記載の
    半導体ウエハの冷却方法。
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